JP6314793B2 - センシングシステム - Google Patents

Description

本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）センサを用いたセンシングシステムに関する。

圧電体基板上にＳＡＷを発生させるための櫛形電極を形成したＳＡＷ素子が知られている。ＳＡＷ素子は、温度や力の測定対象の物理量の変化を受けると、それに応じて櫛形電極の間隔やＳＡＷの伝搬速度等が変化し、電気的特性が変化する。この電気的特性の変化を検出することに基づいて物理量を測定するシステムが、ＳＡＷセンシングシステムである。

例えば、圧電体上に櫛形電極とその両側に配置した反射器から成るＳＡＷ共振器を用いたＳＡＷセンシングシステムは、ＳＡＷ共振器の共振周波数の変化量に基づいて測定対象の物理量を算出する。この方式は、基準発振信号を周波数変調した変調信号をセンサ素子に印加することで、ＳＡＷ共振器がエネルギーを最も吸収する周波数の変化を検出することで実現できる。また、ＳＡＷ共振器を用いた発振回路を構成し、その発振周波数の変化量を読み取る方式も存在する。

また、圧電体上に入力用の櫛形電極と出力用の櫛形電極とを備えているトランスバーサル型ＳＡＷ遅延素子を用いたＳＡＷセンサは、トランスバーサル型ＳＡＷ遅延素子の入出力信号の強度の差や遅延時間、位相の変化量に基づいて測定対象の物理量を算出する。このＳＡＷセンシングシステムは、入出力兼用の櫛形電極と、離れた位置に配置した反射器から成る反射型ＳＡＷ遅延素子を用いた場合にも同様の検出が可能である。

特表平５−５０６５０４号公報

発明者は、例えば、ＳＡＷ共振器、または、トランスバーサル型ＳＡＷ遅延素子、反射型ＳＡＷ遅延素子を用いたＳＡＷセンサを車両エンジンのクランク軸に装着し、その共振周波数の変化量または遅延信号や反射信号の位相角の変化量を検出することでトルクを検出するセンシングシステムを検討している。

このセンシングシステムを使用すれば、トルクによるＳＡＷ素子の変形量を共振周波数の変化量または遅延信号や反射信号の位相角の変化量等の電気的特性に変換できるため、当該電気的特性の変化量に基づいてトルクを算出可能になるものと考えられる。しかしながら、クランク軸には、トルクに起因する変形だけでなく、軸に垂直な方向の力に起因する撓みが存在する。そのため、一つのＳＡＷ素子の電気的特性には、トルクに起因する信号成分に、軸の撓みに起因する信号成分が重畳されてしまう。さらには、温度に起因するＳＡＷ素子の変形やＳＡＷの音速変化も、温度に起因する信号成分として重畳されてしまう。この影響が無視できないほど大きい場合、信号成分を分離する手段として、軸の撓みを検出するＳＡＷ素子と、温度を検出するＳＡＷ素子を別途設けて、撓みに起因する信号成分と温度に起因する信号成分を減算する補正処理を行う必要がある。

しかし、ＳＡＷセンサの設置環境などに応じて、ＳＡＷ素子の大きさと数に制約が存在する場合がある。この制約を考慮すると、多数の素子を搭載できない場合がある。また、トランスバーサル型ＳＡＷ遅延素子もしくは反射型ＳＡＷ遅延素子を用いたＳＡＷセンサでは、多数のＳＡＷ素子を使用した場合、センサ信号の区別がしにくくなる場合がある。一例として、櫛形電極と反射器の本数がそれぞれ４０本となる、サイズ２×４［ｍｍ］以下の条件下のニオブ酸リチウム製のＳＡＷ遅延素子を考える。図１は、伝搬線路長の調整により遅延時間を変化させた場合の特性ＴＳ１、ＴＳ２、ＴＳ３を示している。多数（例えば３つ）のＳＡＷ素子の反射信号が重ならない条件を探索することは難しく、設計容易性に劣る。また、ＳＡＷ共振器を用いたＳＡＷセンサにおいても、ＳＡＷ共振器の周波数によってセンサ信号の区別を行う兼ね合いから走査する必要がある周波数範囲が広がり、センサシステムとしての応答性の劣化に直結する可能性が高い。

本発明は、補正対象の物理量の数に応じた数のＳＡＷ素子の追加を必要とすることなく、少ない数のＳＡＷ素子からなるＳＡＷセンサを用いて物理量を算出できるようにしたセンシングシステムを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、請求項１記載の発明によれば、第１及び第２のＳＡＷ素子から成るＳＡＷセンサと、ＳＡＷセンサの第１、第２ＳＡＷ素子の電気的特性を検出するためのセンシング装置と、センシングした第１、第２ＳＡＷ素子の電気的特性を用い、予め定められる第１〜第３の感度に基づいて、例えばターゲットとなる第１の物理量（例えばトルク）、例えば変化速度の遅い第２の物理量（例えば温度）、平均化で打ち消すことの出来る第３の物理量（例えば周期的な撓み）を算出する制御装置と、を有しており、第１ＳＡＷ素子と第２ＳＡＷ素子との間の第１の物理量に対する電気的特性の感度（係数）の比と、第１ＳＡＷ素子と第２ＳＡＷ素子との間の第２の物理量に対する電気的特性の感度の比と、第１ＳＡＷ素子と第２ＳＡＷ素子との間の第３の物理量に対する電気的特性の感度の比と、が互いに異なるように構成されている。制御装置は、第１ＳＡＷ素子の電気的特性と第２ＳＡＷ素子の電気的特性との比較演算結果に応じて第１の物理量に起因する信号成分を減算すると共に適切な平均化処理を行うことで第３の物理量を所定値と見做して除去することで第２の物理量を算出し、次に第１ＳＡＷ素子の電気的特性と第２ＳＡＷ素子の電気的特性との比較演算結果に応じて第３の物理量に起因する信号成分を減算し、第２の物理量に起因する信号成分を減算することで第１の物理量を算出することを特徴とする。

ＳＡＷ素子の反射信号の信号強度−時間特性 第１実施形態の反射型のＳＡＷ遅延素子のセンシングシステムの電気的構成例を概略的に示すブロック図 （ａ）はＳＡＷセンサを概略的に示す構造図、（ｂ）はＳＡＷセンサを図２（ａ）のＡ−Ａ線に沿って模式的に示す縦断面構造図 センシングシステムの処理動作例を概略的に示すフローチャート 第２実施形態におけるセンシングシステムの処理動作例を概略的に示すフローチャート 第３実施形態におけるセンシングシステムの処理動作例を概略的に示すフローチャート 第４実施形態におけるセンシングシステムの構成を概略的に示す斜視図 第５実施形態におけるセンシングシステムの構成を概略的に示す斜視図 第６実施形態において共振器タイプのセンシングシステムの構成を概略的に示すブロック図 第７実施形態におけるＳＡＷセンサの設置形態を模式的に示す断面図 第８実施形態におけるＳＡＷセンサの設置形態を模式的に示す断面図 第９実施形態におけるＳＡＷセンサの設置形態を模式的に示す断面図 第１０実施形態におけるＳＡＷセンサの設置形態を示す模式図 第１１実施形態におけるＳＡＷセンサの設置形態を示す模式図 第１２実施形態において、（ａ）はＳＡＷセンサの設置形態を示す模式図、（ｂ）は第１ＳＡＷ素子を信号の伝搬方向に沿って模式的に示す断面図、（ｃ）は第２ＳＡＷ素子を信号の伝搬方向に沿って模式的に示す断面図 第１３実施形態におけるセンシングシステムの処理動作例を概略的に示すフローチャート

以下、センシングシステムの幾つかの実施形態について図面を参照しながら説明する。以下に説明する各実施形態において、同一又は類似の動作を行う構成については、同一又は類似の符号を付して必要に応じて説明を省略する。

（第１実施形態）
図１〜図４は、第１実施形態の説明図を示す。第１実施形態は反射型のＳＡＷ遅延素子を用いたセンシングシステムの構成例を例に挙げて説明する。図２のセンシングシステム１は、例えばエンジン（図示せず）内のクランク軸（測定対象物相当）２及びその周辺に構成される。センシングシステム１は、例えばクランク軸２の軸側面にクランク軸２のトルクに応じて変形するように配置されたＳＡＷセンサ３と、このＳＡＷセンサ３に接続されたセンシング装置４と、を備える。

他方、センシング装置４は、正弦波信号を出力する信号源５と、送信用増幅器６と、送受信切換用のスイッチ７と、受信用増幅器８と、ミキサ９、１０と、低域通過フィルタ１１、１２と、移相器１３と、を備え、このセンシング装置４には制御装置１４が接続されている。信号源５は、例えば２００［ＭＨｚ］程度（例えば２０４ＭＨｚ±４ＭＨｚ）に設定された所定周波数の正弦波信号を出力する。

送信用増幅器６は、信号源５から正弦波信号を入力すると、この正弦波信号を増幅し、スイッチ７に出力する。スイッチ７は、制御装置１４から与えられる制御信号に応じて送信側／受信側に切換えする。スイッチ７は、送信用増幅器６側に切換えられていると送信用増幅器６の増幅された正弦波信号をＳＡＷセンサ３に出力する。

ＳＡＷセンサ３は、第１ＳＡＷ素子１５と第２ＳＡＷ素子１６を並列接続して構成されている。第１及び第２ＳＡＷ素子１５、１６は、図３（ａ）及び図３（ｂ）にその構造例を模式的に示すように、圧電体基板１７と、この圧電体基板１７にＳＡＷを生じさせるための櫛形電極１８と、この櫛形電極から離間して配置された反射器１９と、を備える。圧電体基板１７は、例えばニオブ酸リチウムで構成されている。図３（ｂ）に示すように、櫛形電極１８及び反射器１９は、例えばアルミニウムにより構成され、基板１７の一端及び他端にそれぞれ配置されている。

櫛形電極１８は、一例として、櫛の歯数が数十本（例えば２０本）の２つの電極が対にして構成され、これらの歯が所定ピッチ（例えば９．６μｍ）で配置されている。第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６のそれぞれの櫛形電極１８は、２つの電極１８ａ、１８ｂを対にして構成され、対となった電極のうち１つの電極１８ｂは接地されており、もう１つの電極１８ａがセンシング装置４に接続されている。

反射器１９は、例えば櫛形電極１８と同一材料であるアルミニウムにより構成される。この反射器１９は、ＳＡＷの進行方向と垂直な方向に延びた所定本（例えば４０本）の電極１９ａが所定ピッチ（例えば、９．６μｍピッチ）で配置されている。

図２に示すように、センシング装置４は、信号源５、送信用増幅器６、スイッチ７を通じて、櫛形電極１８に所定周波数の信号を印加すると、図３（ｂ）に示す圧電体基板１７にＳＡＷを発生させることができる。このとき発生したＳＡＷは、櫛形電極１８から反射器１９に向けて進行する。そしてＳＡＷは反射器１９により反射され櫛形電極１８に戻る。本実施形態では、櫛形電極１８と反射器１９との間の距離は概ね数ｍｍ（例えば３ｍｍ）程度に設定されている。

前述したように、図２に示すスイッチ７は、制御装置１４から与えられる制御信号に応じて送信側／受信側を切換えるが、本実施形態では、制御装置１４は正弦波信号がＳＡＷセンサ３を伝搬している最中にスイッチ７を受信用増幅器８側に切換える。ＳＡＷセンサ３を伝搬した反射信号は受信用増幅器８に伝達される。受信用増幅器８はこの伝達された信号を増幅し、増幅信号を第１及び第２のミキサ９、１０に出力する。

移相器１３が、信号源５と第２ミキサ１０との間に構成されている。移相器１３は、信号源５から発生される正弦波信号を所定角度だけ移相して第２ミキサ１０に出力する。本実施形態では、移相器１３は、正弦波信号を例えば９０度移相して第２ミキサ１０に出力する。

第１ミキサ９は、例えばパッシブミキサにより構成され、信号源５から直接正弦波信号を入力し、この入力信号と受信用増幅器８の増幅信号とを混合し低域通過フィルタ１１を通じて制御装置１４に出力する。また、第２ミキサ１０は、例えばパッシブミキサにより構成され、信号源５から移相器１３により９０度移相された正弦波信号を入力し、この入力信号と受信用増幅器８の増幅信号とを混合し低域通過フィルタ１２を通じて制御装置１４に出力する。

制御装置１４は、例えばマイクロコンピュータを用いて構成できる。この制御装置１４は、制御の主体となる制御部２０と、Ａ／Ｄ変換器２１及び記憶部２２を備えている。制御部２０は、第１ミキサ９から低域通過フィルタ１１を通過した信号をＡ／Ｄ変換器２１によりデジタル変換処理して記憶部２２に記憶させると共に、第２ミキサ１０から低域通過フィルタ１２を通過した信号をＡ／Ｄ変換器２１によりデジタル変換処理して記憶部２２に記憶させる。制御装置１４は、記憶部２２に記憶されたＡ／Ｄ変換データに基づいて、ＳＡＷセンサ３からのセンサ信号に基づいて第１ＳＡＷ素子１５の反射信号の位相角θａと第２ＳＡＷ素子１６の反射信号の位相角θｂを算出する。

ＳＡＷセンサ３は、クランク軸２のトルクに応じて第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６が変形するように設置されている。この結果、クランク軸２にかかるトルクＴｏの変化量に比例して、第１ＳＡＷ素子１５の反射信号の位相角θａ、第２ＳＡＷ素子１６の反射信号の位相角θｂが変化するため、位相角θａまたはθｂからトルクＴｏの算出が可能となる。ただし、θａ、θｂは、エンジンのクランク軸周りの環境温度、クランク軸の撓みなどの測定対象ではない物理量によっても変化する。

すなわち、例えば、トルク、温度、撓み、のそれぞれに応じて線形的に変化するものであれば、センサ信号より求められる、第１ＳＡＷ素子１５の信号の反射位相角θａの変化量Δθａ、第２ＳＡＷ素子１６の信号の反射位相角θｂの変化量Δθｂは、それぞれ
Δθａ ＝ Ｆａ × Ｔｏ ＋ Ｇａ × Ｔｅ ＋ Ｈａ × Ｔｗ
…（１ａａ）
Δθｂ ＝ Ｆｂ × Ｔｏ ＋ Ｇｂ × Ｔｅ ＋ Ｈｂ × Ｔｗ
…（１ｂａ）
の関係を持つことがわかる。

Ｆａ、Ｆｂはトルクに対する感度（係数）、Ｇａ、Ｇｂは温度に対する感度（係数）、Ｈａ、Ｈｂは撓みに対する感度（係数）、Ｔｏはトルク（物理量）、Ｔｅは温度（物理量）、Ｔｗは撓み（物理量）、Δθａ、Δθｂは、Ｔｏ＝０、Ｔｅ＝０、Ｔｗ＝０の時のθａ、θｂからのθａ、θｂの変化量の値を示す。

センシングシステム１における各感度（係数）Ｆａ、Ｆｂ、Ｇａ、Ｇｂ、Ｈａ、Ｈｂは、ＳＡＷ素子の設計や、ＳＡＷセンサ３の構成、設置環境に応じて変化することから実験又はシミュレーションにより予め求めておく必要があり、制御装置１４内の記憶部２２にはこれらの感度（係数）が記憶されている。

この関係に基づいて、前述の（１ａａ）（１ｂａ）式からトルクＴｏの要素を消去する。
Δθｂ − Δθａ×（Ｆｂ／Ｆａ）
＝｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝×Ｔｅ＋｛Ｈｂ−Ｈａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝×Ｔｗ
… （２）
ここで、この（２）式において、クランク軸２の軸１回転分またはこの時間よりも十分に長い時間（例えば５００ｍｓｅｃ以上）で平均化することで、クランク軸２の撓みＴｗの物理量を消去することができる。クランク軸２の撓みＴｗは、このクランク軸２の自重と軸の接続の中心ずれに起因するものであり、軸一回転分の撓みＴｗの平均値は一定値として仮定できるためである。この場合、撓みＴｗは予め実験またはシミュレーションなどにより所定値として求めることも可能であり、この場合、撓みＴｗの物理量を消去できる。すると、下記の（３）式のように変換できる。

ａｖｅ｛Δθｂ−Δθａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝
＝ ｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝×ａｖｅ｛Ｔｅ｝ ＋ constant
… （３）
ここで、（３）式のconstantは（３）式から減算することができるため、減算した後に温度Ｔｅを左式として展開する。

ａｖｅ｛Ｔｅ｝ ＝
ａｖｅ［｛Δθｂ−Δθａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝／｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝］
…（４）
次に、前述の（１ａａ）（１ｂａ）式から撓みＴｗの物理量を消去する。（後述説明の図４のＳ６に対応）
｛Δθｂ−Δθａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝
＝ ｛Ｆｂ−Ｆａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝×Ｔｏ
＋ ｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝×Ｔｅ … （５）
この（５）式の温度Ｔｅに（４）式で求めたａｖｅ｛Ｔｅ｝を代入する。（後述説明の図４のＳ７に対応）
｛Δθｂ−Δθａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝
＝ ｛Ｆｂ−Ｆａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝×Ｔｏ
＋ ｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝／｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝
× ａｖｅ［｛Δθｂ−Δθａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝］ … （６）
ここで、感度（係数）の比Ｆｂ／Ｆａと、感度（係数）の比Ｈｂ／Ｈａと、が互いに異なるようになっている。なお、感度（係数）の比Ｇｂ／Ｇａと、感度（係数）の比Ｈｂ／Ｈａと、は互いに異なっていても良いし、等しくても良い。そこで、この（６）式に基づいて、トルクＴｏを算出する。（後述説明の図４のＳ８に対応）
Ｔｏ ＝ ［｛Δθｂ−Δθａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝−｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝
／｛Ｇｂ−Ｇａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝
×ａｖｅ［｛Δθｂ−Δθａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝］
／｛Ｆｂ−Ｆａ×（Ｈｂ／Ｈａ）｝ … （７）
これにより、位相角θａ、θｂを算出することに応じてトルクＴｏを算出できる。必要に応じ、（８）式に示すように撓みＴｗの算出を行うこともできる。

Ｔｗ ＝ [Δθｂ−Δθａ×（Ｆｂ／Ｆａ）
−ａｖｅ｛Δθｂ−Δθａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝]
／｛Ｈｂ−Ｈａ×（Ｆｂ／Ｆａ）｝ … （８）
この計算法を適用した場合、前述したように例えば軸１回転分またはこの時間より十分に長い時間（例えば５００［ｍｓｅｃ］以上）で平均化すると、constantを除去する際に誤差を極力少なくすることができ、正確な算出結果を得られる。

なお、温度Ｔｅの応答速度が遅くなるものの、温度Ｔｅの変動速度が、トルクＴｏ、撓みＴｗの変動速度よりも充分に遅い条件であると仮定すれば正確な算出結果を得られる。
例えば、自動車のエンジンのクランク軸２を測定対象物とした場合に、１２００［ｒｐｍ］と仮定すれば、温度Ｔｅの変動速度は、クランク軸２の構造、太さ、熱源にも依存するものの、１秒当たり約２［℃］変動することが発明者らにより確認されている。このとき、クランク軸２の１回転は５０［ｍｓｅｃ］となるため、５０［ｍｓｅｃ］の時間経過に応じて変動する温度差は、２［℃／ｓｅｃ］×５０［ｍｓｅｃ］＝０．１［℃］となる。この場合、クランク軸２が１回転するときに温度は０．１［℃］分だけ徐々に変化するため、過去の１回転分の時間平均で換算すると０．０５［℃］の上昇となる。したがって、５０［ｍｓｅｃ］の温度の時間平均値（０．０５［℃］の温度上昇）と、現実的な実際温度（０．１［℃］の温度上昇）との違いが、０．０５［℃］程度に収まることになる。

したがって、このような場合、比較的大きな熱容量を備えた自動車エンジンのクランク軸２の温度の変動速度よりも十分速くクランク軸２は１回転するため、本算出法を適用するのに好適となる。また、平均化処理により応答速度が遅くなるのは、温度Ｔｅの成分のみであり、トルクＴｏ、撓みＴｗの成分の応答速度は、この処理に応じて遅くなることはなく、この関係性を満たす物理量を適用した場合、この算出法はさらに好適となるものである。

このような技術思想を考慮すれば、制御装置１４が以下に示すように処理することで、各種の物理量（例えば温度Ｔｅ、トルクＴｏ）を算出できるようになる。以下、図４を参照してこの説明を行う。

まず、制御装置１４の制御部２０は、第１ＳＡＷ素子１５による特性を導出する（図４のＳ１）。本実施形態では、制御部２０はＳＡＷセンサ３の第１ＳＡＷ素子１５からの反射信号の位相角θａを算出する。トルク感度（係数）Ｆａ、温度感度（係数）Ｇａ、撓み感度（係数）Ｈａは事前に判明している。このため、この算出処理は（１ａａ）式の関係性を導出することに相当する。

次に、制御部２０は、第２ＳＡＷ素子１６による特性を導出する（図４のＳ２）。本実施形態では、制御部２０がＳＡＷセンサ３の第２ＳＡＷ素子１６からの反射信号の位相角θｂを算出する。トルク感度（係数）Ｆｂ、温度感度（係数）Ｇｂ、撓み感度（係数）Ｈｂは事前に判明している。このため、この算出処理は（１ｂａ）式の関係性を導出することに相当する。

次に、制御部２０は、これらの導出特性の結果を比較演算し、第１の物理量を除去する（図４のＳ３）。本実施形態では、制御部２０が、第１の物理量としてトルクＴｏを適用し当該トルクＴｏを除去する。本実施形態では（２）式の関係性を導出することに相当する。

次に、制御部２０は、この処理結果を平均化処理し、第３の物理量を除去する（図４のＳ４）。本実施形態では、センシング装置４の制御部２０が、第３の物理量として撓みＴｗを適用し当該撓みＴｗについて例えば軸１回転分の平均化処理を行うことで（３）式の関係性を導出することに相当する。

次に、制御部２０は、この処理結果に応じて第２の物理量を特定する（図４のＳ５）。本実施形態では、制御部２０が、第２の物理量として温度Ｔｅを適用し当該温度Ｔｅについて（４）式の関係性から温度Ｔｅを特定することに相当する。

次に、制御部２０は、ステップＳ１とＳ２の結果を比較演算し、第３の物理量を除去する（図４のＳ６）。本実施形態では、この除去処理は、制御部２０が、撓みＴｗに関するパラメータを消去し、トルクＴｏと温度Ｔｅをパラメータとして備える（５）式を算出することに相当する。

次に、制御部２０は、ステップＳ５とＳ６の結果を比較演算し第２の物理量のパラメータを除去する（図４のＳ７）。本実施形態では、この除去処理は、制御部２０が、（５）式の温度Ｔｅに（４）式を代入し温度Ｔｅを除去し（６）式のように算出することに相当する。

次に、制御部２０は、ステップＳ７の結果に応じて第１の物理量を特定する（図４のＳ８）。本実施形態では、この除去処理は、制御部２０が、（６）式に基づいて、（７）式に示すようにトルクＴｏを算出することに相当する。

次に、制御部２０は、ステップＳ７の結果に応じて第３の物理量を特定する（図４のＳ９）。本実施形態では、この除去処理は、センシング装置４の制御部２０が、（８）式に基づいて撓みＴｗを算出することに相当する。このようにして、第１〜第３の物理量を全て算出することができる。

本実施形態によれば、第１及び第２のＳＡＷ素子１５及び１６の電気的特性から第１、第３の物理量の影響を除去し、第２の物理量となる温度Ｔｅを最初に算出し特定できるようになる。また、他の第１、第３の物理量としてのトルクＴｏ、撓みＴｗも全て算出し、全ての物理量を特定できるようになる。

（第２の実施形態）
図５は第２の実施形態の説明図を示す。第２の実施形態では、必要な物理量のみを算出し特定する形態を示す。図５に示すように、制御部２０が第１の実施形態で説明したステップＳ１〜Ｓ５の処理を行い他の処理（図４のＳ６〜Ｓ９）を行わないようにすることで、第２の物理量（第１実施形態では温度Ｔｅ）のみ特定し、他の第１、第３の物理量（第１実施形態ではそれぞれトルクＴｏ、撓みＴｗ）の特定処理を省いても良い。

（第３の実施形態）
図６は第３の実施形態の説明図を示す。第３の実施形態では、必要な物理量のみを算出し特定する形態を示す。
第３の実施形態の説明例を図６に示すように、制御部２０が第１の実施形態で説明したステップＳ１〜Ｓ８の処理を行い他の処理を行わないことで、第１の物理量（第１実施形態ではトルクＴｏ）の特定処理まで行い、第３の物理量（第１実施形態では撓みＴｗ）の特定処理を省いても良い。

（第４の実施形態）
図７は第４の実施形態の説明図を示す。第４の実施形態では、第３の物理量のパラメータを除去する際に、平均化回数を算出するための回数設定用センサとして軸回転角センサ３０を用いる形態を示す。
センシングシステム３１は、前述実施形態で説明したセンシングシステム１に加えて軸回転角センサ３０がクランク軸２に設けられている。このセンシングシステム３１は、この軸回転角センサ３０のセンサ信号に基づいて、制御装置１４内の制御部２０によって軸の回転角を求めることが出来る。

このような場合、制御部２０は、第１〜第３の実施形態に示した図４、図５、図６のステップＳ４の平均化処理について、このリアルタイムに取得される軸回転角センサ３０のセンサ信号に基づいて平均化処理することで第３の物理量（例えば撓みＴｗ）のパラメータを除去するようにしても良い。

すると、時々刻々と変化するクランク軸２の回転角に応じて平均化処理することができ、リアルタイムで変化する第３の物理量のパラメータに合わせて補正処理することができ、第２の物理量（必要に応じて第１の物理量、第３の物理量）の応答速度をある程度改善することができる。この軸回転角センサ３０は、新たに設けても良いし、既に別の用途で搭載されている物を流用しても良い。例えば、車両用のエンジンでは、既にクランク角センサとして搭載されている。

（第５の実施形態）
図８は第５の実施形態の説明図を示す。第５の実施形態では、センシング装置４とＳＡＷセンサ３とがアンテナ３２、３４を通じて通信する形態を示す。
被装着体３３にはクランク軸２が回動可能に支持されており、被装着体３３にはアンテナ３４が固定的に設置されている。他方、クランク軸２にはＳＡＷセンサ３が設置されており、このクランク軸２にはアンテナ３２が設置されている。アンテナ３２とＳＡＷセンサ３の第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６とは信号線により接続されている。アンテナ３２及び３４はそれぞれ例えばループアンテナにより構成され、当該ループの開口面が対向配置されている。

アンテナ３２はクランク軸２に装着されているため、クランク軸２の回転に応じて同時に回転するが、たとえクランク軸２が回転したとしてもアンテナ３２及び３４のループ開口面は対向配置されたまま維持されるため、センシング装置４とＳＡＷセンサ３とはアンテナ３２及び３４を通じて信号を無線通信できる。

電気的に表現すれば、アンテナ３２及び３４は図２に示すＳＡＷセンサ３とスイッチ７との間に介在して構成されるものであり、アンテナ３２及び３４間の伝達特性は、例えばクランク軸２への実装状態（アンテナ３２及び３４のループ開口面の対向軸方向の傾斜度）、アンテナ３２及び３４とＳＡＷセンサ３又はスイッチ７とのインピーダンス整合状態、ＳＡＷ素子１５及び１６間のインピーダンス整合状態、などの要因に応じて変化する場合がある。すなわち、これらのアンテナ３２及び３４間の伝達特性は、クランク軸２の回転に応じてアンテナ３２及び３４間の相対位置が変化することで変化する場合がある。

この場合、前述実施形態に示した第３の物理量としての撓みＴｗのパラメータに替えて、第３の物理量としてアンテナ３２及び３４間の伝達特性を考慮しても良い。このような仮定条件において、ＳＡＷセンサのセンサ信号により求められる位相角θａ、θｂの変化量Δθａ、Δθｂは、それぞれ
Δθａ ＝ Ｆａ × Ｔｏ ＋ Ｇａ × Ｔｅ ＋ Ｉａ × Ｐｈ
… （１ｃ）
Δθｂ ＝ Ｆｂ × Ｔｏ ＋ Ｇｂ × Ｔｅ ＋ Ｉｂ × Ｐｈ
… （１ｄ）
の関係を持つ。ここで、Ｉａ、Ｉｂは、アンテナ３２及び３４を使用したことによる影響度（感度）を示すパラメータ（無次元）であり、Ｐｈはアンテナ３２及び３４の位相変化特性（［ｄｅｇ］）を示している。

このように、アンテナ３２及び３４間の相互特性を使用した等式に近似できるようになり、第１実施形態に示した（１ａａ）式、（１ｂａ）式に類似する関係式を得ることができる。これにより、第３の物理量としてアンテナ３２及び３４の位相変化特性Ｐｈを適用できる。このアンテナ３２及び３４の位相変化特性Ｐｈは、前述したようにクランク軸２の回転に応じてアンテナ３２及び３４間の相対位置が変化することで変化するため周期的に変化する。

したがって、アンテナ３２及び３４の位相変化特性Ｐｈは、例えばクランク軸２の１回転分の平均化により処理可能なパラメータであり、撓みＴｗのパラメータに替えて用いることで、（１ａａ）〜（７）式に示すように同様の数式展開を行うことができ、第１実施形態に示した方法を適用することで、第１〜第３の物理量を全て算出することができる。本実施形態においても第１、第３の物理量は必要に応じて算出すれば良い。

（第６の実施形態）
図９は第６の実施形態の説明図を示している。第６の実施形態では、ＳＡＷ共振器を用いたＳＡＷセンシングシステム４１の形態を示す。ＳＡＷ共振器を用いたＳＡＷセンシングシステム４１は、第１及び第２のＳＡＷ素子１５、１６に印加する印加信号の周波数を所定周波数範囲内において変調して掃引し、第１及び第２のＳＡＷ素子１５、１６がそれぞれ印加信号の入力エネルギーを吸収する共振周波数を検出し、この共振周波数に基づいて各種の物理量を算出する方式を用いている。

本実施形態では、ＳＡＷ共振器を用いたＳＡＷセンシングシステム４１をトルクセンサのセンサヘッドとして適用する場合について説明する。このセンシングシステム４１のＳＡＷセンサ３はクランク軸２に装着されており、クランク軸２が歪むとこの軸２に接合されたＳＡＷセンサ３もまたこの軸の歪みに応じて歪む。すると、ＳＡＷセンサ３の共振周波数が変化する。

本実施形態のセンシングシステム４１は、この共振周波数を検出することでクランク軸２の歪み量の影響を検出する形態を考慮している。このとき、トルクＴｏはクランク軸２の歪み量に比例し、クランク軸２の歪み量はＳＡＷセンサ３の歪み量に比例し、ＳＡＷセンサ３の歪み量は、ＳＡＷセンサ３の共振周波数の変化量に比例する。したがって、ＳＡＷセンサ３の共振周波数の変化量を取得することでトルクＴｏを算出できる。

図９に示すセンシングシステム４１のセンシング装置１０４は、基準信号発生部４２と、周波数変調部４３と、方向性結合器４４と、信号処理部４５と、を接続して構成され、この信号処理部４５の後段に制御装置４６を接続して構成される。

基準信号発生部４２は、ある所定の搬送波周波数（例えば２００［ＭＨｚ］）の基準信号を送信する。周波数変調部４３は、基準信号をＦＭ変調し、周波数範囲（例えば１９５［ＭＨｚ］〜２０５［ＭＨｚ］）で周波数を掃引しながら、方向性結合器４４を通じてＳＡＷセンサ３に信号を励起信号として入力する。ＳＡＷセンサ３は、この励起信号の周波数が共振周波数に一致していない場合は、このエネルギーを吸収せずに回路側に反射する。反射された励起信号は方向性結合器４４を通じて信号処理部４５に出力される。信号処理部４５は、この出力信号の信号強度を検出する。ＳＡＷセンサ３はクランク軸２に接合されているため、当該クランク軸２に与えられるトルク量に応じて歪み量が変化し、この歪み量に応じて共振周波数が変化する。励起信号の周波数と共振周波数がほぼ一致すると、励起信号を吸収するため、信号処理部４５に出力される信号は弱くなる。信号処理部４５では、この信号強度を検出し、その情報を制御装置４６へ出力する。

制御装置４６は、前述実施形態と同様に、制御部２０、Ａ／Ｄ変換器２１、及び、記憶部２２を備え、Ａ／Ｄ変換器２１が信号処理部４５の出力信号をＡ／Ｄ変換し、記憶部２２はこのＡ／Ｄ変換後のデータを記憶する。

第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６は、その内部構造が互いに異なる構造とされており、互いに異なる共振周波数を有している。したがって、制御部２０は、この得られた共振周波数の違いを利用し第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６の違いを区別できる。
本実施形態のような共振器タイプのセンシングシステム４１を用いた場合であっても前述、後述実施形態などの技術を適用できる。

（第７の実施形態）
図１０は第７の実施形態の説明図を示すものである。第７の実施形態では、所定の１種以上の物理量に対する感度（係数）を、各ＳＡＷ素子１５、１６が接合する角度に応じて調整しているところを特徴としている。

図１０に示すように、第１ＳＡＷ素子１５は、そのＳＡＷの伝搬方向がクランク軸２の中心軸に対して角度φ１に設置されている。また、第２ＳＡＷ素子１６は、そのＳＡＷの伝搬方向、反射方向がクランク軸２の中心軸に対してφ１とは異なる角度φ２に設置されている。

第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６が、このように互いに異なる角度で設置されていると、クランク軸２が中心軸を中心として回転したときに、第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６にかかる力が互いに異なるものとなり、これらの各第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６の例えば撓みＴｗによる物理量に依存したセンサ信号により求められる位相角θａ、θｂの感度が変化する。このように設定することで、ある所定の１種以上の物理量（例えば撓みＴｗ）に応じた感度を変更することができ、所定の物理量（例えば撓みＴｗ）の感度（係数）を調整可能になる。

（第８の実施形態）
図１１は第８の実施形態の説明図を示すものである。この第８の実施形態では、所定の１種以上の物理量に対する感度（係数）を、各ＳＡＷ素子１１５、１１６の厚さに応じて調整しているところを特徴としている。例えば、第１ＳＡＷ素子１１５の圧電体基板１１７ａの厚さＤ１と第２ＳＡＷ素子１１６の圧電体基板１１７ｂの厚さＤ２とを変化させることで、物理量に依存する感度を変更しているところを特徴としている。

図１１は、第１及び第２ＳＡＷ素子１１５及び１１６と測定対象物となるクランク軸２との接合関係を示している。クランク軸２の外周面には接合材１１７、１１８が付着されており、これらの接合材１１７、１１８を介して、クランク軸２の外周面に第１及び第２ＳＡＷ素子１１５及び１１６が貼付されている。これらの第１及び第２ＳＡＷ素子１１５及び１１６は、それぞれの圧電体基板１１７ａ、１１７ｂの厚さＤ１、Ｄ２が互いに異なる厚さに設定されている。

クランク軸２が回転し、この回転力が圧電体基板１１７ａ、１１７ｂに一様にかかったとしても、圧電体基板１１７ａ及び１１７ｂの厚さＤ１及びＤ２の違いに応じて第１及び第２ＳＡＷ素子１１５及び１１６に影響する物理量に依存して、位相角θａ、θｂが変化する。このように設定することで、所定の１種以上の物理量に対して変化する感度を変更調整可能になる。

（第９の実施形態）
図１２は第９の実施形態の説明図を示すものである。第９の実施形態では、特定の１種以上の物理量に対する感度（係数）を、各ＳＡＷ素子１５及び１６と測定対象物となるクランク軸２とを接合する接合材５０ａ及び５０ｂの厚さに応じて調整しているところを特徴としている。例えば、第１ＳＡＷ素子１５の接合材５０ａの厚さＤ３と第２ＳＡＷ素子１６の接合材５０ｂの厚さＤ４とを変化させることで、所定の１種以上の物理量に依存する感度を変更しているところを特徴としている。

図１２は、第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６とクランク軸２との接合関係を示している。クランク軸２の外周面には接合材５０ａ及び５０ｂが形成されており、これらの接合材５０ａ及び５０ｂを介して、クランク軸２の外周面に第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６が貼付されている。これらの第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６は、当該圧電体基板１７の厚さとして互いに同一のものを用いているものの、接合材５０ａ及び５０ｂの厚さＤ３、Ｄ４が互いに異なる厚さに設定されている。

クランク軸２が回転し、この回転力が圧電体基板１７に一様にかかったとしても、圧電体基板１７を接合する接合材５０ａ及び５０ｂの厚さＤ３、Ｄ４の違いに応じて、第１及び第２ＳＡＷ素子１５及び１６に影響する物理量に依存して、位相角θａ、θｂが変化する。このように設定することで、所定の１種以上の物理量に対して変化する感度（係数）を変更できるようになる。

（第１０の実施形態）
図１３は第１０の実施形態の説明図を示すものである。第１０の実施形態では、特定の１種以上の物理量に対する感度（係数）を、各ＳＡＷ素子２１５及び２１６の伝搬線路長に応じて調整しているところを特徴としている。図１３は、第１及び第２ＳＡＷ素子２１５及び２１６の伝搬線路長Ｌ１及びＬ２の関係を示している。

本実施形態では、第１ＳＡＷ素子２１５における櫛形電極１８と反射器１９との間の伝搬線路長Ｌ１と、第２ＳＡＷ素子２１６における櫛形電極１８と反射器１９との間の伝搬線路長Ｌ２とを変化させることで感度を変更している。第１ＳＡＷ素子２１５の伝搬線路長Ｌ１と、第２ＳＡＷ素子２１６の伝搬線路長Ｌ２（＜＞Ｌ１）との関係に応じて、求められる位相角θａ、θｂが変化する。このように設定することで、所定の１種以上の物理量に対して変化する感度（係数）を変更できる。

（第１１の実施形態）
図１４は第１１の実施形態の説明図を示すものである。第１１の実施形態では、特定の１種以上の物理量に対する感度（係数）を、各ＳＡＷ素子３１５及び３１６の動作周波数、共振周波数に応じて調整しているところを特徴としている。

図１４は、第１及び第２ＳＡＷ素子３１５及び３１６の櫛形電極３１８及び反射器３１９の構成を概略的に示している。第１及び第２ＳＡＷ素子３１５及び３１６の櫛形電極３１８はそれぞれ電極３１８ａ及び３１８ｂにより構成されている。第１及び第２ＳＡＷ素子３１５及び３１６の反射器３１９はそれぞれ電極３１９ａにより構成されている。第１ＳＡＷ素子３１５について、櫛形電極３１８の電極３１８ａ、３１８ｂのＳＡＷ伝搬方向の幅とその間隔の和をピッチＷ１とし、反射器３１９の電極３１９ａのＳＡＷ伝搬方向の幅とその間隔の和をピッチＷ１とする。また、第２ＳＡＷ素子３１６について、櫛形電極３１８の電極３１８ａ、３１８ｂのＳＡＷ伝搬方向の幅とその間隔の和をピッチＷ２とし、反射器３１９の電極３１９ａのＳＡＷ伝搬方向の幅とその間隔の和をピッチＷ２とする。第１及び第２ＳＡＷ素子３１５及び３１６の各櫛形電極３１８のピッチＷ１、Ｗ２が互いに異なるように構成され、第１及び第２ＳＡＷ素子３１５及び３１６の各反射器３１９を構成する電極のピッチＷ１、Ｗ２が互いに異なるように構成されている。これらのピッチＷ１、Ｗ２の違いに応じて、求められる位相角θａ、θｂが変化する。このように設定することで、所定の１種以上の物理量に対して変化する感度（係数）を変更できる。

（第１２の実施形態）
図１５は第１２の実施形態の説明図を示すものである。第１２の実施形態では、特定の１種以上の物理量に対する感度（係数）を、各ＳＡＷ素子４１５及び４１６の特性調整用被覆膜の膜厚に応じて調整しているところを特徴としている。

図１５（ａ）は、第１及び第２ＳＡＷ素子４１５及び４１６の配置形態を概略的に示しており、図１５（ｂ）は第１ＳＡＷ素子４１５の模式断面図を示し、図１５（ｃ）は第２ＳＡＷ素子４１６の模式断面図を示す。

図１５（ａ）に示すように、第１及び第２ＳＡＷ素子４１５及び４１６の櫛形電極１８と反射器１９との間の配置関係は、第１の実施形態の第１及び第２ＳＡＷ素子１５および１６の櫛形電極１８と反射器１９との間の配置関係から変更ないものの、図１５（ｂ）及び図１５（ｃ）に示すように、圧電体基板１７上の櫛形電極１８および反射器１９を被覆する例えばＳｉＯ_２などの特性調整用被覆膜５２ａおよび５２ｂの膜厚ＴＨ１及びＴＨ２が第１及び第２ＳＡＷ素子４１５及び４１６間で互いに異なるように構成されている。

これらの被覆膜５２ａおよび５２ｂの膜厚ＴＨ１及びＴＨ２の違いに応じて、温度Ｔｅの変化に応じて熱膨張及びＳＡＷ速度の変化の違いを生じることになる。この被覆膜５２ａ、５２ｂは何れかのＳＡＷ素子４１５または４１６の何れかに形成してもよいし、両ＳＡＷ素子４１５及び４１６に形成してもよい。これにより位相角θａ、θｂが変化する。このように設定することで、所定の１種以上の物理量に対して変化する感度（係数）を変更できる。

（第１３の実施形態）
図１６は第１３の実施形態の説明図を示すものである。例えば、第１の実施形態で説明した演算処理において、感度（係数）の比Ｈｂ／Ｈａと、感度（係数）の比Ｆｂ／Ｆａとが等しい場合には、演算処理を行ったときに、第２及び第３の物理量（例えばＧａ、Ｇｂ、Ｈａ、Ｈｂ）の影響の双方が同時に除去される（図１６のＳ６ａ）。すると、第１の物理量（例えばトルクＴｏ）を即座に算出できる（図１６のＳ８ａ）。このようにして、制御部２０が、前述の演算式に応じて第１の物理量（例えばトルクＴｏ）を検出処理するようにしても良い。

（他の実施形態）
前述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下に示す変形又は拡張が可能である。
第１〜第８の実施形態において、第１ＳＡＷ素子１５、１１５、２１５、３１５、４１５、および、第２ＳＡＷ素子１６、１１６、２１６、３１６、４１６の構成を適用して示したが、これらの各実施形態の構成は適宜組み合わせて適用できる。

前述した感度（係数）の比Ｆｂ／Ｆａ＝定数、Ｈｂ／Ｈａ＝定数、であることを満たすときには、各感度Ｆａ、Ｆｂ、Ｈａ、Ｈｂは温度Ｔｅの関数として置き換えることもできる。したがって、これらの温度Ｔｅに応じた演算式がプログラム化され記憶部２２に記憶された状態において、制御部２０が、この演算式に応じて感度Ｆａ、Ｆｂ，Ｈａ，Ｈｂを演算処理して予め定めるように算出しても良い。

位相角θａ、θｂの物理量に対する感度を高くするには、励起信号及び検出信号の動作周波数を高くすればよく、逆に感度を低くするには励起信号及び検出信号の動作周波数を低くすればよい。したがって、反射型ＳＡＷ遅延素子を用いたセンシングシステム１を用いた場合、その励起信号、検出信号の動作周波数を変更して位相角θａ、θｂの感度を調整してもよい。

クランク軸２をＳＡＷセンサ３の取付対象物とし、クランク軸２に作用する物理量を算出する形態を示したが、これに限定されるものではなく、ＳＡＷセンサ３の取付対象物はクランク軸２に限られるものではない。また、ＳＡＷセンサ３自身に作用した物理量を算出する場合に適用しても良い。

図面中、１はセンシングシステム、２はクランク軸（取付対象物）、３、１０３、２０３、３０３、４０３はＳＡＷセンサ、４はセンシング装置、１４は制御装置、１５、１１５、２１５、３１５、４１５は第１ＳＡＷ素子、１６、１１６、２１６、３１６、４１６は第２ＳＡＷ素子、２０は制御部、２１はＡ／Ｄ変換器、２２は記憶部、３０は軸回転角センサ（回転設定用センサ）、３２、３４はアンテナ、を示す。

Claims (7)

1. 第１ＳＡＷ素子（１５、１１５、２１５、３１５、４１５）及び第２ＳＡＷ素子（１６、１１６、２１６、３１６、４１６）からなるＳＡＷセンサ（３、１０３、２０３、３０３、４０３）と、前記ＳＡＷセンサと通信可能に接続され前記ＳＡＷセンサの第１及び第２ＳＡＷ素子の電気的特性を検出するセンシング装置（４、１０４）と、前記センシング装置により検出されたセンサ信号に基づいて前記ＳＡＷセンサの取付対象物（２）又は前記ＳＡＷセンサ自身に作用した第２の物理量を算出する制御装置（１４、４６）と、を備え、
   前記ＳＡＷセンサの取付対象物（２）又は前記ＳＡＷセンサ自身に作用する物理量は、前記第２の物理量のほかに、第１の物理量と、第３の物理量と、を含み、
   前記第１ＳＡＷ素子と前記第２ＳＡＷ素子との間の前記第１の物理量の感度（係数）の比と、前記第１ＳＡＷ素子と前記第２ＳＡＷ素子との間の前記第２の物理量の感度（係数）の比と、が互いに異なるように構成され、前記第３の物理量は平均化により除去が可能な物理量であり、
   前記制御装置は、前記第１ＳＡＷ素子のセンサ信号と前記第２ＳＡＷ素子のセンサ信号との比較演算結果に応じて前記第１の物理量を除去し、平均化処理することで前記第３の物理量を所定値と見做して除去することで前記第２の物理量を算出することを特徴とするセンシングシステム。
2. 前記制御装置は、前記第１ＳＡＷ素子のセンサ信号と前記第２ＳＡＷ素子のセンサ信号との比較演算結果に応じて前記第３の物理量を除去し、前記算出された前記第２の物理量を除去することで前記第１の物理量を算出することを特徴とする請求項１記載のセンシングシステム。
3. 前記制御装置は、算出された前記第１及び第２の物理量を用いて前記第３の物理量を算出することを特徴とする請求項２記載のセンシングシステム。
4. 前記第１ＳＡＷ素子と前記第２ＳＡＷ素子との間の前記第２の物理量の感度（係数）の比と、前記第１ＳＡＷ素子と前記第２ＳＡＷ素子との間の前記第３の物理量の感度（係数）の比と、が等しく構成され、前記制御装置は、前記第１ＳＡＷ素子のセンサ信号と前記第２ＳＡＷ素子のセンサ信号との比較演算結果に応じて前記第３の物理量及び前記第２の物理量を除去することで前記第１の物理量を算出することを特徴とする請求項１記載のセンシングシステム。
5. 前記平均化処理するための平均化回数を算出するための回数設定用センサ（３０）を備え、
   前記制御装置は、前記回数設定用センサを用いて算出された平均化回数を用いて前記第３の物理量を平均化処理して所定値と見做して除去することを特徴とする請求項１〜４の何れか一項に記載のセンシングシステム。
6. 前記制御装置は、前記第１の物理量としてトルク（Ｔｏ）、前記第２の物理量として温度（Ｔｅ）、前記第３の物理量として撓み（Ｔｗ）を用いることを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のセンシングシステム。
7. 前記第１及び第２ＳＡＷ素子と前記センシング装置との間に送受信信号を伝搬させるアンテナ（３２、３４）を備え、
   前記センシング装置は、前記第１及び第２のＳＡＷ素子に伝搬されたセンサ信号を、前記アンテナを通じて検出するものであり、
   前記制御装置は、前記第１の物理量としてトルク（Ｔｏ）、前記第２の物理量として温度（Ｔｅ）、前記第３の物理量として前記アンテナの位相変化特性（Ｐｈ）を適用して算出することを特徴とする請求項１〜５の何れか一項に記載のセンシングシステム。
   

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