JP4761588B1 - Euvマスク検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかるEUV(Extreme Ultra Violet)マスク検査装置100は、EUV光源101、照明光学系、シュバルツシルト光学系108及びTDIセンサー109を有する。照明光学系は、シュバルツシルト光学系108を含む検査光学系内に配置された多層膜凹面鏡102を有する。多層膜凹面鏡102は、EUV光源101からのEUV光EUV11をEUVマスク110へ向けて反射する。シュバルツシルト光学系108は、正反射光S1を集光する。TDIセンサー109は、シュバルツシルト光学系108が集光した正反射光S1を検出することにより、EUVマスク110の明視野像を取得する。多層膜凹面鏡102は、シュバルツシルト光学系108への正反射光S1の入射を遮らない位置に配置される。
【選択図】図1
Description
本発明の実施の形態1にかかるEUVマスク検査装置について説明する。実施の形態1にかかるEUVマスク検査装置は、EUVマスクを検査するための装置であり、明視野照明によりEUVマスクのパターンの欠陥を検出する。図1は、実施の形態1にかかるEUVマスク検査装置100の断面構造を示す構成図である。図1に示すように、EUVマスク検査装置100は、EUV光源101、多層膜凹面鏡102、XYステージ105、凸面鏡106、出射孔付き凹面鏡107、TDIセンサー109により構成される。XYステージ105上には、検査対象であるEUVマスク110が保持される。
次に、本発明の実施の形態2にかかるEUVマスク検査装置について説明する。実施の形態2にかかるEUVマスク検査装置は、実施の形態1と同様に、EUVマスクを検査するための装置である。また、EUVマスク検査装置200は、EUVマスク検査装置100における出射孔付き凹面鏡107を、出射孔付き凹面鏡207に置き換えた構成を有する。
次に、本発明の実施の形態3にかかるEUVマスク検査装置について説明する。実施の形態3にかかるEUVマスク検査装置は、実施の形態2にかかるEUVマスク検査装置200の変形例である。EUVマスク検査装置300は、EUVマスク検査装置200における出射孔付き凹面鏡207を、出射孔付き凹面鏡307に置き換えた構成を有する。
本発明の実施の形態4にかかるEUVマスク検査装置について説明する。実施の形態4にかかるEUVマスク検査装置は、実施の形態1と同様に、EUVマスクを検査するための装置である。図5は、実施の形態4にかかるEUVマスク検査装置400の断面構造を示す構成図である。図5に示すように、EUVマスク検査装置400は、実施の形態1にかかるEUVマスク検査装置100のEUV光源101及び出射孔付き凹面鏡107を、それぞれEUV光源401及び出射孔付き凹面鏡407に置き換えたものである。また、EUVマスク検査装置400は、実施の形態1にかかるEUVマスク検査装置100と比べて、多層膜凹面鏡402及び多層膜平面鏡403が追加されている。凸面鏡106及び出射孔付き凹面鏡407は、集光光学系であるシュバルツシルト光学系408を構成する。
次に、本発明の実施の形態5にかかるEUVマスク検査装置について説明する。実施の形態5にかかるEUVマスク検査装置は、実施の形態4と同様に、EUVマスクを検査するための装置である。また、EUVマスク検査装置500は、EUVマスク検査装置400における多層膜凹面鏡及び多層膜平面鏡が複数個配置される構成を有する。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態1〜5にかかるEUVマスク検査装置は、パターン付きEUVマスクの欠陥を検出するものである。しかし、実施の形態はこれに限られるものではない。実施の形態1〜5にかかるEUVマスク検査装置は、例えば、EUVマスクブランクスの検査やAIMS(Aerial Image Measurement System)にも適用できる。
100、200、300、400、500 EUVマスク検査装置
101、401 EUV光源
102 多層膜凹面鏡
105 XYステージ
107、207、307、407 出射孔付き凹面鏡
106 凸面鏡
108、408 シュバルツシルト光学系
109 TDIセンサー
110 EUVマスク
402 多層膜凹面鏡
403 多層膜平面鏡
503a〜503c 多層膜平面鏡
700 EUVマスク
701 基板
702 多層膜
703 吸収体
800 マスク検査装置
802 1/4波長板
803 対物レンズ
804 ステージ
805 投影レンズ
806 CCD/TDIセンサー
810 マスク
811 パターン面
RH1、RH2、RH3、RH5 正反射光出射孔
IH1、IH2a〜IH2c、IH3a〜IH3e 照明光導入孔
S1、S2a〜S2c、S3a〜S3e、S5a〜S5c 正反射光
Claims (10)
- EUV(Extreme Ultra Violet)光を含む照明光を発生させる光源と、
前記光源から取り出された前記照明光によりEUVマスクを照明する照明光学系と、
前記EUVマスクによる正反射光の集光光学系と、
前記集光光学系により集光された前記正反射光を検出することにより、前記EUVマスクの明視野像を取得する検出器と、を備え、
前記照明光学系は、
前記集光光学系を含む、前記EUVマスクと前記検出器との間の検査光学系の内部に配置され、前記光源からの同一波長の前記照明光を前記EUVマスクへ向けて同時に反射する、n(nは、2以上の整数)個の第1の反射鏡を備え、
前記n個の第1の反射鏡は、前記集光光学系へ入射する前記正反射光を遮らない位置に配置される、
EUVマスク検査装置。 - 前記集光光学系は、
前記正反射光を反射する第1の凹面鏡と、
前記第1の凹面鏡により反射された前記正反射光を前記検出器へ向けて反射する凸面鏡と、を備え、
前記第1の凹面鏡と前記凸面鏡とは、シュバルツシルト光学系を構成することを特徴とする、
請求項1に記載のEUVマスク検査装置。 - 前記n個の第1の反射鏡により反射されたn本の前記照明光のそれぞれは、前記第1の凹面鏡に設けられたn個の照明光導入孔を介して、前記EUVマスクを照明し、
前記EUVマスクを照明する前記n本の前記照明光のn本の前記正反射光は、前記第1の凹面鏡の前記n個の前記照明光導入孔が設けられていない部分により反射されることを特徴とする、
請求項2に記載のEUVマスク検査装置。 - 前記凹面鏡により反射された前記正反射光は、前記第1の凸面鏡の中央部に設けられた正反射光出射孔を介して、前記検出器に到達し、
前記n個の前記照明光導入孔が、前記正反射光出射孔の周囲に設けられることを特徴とする、
請求項3に記載のEUVマスク検査装置。 - 3個以上の奇数個の前記照明光導入孔が等間隔で前記第1の凹面鏡に設けられ、
前記3個以上の奇数個の前記照明光導入孔は、前記第1の凹面鏡の光軸に対してそれぞれ等しい角度間隔で設けられることを特徴とする、
請求項3又は4に記載のEUVマスク検査装置。 - 前記照明光学系では、前記n個の第1の反射鏡が前記集光光学系と前記EUVマスクとの間に配置され、
前記n個の第1の反射鏡により反射された前記n本の前記照明光のn本の前記正反射光のそれぞれは、前記n個の第1の反射鏡のいずれにも遮られることなく、前記第1の凹面鏡により反射されることを特徴とする、
請求項2に記載のEUVマスク検査装置。 - 3個以上の奇数個の前記第1の反射鏡が等間隔で配置され、
前記3個以上の奇数個の前記第1の反射鏡が、前記第1の凹面鏡の前記光軸に対してそれぞれ等しい角度間隔で設けられることを特徴とする、
請求項6に記載のEUVマスク検査装置。 - 前記n個の第1の反射鏡は凹面鏡であり、前記n個の第1の反射鏡により前記照明光が前記EUVマスク上に集光されることを特徴とする、
請求項1乃至7のいずれか一項に記載のEUVマスク検査装置。 - 前記照明光学系は、
前記光源からの前記EUV光を前記n個の第1の反射鏡へ向けて反射するn個の第2の凹面鏡を更に備えることを特徴とする、
請求項1乃至8のいずれか一項に記載のEUVマスク検査装置。 - 前記n個の第1の反射鏡は平面鏡であり、前記n個の第2の反射鏡により前記照明光が前記EUVマスク上に集光されることを特徴とする、
請求項9に記載のEUVマスク検査装置。
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