JP6313076B2 - スピン軌道相互作用基礎のスイッチングを利用する磁気トンネル接合を含む磁気メモリ構造 - Google Patents
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Description
12・・・従来のシード層
14・・・従来の反強磁性層
16・・・従来の固定層
18・・・従来のトンネルバリアー層
20・・・従来の自由層
22・・・従来のキャッピング層
24・・・従来の上部コンタクト
122・・・SO活性層
112・・・データ格納層/自由層
114・・・非磁気空間層
116・・・基準層
173・・・駆動/感知回路
175・・・書込み回路
177・・・読出し回路
179・・・中間デコーディング回路
Claims (10)
- 複数のメモリアレイタイル(MATs)と、
前記複数のメモリアレイタイルと共に読出し動作及び書込み動作を制御する中間回路と、
前記複数のメモリアレイタイルの一部分に各々対応する複数のグローバルビットラインと、
前記読出し動作及び前記書込み動作のために前記複数のグローバルビットラインの一部分を選択し、駆動するグローバル回路と、を含み、
前記複数のメモリアレイタイルは、各々複数のビットライン、複数のワードライン、及び複数の磁気格納セルを含み、
前記複数の磁気格納セルの各々は、少なくとも1つの磁気接合、少なくとも1つの選択装置、及び前記少なくとも1つの磁気接合に隣接するスピン軌道SO相互作用活性層の少なくとも一部を含み、
前記スピン軌道SO相互作用活性層の少なくとも一部には少なくとも1つのスピン軌道電流を前記スピン軌道SO相互作用活性層の少なくとも一部分を通じて通過させることによって、スピン軌道トルクが加えられ、
前記少なくとも1つの磁気接合は、前記少なくとも1つの磁気接合を通じて駆動された少なくとも1つの書込み電流及び前記スピン軌道SO相互作用活性層の少なくとも一部に提供される少なくとも1つのスピン軌道電流を利用してプログラムされ、
前記複数のビットライン及び前記複数のワードラインは、前記複数の磁気メモリセルに対応する磁気メモリ。 - 前記少なくとも1つの磁気接合は、各々基準層、非磁気空間層、及び自由層を含み、
前記自由層は、磁気的であり、
前記非磁気空間層は、前記基準層及び前記自由層の間に位置し、
前記スピン軌道SO相互作用活性層の少なくとも一部は、前記自由層に隣接する請求項1に記載の磁気メモリ。 - 前記メモリアレイタイルの各々は、複数の共通バスを含み、
前記複数の共通バスの各々は、複数の磁気接合の各々に接続され、前記スピン軌道SO相互作用活性層の一部を含み、前記スピン軌道電流を伝送する請求項1に記載の磁気メモリ。 - 前記スピン軌道電流は、プリコンディショニング(preconditioning)電流である請求項3に記載の磁気メモリ。
- 前記プリコンディショニング電流は、複数の磁気接合の各々に書き込まれるデータに依存する方向を有する両方向電流である請求項4に記載の磁気メモリ。
- 前記プリコンディショニング電流は、一方向電流である請求項4に記載の磁気メモリ。
- 前記複数の共通バスは、複数のソースラインに対応し、
前記複数のワードラインは、各々、前記複数の磁気格納セルの各々に含まれる前記少なくとも1つの選択装置を介して、前記複数のビットラインの各々に接続された請求項3に記載の磁気メモリ。 - 複数のメモリアレイタイルと、
少なくとも1つの磁気接合と、
中間回路と、
複数のグローバルビットラインと、
グローバル回路と、を含み、
前記複数のメモリアレイタイルの各々は、複数の磁気格納セル、複数のビットライン、複数のワードライン、及びプリコンディショニング(preconditioning)電流を伝送するための複数の共通バスを含み、
前記複数の磁気格納セルの各々は、少なくとも1つの磁気接合、少なくとも1つの選択装置、及び前記少なくとも1つの磁気接合に隣接するスピン軌道相互作用SO活性層を含み、
前記スピン軌道相互作用SO活性層の少なくとも一部は、前記プリコンディショニング電流を前記スピン軌道相互作用SO活性層の前記少なくとも一部を通じて通過させることによって、前記少なくとも1つの磁気接合にスピン軌道相互作用を加え、
前記複数の共通バスの各々は、前記複数の磁気接合の一部と接続され、前記プリコンディショニング電流を通過させるために前記スピン軌道相互作用SO活性層の前記一部を含み、
プログラム可能である前記少なくとも1つの磁気接合は、前記少なくとも1つの磁気接合を通じて駆動される少なくとも1つの書込み電流及び前記スピン軌道相互作用SO活性層の前記少なくとも一部に提供される前記プリコンディショニング電流を利用し、
前記複数のビットライン及び前記複数のワードラインは、前記複数の磁気格納セルに対応し、
前記中間回路は、前記複数のメモリアレイタイルでの読出し動作及び書込み動作を制御し、前記中間回路は、中間駆動及び感知回路とローカルデコーディング回路とをさらに含み、
前記複数のグローバルビットラインの各々は、前記複数のメモリアレイタイルの一部に対応し、前記複数のグローバルビットラインは、第1抵抗を有し、前記複数のワードライ
ンは、第2抵抗を有し、前記複数のビットラインは、第3抵抗を有し、前記第1抵抗は、前記第2及び第3抵抗より小さく、
前記グローバル回路は、読出し動作及び書込み動作のために前記複数のグローバルビットラインの一部を選択し、駆動する磁気メモリ。 - 複数のメモリアレイタイルを提供する段階と、
前記複数のメモリアレイタイルでの読出し動作及び書込み動作を制御するために中間回路を提供する段階と、
各々前記複数のメモリアレイタイルに対する複数のグローバルビットラインを提供する段階と、
前記読出し動作及び前記書込み動作のために前記複数のグローバルビットラインの一部を選択し、駆動するグローバル回路を提供する段階と、を含み、
前記複数のメモリアレイタイルの各々は、複数のビットライン、複数のワードライン、及び複数の磁気格納セルを含み、
前記複数の磁気格納セルの各々は、少なくとも1つの磁気接合、少なくとも1つの選択装置及び前記少なくとも1つの磁気接合に隣接するスピン軌道相互作用SO活性層を含み、
前記スピン軌道相互作用SO活性層の少なくとも一部は、スピン軌道相互作用電流を前記スピン軌道相互作用SO活性層の前記少なくとも一部を通じて通過させることによって、前記少なくとも1つの磁気接合の一部にスピン軌道相互作用トルクを加え、
プログラム可能である前記少なくとも1つの磁気接合は、前記少なくとも1つの磁気接合を通じて駆動される少なくとも1つの書込み電流及び前記スピン軌道相互作用SO活性層の前記少なくとも一部に提供される前記スピン軌道相互作用電流を利用し、
前記複数のビットライン及び前記複数のワードラインは、前記複数の磁気格納セルに対応する磁気メモリを提供する方法。 - 複数の磁気接合を含む磁気メモリのプログラム方法において、
前記複数の磁気接合の各々は、磁化可能であるデータ格納層を含み、前記方法は、
複数のメモリアレイタイルの中で少なくとも1つのメモリアレイタイル内の複数の共通バスの中で少なくとも1つの共通バスを通じてプリチャージ電流を駆動する段階と、
少なくとも1つの選択された磁気メモリセルの少なくとも1つの磁気接合を通じて少なくとも1つの書込み電流を駆動する段階と、を含み、
前記複数のメモリアレイ他これらの各々は、複数の共通バス、複数のビットライン、複数のワードライン、及び複数の磁気格納セルを含み、
前記複数の共通バスの各々は、前記磁気接合に隣接する少なくとも1つのスピン軌道相互作用活性層を含み、
前記複数の磁気格納セルの各々は、少なくとも1つの磁気接合、少なくとも1つの選択装置、及び前記磁気接合に隣接するスピン軌道相互作用活性層の少なくとも一部を含み、
前記スピン軌道相互作用SO活性層の少なくとも一部は、プリコンディショニング電流を前記スピン軌道相互作用SO活性層の前記少なくとも一部を通じて通過させることによって、前記磁気接合の少なくとも一部にスピン軌道相互作用トルクを加え、
プログラム可能である前記少なくとも1つの磁気接合は、前記少なくとも1つの磁気接合を通じて駆動される少なくとも1つの書込み電流及び前記スピン軌道相互作用SO活性層の前記少なくとも一部に提供される前記プリコンディショニング電流を利用し、
前記複数のビットライン及び前記複数のワードラインは、前記複数の磁気格納セルに対応し、
前記複数の共通バスの中で前記少なくとも1つの共通バスは、前記複数の磁気格納セルの中で前記少なくとも1つの選択された磁気格納セルに対応する磁気メモリのプログラム方法。
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US9384812B2 (en) * | 2014-01-28 | 2016-07-05 | Qualcomm Incorporated | Three-phase GSHE-MTJ non-volatile flip-flop |
US9251883B2 (en) * | 2014-01-28 | 2016-02-02 | Qualcomm Incorporated | Single phase GSHE-MTJ non-volatile flip-flop |
US10008248B2 (en) | 2014-07-17 | 2018-06-26 | Cornell University | Circuits and devices based on enhanced spin hall effect for efficient spin transfer torque |
CN104866390B (zh) * | 2015-04-15 | 2018-07-20 | 中国科学院高能物理研究所 | 异步随机静态存储器三模冗余控制器 |
US10333523B2 (en) * | 2015-05-28 | 2019-06-25 | Intel Corporation | Exclusive-OR logic device with spin orbit torque effect |
US9997564B2 (en) | 2015-10-09 | 2018-06-12 | Western Digital Technologies, Inc. | MTJ memory array subgrouping method and related drive circuitry |
KR102477093B1 (ko) * | 2015-10-13 | 2022-12-13 | 삼성전자주식회사 | 푸리에 변환을 수행하는 방법 및 장치 |
US9768229B2 (en) | 2015-10-22 | 2017-09-19 | Western Digital Technologies, Inc. | Bottom pinned SOT-MRAM bit structure and method of fabrication |
US10305026B2 (en) | 2015-11-19 | 2019-05-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Cross-point architecture for spin-transfer torque magnetoresistive random access memory with spin orbit writing |
US10586916B2 (en) | 2015-11-27 | 2020-03-10 | Tdk Corporation | Spin current magnetization reversal element, magnetoresistance effect element, and magnetic memory |
CN105390609A (zh) * | 2015-12-01 | 2016-03-09 | 中电海康集团有限公司 | 一种自旋霍尔效应辅助的磁性随机存储器 |
JP6833810B2 (ja) * | 2016-03-14 | 2021-02-24 | Tdk株式会社 | 磁気メモリ |
JP6271655B1 (ja) * | 2016-08-05 | 2018-01-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ |
JP6271654B1 (ja) | 2016-08-05 | 2018-01-31 | 株式会社東芝 | 不揮発性メモリ |
US9875780B1 (en) * | 2016-08-30 | 2018-01-23 | International Business Machines Corporation | STT MRAM source line configuration |
US10236046B2 (en) * | 2016-11-09 | 2019-03-19 | Imec Vzw | Method of propagating magnetic domain wall in magnetic devices |
KR102522620B1 (ko) * | 2016-11-29 | 2023-04-19 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 및 자기 메모리 소자의 쓰기 방법 |
US11107615B2 (en) * | 2017-02-24 | 2021-08-31 | Tdk Corporation | Magnetization rotational element, magnetoresistance effect element, and memory device |
JP6290487B1 (ja) | 2017-03-17 | 2018-03-07 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
JP6316474B1 (ja) * | 2017-03-21 | 2018-04-25 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
JP6815297B2 (ja) * | 2017-09-15 | 2021-01-20 | 株式会社東芝 | 磁気メモリ |
US11290110B2 (en) * | 2017-10-26 | 2022-03-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing a variation resistant magnetic junction-based XNOR cell usable in neuromorphic computing |
US10431291B1 (en) * | 2018-08-08 | 2019-10-01 | Micron Technology, Inc. | Systems and methods for dynamic random access memory (DRAM) cell voltage boosting |
WO2020157958A1 (ja) * | 2019-02-01 | 2020-08-06 | Tdk株式会社 | スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
CN112151089B (zh) * | 2019-06-28 | 2022-09-30 | 中电海康集团有限公司 | 存储器 |
KR20210020482A (ko) | 2019-08-14 | 2021-02-24 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 장치 |
CN113451503B (zh) * | 2020-12-31 | 2023-03-17 | 北京航空航天大学 | 多功能磁性随机存储单元、存储器及设备 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6081445A (en) | 1998-07-27 | 2000-06-27 | Motorola, Inc. | Method to write/read MRAM arrays |
DE10060432A1 (de) | 2000-12-05 | 2002-07-25 | Infineon Technologies Ag | Magnetoresistiver Speicher und Verfahren zu seinem Auslesen |
US6738303B1 (en) | 2002-11-27 | 2004-05-18 | Motorola, Inc. | Technique for sensing the state of a magneto-resistive random access memory |
US8755222B2 (en) * | 2003-08-19 | 2014-06-17 | New York University | Bipolar spin-transfer switching |
US7154798B2 (en) | 2004-04-27 | 2006-12-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MRAM arrays and methods for writing and reading magnetic memory devices |
US7038959B2 (en) | 2004-09-17 | 2006-05-02 | Freescale Semiconductor, Inc. | MRAM sense amplifier having a precharge circuit and method for sensing |
JP4779608B2 (ja) | 2005-11-30 | 2011-09-28 | Tdk株式会社 | 磁気メモリ |
US8508984B2 (en) * | 2006-02-25 | 2013-08-13 | Avalanche Technology, Inc. | Low resistance high-TMR magnetic tunnel junction and process for fabrication thereof |
US7848059B2 (en) * | 2006-09-29 | 2010-12-07 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetoresistive effect device and magnetic random access memory using the same |
JP4934582B2 (ja) * | 2007-12-25 | 2012-05-16 | 株式会社日立製作所 | スピンホール効果素子を用いた磁気センサ、磁気ヘッド及び磁気メモリ |
US7813168B2 (en) | 2008-10-27 | 2010-10-12 | Seagate Technology Llc | Spin-transfer torque memory self-reference read and write assist methods |
CN101770804B (zh) * | 2009-01-06 | 2012-12-12 | 中国科学院物理研究所 | 一种磁性随机存储器、磁性逻辑器件和自旋微波振荡器 |
JP4901899B2 (ja) | 2009-03-30 | 2012-03-21 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗効果メモリ |
US8385106B2 (en) * | 2009-09-11 | 2013-02-26 | Grandis, Inc. | Method and system for providing a hierarchical data path for spin transfer torque random access memory |
US8064246B2 (en) * | 2009-12-10 | 2011-11-22 | John Casimir Slonczewski | Creating spin-transfer torque in oscillators and memories |
FR2963152B1 (fr) * | 2010-07-26 | 2013-03-29 | Centre Nat Rech Scient | Element de memoire magnetique |
FR2963153B1 (fr) * | 2010-07-26 | 2013-04-26 | Centre Nat Rech Scient | Element magnetique inscriptible |
FR2966636B1 (fr) * | 2010-10-26 | 2012-12-14 | Centre Nat Rech Scient | Element magnetique inscriptible |
US9082497B2 (en) * | 2011-03-22 | 2015-07-14 | Renesas Electronics Corporation | Magnetic memory using spin orbit interaction |
JP5761788B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-08-12 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
KR101912223B1 (ko) * | 2011-08-16 | 2019-01-04 | 삼성전자주식회사 | 적층 자기 램 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 |
KR101457511B1 (ko) * | 2011-08-18 | 2014-11-04 | 코넬 유니버시티 | 스핀 홀 효과 자기 장치, 방법, 및 적용 |
WO2013062617A1 (en) * | 2011-10-25 | 2013-05-02 | Massachusetts Institute Of Technology | High density molecular memory storage with read and write capabilites |
JP2013115400A (ja) * | 2011-12-01 | 2013-06-10 | Sony Corp | 記憶素子、記憶装置 |
JP5499264B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2014-05-21 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子および磁気メモリ |
US8860156B2 (en) * | 2012-09-11 | 2014-10-14 | Headway Technologies, Inc. | Minimal thickness synthetic antiferromagnetic (SAF) structure with perpendicular magnetic anisotropy for STT-MRAM |
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