JP6305721B2 - レーザー加工装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウエーハ等の被加工物にレーザー加工を施すためのレーザー加工装置に関する。

当業者には周知の如く、半導体デバイス製造工程においては、シリコン等の基板の表面に絶縁膜と機能膜が積層された機能層によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスをマトリックス状に形成した半導体ウエーハが形成される。このように形成された半導体ウエーハは上記デバイスが分割予定ラインによって区画されており、この分割予定ラインに沿って分割することによって個々の半導体デバイスを製造している。

近時においては、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体チップの処理能力を向上するために、シリコン等の基板の表面にＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）が積層された機能層によって半導体デバイスを形成せしめた形態の半導体ウエーハが実用化されている。

このような半導体ウエーハのストリートに沿った分割は、通常、ダイサーと呼ばれている切削装置によって行われている。この切削装置は、被加工物である半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハを切削するための切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる移動手段とを具備している。

しかるに、上述したＬｏｗ−ｋ膜は、切削ブレードによって切削することが困難である。即ち、Ｌｏｗ−ｋ膜は雲母のように非常に脆いことから、切削ブレードにより分割予定ラインに沿って切削すると、Ｌｏｗ−ｋ膜が剥離し、この剥離が回路にまで達しデバイスに致命的な損傷を与えるという問題がある。

上記問題を解消するために、半導体ウエーハに形成された分割予定ラインの両側に分割予定ラインに沿って機能層に対して吸収性を有する波長（例えば３５５nm）のレーザー光線を照射し、分割予定ラインに沿って２条のレーザー加工溝を形成して機能層を分断し、この２条のレーザー加工溝の外側間に切削ブレードを位置付けて切削ブレードと半導体ウエーハを相対移動することにより、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断するウエーハの分割方法が下記特許文献１に開示されている。

また、被加工物を保持する保持テーブル上にウエーハを保持して例えば波長が３５５nmのレーザー光線を照射する際に、レーザー光線がウエーハを外れて保持テーブルに照射されると保持テーブルが損傷することから、保持テーブルを光を透過する石英によって形成する技術が下記特許文献２に開示されている。

特開２００５−６４２３１号公報 特開２００６−２６３７９５号公報

而して、Ｌｏｗ−ｋ膜を効果的に除去するには赤外光領域の波長を有するCOレーザー（波長が５μm）やCO2レーザー（波長が１０μm）を用いることが望ましいが、石英は赤外光線を吸収する性質を有しているため、石英で形成された保持テーブルにウエーハを保持してCOレーザー（波長が５μm）やCO2レーザー（波長が１０μm）を照射すると、ウエーハから外れたレーザー光線が保持テーブルに吸収されて保持テーブルを損傷するという問題がある。
また、ウエーハに対して透過性を有する１μm以上の赤外光領域の波長を有するYAGレーザー等のレーザー光線の集光点をウエーハの内部に位置付けて照射することにより、ウエーハの内部に改質層を形成する技術においても、改質層を形成したレーザー光線の一部がウエーハを透過して保持テーブルに吸収され保持テーブルが損傷するという問題がある。

本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、赤外光領域のレーザー光線が照射されても損傷しない保持テーブルを備えたレーザー加工装置を提供することである。

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に赤外光領域のレーザー光線を、集光器を介して照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置であって、
該保持手段は、上面に被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルを支持するテーブル基台とからなり、
該保持テーブルは、シリコンによって形成されており、該保持テーブルは、該保持テーブル上に保持される被加工物側からレーザー光線を照射する該集光器と対向するように位置付けられ、
該集光器から照射されるレーザー光線によって該被加工物の表面に形成された機能層を除去しつつレーザー光線照射位置の該被加工物を残すレーザー加工、又は被加工物内部に改質層を形成するレーザー加工を実施する、
ことを特徴とするレーザー加工装置が提供される。

上記保持テーブルは、上面に外周に達する複数の吸引細溝が形成されており、該複数の吸引細溝に外周部から負圧を作用して被加工物を吸引保持する。
また、上記保持テーブルは、上面から下面に連通する複数の細孔が形成されており、下面側から複数の細孔を通して上面に負圧を作用して被加工物を吸引保持する。
更に、上記テーブル基台には、保持テーブルを透過した赤外光領域にある波長のレーザー光線を吸収するダンパーが配設されていることが望ましい。

本発明によるレーザー加工装置は、被加工物を保持する保持手段の保持テーブルがシリコンによって形成されており、保持テーブルは、保持テーブル上に保持される被加工物側からレーザー光線を照射する該集光器と対向するように位置付けられ、集光器から照射されるレーザー光線によって被加工物の表面に形成された機能層を除去しつつレーザー光線照射位置の該被加工物を残すレーザー加工、又は被加工物内部に改質層を形成するレーザー加工を実施するので、Ｌｏｗ−ｋ膜からなる機能層を効果的にアブレーション加工することができる赤外光領域のレーザー光線がウエーハを外れて保持テーブルに照射されても、保持テーブルを透過するため損傷することはない。

本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図。 図１に示すレーザー加工装置に装備される保持手段の第１の実施形態を示す斜視図。 図２に示す保持手段の構成部材を分解して示す斜視図。 図２に示す保持手段の断面図。 図２に示す保持手段に配設されるダンパーの第１の実施形態を示す斜視図。 図２に示す保持手段に配設されるダンパーの第２の実施形態を示す斜視図。 図２に示す保持手段に配設されるダンパーの第３の実施形態を示す断面図。 図１に示すレーザー加工装置に装備される保持手段の第２の実施形態を示す斜視図。 図８に示す保持手段の断面図。 被加工物としての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図。 図１０に示す半導体ウエーハを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着した状態を示す斜視図。 図１に示すレーザー加工装置によって実施する機能層除去工程の説明図。

以下、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。

図１には、本発明に従って構成されたレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（Ｘ軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持する被加工物保持機構３と、静止基台２上に配設されたレーザー光線照射手段としてのレーザー光線照射ユニット５とを具備している。

上記被加工物保持機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物を保持する保持手段４を具備している。

上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す方向に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。

上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動させるための割り出し送り手段３８を具備している。割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。

上記レーザー光線照射ユニット５は、上記静止基台２上に配設された支持部材５１と、該支持部材５１によって支持され実質上水平に延出するケーシング５２と、該ケーシング５２に配設されたレーザー光線照射手段６と、ケーシング５２の前端部に配設されレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７を具備している。レーザー光線照射手段６は、ケーシング５２内に配設された図示しないパルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光して上記保持手段４に保持された被加工物に照射する集光器６１を具備している。なお、上記撮像手段７は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を図示しない制御手段に送る。

次に、上記保持手段４の第１の実施形態について、図２乃至図４を参照して説明する。
図２乃至図４に示す保持手段４は、上面に被加工物を保持する保持テーブル４１と、該保持テーブル４１を支持するテーブル基台４２とからなっている。保持テーブル４１は、厚みが１〜３mmのシリコン(Si)円板からなり、上面に外周に達する複数の直線状の吸引細溝４１１が形成されている。なお、吸引細溝４１１の幅は、図示の実施形態においては１００μmに設定されている。

上記保持テーブル４１を支持するテーブル基台４２は、上部がカップ状に形成されており、外周縁４２１の内側に段差を持って形成された第１の環状の棚４２２と、該第１の環状の棚４２２の内側に段差を持って形成された第２の環状棚４２３と、該第２の環状棚４２３の内側に形成された円形凹部４２４を備えている。なお、第２の環状棚４２３の内径は上記保持テーブル４１の外径と対応する寸法に形成されており、第２の環状棚４２３から外周縁４２１の上端までの高さは保持テーブル４１の厚みに対応する寸法に設定されている。このように形成された第２の環状棚４２３に保持テーブル４１が載置される。テーブル基台４２の第１の環状の棚４２２には複数の吸引口４２５aが形成されているとともに第２の環状の棚４２３には複数の吸引口４２６aが形成されており、これら複数の吸引口４２５aおよび複数の吸引口４２６aはそれぞれテーブル基台４２に設けられた第１の吸引通路４２５および第２の吸引通路４２６を介して図示しない吸引手段に連通されている。従って、図示しない吸引手段が作動すると第２の吸引通路４２６を介して第２の環状の棚４２３に形成された複数の吸引口４２６aに負圧が作用するため、第２の環状棚４２３に載置された保持テーブル４１は第２の環状棚４２３に吸引保持される。また、図示しない吸引手段が作動すると第１の環状の棚４２２に形成された複数の吸引口４２５aに負圧が作用するため、第１の環状の棚４２２上に負圧が作用せしめられる。このように第１の環状の棚４２２上に作用した負圧は、保持テーブル４１の上面に形成された複数の吸引細溝４１１に外周部から作用する。従って、保持テーブル４１上に後述する被加工物が貼着されたダイシングテープを載置し、図示しない吸引手段が作動することにより、保持テーブル４１の上面にダイシングテープを介して被加工物を吸引保持することができる。なお、テーブル基台４２の上部外周には、後述する被加工物が貼着されたダイシングテープが装着された環状のフレームを固定するための４個のクランプ４３が配設されている。

上述した保持手段４を構成する保持テーブル４１を支持するテーブル基台４２の円形凹部４２４には、保持テーブル４１を透過した赤外光領域にある波長のレーザー光線を吸収するダンパーが配設されていることが望ましい。以下、テーブル基台４２の円形凹部４２４に配設されるダンパーについて、図５乃至図７を参照して説明する。

図５に示す第１の実施形態におけるダンパー４４は、厚みが３０mm程度のシリコン円板４４１に所定の角度(例えば４５度)で傾斜する平行な溝４４２を例えば１mmの幅で３mm間隔で櫛状に形成することにより、複数の厚さ２mmの傾斜板４４３を形成したものである。このように構成されたダンパー４４においては、保持テーブル４１を透過した赤外光領域にある波長のレーザー光線が傾斜板４４３に達すると、５０％程度透過するとともに３０％程度吸収して２０％程度が反射し、隣接する傾斜板４４３に向けて反射および透過したレーザー光線が順次透過と吸収と反射を繰り返すことによりレーザー光線のエネルギーが消滅する。

図６に示す第２の実施形態におけるダンパー４５は、厚みが３０mm程度のシリコン円板４５１からなっている。このように、シリコン板も厚みが３０mm程度と厚い場合には保持テーブル４１を透過した赤外光領域にある波長のレーザー光線を吸収することができる。

図７に示す第３の実施形態におけるダンパー４６は、中空のガラス板４６１の中空部４６２に冷却水入口４６３と冷却水出口４６４を設け、中空部４６２に供給される冷却水によって保持テーブル４１を透過し中空のガラス板４６１に照射された赤外光領域にある波長のレーザー光線のエネルギーを吸収する。

次に、上記保持手段４の第２の実施形態について、図８および図９を参照して説明する。
図８および図９に示す保持手段４aは、上面に被加工物を保持する保持テーブル４１aと、該保持テーブル４１aを支持するテーブル基台４２aとからなっている。なお、テーブル基台４２aは、上記図２乃至図４に示す第１の実施形態における保持手段４を構成するテーブル基台４２と同じ構成である。従って、図２乃至図４に示すテーブル基台４２の構成部位と同一部位には同一符号を付して説明は省略する。保持手段４aを構成する保持テーブル４１aは、厚みが１〜３mmのシリコン(Si)円板からなり、上面から下面に貫通する複数の細孔４１２aが形成されている。なお、細孔４１２aの直径は、図示の実施形態においてはφ０．５μmに設定されている。なお、保持テーブル４１aの外径は、テーブル基台４２aを構成する第１の環状棚４２２の内径と対応する寸法に形成されている。このように形成された保持テーブル４１aは、テーブル基台４２aの第１の環状棚４２２に載置される。そして、図示しない吸引手段が作動すると第１の吸引通路４２５を介して第１の環状の棚４２２に形成された複数の吸引口４２５aに負圧が作用するため、第１の環状棚４２２に載置された保持テーブル４１aは第１の環状棚４２２に吸引保持される。また、図示しない吸引手段が作動すると第２の吸引通路４２６を介して第２の環状の棚４２３に形成された複数の吸引口４２６aから円形凹部４２４および保持テーブル４１aに設けられた複数の細孔４１２aを通して保持テーブル４１aの上面に負圧が作用せしめられる。

上述した第２の実施形態における保持手段４aを構成するテーブル基台４２aの上部外周には、上記図２乃至図４に示す第１の実施形態における保持手段４と同様に後述する被加工物が貼着されたダイシングテープが装着された環状のフレームを固定するための４個のクランプ４３が配設されている。なお、第２の実施形態における保持手段４aにおいても、テーブル基台４２aの円形凹部４２４には、保持テーブル４１aを透過した赤外光領域におる波長のレーザー光線を吸収するための上記図５乃至図７に示すダンパーが配設されていることが望ましい。

図示の実施形態におけるレーザー加工装置は以上のように構成されており、以下その作用について説明する。
図１０の（a）および(b)には、被加工物としての半導体ウエーハの斜視図および要部拡大断面図が示されている。図１０の（a）および(b)に示す半導体ウエーハ１０は、厚みが１５０μmのシリコン等の基板１１の表面１１aに絶縁膜と回路とによって形成される機能膜が積層された機能層１２によって複数のＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１３がマトリックス状に形成されている。そして、各デバイス１３は、格子状に形成された分割予定ライン１４によって区画されている。なお、図示の実施形態においては、機能層１２を形成する絶縁膜は、ＳｉＯ2膜または、ＳｉＯＦ、ＢＳＧ（ＳｉＯＢ）等の無機物系の膜やポリイミド系、パリレン系等のポリマー膜である有機物系の膜からなる低誘電率絶縁体被膜（Ｌｏｗ−ｋ膜）からなっており、厚みが１０μmに設定されている。

次に、上述したレーザー加工装置を用い、半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１４に沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ライン１４に沿って機能層１２を除去する機能層除去工程について説明する。
機能層除去工程を実施するには、先ず、半導体ウエーハ１０を構成する基板１１の裏面１１bを環状のフレームに装着されたダイシングテープの表面に貼着するウエーハ支持工程を実施する。即ち、図１１に示すように、環状のフレームFの内側開口部を覆うように外周部が装着されたダイシングテープTの表面に半導体ウエーハ１０を構成する基板１１の裏面１１bを貼着する。従って、環状のフレームFの表面に貼着された半導体ウエーハ１０は、機能層１２の表面１２aが上側となる。

次に、上述した図１に示すレーザー加工装置の保持手段４を構成する保持テーブル４１上に半導体ウエーハ２が貼着されたダイシングテープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、上述したように保持テーブル４１の上面にダイシングテープTを介して半導体ウエーハ１０を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、保持テーブル４１の上面にダイシングテープTを介して吸引保持された半導体ウエーハ１０は、機能層１２の表面１２aが上側となる。なお、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFは、クランプ４３によって固定される。このようにして、半導体ウエーハ１０を吸引保持した保持手段４は、加工送り手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。

保持手段４が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７および図示しない制御手段によって保持手段４を構成する保持テーブル４１の上面に吸引保持された半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ１０の所定方向に形成されている分割予定ライン１４と、該分割予定ライン１４に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６の集光器６１との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、半導体ウエーハ１０に上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン１４に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。

上述したアライメント工程を実施したならば、図１２で示すように保持手段４をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段６の集光器６１が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン１４を集光器６１の直下に位置付ける。このとき、図１２の（ａ）で示すように半導体ウエーハ１０は、分割予定ライン１４の一端(図１２の（ａ）において左端)が集光器６１の直下に位置するように位置付けられる。次に、レーザー光線照射手段６の集光器６１からＬｏｗ−ｋ膜からなる機能層１２を効果的にアブレーション加工することができる赤外光領域のパルスレーザー光線（COレーザー（波長が５μm）やCO2レーザー（波長が１０μm））を照射しつつ保持手段４を図１２の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図１２の（ｂ）で示すように分割予定ライン１４の他端（図１２の（ｂ）において右端）が集光器６１の直下位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともに保持手段４の移動を停止する。この機能層除去工程においては、パルスレーザー光線の集光点Ｐを分割予定ライン１４の表面（上面）付近に位置付ける。この結果、半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１４には図１２の（c）に示すように機能層１２が除去されたレーザー加工溝１５が形成される。なお、上述した機能層除去工程においては、集光器６１から照射されるパルスレーザー光線がオーバーランし半導体ウエーハ１０を外れてダイシングテープTを通して保持手段４を構成する保持テーブル４１に照射されることがある。しかるに、保持テーブル４１はシリコン(Si)によって形成されているので、赤外光領域のパルスレーザー光線（COレーザー（波長が５μm）やCO2レーザー（波長が１０μm））は透過するため損傷することはない。なお、保持手段４を構成するテーブル基台４２の円形凹部４２４に上記図５乃至図７に示すダンパーを配設することにより、保持テーブル４１を透過した赤外光領域にある波長のレーザー光線を効果的に吸収することができる。

なお、上記機能層除去工程は、例えば以下の加工条件で行われる。
レーザー光線 ：COレーザー（波長：５μm）、CO2レーザー（波長：１０μm）
繰り返し周波数 ：５０ｋＨｚ
平均出力 ：０．５W
集光スポット径 ：φ５０μｍ
加工送り速度 ：２００ｍｍ／秒

上述した機能層除去工程を半導体ウエーハ１０に形成された全ての分割予定ライン１４に沿って実施したならば、半導体ウエーハ１０は機能層１２が除去された分割予定ライン１４に沿って基板１１に分割加工を施して半導体ウエーハ１０を個々のデバイス１３に分割するウエーハ分割工程に搬送される。なお、半導体ウエーハ１０の基板１１に施す分割加工としては、切削ブレードによる切削加工やシリコン基板に対して吸収性を有する波長（紫外線領域の波長）のパルスレーザー光線を分割予定ライン１４に沿って照射するアブレーション加工を実施することができる。

以上、本発明に従って構成されたレーザー加工装置を用いて半導体ウエーハ１０の分割予定ライン１４に沿ってレーザー光線を照射し、分割予定ライン１４に沿って機能層１２を除去する例について説明したが、本発明によるレーザー加工装置は赤外光領域のレーザー光線を用い被加工物の内部に改質層を形成するレーザー加工を実施する際にも保持テーブル４１の損傷を防止することができる。

２：静止基台
３：被加工物保持機構
３７：加工送り手段
３８：割り出し送り手段
４：保持手段
４１：保持テーブル
４１１：吸引細溝
４２：テーブル基台
４２１：外周縁
４２２：第１の環状の棚
４２３：第２の環状の棚
４２４：円形凹部
４３：クランプ
４４，４５，４６：ダンパー
５：レーザー光線照射ユニット
６：レーザー光線照射手段
６１：集光器
７：撮像手段
１０：半導体ウエーハ
Ｆ：環状のフレーム
Ｔ：保護テープ

Claims (4)

1. 被加工物を保持する保持手段と、該保持手段に保持された被加工物に赤外光領域のレーザー光線を、集光器を介して照射するレーザー光線照射手段と、該保持手段と該レーザー光線照射手段を加工送り方向に相対的に移動せしめる加工送り手段と、を具備するレーザー加工装置であって、
   該保持手段は、上面に被加工物を保持する保持テーブルと、該保持テーブルを支持するテーブル基台とからなり、
   該保持テーブルは、シリコンによって形成されており、該保持テーブルは、該保持テーブル上に保持される被加工物側からレーザー光線を照射する該集光器と対向するように位置付けられ、
   該集光器から照射されるレーザー光線によって該被加工物の表面に形成された機能層を除去しつつレーザー光線照射位置の該被加工物を残すレーザー加工、又は被加工物内部に改質層を形成するレーザー加工を実施する、
   ことを特徴とするレーザー加工装置。
2. 該保持テーブルは、該上面に外周に達する複数の吸引細溝が形成されており、該複数の吸引細溝に外周部から負圧を作用して被加工物を吸引保持する、請求項１記載のレーザー加工装置。
3. 該保持テーブルは、該上面から下面に連通する複数の細孔が形成されており、該下面側から該複数の細孔を通して該上面に負圧を作用して被加工物を吸引保持する、請求項１記載のレーザー加工装置。
4. 該テーブル基台には、該保持テーブルを透過した赤外光領域にある波長のレーザー光線を吸収するダンパーが配設されている、請求項１〜３のいずれかに記載のレーザー加工装置。

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