JP6316800B2 - 半導体検査ツールにおいてサンプルステージの運動を時間遅延積分電荷結合素子で同期させる装置および方法 - Google Patents
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Description
本出願は、米国特許法第119条(e)の下で、参照により本明細書中に組み込まれる、2012年4月15日付で出願された米国特許仮出願番号61/624,317号の有益性を請求する。
Claims (19)
- 検査ツールにおいて時間遅延積分(TDI)電荷結合素子(CCD)でサンプルを保持するステージの運動を同期させる方法であって:
検査される前記サンプルを保持する前記ステージの横方向の位置を測定すること;
前記ステージの垂直方向の位置を測定すること;
測定された前記横方向の位置および前記垂直方向の位置に基づいて前記サンプルの画像化ピクセルの補正された横方向の位置を決定すること;
前記画像化ピクセルの補正された前記横方向の位置を用いて前記CCDの電荷移動を同期させること
を含む、方法。 - 前記ステージの横方向の速度を測定すること;
前記ステージの垂直方向の速度を測定すること;
測定された前記ステージの前記垂直方向の速度を、前記サンプルの表面の法線方向に対する軸外照明の照明角度と前記横方向の速度を用いて補正すること
をさらに含み、補正された前記横方向の位置を決定することは、補正された前記垂直方向の速度を使用することを含む、請求項1記載の方法。 - 前記ステージの横方向の速度を測定すること;
前記ステージの垂直方向の速度を測定すること
をさらに含み、
測定された前記ステージの前記横方向および前記垂直方向の速度を結合させ;
結合によって前記画像化ピクセルの実際の横方向の位置が歪み;
補正された前記横方向の位置を決定することが、歪みを相殺することを含む、請求項1記載の方法。 - 前記CCDを帯電させるために用いられる光が、前記サンプルの表面の法線方向に対して鋭角の反射角で前記サンプルの表面から反射され;
基準信号発生器が前記反射角にしたがって基準信号を生成し;
前記電荷移動を同期させることは、前記画像化ピクセルのみかけの横方向の位置と実際の横方向の位置との間の差を補正するために前記基準信号を使用することを含む、請求項3記載の方法。 - 前記基準信号を発生させることが、前記反射角の三角関数にしたがって前記基準信号を発生させることを含む、請求項4記載の方法。
- 前記基準信号を位相ロックループに入力すること;
前記位相ロックループを使用して、制御信号を生成すること;
前記制御信号を使用して、ピクセルクロックを生成すること;
前記ピクセルクロックを使用して前記電荷移動を同期させること
をさらに含む、請求項4記載の方法。 - 前記基準信号を位相ロックループに入力すること;
前記位相ロックループを使用して、制御信号を生成すること;
前記垂直方向で前記サンプルの輪郭にしたがって前記制御信号を変更することによってピクセルクロックを生成すること;
前記ピクセルクロックを使用して前記電荷移動を同期させること
をさらに含む、請求項4記載の方法。 - 前記電荷移動を同期させることが位相ロックループを使用することを含む、請求項1記載の方法。
- 前記サンプルがレチクルまたはウエハーである、請求項1記載の方法。
- 前記横方向および前記垂直方向の位置の測定が6軸レーザー干渉計を使用することを含む、請求項1記載の方法。
- ステージミラー、少なくとも1つのサンプル高さマップ、および少なくとも1つのサンプル表面マップから各補正を使用して位相アキュムレータ回路でピクセルクロックを生成すること;
前記ピクセルクロックを使用して前記電荷移動を同期させること
をさらに含む、請求項1記載の方法。 - 検査システムの時間遅延積分(TDI)電荷結合素子(CCD)の電荷移動を制御するための装置であって:
検査されるサンプルを保持するステージの測定された垂直および横方向の位置に基づいて基準信号を生成するようにアレンジされた位相・周波数コントローラ;
前記基準信号を使用して、補正された前記横方向の位置で前記サンプルの画像化ピクセルの前記CCDの電荷移動を制御するためのピクセルクロックを生成するようにアレンジされた制御システム
を含む、装置。 - 前記基準信号の生成が、前記ステージの前記垂直方向の速度を補正することを含む、請求項12記載の装置。
- 前記ステージの前記横方向および前記垂直方向の速度が結合され、
結合が、前記画像化ピクセルの実際の位置を歪ませ;
前記ピクセルクロックの生成が、歪みを相殺することを含む、請求項12記載の装置。 - 前記CCDを帯電させるために用いられる光が、前記サンプルの表面の法線方向に対して鋭角の反射角で前記サンプルの表面から反射され;
基準信号発生器が、前記反射角にしたがって前記基準信号を生成するようにアレンジされる、請求項12記載の装置。 - 前記制御システムが、位相ロックループを含み:
前記位相ロックループが、前記基準信号に基づく制御信号を生成するようにアレンジされ;
前記制御システムが、前記制御信号を使用して前記ピクセルクロックを生成するようにアレンジされる、請求項12記載の装置。 - 前記制御システムが、表面のZ方向の輪郭にしたがって前記制御信号を補正するようにアレンジされる請求項16記載の装置。
- 検査システムのための時間遅延積分(TDI)電荷結合素子(CCD)の電荷移動を制御する装置であって:
検査されるサンプルを保持するステージの測定された垂直および横方向の位置に基づく基準信号を生成するようにアレンジされた位相・周波数コントローラと、
前記基準信号に基づく制御信号を生成するようにアレンジされた位相ロックループを含み;
前記制御信号を使用して、前記CCDの電荷移動を制御するため、そして前記サンプルの画像化ピクセルの見かけの横方向の位置と前記画像化ピクセルの実際の横方向の位置との間の差を補正するためのピクセルクロックを生成するようにアレンジされた制御システムとを含み、
前記CCDを帯電させるために用いられる光が、前記サンプルの表面の法線方向に対して鋭角の反射角で前記サンプルの表面から反射され;
基準信号発生器が、前記反射角に基づく前記基準信号を生成するようにアレンジされる、装置。 - 前記制御システムが、前記垂直方向で表面の輪郭にしたがって前記制御信号を補正して前記ピクセルクロックを生成するようにアレンジされる、請求項18記載の装置。
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