JP6299501B2 - マイクロレンズアレイ基板の製造方法、マイクロレンズアレイ基板、電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、複数段のマイクロレンズが形成されたマイクロレンズアレイ基板の製造方法、当該マイクロレンズアレイ基板、該マイクロレンズアレイ基板を備えた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。

プロジェクターのライトバルブとして用いられる電気光学装置（液晶装置）の表示領域では、複数の画素がマトリクス状に配置されており、かかる画素では、配線等によって囲まれた透光部分（画素開口領域）に到達した光のみが表示に寄与する。このため、光の進行方向に複数段のマイクロレンズを配置し、画素開口領域に光を収束させるとともに、光を平行光に近づける構成が提案されている（特許文献１〜３参照）。また、特許文献３には、１つの基板に対して、光の進行方向に複数段のマイクロレンズを設けた構成が提案されている。

特許第３０７１０４５号公報 特開２００９−６３８８８号公報 特開２０１１−２２３１１号公報

特許文献３に記載の構成を採用すると、マイクロレンズアレイ基板を製造する際、マザー基板には、マイクロレンズを１段のみ形成する場合に比してより多くの透光膜を積層することになるため、上層側の透光性膜を形成する際、既に成膜した下層側の透光膜に大きな応力が加わる。その結果、マザー基板の端部において、透光膜同士の界面にクラックが発生し、透光膜が剥離するという問題が発生しやすい。かかる剥離の発生は、マイクロレンズアレイ基板の歩留まりの低下等の原因となるため、好ましくない。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、複数段のマイクロレンズを形成する場合でも、透光膜同士の界面や透光膜と透光性基板との界面等にクラック等が発生しにくいマイクロレンズアレイ基板の製造方法、当該マイクロレンズアレイ基板、該マイクロレンズアレイ基板を備えた電気光学装置、および該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、透光性のマザー基板の一方側の基板面に凹部を形成する凹部形成工程と、前記マザー基板と屈折率が異なる透光性の第１レンズ層を前記基板面に形成する第１レンズ層成膜工程と、前記第１レンズ層の前記マザー基板とは反対側の面に、金属または金属化合物からなる第１金属層を形成する第１金属層成膜工程と、少なくとも前記凹部の中央に平面視で重なる位置から前記第１金属層を除去し、少なくとも前記マザー基板の端部に前記第１金属層を残す第１金属層パターニング工程と、前記第１レンズ層および前記第１金属層の前記マザー基板とは反対側の面に第１透光層を形成する第１透光層成膜工程と、前記第１透光層の前記マザー基板とは反対側の面に透光性の第２レンズ層を形成する第２レンズ層成膜工程と、前記第２レンズ層の前記マザー基板とは反対側の面において前記凹部と平面視で重なる位置に、前記マザー基板とは反対側に向けて突出した凸部または前記マザー基板側に向けて凹んだ凹部を形成する第２レンズ形成工程と、前記第２レンズ層と屈折率が異なる第２透光層を前記第２レンズ層の前記マザー基板とは反対側の面に形成する第２透光層成膜工程と、前記マザー基板を切断してマイクロレンズアレイ基板を得るマザー基板切断工程と、を有することを特徴とする。

本発明では、透光性基板に複数段のマイクロレンズアレイが形成されたマイクロレンズアレイ基板を製造するために、マザー基板に第１レンズ層、第１透光層、第２レンズ層、第２透光層をこの順に積層する。その際、第１レンズ層と第１透光層との層間に第１金属層を形成し、かかる第１金属層については、第１金属層パターニング工程において、少なくともマザー基板の端部に残す。このため、マザー基板の端部では、第１レンズ層、第１金属層、第１透光層、第２レンズ層、第２透光層がこの順に積層された状態となる。ここで、第１金属層は、第１レンズ層、第１透光層、第２レンズ層、第２透光層を構成する膜に比して、ポアソン比が大きく、応力を吸収するバッファー層として機能する。従って、第１レンズ層、第１透光層、第２レンズ層、第２透光層等の透光膜を積層するにあたって、上層側の透光膜を形成した際、既に成膜した下層側の透光膜に応力が加わった場合でも、マザー基板の端部において、透光膜同士の界面や透光膜と透光性基板との界面にクラックが発生しにくい。また、第１レンズ層、第１透光層、第２レンズ層、第２透光層がこの順に積層された積層膜は、厚さ方向において第１金属層（バッファー層）によって適度に分割されるため、マザー基板の端部において、透光膜同士の界面や透光膜と透光性基板との界面にクラックが発生しにくい。それ故、透光膜が剥離するという事態が発生しにくいので、マイクロレンズアレイ基板の歩留まりの低下等を抑制することができる。

本発明において、前記第１金属層パターニング工程では、前記マザー基板のうち、前記マイクロレンズアレイ基板が得られる領域に前記第１金属層の一部を残すことが好ましい。かかる構成によれば、第１金属層を利用して、マイクロレンズアレイ基板にアライメントマークや見切り等の遮光層を形成することができる。

かかる製造方法を採用した場合、マイクロレンズアレイ基板は、第１凹部が設けられた第１面を備えた透光性基板と、前記第１面を覆う第２面、および該第２面とは反対側に位置する平坦な第３面を備え、前記透光性基板と屈折率が異なる透光性の第１レンズ層と、前記第３面を覆う第４面、および該第４面とは反対側に位置する平坦な第５面を備えた第１透光層と、前記第５面を覆う第６面、および該第６面とは反対側において前記第１凹部と平面視で重なる位置に、前記透光性基板とは反対側に向けて突出した凸部または前記透光性基板側に向けて凹んだ第２凹部が形成された第７面を備えた透光性の第２レンズ層と、前記第７面を覆う第８面、および該第８面の反対側に位置する平坦な第９面を備え、前記第２レンズ層と屈折率が異なる第２透光層と、前記第３面と前記第４面との間において前記第１凹部の中央と平面視で重ならない位置に設けられ、金属または金属化合物からなる第１金属層と、を有する。

本発明においては、前記第１透光層成膜工程と前記第２レンズ層成膜工程との間に、前記第１透光層の前記マザー基板とは反対側の面に、金属または金属化合物からなる第２金属層を形成する第２金属層成膜工程と、少なくとも前記凹部の中央に平面視で重なる位置から前記第２金属層を除去し、少なくとも前記マザー基板の端部に前記第２金属層を残す第２金属層パターニング工程と、を有し、前記第２レンズ層成膜工程では、前記第１透光層および前記第２金属層の前記マザー基板とは反対側の面に前記第２レンズ層を形成することが好ましい。かかる構成によれば、第２金属層も、第１金属層と同様、応力を吸収するバッファー層として機能する。従って、第１レンズ層、第１透光層、第２レンズ層、第２透光層等の透光膜を積層するにあたって、上層側の透光膜を形成した際、既に成膜した下層側の透光膜に応力が加わった場合でも、マザー基板の端部において、透光膜同士の界面にクラックが発生しにくい。また、第１レンズ層、第１透光層、第２レンズ層、第２透光層がこの順に積層された積層膜は、厚さ方向において第１金属層（バッファー層）および第２金属層（バッファー層）によって適度に分割されるため、マザー基板の端部において、透光膜同士の界面にクラックが発生しにくい。それ故、透光膜が剥離するという事態が発生しにくいので、マイクロレンズアレイ基板の歩留まりの低下等を抑制することができる。

本発明において、前記第２金属層パターニング工程では、前記マザー基板のうち、前記マイクロレンズアレイ基板が得られる領域に前記第２金属層の一部を残してもよい。かかる構成によれば、第２金属層を利用して、マイクロレンズアレイ基板にアライメントマークや見切り等の遮光層を形成することができる。

かかる製造方法を採用した場合、マイクロレンズアレイ基板は、前記第５面と前記第６面との間において前記第１凹部の中央と平面視で重ならない位置に、金属または金属化合物からなる第２金属層を有する。

本発明において、前記凹部形成工程の前に、前記基板面に金属または金属化合物からなる第３金属層を形成する第３金属層成膜工程と、少なくとも前記凹部の中央に平面視で重なる位置から前記第３金属層を除去し、少なくとも前記マザー基板の端部に前記第３金属層を残す第３金属層パターニング工程と、を有する構成を採用してもよい。

本発明において、前記第３金属層パターニング工程では、前記マザー基板のうち、前記マイクロレンズアレイ基板が得られる領域に前記第３金属層の一部を残してもよい。かかる構成によれば、第３金属層を利用して、マイクロレンズアレイ基板にアライメントマークや見切り等の遮光層を形成することができる。

かかる構成を採用した場合、マイクロレンズアレイ基板は、前記第１面と前記第２面との間において前記第１凹部の中央と平面視で重ならない位置に、金属または金属化合物からなる第３金属層を有する。

本発明は、前記第１透光層が前記第１レンズ層および前記第２レンズ層と屈折率が相違する場合に適用すると効果的である。第１透光層が第１レンズ層および第２レンズ層と異なる材料からなる場合、第１レンズ層と第１透光層との界面、および第１透光層と第２レンズ層との界面でクラックや剥離が発生しやすいが、本発明によれば、かかるクラックや剥離が発生しにくい。

本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板は電気光学装置に用いられ、電気光学装置は、前記第１凹部と平面視で重なる位置に画素電極を備えている。

かかる電気光学装置は、例えば、投射型表示装置のライトバルブや直視型表示装置として用いられる。本発明に係る電気光学装置を投射型表示装置に用いる場合、投射型表示装置には、前記電気光学装置に供給される光を出射する光源部と、前記電気光学装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。

本発明を適用した電気光学装置の説明図である。 図１に示す電気光学装置の断面構成を模式的に示す説明図である。 図１に示す電気光学装置におけるマイクロレンズと遮光層との平面的な位置関係を示す説明図である。 本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板の製造に用いるマザー基板の説明図である。 本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す工程断面図である。 本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。

図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

（電気光学装置の構成）
図１は、本発明を適用した電気光学装置１００の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した電気光学装置１００を各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびその断面図である。

図１に示すように、電気光学装置１００は、透光性の素子基板１０と透光性の対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、素子基板１０と対向基板２０との間でシール材１０７によって囲まれた領域に液晶層からなる電気光学層８０が配置されている。シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性を備えた接着剤、あるいは光硬化性および熱硬化性を備えた接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。かかるシール材１０７としては、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系、アクリル変性樹脂系、エポキシ変性樹脂系等の光硬化性接着剤（紫外光硬化型接着剤／ＵＶ硬化型接着剤）を用いることができる。

素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と表示領域１０ａの外周縁との間には、矩形枠状の周辺領域１０ｂが設けられている。

素子基板１０の対向基板２０側の面において、表示領域１０ａの外側には、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。

また、素子基板１０の対向基板２０側の面において、表示領域１０ａには、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等からなる透光性の画素電極９ａ、および画素電極９ａに電気的に接続する画素トランジスター（図示せず）がマトリクス状に形成されており、画素電極９ａに対して対向基板２０側には配向膜１６が形成されている。また、素子基板１０において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

対向基板２０において素子基板１０と対向する面側には、ＩＴＯ膜等からなる透光性の共通電極２１が形成されており、共通電極２１に対して素子基板１０側には配向膜２６が形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。

配向膜１６、２６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６、２６は、ＳｉＯ_x（ｘ＜２）、ＳｉＯ₂、ＴｉＯ₂、ＭｇＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｉｎ₂Ｏ₃、Ｓｂ₂Ｏ₃、Ｔａ₂Ｏ₅等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、電気光学層８０に用いた負の誘電率異方性を備えた液晶分子を傾斜配向させ、電気光学装置１００をＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置として動作させる。

素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位が印加されている。

本形態の電気光学装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１が透光性導電膜により形成されており、電気光学装置１００は、透過型液晶装置として構成されている。かかる電気光学装置１００では、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。本形態では、矢印Ｌで示すように、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に電気光学層８０によって画素毎に変調され、画像を表示する。

（金属層１０８の構成）
図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面構成を模式的に示す説明図である。図１および図２に示すように、対向基板２０には、共通電極２１に対して素子基板１０とは反対側には、金属または金属化合物からなる遮光性の金属層１０８が形成されている。金属層１０８は、例えば、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り１０８ａとして形成されている。また、金属層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と平面視で重なる領域に遮光層１０８ｂとして形成されている。さらに、金属層１０８は、周辺領域１０ｂ等にアライメントマーク１０８ｃとして形成されている。本形態では、周辺領域１０ｂのうち、見切り１０８ａの外周縁とシール材１０７の内周縁とに挟まれたマーク形成領域１０ｃにアライメントマーク１０８ｃが設けられている。

（マイクロレンズアレイ基板３０の構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００におけるマイクロレンズ３０ａと遮光層１０８ｂとの平面的な位置関係を示す説明図である。

図２に示すように、素子基板１０は、透光性基板１９を有しているとともに、透光性基板１９の対向基板２０側の面には複数の層間絶縁膜１８が積層されている。また、素子基板１０では、透光性基板１９と層間絶縁膜１８との間や、層間絶縁膜１８の間等を利用して、隣り合う画素電極９ａの間と重なる領域に沿って延在する配線１７や、画素トランジスター１４が形成されており、配線１７や画素トランジスター１４は光を透過しない。

このため、素子基板１０では、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、配線１７や画素トランジスター１４と平面視で重なる領域や、隣り合う画素電極９ａに挟また領域と平面視で重なる領域は、光を透過しない遮光領域１５ｂになっており、画素電極９ａと平面視で重なる領域のうち、配線１７や画素トランジスター１４と平面視で重ならない領域は光を透過する開口領域１５ａになっている。従って、開口領域１５ａを透過した光のみが画像の表示に寄与し、遮光領域１５ｂに向かう光は、画像の表示に寄与しない。

そこで、本形態では、対向基板２０は、複数の画素電極９ａに対して平面視で１対１で重なる複数のマイクロレンズ３０ａが形成されたマイクロレンズアレイ基板３０として構成されており、マイクロレンズアレイ基板３０は、光源からの光を開口領域１５ａに収束させる。また、本形態の対向基板２０（マイクロレンズアレイ基板３０）には、光の進行方向に沿って複数段のマイクロレンズアレイが構成されており、本形態では、光の入射側に位置する第１マイクロレンズアレイ３１と、第１マイクロレンズアレイ３１に対して素子基板１０の側に位置する第２マイクロレンズアレイ３２とが構成されている。このため、本形態の電気光学装置１００では、第１マイクロレンズアレイ３１および第２マイクロレンズアレイ３２によって、光源からの光を開口領域１５ａに収束させるとともに、電気光学層８０に入射する光を平行光化している。それ故、電気光学層８０に入射する光の光軸の傾きが小さいので、電気光学層８０での位相ずれを低減でき、透過率やコントラストの低下を抑制することができる。特に本形態では、電気光学装置１００をＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置として構成したため、電気光学層８０に入射する光の光軸の傾斜によって、コントラストの低下等が発生しやすいが、本形態によれば、コントラストの低下等が発生しにくい。

ここで、マイクロレンズ３０ａは、図３に示すように、隣り合うマイクロレンズ３０ａが接するように配列されており、４つのマイクロレンズ３０ａによって囲まれた領域に平面視で重なる領域に、図１および図２に示す遮光層１０８ｂが形成されている。このため、図１（ｂ）では、図３のＡ−Ａ′線での断面であるとして遮光層１０８ｂが図示されているが、図２では、図３のＢ−Ｂ′線での断面であるとして遮光層１０８ｂが図示されていない。なお、遮光層１０８ｂは、マイクロレンズ３０ａの端部に平面視で重なっている場合があるが、マイクロレンズ３０ａの中央に平面視で重ならないように形成される。

（マイクロレンズアレイ基板３０の詳細構成）
再び図２において、本形態では、マイクロレンズアレイ基板３０（対向基板２０）を構成するにあたって、透光性基板２９の一方の基板面２９１からなる第１面４１には、凹曲面からなる第１凹部２９２が形成されている。また、透光性基板２９の一方の基板面２９１（第１面４１）には、以下に説明する透光性の第１レンズ層５１、第１透光層５２、透光性の第２レンズ層５３、第２透光層５４、および透光性の保護層５５が順に積層されている。第１凹部２９２は、画素電極９ａに平面視で重なっている。

かかる複数の透光膜のうち、第１レンズ層５１は、透光性基板２９の基板面２９１（第１面４１）を覆う面５１１（第２面４２）と、面５１１（第２面４２）とは反対側に位置する平坦面５１２（第３面４３）とを備えている。また、第１レンズ層５１の面５１１（第２面４２）は、透光性基板２９の第１凹部２９２を埋める半球状の第１凸部５１３を有している。

ここで、透光性基板２９と第１レンズ層５１とは屈折率が相違しており、第１凹部２９２および第１凸部５１３は、第１マイクロレンズアレイ３１のマイクロレンズ３１ａ（マイクロレンズ３０ａ）を構成している。本形態において、第１レンズ層５１の屈折率は、透光性基板２９の屈折率より大である。例えば、透光性基板２９は石英基板（シリコン酸化膜、ＳｉＯ_２）からなり、屈折率が１．４８であるのに対して、第１レンズ層５１は、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）からなり、屈折率が１．５８〜１．６８である。それ故、マイクロレンズ３１ａは、光源からの光を収束させるパワーを有している。

第１透光層５２は、第１レンズ層５１の平坦面５１２（第３面４３）を覆う面５２１（第４面４４）と、面５２１（第４面４４）とは反対側に位置する面５２２（第５面４５）とを備えている。本形態において、第１透光層５２は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_x）からなり、屈折率が１．４８である。かかる第１透光層５２は、第１マイクロレンズアレイ３１から第２マイクロレンズアレイ３２までの光路長を調整する第１光路長調整層である。

第２レンズ層５３は、第１透光層５２の面５２２（第５面４５）を覆う面５３１（第６面４６）と、面５３１（第６面４６）とは反対側の面５３２（第７面４７）とを有しており、面５３２（第７面４７）には、第１凹部２９２と平面視で重なる位置に、透光性基板２９とは反対側に向けて突出した凸部、または透光性基板２９に向けて凹んだ凹部が形成されている。

本形態において、第２レンズ層５３の面５３２（第７面４７）には、第１凹部２９２と平面視で重なる位置に、透光性基板２９とは反対側に向けて半球状に突出した第２凸部５３３が形成されている。このため、第２透光層５４は、第２レンズ層５３の面５３２（第７面４７）を覆う面５４１（第８面４８）に、第２レンズ層５３の第２凸部５３３が内側に位置する凹曲面からなる第２凹部５４３が形成されている。第２透光層５４は、面５４１（第８面４８）とは反対側に平坦面５４２（第９面４９）を備えている。

ここで、第２レンズ層５３と第２透光層５４とは屈折率が相違しており、第２凹部５４３および第２凸部５３３は、第２マイクロレンズアレイ３２のマイクロレンズ３２ａ（マイクロレンズ３０ａ）を構成している。本形態において、第２レンズ層５３の屈折率は、第２透光層５４の屈折率より大である。例えば、第２レンズ層５３は、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）からなり、屈折率が１．５８〜１．６８であるのに対して、第２透光層５４は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_x）からなり、屈折率が１．４８である。それ故、マイクロレンズ３１ａは、光源からの光を収束させるパワーを有している。本形態において、第２透光層５４は、第２マイクロレンズアレイ３２から素子基板１０までの光路長を調節する第２光路長調整層である。

本形態において、第２透光層５４の平坦面５４２（第９面４９）には、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_x）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）等の保護膜５５が形成されており、かかる保護膜５５に対して第２透光層５４や透光性基板２９とは反対側に共通電極２１が形成されている。また、共通電極２１に対して保護膜５５や透光性基板２９とは反対側に配向膜２６が形成されている。

（金属膜１０８の詳細構成）
本形態のマイクロレンズアレイ基板３０において、金属層１０８（見切り１０８ａ、遮光層１０８ｂ、アライメントマーク１０８ｃ）は、以下に説明するように、上記の透光膜の層間に形成された第１金属層５６、第２金属層５７および第３金属層５８によって構成されている。

具体的には、マイクロレンズアレイ基板３０には、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状の見切り１０８ａとして、第１レンズ層５１の平坦面５１２（第３面４３）と第１透光層５２の面５２１（第４面４４）との間には第１金属層５６からなる見切り５６ａが形成され、第１透光層５２の面５２２（第５面４５）と第２レンズ層５３の面５３１（第６面４６）との間には第２金属層５７からなる見切り５７ａが形成されている。

また、マーク形成領域１０ｃには、アライメントマーク１０８ｃとして、第１透光層５２の面５２２（第５面４５）と第２レンズ層５３の面５３１（第６面４６）との間に、第２金属層５７からなるアライメントマーク５７ｃが形成されており、アライメントマーク５７ｃは、第２レンズ層５３の面５３２（第７面４７）に第２凸部５３３を形成する際の位置合わせに用いられる。さらに、マーク形成領域１０ｃには、アライメントマーク１０８ｃとして、透光性基板２９の基板面２９１（第１面４１）と第１レンズ層５１の面５１１（第２面４２）との間に、第３金属層５８からなるアライメントマーク５８ｃが形成されており、アライメントマーク５８ｃは、透光性基板２９の基板面２９１（第１面４１）に第１凹部２９２を形成する際の位置合わせに用いられる。

また、表示領域１０ａでは、図１（ｂ）および図３に示す遮光層１０８ｂとして、第２金属層５７からなる遮光層５７ｂが形成されている。遮光層５７ｂは、マイクロレンズ３０ａの端部に平面視で重なっている場合があるが、マイクロレンズ３０ａの中央には平面視で重なっていない。

本形態において、金属層１０８（第１金属層５６、第２金属層５７および第３金属層５８）は各々、Ｔｉ（チタン）、Ａｌ（アルミニウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の金属膜や、それらの窒化膜等の金属化合物膜からなる。また、金属層１０８は、上記の金属膜や金属化合物膜の単層膜あるいは複層膜のいずれであってもよい。

（マイクロレンズアレイ基板３０の製造方法）
図４は、本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板３０の製造に用いるマザー基板３００の説明図である。図５〜図１０は、本発明を適用したマイクロレンズアレイ基板３０の製造方法を示す工程断面図である。なお、図５〜図１０では、図１（ｂ）および図２とは逆にに、マイクロレンズアレイ基板３０に用いた透光性基板２９の基板面２９１（マザー基板３００の基板面３１０）を図面に向かって上向きに表してある。

図４に示すように、本形態のマイクロレンズアレイ基板３０を製造するには、マイクロレンズアレイ基板３０より大型の石英基板からなるマザー基板３００を用いる。マザー基板３００は、マイクロレンズアレイ基板３０として切り出される複数の領域３００ｓを備えており、領域３００ｓに、図２を参照して説明した第１マイクロレンズアレイ３１、第２マイクロレンズアレイ３２、共通電極２１および配向膜２６等を形成した後、マザー基板３００を領域３００ｓに沿って切断し、単品サイズのマイクロレンズアレイ基板３０を得る。従って、マザー基板３００では、複数のマイクロレンズアレイ基板３０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域３００ｙであり、それ以外の領域は、切断工程で除去される除材領域３００ｚである。

このようなマザー基板３００を用いてマイクロレンズアレイ基板３０を製造するにあたって、本形態では、以下の工程等
第３金属層成膜工程
第３金属層パターニング工程
凹部形成工程
第１レンズ層成膜工程
第１平坦化工程
第１金属層成膜工程
第１金属層パターニング工程
第１透光層成膜工程
第２金属層成膜工程
第２金属層パターニング工程
第２レンズ層成膜工程
第２レンズ形成工程
第２透光層成膜工程
第２平坦化工程
を順に行う。

まず、図５（ａ）に示す第３金属層成膜工程において、スパッタ法等により、マザー基板３００の基板面３１０に金属または金属化合物からなる第３金属層５８を形成する。第３金属層５８は、例えば、チタン窒化物とアルミニウムとの積層膜からなる。

次に、図５（ｂ）に示す第３金属層パターニング工程において、第３金属層５８のマザー基板３００とは反対側の面にエッチングマスク（図示せず）を形成した状態で第３金属層５８をエッチングし、少なくとも第１凹部２９２（図２参照）の中央に平面視で重なる位置から第３金属層５８を除去する。また、少なくともマザー基板３００の全周の端部３９０を含む除材領域３００ｚの全体に第３金属層５８を第３バッファー層５８ｒとして残す。本形態では、マイクロレンズアレイ基板３０が得られる領域３００ｓのうち、表示領域１０ａ全体から第３金属層５８を除去し、マーク形成領域１０ｃには第３金属層５８をアライメントマーク５８ｃとして残す。

次に、図５（ｃ）、（ｄ）に示す凹部形成工程において、マザー基板３００の基板面３１０に第１凹部２９２を形成する。より具体的には、図５（ｃ）に示すように、マザー基板３００の基板面３１０に、第１凹部２９２の中央に平面視で重なる領域が開口部６１０になっているエッチングマスク６１を形成した後、ふっ酸を含むエッチング液を利用して等方性エッチングを行う。その結果、マザー基板３００の基板面３１０には、開口部６１０を中心とする凹曲面からなる第１凹部２９２が形成される。その後、図５（ｄ）に示すように、エッチングマスク６１を除去する。かかる凹部形成工程において、エッチングマスク６１を形成する際のフォトリソグラフィ工程では、アライメントマーク５８ｃを基準に露光マスク等の位置合わせを行う。

次に、図５（ｅ）に示す第１レンズ層成膜工程において、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、マザー基板３００と屈折率が異なる透光性の第１レンズ層５１を基板面３１０全体に形成する。その際、第１レンズ層５１のマザー基板３００とは反対側の面５１０には、第１凹部２９２に起因する凹部が形成されるので、図５（ｆ）に示す第１平坦化工程において、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等を利用して第１レンズ層５１の面５１０を平坦化し、平坦面５１２とする。本形態において、第１レンズ層５１は、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）からなる。

次に、図６（ａ）に示す第１金属層成膜工程において、スパッタ法等により、第１レンズ層５１の平坦面５１２に、金属または金属化合物からなる第１金属層５６を形成する。第１金属層５６は、例えば、チタン窒化物とアルミニウムとの積層膜からなる。

次に、図６（ｂ）に示す第１金属層パターニング工程において、第１金属層５６のマザー基板３００とは反対側の面にエッチングマスク（図示せず）を形成した状態で第１金属層５６をエッチングし、少なくとも第１凹部２９２の中央に平面視で重なる位置から第１金属層５６を除去する。また、少なくともマザー基板３００の全周の端部３９０を含む除材領域３００ｚの全体に第１金属層５６を第１バッファー層５６ｒとして残す。本形態では、マイクロレンズアレイ基板３０が得られる領域３００ｓのうち、表示領域１０ａには、第１金属層５６を見切り５６ａとして残す。

次に、図６（ｃ）に示す第１透光層成膜工程において、プラズマＣＶＤ法等により、第１レンズ層５１および第１金属層５６のマザー基板３００とは反対側の面に第１透光層５２を形成する。なお、第１透光層５２のマザー基板３００とは反対側の面５２０には、ＣＭＰ処理等を利用して平坦化処理を行ってもよい。本形態において、第１透光層５２は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_x）からなる。

次に、図７（ａ）に示す第２金属層成膜工程において、スパッタ法等により、第１透光層５２の面５２２に、金属または金属化合物からなる第２金属層５７を形成する。第２金属層５７は、例えば、チタン窒化物とアルミニウムとの積層膜からなる。

次に、図７（ｂ）に示す第２金属層パターニング工程において、第２金属層５７のマザー基板３００とは反対側の面にエッチングマスク（図示せず）を形成した状態で第２金属層５７をエッチングし、少なくとも第１凹部２９２の中央に平面視で重なる位置から第２金属層５７を除去する。また、少なくともマザー基板３００の全周の端部３９０を含む除材領域３００ｚの全体に第２金属層５７を第２バッファー層５７ｒとして残す。本形態では、マイクロレンズアレイ基板３０が得られる領域３００ｓのうち、表示領域１０ａには、第２金属層５７を見切り５７ａとして残すとともに、図１（ｂ）および図３に示す遮光層５７ｂを残す。また、マーク形成領域１０ｃには第２金属層５７をアライメントマーク５７ｃとして残す。

次に、図７（ｃ）に示す第２レンズ層成膜工程において、プラズマＣＶＤ法等により、第１透光層５２および第２金属層５７（見切り５７ａ、遮光層５７ｂおよびアライメントマーク５７ｃ）のマザー基板３００とは反対側の面に第２レンズ層５３を形成する。なお、第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面５３０には、ＣＭＰ処理等を利用して平坦化処理を行ってもよい。本形態において、第２レンズ層５３は、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）からなる。

次に、図８（ａ）、（ｂ）に示す第２レンズ形成工程において、第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面において第１凹部２９２と平面視で重なる位置に、マザー基板３００とは反対側に向けて突出した凸部またはマザー基板３００側に向けて凹んだ凹部を形成する。本形態では、第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面５３０において第１凹部２９２と平面視で重なる位置に、マザー基板３００とは反対側に向けて突出した第２凸部５３３を形成する。

より具体的には、図８（ａ）に示すように、第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面５３０のうち、第１凹部２９２と平面視で重なる位置に半球状の凸部６２を形成した後、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasmas：誘導結合型プラズマ）装置等を用いたドライエッチングにより、凸部６２および第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面５３０をエッチングする。その結果、図８（ｂ）に示すように、第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面５３０に第２凸部５３３が形成される。

上記の凸部６２の形成については、例えば、ポジ型の感光性樹脂を１０μｍ程度塗布し、グレースケールマスクなどを用いて感光性樹脂を露光し、その後現像する。その際、グレースケールマスクとしては、例えば、露光時に用いる露光装置の解像限界以下のグリッドサイズ内に微小な孔を形成し、孔のサイズを変えることにより光の透過率を制御する種類のものを用いる。なお、光の透過率は、中央部から外周部に向けて高くなるように予め設計しておく。また、凸部６２を形成する手法としては、上記のフォトリソグラフィ法の他、加熱によるリフロー処理を行うリフロー法や、開口部の径が段階的に変化する複数のフォトマスクを用いた多重露光法等を例示することができる。

次に、図９（ａ）に示す第２透光層成膜工程において、プラズマＣＶＤ法等により、第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面に第２透光層５４に形成する。その際、第２透光層５４のマザー基板３００とは反対側の面５４０には、第２凸部５３３に起因する凸部が形成されるので、図９（ｂ）に示す第２平坦化工程において、ＣＭＰ処理等を利用して第２透光層５４の面５４０を平坦化し、平坦面５４２とする。本形態において、第２透光層５４は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_x）からなる。

次に、図１０（ａ）に示すように、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_x）やシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ）等の保護膜５５、共通電極２１および配向膜２６を形成する。

次に、図１０（ｂ）に示す切断工程において、マザー基板３００を切断してマイクロレンズアレイ基板３０を得た後、マイクロレンズアレイ基板３０を対向基板２０として用いて電気光学装置１００を製造する。

（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態では、透光性基板２９に複数段のマイクロレンズアレイが形成されたマイクロレンズアレイ基板３０を製造するために、マザー基板３００に第１レンズ層５１、第１透光層５２、第２レンズ層５３、第２透光層５４をこの順に積層する。その際、第１レンズ層５１と第１透光層５２との層間に第１金属層５６を形成し、かかる第１金属層５６については、第１金属層パターニング工程において、少なくともマザー基板３００の端部３９０に残す。このため、マザー基板３００の端部３９０では、第１レンズ層５１、第１金属層５６、第１透光層５２、第２レンズ層５３、第２透光層５４がこの順に積層された状態となる。ここで、マザー基板３００の端部３９０に形成された第１金属層５６は、第１レンズ層５１、第１透光層５２、第２レンズ層５３、第２透光層５４を構成する膜に比して、ポアソン比が大きく、応力を吸収する第１バッファー層５６ｒとして機能する。例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_x）やシリコン酸窒素膜（ＳｉＮＯ）のポアソン比は０．２以下であるのに対して、第１金属層５６のポアソン比は０．３以上であり、厚さ方向に加わった応力を第１金属層５６において吸収することができる。

特に本形態では、第１レンズ層５１、第１透光層５２、第２レンズ層５３、第２透光層５４がこの順に積層された積層膜は、厚さ方向において第１金属層５６（第１バッファー層５６ｒ）によって適度に分割されるため、第１金属層５６（第１バッファー層５６ｒ）に対してマザー基板３００の側、およびマザー基板３００に対して反対側に積層される透光膜の厚さを薄くすることができる。

従って、第１レンズ層５１を形成した後、第１透光層５２、第２レンズ層５３、第２透光層５４を形成した際、既に成膜した下層側の透光膜に応力が加わった場合でも、マザー基板３００の端部３９０において、透光性基板２９と第１レンズ層５１との界面や、第１レンズ層５１と第１透光層５２との界面にクラックが発生しにくい。それ故、第１レンズ層５１や第１透光層５２の剥離等が発生しにくい。

また、第１金属層パターニング工程において、マザー基板３００のうち、マイクロレンズアレイ基板３０が得られる領域３００ｓに第１金属層５６の一部を残すことにより、見切り５６ａ（遮光層）を形成することができる。

また、本形態では、第１透光層５２と第２レンズ層５３との間に第２金属層５７が形成されており、マザー基板３００の端部３９０に形成された第２金属層５７は、応力を吸収する第２バッファー層５７ｒとして機能する。従って、第１透光層５２を形成した後、第２レンズ層５３、第２透光層５４を形成した際、既に成膜した下層側の透光膜に応力が加わった場合でも、マザー基板３００の端部３９０において、透光性基板２９と第１レンズ層５１との界面や、第１レンズ層５１と第１透光層５２との界面、第１透光層５２と第２レンズ層５３との界面等にクラックが発生しにくい。それ故、第１レンズ層５１、第１透光層５２、第２レンズ層５３の剥離等が発生しにくい。

また、第２金属層パターニング工程において、マザー基板３００のうち、マイクロレンズアレイ基板３０が得られる領域３００ｓに第２金属層５７の一部を残すことにより、アライメントマーク５７ｃや見切り５７ａ（遮光層）を形成することができる。

さらに、本形態では、透光性基板２９と第１レンズ層５１との間に第３金属層５８が形成されており、マザー基板３００の端部３９０に形成された第３金属層５８は、応力を吸収する第３バッファー層５８ｒとして機能する。従って、マザー基板３００の端部３９０において、マザー基板３００（透光性基板２９）と第１レンズ層５１との界面にクラックが発生しにくい。それ故、第１レンズ層５１の剥離等が発生しにくい。

また、第３金属層パターニング工程において、マザー基板３００のうち、マイクロレンズアレイ基板３０が得られる領域３００ｓに第３金属層５８の一部を残すことにより、アライメントマーク５８ｃを形成することができる。

また、本形態においては、第１透光層５２の屈折率が、第１レンズ層５１および第２レンズ層５３の屈折率と相違している構成であるため、第１透光層５２の材質が、第１レンズ層５１および第２レンズ層５３の材質と相違している。このため、マザー基板３００の端部３９０において第１レンズ層５１と第１透光層５２との界面や、第１透光層５２と第２レンズ層５３との界面にクラックが発生しやすいが、本形態では、第１バッファー層５６ｒおよび第２バッファー層５７ｒが設けられているため、第１レンズ層５１と第１透光層５２との界面や、第１透光層５２と第２レンズ層５３との界面にクラックが発生しにくい。

［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１金属層５６、第２金属層５７および第３金属層５８の一部を各々、バッファー層（第１バッファー層５６ｒ、第２バッファー層５７ｒおよび第３バッファー層５８ｒ）として利用したが、第１金属層５６（第１バッファー層５６ｒ）および第２金属層５７（第２バッファー層５７ｒ）のみを利用した形態や、第１金属層５６（第１バッファー層５６ｒ）のみを利用した形態を採用してもよい。

また、上記実施の形態では、見切り１０８ａを形成するにあたって、第１金属層５６の一部（見切り５６ａ）および第２金属層５７の一部（見切り５７ａ）を利用したが、見切り５６ａ、５７ａのうちの一方のみを形成してもよい。また、見切り１０８ａについては、第３金属層５８の一部のみを利用した形態や、第２金属層５７の一部（見切り５７ａ）と第３金属層５８の一部とを利用した形態を採用してもよい。この場合、マザー基板３００を切断して得たマイクロレンズアレイ基板３０には、第１金属層５６が残らない形態となる。

上記実施の形態では、第２レンズ形成工程において、第２レンズ層５３のマザー基板３００とは反対側の面において第１凹部２９２と平面視で重なる位置に、マザー基板３００とは反対側に向けて突出した凸部（第２凸部５３３）を形成したが、第２凸部５３３に代えて、マザー基板３００側に向けて凹んだ凹部（第２凹部）を形成してもよい。

上記実施の形態においては、第１透光層５２の屈折率が、第１レンズ層５１および第２レンズ層５３の屈折率と相違している構成であったが、第１透光層５２の屈折率が、第１レンズ層５１および第２レンズ層５３の屈折率と同一である形態に本発明を適用してもよい。

上記実施の形態においては、マザー基板３００の端部３９０にバッファー層（第１バッファー層５６ｒ、第２バッファー層５７ｒおよび第３バッファー層５８ｒ）を残したが、マイクロレンズアレイ基板３０の端部（マザー基板３００の領域３００ｓの端部）にも、バッファー層を残してもよい。

［他の電気光学装置への適用例］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示用パネル、プラズマディスプレイパネル、ＦＥＤ（Field Emission Display）パネル、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）パネル、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示パネル、電気泳動表示パネル等を用いた電気光学モジュールに本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
図１１は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の概略構成図である。なお、以下の説明では、互いに異なる波長域の光が供給される複数の電気光学装置１００が用いられているが、いずれの電気光学装置１００にも、本発明を適用した電気光学装置１００が用いられている。

図１１に示す投射型表示装置１１０は、透過型の電気光学装置１００を用いた液晶プロジェクターであり、スクリーン等からなる被投射部材１１１に光を照射し、画像を表示する。投射型表示装置１１０は、装置光軸Ｌに沿って、照明装置１６０と、照明装置１６０から出射された光が供給される複数の電気光学装置１００（液晶ライトバルブ１１５〜１１７）と、複数の電気光学装置１００から出射された光を合成して出射するクロスダイクロイックプリズム１１９（光合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１１９により合成された光を投射する投射光学系１１８とを有している。また、投射型表示装置１１０は、ダイクロイックミラー１１３、１１４、およびリレー系１２０を備えている。投射型表示装置１１０において、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。

照明装置１６０では、装置光軸Ｌに沿って、光源部１６１、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第１インテグレーターレンズ１６２、フライアイレンズ等のレンズアレイからなる第２インテグレーターレンズ１６３、偏光変換素子１６４、およびコンデンサーレンズ１６５が順に配置されている。光源部１６１は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを含む白色光を出射する光源１６８と、リフレクター１６９とを備えている。光源１６８は超高圧水銀ランプ等により構成されており、リフレクター１６９は、放物線状の断面を有している。第１インテグレーターレンズ１６２および第２インテグレーターレンズ１６３は、光源部１６１から出射された光の照度分布を均一化する。偏光変換素子１６４は、光源部１６１から出射された光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする。

ダイクロイックミラー１１３は、照明装置１６０から出射された光に含まれる赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇおよび青色光Ｂを反射する。ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち、青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、照明装置１６０から出射された光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇおよび青色光Ｂに分離する色分離光学系を構成している。

液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光Ｒを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。

λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（赤色用電気光学装置１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａおよび第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。

液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（緑色用電気光学装置１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。

液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。

λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。電気光学装置１００（青色用電気光学装置１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。従って、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。

リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射する。反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射する。

クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射する。

なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることにより、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン等の被投射部材１１１に投射する。

［他の投射型表示装置］
上記投射型表示装置においては、透過型の電気光学装置１００を用いたが、反射型の電気光学装置１００を用いて投射型表示装置を構成してもよい。また、投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

［他の電子機器］
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。

９ａ・・画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・表示領域、１０ｂ・・周辺領域、１０ｃ・・マーク形成領域、１５ａ・・開口領域、１５ｂ・・遮光領域、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２９・・透光性基板、３０・・マイクロレンズアレイ基板、３０ａ、３１ａ，３２ａ・・マイクロレンズ、３１・・第１マイクロレンズアレイ、３２・・第２マイクロレンズアレイ、４１・・第１面、４２・・第２面、４３・・第３面、４４・・第４面、４５・・第５面、４６・・第６面、４７・・第７面、４８・・第８面、４９・・第９面、５１・・第１レンズ層、５２・・第１透光層、５３・・第２レンズ層、５４・・第２透光層、５５・・保護膜、５６・・第１金属層、５６ａ、５７ａ、１０８ａ・・見切り、５６ｒ・・第１バッファー層、５７・・第２金属層、５７ｂ、１０８ｂ・・遮光層、５７ｃ、５８ｃ，１０８ｃ・・アライメントマーク、５７ｒ・・第２バッファー層、５８・・第３金属層、５８ｒ・・第３バッファー層、８０・・電気光学層、１００・・電気光学装置、１０８・・金属層、２９１、３１０・・基板面、２９２・・第１凹部、３００・・マザー基板、３００ｓ・・マイクロレンズアレイ基板として切り出される領域、３００ｚ・・除材領域、５３３・・第２凸部、３９０・・端部

Claims (13)

1. 透光性のマザー基板の一方側の基板面に凹部を形成する凹部形成工程と、
   前記マザー基板と屈折率が異なる透光性の第１レンズ層を前記基板面に形成する第１レンズ層成膜工程と、
   前記第１レンズ層の前記マザー基板とは反対側の面に、金属または金属化合物からなる第１金属層を形成する第１金属層成膜工程と、
   少なくとも前記凹部の中央に平面視で重なる位置から前記第１金属層を除去し、少なくとも前記マザー基板の端部に前記第１金属層を残す第１金属層パターニング工程と、
   前記第１レンズ層および前記第１金属層の前記マザー基板とは反対側の面に、前記第１金属層よりポアソン比の低い第１透光層を形成し、前記第１金属層と平面視で重なる前記第１透光層の厚さを、前記第１金属層と平面視で重ならない前記第１透光層の厚さより薄く平坦化処理する第１透光層成膜工程と、
   前記第１透光層の前記マザー基板とは反対側の面に透光性の第２レンズ層を形成する第２レンズ層成膜工程と、
   前記第２レンズ層の前記マザー基板とは反対側の面において前記凹部と平面視で重なる位置に、前記マザー基板とは反対側に向けて突出した凸部または前記マザー基板側に向けて凹んだ凹部を形成する第２レンズ形成工程と、
   前記第２レンズ層と屈折率が異なる第２透光層を前記第２レンズ層の前記マザー基板とは反対側の面に形成する第２透光層成膜工程と、
   前記マザー基板を切断してマイクロレンズアレイ基板を得るマザー基板切断工程と、
   を有することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
2. 前記第１金属層パターニング工程では、前記マザー基板のうち、前記マイクロレンズアレイ基板が得られる領域に前記第１金属層の一部を残すことを特徴とする請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
3. 前記第１透光層成膜工程と前記第２レンズ層成膜工程との間に、
   前記第１透光層の前記マザー基板とは反対側の面に、金属または金属化合物からなる第２金属層を形成する第２金属層成膜工程と、
   少なくとも前記凹部の中央に平面視で重なる位置から前記第２金属層を除去し、少なくとも前記マザー基板の端部に前記第２金属層を残す第２金属層パターニング工程と、
   を有し、
   前記第２レンズ層成膜工程では、前記第１透光層および前記第２金属層の前記マザー基板とは反対側の面に前記第２レンズ層を形成することを特徴とする請求項１または２に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
4. 前記第２金属層パターニング工程では、前記マザー基板のうち、前記マイクロレンズアレイ基板が得られる領域に前記第２金属層の一部を残すことを特徴とする請求項３に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
5. 前記凹部形成工程の前に、
   前記基板面に金属または金属化合物からなる第３金属層を形成する第３金属層成膜工程と、
   少なくとも前記凹部の中央に平面視で重なる位置から前記第３金属層を除去し、少なくとも前記マザー基板の端部に前記第３金属層を残す第３金属層パターニング工程と、
   を有することを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
6. 前記第３金属層パターニング工程では、前記マザー基板のうち、前記マイクロレンズアレイ基板が得られる領域に前記第３金属層の一部を残すことを特徴とする請求項５に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
7. 前記第１透光層は、前記第１レンズ層および前記第２レンズ層と屈折率が相違することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
8. 第１凹部が設けられた第１面を備えた透光性基板と、
   前記第１面を覆う第２面、および該第２面とは反対側に位置する平坦な第３面を備え、前記透光性基板と屈折率が異なる透光性の第１レンズ層と、
   前記第３面を覆う第４面、および該第４面とは反対側に位置する平坦な第５面を備えた第１透光層と、
   前記第５面を覆う第６面、および該第６面とは反対側において前記第１凹部と平面視で重なる位置に、前記透光性基板とは反対側に向けて突出した凸部または前記透光性基板側に向けて凹んだ第２凹部が形成された第７面を備えた透光性の第２レンズ層と、
   前記第７面を覆う第８面、および該第８面の反対側に位置する平坦な第９面を備え、前記第２レンズ層と屈折率が異なる第２透光層と、
   前記第３面と前記第４面との間において前記第１凹部の中央と平面視で重ならない位置に設けられ、金属または金属化合物からなる第１金属層と、を有し、
   前記第１透光層のポアソン比は、前記第１金属層のポアソン比より低く、
   前記第１金属層と平面視で重なる前記第１透光層の厚さは、前記第１金属層と平面視で重ならない前記第１透光層の厚さより薄い、ことを特徴とするマイクロレンズアレイ基板。
9. 前記第５面と前記第６面との間において前記第１凹部の中央と平面視で重ならない位置に、金属または金属化合物からなる第２金属層を有することを特徴とする請求項８に記載のマイクロレンズアレイ基板。
10. 前記第１面と前記第２面との間において前記第１凹部の中央と平面視で重ならない位置に、金属または金属化合物からなる第３金属層を有することを特徴とする請求項８または９に記載のマイクロレンズアレイ基板。
11. 前記第１透光層は、前記第１レンズ層および前記第２レンズ層と屈折率が相違することを特徴とする請求項８乃至１０の何れか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板。
12. 請求項８乃至１１の何れか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板を備えた電気光学装置であって、
    前記第１凹部と平面視で重なる位置に画素電極を備えていることを特徴とする電気光学装置。
13. 請求項１２に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。

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