JP5417696B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。特に、複数の画素が画素領域に形成されている液晶パネルを含み、当該液晶パネルが、第１基板と、その第１基板に間隔を隔てて対面するように配置されている第２基板と、第１基板と第２基板との間において挟まれるように設けられた液晶層とを有し、画素領域において第１基板の側から入射された入射光が、液晶層を介して、第２基板の側に出射されるように構成されている液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、一対の基板の間に液晶層が封入された液晶パネルを有しており、入射された光を液晶パネルが変調することによって、画像の表示を実施する。たとえば、透過型の液晶パネルは、一方の基板の側から光が入射され、その入射した光を液晶層が変調した後に、その光が他方の基板の側から出射されることによって、画像を表示する。

この透過型の液晶パネルにおいては、光を透過する一対のガラス基板において光が入射される側のガラス基板に、複数の画素に対応するように、複数の光学要素を配置することが提案されている。たとえば、この光学要素として、マイクロレンズを画素に対応するように複数配置し、このガラス基板をマイクロレンズアレイ基板として利用している。

このマイクロレンズは、たとえば、単板式の液晶プロジェクタの場合においては、カラーフィルタを設けずに、カラー画像の表示を実現するために設けられている。ここでは、マイクロレンズは、たとえば、ダイクロイックミラーによって３原色の光束に分離された光を、その３原色のそれぞれに対応する画素へ集光するように構成されている。

この場合には、その３原色の光束に分離された光のそれぞれは、互いに異なる角度にて、液晶パネルにおける各画素に入射され、液晶パネルから出射されるために、投影レンズにおいては、その互いに異なる角度にて、各色の光束が入射されることになる。このため、「光学系を通過する有効光線束が、光路の途中に配置されたレンズなどによって遮られる現象」である「けられ」が、投影レンズにおいて発生する場合があり、光の利用効率が低下し、表示画像の画像品質が低下する場合がある。投影レンズとして、大口径であって、Ｆ値が小さいものを用いることによって、この「けられ」が発生する不具合を防止することが可能ではあるが、この場合には、装置の小型化を実現することが困難になる。

投影レンズにおいて「けられ」が発生することと、装置を小型化することとを実現する方法として、光が入射される側のガラス基板に、上記のマイクロレンズの他に別の光学要素を配置し、上記のマイクロレンズから出射された光を、その別の光学要素へ入射させることが提案されている（たとえば、特許文献１、特許文献２参照）。たとえば、マイクロレンズとマイクロプリズムとを、光束が進行する方向に並べている。また、この他に、第１のマイクロレンズと、第２のマイクロプリズムとを、光束が進行する方向に並べている。

特開平９−５００８１号公報 特開平１１−３０５１９２号公報

図３１は、マイクロレンズアレイ基板７２１を用いた液晶パネル７０４ａの断面を示す断面図である。

図３１に示すように、マイクロレンズアレイ基板７２１は、ベースガラス基板７２１ａと、第１のカバーガラス基板７２１ｂと、第２のカバーガラス基板７２１ｃとを含み、ＴＦＴアレイ基板７３１に間隔を隔てて対面している。

マイクロレンズアレイ基板７２１において、ベースガラス基板７２１ａは、図３１に示すように、第１のカバーガラス基板７２１ｂおよび第２のカバーガラス基板７２１ｃよりも液晶層７４１から離れるように配置されており、液晶層７４１側の面が、第１のカバーガラス基板７２１ｂによって被覆されている。そして、ベースガラス基板７２１ａにおいて液晶層７４１側の面には、第１のマイクロレンズ７２４ａが形成されている。

そして、マイクロレンズアレイ基板７２１において、第１のカバーガラス基板７２１ｂは、図３１に示すように、ベースガラス基板７２１ａよりも液晶層７４１に近くなるように配置されており、液晶層７４１側の面が、第２のカバーガラス基板７２１ｃによって被覆されている。そして、第１のカバーガラス基板７２１ｂにおいて液晶層７４１側の面には、第２のマイクロレンズ７２４ｂが形成されている。ここでは、第２のマイクロレンズ７２４ｂは、光束が進行する方向において、第１のマイクロレンズ７２４ａと並ぶように配置されている。

そして、マイクロレンズアレイ基板７２１において、第２のカバーガラス基板７２１ｃは、図３１に示すように、第１のカバーガラス基板７２１ｂよりも液晶層７４１に近くなるように配置されており、液晶層７４１側の面には、ＴＦＴアレイ基板７３１に設けられた画素電極７１１に対面するように、対向電極７２３が被覆されている。

上記の液晶パネル７０４ａにおいては、第１のマイクロレンズ７２４ａから出射された光束を、第２のマイクロレンズ７２４ｂへ入射させるように構成されている。ここでは、３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢにおいて第１のマイクロレンズ７２４ａの光軸ＰＧに対して傾くように出射された光束ＨＧ，ＨＲを、第２のマイクロレンズ７２４ｂが、その第１のマイクロレンズ７２４ａの光軸ＰＧに平行になるように変換する。そして、その光束が、投影レンズ（図示なし）へ出射される。

具体的には、図３１に示すように、ダイクロイックミラー（図示なし）によって、予め所定の角度差を持つように互いに分離された三原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれを、それらに対応するように一組にされた３つの画素に対応する画素電極７０１Ｒ，７０１Ｇ，７０１Ｂに、第１のマイクロレンズ７２４ａが集光する。そして、その第２のマイクロレンズ７２４ｂにおいては、その三原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれを、その第１のマイクロレンズ７２４ａの光軸ＰＧに対して平行な光束になるように変換する。

しかし、上記においては、「けられ」の発生を十分に抑制することが困難な場合があった。

上記のように、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者を、マイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合には、その第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みに応じて、「けられ」の発生割合である「けられ量（％）」が変動することが見出された。

図３２は、「けられ量（％）」と、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みとの関係を示す図である。図３２においては、縦軸が、けられ量Ｋ（％）であり、横軸が、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みＴ（μｍ）である。なお、「けられ量（％）」は、以下のシミュレーション条件の下で、シミュレーションを実施した結果を示している。

・第１のマイクロレンズ７２４ａへ入射する光束が第１のマイクロレンズ７２４ａの光軸に対して傾斜する角度：８°
・第１のマイクロレンズ７２４ａへ入射する光束の発散する角度：３°
・投影レンズ（図示なし）のＦ値：１．７

ここでは、図３２に示すように、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みを薄くすることによって、「けられ量（％）」を低減することが可能であることが見出された。

しかしながら、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みを薄くした場合においては、機械的強度が低下し、第２のカバーガラス基板７２１ｃが破損する不具合が発生する場合があった。

また、この他に、製造プロセスにおいて、通常の半導体プロセスにない距離を調整しなければならず開口部とプリズムの位置のずれが大きい不具合が生じる場合がある。この距離を短縮するため、マイクロレンズ基板側のカバーガラスの厚みを薄くする方法があるが、１０μｍ以下になると重ねの際等にて破損するため、これ以下にはできず、不具合の派生を十分に抑制することが困難な場合がある。さらに、厚みによる対向基板側とＴＦＴ基板側との貼り合わせによる誤差も影響する場合があった。

このように、機械的強度の低下、製造プロセス上の不具合の発生に起因して、上記のようにマイクロレンズアレイ基板７２１を構成することが困難な場合があるため、「けられ」の発生を効果的に防止することは、容易ではなかった。

よって、「けられ」の発生によって、光の利用効率が低下し、表示画像の画像品質が低下する場合がある。特に、表示画像において色純度が低下するなどの不具合が発生する場合がある。そして、これに伴って、投影レンズを小口径であって、Ｆ値が大きいものを用いることが容易ではなくなり、装置の小型化を実現することが困難な場合があった。

このような不具合は、３板式の液晶プロジェクタなど、他の液晶表示装置において、マイクロレンズアレイ基板などのように、光が入射される側の基板に光学要素を画素に対応するように形成した場合についても、同様に生ずる場合があった。

したがって、本発明においては、表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を容易に実現できる液晶表示装置を提供する。

本発明は、複数の画素が画素領域に形成されている液晶パネルを含む液晶表示装置であって、前記液晶パネルは、第１基板と、前記第１基板に間隔を隔てて対面するように配置されている第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間において挟まれるように設けられた液晶層とを有し、前記画素領域において前記第１基板の側から入射された入射光が、前記液晶層を介して、前記第２基板の側に出射されるように構成されており、前記第１基板は、前記入射光が入射される第１光学要素を含み、当該第１光学要素が前記画素領域において前記複数の画素のそれぞれに対応して前記入射光を出射するように複数設けられており、前記第２基板は、前記入射光が前記第１光学要素を介して入射される第２光学要素を含み、当該第２光学要素が前記画素領域において前記複数の画素のそれぞれに対応して前記入射光を出射するように複数設けられている。

本発明においては、第１基板にて、入射光が入射される第１光学要素が画素のそれぞれに対応するように、その入射光を出射する。そして、第２基板にて、その入射光が第１光学要素を介して入射される第２光学要素が画素のそれぞれに対応するように、その入射光を出射する。

本発明によれば、表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を容易に実現できる液晶表示装置を提供することができる。

以下、本発明の実施形態の一例について、図面を参照して説明する。

＜実施形態１＞
（構成）
図１は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１について、要部構成を示す図である。

本実施形態の液晶表示装置１は、単板式の液晶プロジェクタであって、図１に示すように、光源２と、色分離要素３と、液晶パネル４と、投影レンズ５とを含み、スクリーン６にカラー画像を投影して表示する。

各部について順次説明する。

光源２は、図１に示すように、ランプ２ａとリフレクタ２ｂとを含み、光を色分離要素３へ照明するように構成されている。

ここで、ランプ２ａは、たとえば、高圧水銀ランプであり、白色の光を照射する。この他に、ハロゲンランプ、キセノンランプ、メタルハライドランプなどのランプによって構成されていてもよい。

また、リフレクタ２ｂは、たとえば、光を反射する面が放物線を描くように設けられた放物面鏡であり、ランプ２ａによって照射された白色の光を、平行な光の光束として照明するように、色分離要素３の側へ反射する。

色分離要素３は、図１に示すように、第１のダイクロイックミラー３Ｒと、第２のダイクロイックミラー３Ｇと、第３のダイクロイックミラー３Ｂとを含み、光源２によって照明された光束を、互いに異なる波長帯域の色であって、光軸が互いに異なる角度の光束になるように分離し、液晶パネル４の画素領域ＰＲに出射するように構成されている。

本実施形態においては、色分離要素３は、図１に示すように、第１のダイクロイックミラー３Ｒと、第２のダイクロイックミラー３Ｇと、第３のダイクロイックミラー３Ｂとのそれぞれが、光源２の側から扇状になるように配置されている。つまり、第１のダイクロイックミラー３Ｒと、第２のダイクロイックミラー３Ｇと、第３のダイクロイックミラー３Ｂとのそれぞれの面が、光源２から照明される光束の進行方向に対して垂直でなく、傾斜するように、順次、配置されている。また、第１のダイクロイックミラー３Ｒと、第２のダイクロイックミラー３Ｇと、第３のダイクロイックミラー３Ｂとのそれぞれの面は、図１に示すように、液晶パネル４にて画素領域ＰＲが設けられている面に対して平行でなく、傾斜するように対面している。

具体的には、色分離要素３において、第１のダイクロイックミラー３Ｒは、液晶パネル４の画素領域ＰＲの面に対して、たとえば、３７°の角度にて面が傾斜するように設けられている。そして、第１のダイクロイックミラー３Ｒは、光源２から照明される白色の光束において、赤色の波長領域に対応する光束を、液晶パネル４の画素領域ＰＲへ反射し、かつ、赤色の波長領域以外の波長領域に対応する光束を、第２のダイクロイックミラー３Ｇへ透過する。

また、色分離要素３において、第２のダイクロイックミラー３Ｇは、液晶パネル４の画素領域ＰＲの面に対して、たとえば、４５°の角度にて面が傾斜するように設けられている。そして、第２のダイクロイックミラー３Ｇは、第１のダイクロイックミラー３Ｒから透過された光束において、緑色の波長領域に対応する光束を、液晶パネル４の画素領域ＰＲへ反射し、かつ、その緑色の波長領域以外の波長領域に対応する光束を、第３のダイクロイックミラー３Ｂへ透過する。

そして、色分離要素３において、第３のダイクロイックミラー３Ｂは、液晶パネル４の画素領域ＰＲの面に対して、たとえば、５３°の角度にて面が傾斜するように設けられている。そして、第３のダイクロイックミラー３Ｂは、第２のダイクロイックミラー３Ｇから透過された光束において、青色の波長領域に対応する光束を、液晶パネル４の画素領域ＰＲへ反射する。

このように、本実施形態においては、色分離要素３は、光源２によって照射された白色光を、３原色の光束のそれぞれに分離すると共に、その３原色の光束のそれぞれの光軸が異なる角度にて出射されるように構成されている。

具体的には、第１のダイクロイックミラー３Ｒから出射される赤色の光束は、液晶パネル４の画素領域ＰＲに沿った面に対して、たとえば、８２°の角度にて光軸が傾斜するように進行し、液晶パネル４の画素領域ＰＲに照射される。また、第２のダイクロイックミラー３Ｇにて出射される緑色の光束は、液晶パネル４の画素領域ＰＲに沿った面に対して、たとえば、９０°の角度に光軸がなるように進行し、液晶パネル４の画素領域ＰＲに照射される。また、第３のダイクロイックミラー３Ｂにて出射される青色の光束は、液晶パネル４の画素領域ＰＲに沿った面に対して、たとえば、９８°の角度にて光軸が傾斜するように進行し、液晶パネル４の画素領域ＰＲに照射される。

液晶パネル４は、透過型であって、図１に示すように、画素領域ＰＲが設けられており、その画素領域ＰＲにおいて色分離要素３から出射された光が透過されるように構成されている。ここでは、液晶パネル４においては、その色分離要素３から出射された光束が画素領域ＰＲへ入射し、その画素領域ＰＲにおいて変調されて画像となり、投影レンズ５へ出射される。なお、液晶パネル４の両面には、偏光板（図示なし）が設けられている。また、この液晶パネル４の詳細な構成については、後述する。

投影レンズ５は、図１に示すように、色分離要素３によって液晶パネル４の画素領域ＰＲに出射された後に、その画素領域ＰＲを介して、画像として出射される光束を、スクリーン６へ投影するように構成されている。

液晶パネル４の詳細な構成について説明する。

図２，図３，図４，図５，図６は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４を示す図である。

ここで、図２は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の構成を示す断面図である。図３は、本発明にかかる実施形態１において、液晶パネル４を示す平面図である。また、図４は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の回路構成を示す回路図である。また、図５は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の要部を拡大して示す断面図である。また、図６は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の要部を拡大して示す斜視図である。

液晶パネル４は、アクティブマトリクス方式であり、図２に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１と、ＴＦＴアレイ基板３１と、液晶層４１とを有する。液晶パネル４においては、マイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１とが間隔を隔てて対面しており、シール材Ｓによって貼り合わされている。そして、液晶層４１が、そのマイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１との間の間隔に注入されている。また、液晶パネル４においては、図３に示すように、マトリクス状に画素Ｐが複数形成されている画素領域ＰＲが設けられており、その画素領域ＰＲにおいて画像を表示するように構成されている。

この画素領域ＰＲにおいては、図２に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１の側から入射された光束Ｈが、液晶層４１を介して、ＴＦＴアレイ基板３１の側に出射されるように構成されている。

具体的には、本実施形態においては、液晶パネル４は、図２に示すように、色分離要素３が出射した光束Ｈが、画素領域ＰＲにおいて、マイクロレンズアレイ基板２１にて液晶層４１側の面に対して反対側の面に入射される。ここでは、図２に示すように、色分離要素３によって分離された赤色の光束ＨＲと緑色の光束ＨＧと青色の光束ＨＢとのそれぞれが、マイクロレンズアレイ基板２１の面に対して、互いに異なる角度になるように入射される。

そして、図２に示すように、この入射された光束Ｈがマイクロレンズアレイ基板２１に透過し、液晶層４１に入射される。そして、その液晶層４１を透過した光束Ｈが、ＴＦＴアレイ基板３１へ入射された後、ＴＦＴアレイ基板３１を透過する。すなわち、色分離要素３が出射した光束Ｈは、画素領域ＰＲにおいて、マイクロレンズアレイ基板２１と、液晶層４１と、ＴＦＴアレイ基板３１とを、順次、透過する。詳細については後述するが、本実施形態においては、色分離要素３によって分離された赤色の光束ＨＲと緑色の光束ＨＧと青色の光束ＨＢとのそれぞれが、ＴＦＴアレイ基板３１の面に対して、光軸が互いに同じ角度で出射されるように構成されている。そして、その液晶パネル４を透過した光束Ｈが投影レンズ５へ出射される。

また、この液晶パネル４は、図３に示すように、画素領域ＰＲにおいて画素Ｐが、ｘ方向とｙ方向とのそれぞれに、複数、マトリクス状に並ぶように配置されている。そして、図４に示すように、複数の画素Ｐに対応するように、対向電極２３と画素電極１０１と画素スイッチング素子１０２と保持容量素子１０３とが設けられている。また、図４に示すように、液晶パネル４においては、走査配線２０１と、信号配線２０２と、保持容量配線２０３とが画素領域ＰＲに設けられている。

マイクロレンズアレイ基板２１について説明する。

マイクロレンズアレイ基板２１は、図５に示すように、ベースガラス基板２１ａと、カバーガラス基板２１ｂとを含む。

マイクロレンズアレイ基板２１において、ベースガラス基板２１ａは、ガラスからなる基板であって、光を透過するように形成されている。たとえば、厚さが、１０００μｍの基板が用いられる。このベースガラス基板２１ａは、図５に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１において、カバーガラス基板２１ｂよりも液晶層４１から離れるように配置されており、液晶層４１側の面が、そのカバーガラス基板２１ｂによって被覆されている。そして、ベースガラス基板２１ａにおいて液晶層４１側の面には、マイクロレンズ２４が形成されている。

マイクロレンズ２４は、図５に示すように、ベースガラス基板２１ａにおいて液晶層４１側の面に設けられている。ここでは、図５に示すように、マイクロレンズ２４は、ベースガラス基板２１ａにおいて液晶層４１の側の面から、その液晶層４１に対して反対側の面へ突き出た凸形状になるように形成されている。たとえば、マイクロレンズ２４は、アクリル系樹脂などの透明材料を用いて形成される。また、マイクロレンズ２４は、図５に示すように、画素領域ＰＲにおいて複数の画素Ｐのそれぞれに対応して光束Ｈを出射するように、複数設けられている。

本実施形態においては、図５と図６とのそれぞれに示すように、マイクロレンズ２４は、色分離要素３によって出射された赤色の光束ＨＲと緑色の光束ＨＧと青色の光束ＨＢとのそれぞれを、複数の画素Ｐにおいて対応するように設けられた画素Ｐのそれぞれに、集光するように設けられている。

つまり、マイクロレンズ２４は、図５と図６とに示すように、１つが３つの画素電極１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂの組に対して設けられており、３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれを、その組の３つの画素電極１０１Ｒ，１０１Ｇ，１０１Ｂのそれぞれへ、互いに異なる角度にて集光するように構成されている。

具体的には、図５に示すように、マイクロレンズ２４においては、赤色の光束ＨＲが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、たとえば、８°の角度θｒにて傾斜するように入射される。このため、マイクロレンズ２４は、その赤色の光束ＨＲを、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、８°の角度θｒにて傾斜した状態にて進行するように集光し、複数の画素Ｐにおいて、その赤色の光束ＨＲを透過させるように設けられた画素電極１０１Ｒに照射する。

そして、図５に示すように、マイクロレンズ２４においては、緑色の光束ＨＧが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、平行になるようにして進行して入射される。このため、マイクロレンズ２４は、その緑色の光束ＨＧをマイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿って進行するように集光し、複数の画素Ｐにおいて、緑色の光束ＨＧを透過させるように設けられた画素電極１０１Ｇに照射する。

そして、図５に示すように、マイクロレンズ２４においては、青色の光束ＨＢが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、−８°の角度θｂにて傾斜するように進行して入射される。このため、マイクロレンズ２４は、その青色の光束ＨＢをマイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して−８°の角度θｂにて傾斜した状態にて進行するように集光し、複数の画素Ｐにおいて、青色の光束ＨＢを透過させるように設けられた画素電極１０１Ｂに照射する。

マイクロレンズアレイ基板２１において、カバーガラス基板２１ｂは、ベースガラス基板２１ａと同様に、ガラスからなる基板であって、光を透過するように形成されている。たとえば、厚さが、５０μｍの基板が用いられる。このカバーガラス基板２１ｂは、図５に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１において、ベースガラス基板２１ａよりも液晶層４１に近くなるように配置されており、ベースガラス基板２１ａにおいてマイクロレンズ２４が面を被覆するように設けられている。そして、カバーガラス基板２１ｂにおいて、対向電極２３が形成されている。

この対向電極２３は、図５に示すように、カバーガラス基板２１ｂにおいて、ＴＦＴアレイ基板３１に対面する側の面に設けられている。ここでは、対向電極２３は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの導電材料を用いて、透明電極として形成されている。つまり、対向電極２３は、液晶層４１を介在して、画素電極１０１に対面するように設けられており、対向電極２３と画素電極１０１との間に電位差を生じさせることによって、液晶層４１に電圧を印加する。本実施形態においては、対向電極２３は、図５に示すように、複数の画素電極１０１に対して共通する共通電極として、ベタ状に、一体になるように形成されている。

ＴＦＴアレイ基板３１について説明する。

ＴＦＴアレイ基板３１は、図４に示した部材において、画素電極１０１と画素スイッチング素子１０２と保持容量素子１０３と走査配線２０１と信号配線２０２と保持容量配線２０３とが、画素領域ＰＲに形成されている。このＴＦＴアレイ基板３１は、図５に示すように、ガラス基板３１ａを有し、ブラックマトリクス層５１１とマイクロプリズム５１２とが、さらに、画素領域ＰＲに形成されている。なお、図５においては、画素スイッチング素子１０２と保持容量素子１０３と走査配線２０１と信号配線２０２と保持容量配線２０３との記載を省略している。

ＴＦＴアレイ基板３１に形成されている各部について説明する。

ガラス基板３１ａは、ガラスからなる基板であって、光を透過するように形成されている。たとえば、厚さが、１０００μｍの基板が用いられる。そして、ガラス基板３１ａは、図５に示すように、一方の面がマイクロレンズアレイ基板２１に対面するように配置されている。そして、図５に示すように、ガラス基板３１ａは、そのマイクロレンズアレイ基板２１に対面する側の面に、画素電極１０１と、ブラックマトリクス層５１１と、マイクロプリズム５１２とが形成されている。なお、ガラス基板３１ａにおいてマイクロレンズアレイ基板２１に対面する側の面には、図４に示した部材において、画素スイッチング素子１０２と保持容量素子１０３と走査配線２０１と信号配線２０２と保持容量配線２０３とが別途形成されているが、図５においては、その記載を省略している。

画素電極１０１は、ＩＴＯなどの導電材料を用いて形成された透明電極であり、図４に示すように、画素領域ＰＲにおいて、複数がｘ方向とｙ方向とに並ぶようにマトリクス状に配置されており、液晶層４１に電気的に接続している。ここでは、図５に示すように、画素電極１０１は、ガラス基板３１ａにおいてブラックマトリクス層５１１を被覆するように設けられた層間絶縁膜ＳＩ２上において、液晶層４１を介して、対向電極２３に対面するように形成されており、対向電極２３と挟む部分の液晶層４１に対して電圧を印加するように構成されている。また、画素電極１０１は、図６に示すように、矩形形状になるように形成されている。また、図５と図６とに示すように、画素電極１０１は、ガラス基板３１ａの面の方向において、複数が間隔を隔ているように設けられており、その間を介在するように、ブラックマトリクス層５１１が下層に形成されている。

画素スイッチング素子１０２は、図４に示すように、画素領域ＰＲにおいて、複数の画素電極１０１のそれぞれに対応するように、ｘ方向とｙ方向とに複数がマトリクス状に配置されており、それぞれが各画素電極１０１に接続されている。

本実施形態においては、画素スイッチング素子１０２は、図４に示すように、トランジスタである。たとえば、画素スイッチング素子１０２は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）であり、たとえば、ポリシリコンを用いて形成されている。そして、図４に示すように、画素スイッチング素子１０２は、ゲートが走査配線２０１に接続されており、ソースが信号配線２０２に接続され、ドレインが画素電極１０１と保持容量素子１０３とに接続されている。そして、画素スイッチング素子１０２は、走査配線２０１を介してゲートドライバ３０１からゲートに入力される走査信号によって駆動制御される。また、画素スイッチング素子１０２は、信号配線２０２を介してソースドライバ３０２からソースにデータ信号が供給される。そして、画素スイッチング素子１０２は、オン状態の場合には、データ信号を画素電極１０１と保持容量素子１０３とのそれぞれにドレインから供給する。

保持容量素子１０３は、図４に示すように、画素領域ＰＲにおいて、複数の画素電極１０１のそれぞれに対応するように、複数がｘ方向とｙ方向とのそれぞれにマトリクス状に配置されている。そして、保持容量素子１０３は、液晶層４１による静電容量と並列になるように形成され、液晶層４１に印加されるデータ信号による電荷を保持する。具体的には、保持容量素子１０３は、図４に示すように、一方の電極が画素スイッチング素子１０２のドレインに接続され、他方の電極が保持容量配線２０３に接続されている。

走査配線２０１は、図４に示すように、画素領域ＰＲにおいて、ｘ方向に延在するように形成されており、そのｘ方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子１０２に接続されている。また、走査配線２０１は、ｙ方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子１０２に対応するように、ｙ方向に間隔を隔てて並んで複数が形成されている。そして、走査配線２０１は、ゲートドライバ３０１に接続されており、ゲートドライバ３０１からの走査信号を、画素電極１０１の行を順次選択するように画素スイッチング素子１０２に供給する。

信号配線２０２は、図４に示すように、画素領域ＰＲにおいてｘ方向に並ぶ複数の画素電極１０１に対応するように、複数が形成されており、ｙ方向に並ぶ複数の画素スイッチング素子１０２に接続するように延在している。そして、信号配線２０２は、走査信号が供給された画素スイッチング素子１０２を介してデータ信号を画素電極１０１に供給する。

保持容量配線２０３は、図４に示すように、画素領域ＰＲにおいて、ｘ方向に延在して形成されており、ｘ方向に並ぶ複数の保持容量素子１０３に接続している。また、保持容量配線２０３は、ｙ方向に並ぶ複数の保持容量素子１０３に対応するように、ｙ方向に間隔を隔てて並んで複数が形成されている。

ブラックマトリクス層５１１は、光を遮光するように遮光材料によって形成されており、図５と図６とに示すように、画素領域ＰＲにおいて複数設けられた画素Ｐのそれぞれを区画するように設けられている。つまり、ブラックマトリクス層５１１は、図５と図６とに示すように、画素領域ＰＲにおいて間隔を隔てるように複数設けられた画素電極１０１の間に介在している。そして、ここでは、図５に示すように、ガラス基板３１ａにおいてマイクロプリズム５１２が形成された後に、そのマイクロプリズム５１２を被覆するように形成された層間絶縁膜ＳＩ１上に設けられている。そして、その上に層間絶縁膜ＳＩ２が被覆されている。

マイクロプリズム５１２は、図５に示すように、凸状であって、ＴＦＴアレイ基板３１からマイクロレンズアレイ基板２１へ向かう側に突き出るように形成されている。たとえば、マイクロプリズム５１２は、ＳｉＯＮ（ｎ＝１．５８）、ＴｉＯ_２（ｎ＝２．３〜２．５５）、酸化ハフニウム（ｎ＝１．９５）、Ｔａ_２Ｏ_３（ｎ＝２．１６）ＳｉＮ（ｎ＝２．２）などの透明材料を用いて形成される。また、マイクロプリズム５１２は、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板３１においてマイクロレンズアレイ基板２１の側の面の側に設けられており、そのＴＦＴアレイ基板３１を構成するガラス基板３１ａの面に接するように形成されている。

また、マイクロプリズム５１２は、図５に示すように、画素領域ＰＲにおいて複数設けられており、複数の画素Ｐのそれぞれに対応して入射された光束Ｈを出射するように構成されている。

ここでは、マイクロプリズム５１２は、図５に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１において設けられたマイクロレンズ２４によって集光された光束Ｈのそれぞれを、互いが平行になるように変換する。すなわち、マイクロプリズム５１２は、マイクロレンズ２４によって集光された３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、互いに平行に変換されて出射されるように構成されている。

本実施形態においては、マイクロプリズム５１２は、断面形状が対称な台形である台形プリズムであって、図５に示すように、第１のプリズム面ＳＧと第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢとのそれぞれを含む。そして、マイクロレンズ２４によって集光された３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、その第１のプリズム面ＳＧと第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢとのそれぞれに入射される。

図７は、本発明にかかる実施形態１において、マイクロプリズム５１２と、画素電極１０１との関係を示す上面図である。

ここでは、図７に示すように、第１のプリズム面ＳＧは、３つが一組とされた画素Ｐにおいて、緑色の光束ＨＧが入射されるようにｙ方向に配置された複数の画素電極１０１Ｇに沿って延在している。そして、図５に示すように、第１のプリズム面ＳＧは、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直な角度の面になるように形成されている。このように形成することによって、図５に示すように、その第１のプリズム面ＳＧに対して垂直な方向に進行する緑色の光束ＨＧが入射された後に、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿った方向に、その入射した緑色の光束ＨＧが進行して透過される。つまり、第１のプリズム面ＳＧは、第１のプリズム面ＳＧに対して垂直な方向に、緑色の光束ＨＧが進行して出射されるように構成されている。

また、図７に示すように、第２のプリズム面ＳＲは、３つが一組とされた画素Ｐにおいて、赤色の光束ＨＲが入射されるようにｙ方向に配置された複数の画素電極１０１Ｒに沿って延在している。そして、図５に示すように、第２のプリズム面ＳＲは、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直でなく、傾斜した面になるように形成されている。たとえば、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、１３°の角度にて傾斜した面になるように形成されている。このように形成することによって、図５に示すように、第２のプリズム面ＳＲに対して傾斜した方向に進行する赤色の光束ＨＲが入射された後に、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿った方向に、その赤色の光束ＨＲが進行して透過される。つまり、第２のプリズム面ＳＲは、第１のプリズム面ＳＧに対して垂直な方向に、赤色の光束ＨＲが進行して透過されるように構成されている。

また、図７に示すように、第３のプリズム面ＳＢは、３つが一組とされた画素Ｐにおいて、青色の光束ＨＢが入射されるようにｙ方向に配置された複数の画素電極１０１Ｂに沿って延在している。そして、図５に示すように、第３のプリズム面ＳＢは、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直でなく傾斜した面になるように形成されている。たとえば、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、１３°の角度にて傾斜した面になるように形成されている。このように形成することによって、図５に示すように、第３のプリズム面ＳＢに対して傾斜した方向に進行する青色の光束ＨＢが入射された後に、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿った方向に、その青色の光束ＨＢが進行して透過される。つまり、第３のプリズム面ＳＢは、第１のプリズム面ＳＧに対して垂直な方向に、青色の光束ＨＢが進行して透過されるように構成されている。

マイクロプリズム５１２において、第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢとのそれぞれについては、スネルの法則に基づいて算出される傾斜角度に対応するように形成される。

図８は、本発明にかかる実施形態１において、マイクロプリズム５１２の部分を拡大して示す断面図である。図８は、図５にて規定した領域ＲＹの要部を拡大して示している。

図８に示すように、スネルの法則によって以下の数式（１），（２）が成立する。このため、マイクロプリズム５１２のプリズム面から出射される光の光軸が、マイクロレンズの光軸ＰＧに平行になるためには、ｎ３＜ｎ４の場合には、数式（３）が成立し、ｎ３＞ｎ４の場合には、数式（４）が成立する必要がある。よって、この数式（３），（４）を用いて、マイクロプリズム５１２の第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢとの傾斜角を最適化できる。

ｎ１・ｓｉｎ（θ１）＝ｎ２・ｓｉｎ（θ２） ・・・（１）
ｎ３・ｓｉｎ（θ３）＝ｎ４・ｓｉｎ（θ４） ・・・（２）
θ２＋θ４＝θ３（ｎ３＜ｎ４のとき） ・・・（３）
θ２＋θ３＝θ４（ｎ３＞ｎ４のとき） ・・・（４）

なお、上記の式において、ｎ１は、本実施形態の画素電極１０１の屈折率である。ｎ２は、本実施形態の層間絶縁膜ＳＩ２の屈折率である。ｎ３は、本実施形態の層間絶縁膜ＳＩ１の屈折率である。ｎ４は、本実施形態のマイクロプリズム５１２の屈折率である。θ１は、本実施形態の層間絶縁膜ＳＩ２において光が入射する入射面に垂直な方向に対して、その光が傾斜して入射する入射角（°）である。θ２は、本実施形態の層間絶縁膜ＳＩ２において光が入射する入射面に垂直な方向に対して、その光が傾斜して出射する際の出射角（°）である。θ３は、本実施形態のマイクロプリズム５１２のプリズム面に垂直な方向に対して、傾斜するように入射する光の入射角（°）である。θ４は、本実施形態のマイクロプリズム５１２のプリズム面に垂直な方向に対して、傾斜するように出射する光の出射角（°）であって、本実施形態にて形成するマイクロプリズムのプリズム面の傾斜角（°）である。

液晶層４１について説明する。

液晶層４１は、図２に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１との間に設けられている。たとえば、配向処理後、ツイストネマティック型の液晶として形成される。そして、液晶層４１は、図４に示すように、対向電極２３と画素電極１０１とに接続されており、その対向電極２３と画素電極１０１との間において印加される電圧に基づいて配向状態が変化し、入射された光を変調する。

（製造方法）
以下より、上記の液晶パネル４において、要部となるマイクロプリズム５１２を含むＴＦＴアレイ基板を形成する方法について説明する。

図９は、本発明にかかる実施形態１において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。図１０は、本発明にかかる実施形態１において、図９に次いで、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。図９と図１０とにおいては、図９（Ａ），図９（Ｂ），図９（Ｃ），図９（Ｄ），図１０（Ｅ），図１０（Ｆ）の順にて、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示している。また、図１０において、（Ｇ）は、図１０（Ｆ）に対応する部分の上面図である。図１０（Ｇ）において示すＸ１−Ｘ２部分と、Ｘ３−Ｘ４部分とのそれぞれが、図１０（Ｆ）において示すＸ１−Ｘ２部分と、Ｘ３−Ｘ４部分のそれぞれに対応している。つまり、図１０（Ｆ）においては、Ｘ１−Ｘ２部分と、Ｘ３−Ｘ４部分とが、異なる断面部分を示している。また、図１０（Ｆ）においては、Ｘ１−Ｘ２部分の要部について拡大して示している。

ＴＦＴアレイ基板を形成する際には、まず、図９（Ａ）に示すように、ガラス基板３１ａの一方の面に、マイクロプリズム材料膜５１２ａを形成する。

ここでは、たとえば、アクリル系樹脂をマイクロプリズム材料とし、厚さが１０μｍになるように、スピンコート法によって成膜することによって、マイクロプリズム材料膜５１２ａを形成する。

つぎに、図９（Ｂ）に示すように、フォトレジストマスクＲａを形成する。

ここでは、マイクロプリズム材料膜５１２ａを被覆するように、フォトレジスト膜をスピンコート法によって塗布した後に、そのフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。そして、その露光されたフォトレジストを現像処理することによって、フォトレジストマスクＲａを形成する。

具体的には、図９（Ｂ）に示すように、マイクロプリズム５１２を形成する領域において、その形成するマイクロプリズム５１２の形状に対応するように、フォトレジスト膜をパターン加工することによって、フォトレジストマスクＲａを形成する。つまり、図９（Ｂ）に示すように、マイクロプリズム５１２を形成する領域において、断面形状が台形状に突き出るように、フォトレジストマスクＲａを形成する。

フォトレジスト膜を露光する際には、たとえば、グレーマスクをフォトマスクとして用いる。

図１１は、本発明にかかる実施形態１において、フォトレジスト膜を露光する際に用いるグレーマスクにおいて光が透過する分布を示す図である。図１１において、横軸は、グレーマスクにおいてマスクパターンが形成された面の位置Ｘであり、縦軸は、グレーマスクを透過する光の強度Ｉである。

図１１に示すように、本実施形態においては、グレーマスクにおいては、光が透過する部分が、その中心を軸にして、その透過する光の強度が対称であって、放物線を描くような強度にて光が透過するように、マスクパターンが形成されている。そして、このグレーマスクを用いて、一括露光し、フォトレジストマスクＲａを形成する。つまり、中心部分から両端へ向かうに伴って、指数関数的に、透過する光の強度が低下するように、マスクパターンが形成されているグレーマスクを用いる。

なお、この他に、複数マスクによる多重露光や、０次光強度変調による一括露光によって、フォトレジストマスクＲａを形成しても、好適である。

つぎに、図９（Ｃ）に示すように、マイクロプリズム５１２を形成する。

ここでは、フォトレジストマスクＲａを用いて、マイクロプリズム材料膜５１２ａについてエッチング処理を実施することによって、マイクロプリズム５１２をパターン加工する。つまり、図９（Ｃ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板３１からマイクロレンズアレイ基板２１へ向かう側に突き出た凸状であって、断面形状が台形である台形プリズムであり、第１のプリズム面ＳＧと第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢとのそれぞれを含むように形成する。

つぎに、図９（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜ＳＩａを形成する。

ここでは、たとえば、ＳｉＯ_２を材料とし、厚さが１４００μｍになるように、ＣＶＤ法によって堆積することによって、層間絶縁膜ＳＩａを形成する。

つぎに、図１０（Ｅ）に示すように、平坦化する。

ここでは、たとえば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）処理を実施することによって、層間絶縁膜ＳＩａの表面を平坦化する。

つぎに、図１０（Ｆ）に示すように、各部を形成し、ＴＦＴアレイ基板３１を完成させる。

ここでは、図１０（Ｆ）に示すように、層間絶縁膜ＳＩａ上に、走査配線２０１を形成する。つぎに、層間絶縁膜ＳＩｂにて被覆後、画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３を形成する。そして、層間絶縁膜ＳＩｂを貫通するように第１のコンタクトＣ１を設けて、画素スイッチング素子１０２と走査配線２０１とを電気的に接続させる。その後、図１０（Ｆ）に示すように、画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３を被覆するように、層間絶縁膜ＳＩｃを形成する。そして、その層間絶縁膜ＳＩｃに保持容量素子１０３の下部電極に接続する第２のコンタクトＣ２を設ける。そして、その層間絶縁膜ＳＩｃ上に第２のコンタクトＣ２に接続する第１の遮光膜ＬＳ１を、導電性材料によって形成する。その後、その第１の遮光膜ＬＳ１を被覆するように、層間絶縁膜ＳＩｄを形成した後、第１の遮光膜ＬＳ１に接続する第３のコンタクトＣ３と、保持容量素子１０３の上部電極に接続する第４のコンタクトＣ４とを形成する。そして、層間絶縁膜ＳＩｄ上に、導電性材料によって第２，第３の遮光膜ＬＳ２，ＬＳ３を形成すると共に、遮光材料によって、ブラックマトリクス層５１１を形成する。そして、第２，第３の遮光膜ＬＳ２，ＬＳ３と、ブラックマトリクス層５１１とを、層間絶縁膜ＳＩ２によって被覆する。そして、第２の遮光膜ＬＳ２に接続する第５のコンタクトＣ５をその層間絶縁膜ＳＩ２を貫通するように形成する。そして、その第５のコンタクトＣ５に接続するように、画素電極１０１を層間絶縁膜ＳＩ２上に形成する。

たとえば、各層間絶縁膜ＳＩａ，ＳＩｂ，ＳＩｃ，ＳＩｄ，ＳＩ２については、絶縁性材料として、たとえば、ＳｉＯ_２を用いて、ＣＶＤ法によって成膜することによって形成する。

また、各遮光膜ＬＳ１，ＬＳ２，ＬＳ３については、たとえば、Ａｌを用いて、ＰＶＤ法によって成膜し、パターン加工することで形成する。また、各コンタクトＣ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４，Ｃ５については、たとえば、Ａｌを用いて形成する。また、ブラックマトリクス層５１１については、たとえば、Ａｌを用いて成膜し、パターン加工することで形成する。

ここでは、図１０（Ｆ）に示すように、遮光膜ＬＳ１，ＬＳ２，ＬＳ３を、画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３とに対応するように形成する。このように形成することによって、画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３とに入射されないように、上面の液晶層４１が配置される側から入射する光を遮光膜ＬＳが遮光する。また、ブラックマトリクス層５１１については、図１０（Ｇ）に示すように、画素領域ＰＲにおいて複数設けられた画素Ｐのそれぞれを区画するように形成する。つまり、画素領域ＰＲにおいて間隔を隔てるように複数設ける画素電極１０１の間の領域に対応するように、ブラックマトリクス層５１１を形成する。

なお、ＴＦＴアレイ基板３１においては、図１０（Ｆ）に示した部材以外の部材についても設けられ、各部が図４に示すように電気的に接続されているが、ここでは、図示の関係上、省略して記載している。また、画素電極１０１，画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３などについても、一の画素Ｐに対応するもののみを、模式的に記載している。つまり、図１０（Ｆ）においてＸ３−Ｘ４部分に対応する部分については、３原色のそれぞれに対応する３つの画素を一組として示しているが、Ｘ１−Ｘ２部分に対応する部分においては、そのうちの１つの画素に対応するもののみを示している。

上記のようにしてＴＦＴアレイ基板３１を完成後においては、前述したように、マイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１とを、シール材を用いて貼り合わせる。ここでは、貼り合わせるに当たり、まず、マイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１とに、配向膜（図示なし）を形成する。そして、それぞれの配向膜をラビング処理し、所定のギャップを有するようにして、シール材を用いて接着し貼り合わせる。その後、マイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１との間のギャップに液晶層４１を注入し、液晶パネル４を形成する。

その後、光源２と色分離要素３と液晶パネル４と投影レンズ５などの部材を用いて、液晶表示装置１を組み立てて完成させる。

以上のように、本実施形態においては、色分離要素３によって分離され出射された３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、マイクロレンズアレイ基板２１に形成されたマイクロレンズ２４によって、複数の画素Ｐにおいて３原色の光束のそれぞれに対応する画素Ｐに、互いに異なる角度にて集光される。そして、そのマイクロレンズ２４によって集光された３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、ＴＦＴアレイ基板３１に形成されたマイクロプリズム５１２によって、互いに平行になるように変換されて出射される。このように、本実施形態においては、マイクロプリズム５１２をマイクロレンズアレイ基板２１に形成せずに、マイクロプリズム５１２をＴＦＴアレイ基板３１に形成しているため、マイクロレンズ２４から出射される光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢが、液晶層４１を介して、マイクロプリズム５１２に入射される。このため、本実施形態は、マイクロプリズム５１２を出射した３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢについて、投影レンズ５において、「けられ」が発生することを防止することができる。

図１２は、本発明にかかる実施形態１において、「けられ量（％）」と、プリズム面の角度（°）との関係を示す図である。図１２においては、縦軸が、けられ量Ｋ（％）であり、横軸が、プリズム面の角度θ（°）である。なお、「けられ量（％）」については、以下のシミュレーション条件の下でシミュレーションを実施した結果を示している。

・第１のマイクロレンズ７２４ａへ入射する光束が第１のマイクロレンズ７２４ａの光軸に対して傾斜する角度：８°
・第１のマイクロレンズ７２４ａへ入射する光束の発散する角度：３°
・投影レンズのＦ値：１．７

図１２に示すように、本実施形態においては、「けられ量（％）」を、約１％程度にすることが可能となった。

図１３は、「けられ量（％）」に関して、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合（図３２参照）と、実施形態１の場合（図１２参照）とを比較した図である。図１３においては、
縦軸がけられ量Ｋ（％）であり、横軸が、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みＴ（μｍ）であり、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合を実線で示し、本実施形態の場合については、破線で示している。

図１３にて実線で示すように、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合には、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みを薄くすることによって、「けられ量（％）」を低減することが可能であるが、前述したように、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みを薄くした場合においては、第２のカバーガラス基板７２１ｃの破損が生ずる場合があり、機械的強度を保持することが困難な場合があった。特に、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みを、１２μｍ厚以下にすることが困難であることが見出された。さらに、この場合には、前述したように、製造プロセス上の不具合が発生する場合があった。

これに対して、本実施形態においては、マイクロプリズム５１２をマイクロレンズアレイ基板２１に形成せずに、マイクロプリズム５１２をＴＦＴアレイ基板３１に形成しているため、図１３にて破線で示すように、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みには、当然ながら寄与しない。そして、これに加えて、図１３にて破線で示すように、「けられ量（％）」を、約１％程度にすることが可能であり、上記の場合と比較して、さらに向上させることが容易にできた。

図１４は、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合（図３２参照）と、実施形態１の場合（図１２参照）とのそれぞれにおいて、設計値に対する加工バラツキを考慮した際に生ずる「けられ量（％）」（対センター値に対する比率）を示す図である。

図１４においては、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合を実線で示しており、上段の横軸に示す第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みＴ（μｍ）と、けられ量Ｋ（％）との関係を示している。ここでは、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚み（μｍ）について、中心値が、１０μｍであり、その中心値から外れる厚みが、±３μｍであるとした範囲について示している。

また、図１４においては、本実施形態の場合については、破線で示しており、下段の横軸に示すプリズム角度θ（°）と、けられ量Ｋ（％）との関係を示している。ここでは、プリズム角度（°）について、中心値が、１４°であり、その中心値から外れる角度が、２°であるとした範囲について示している。

これから判るように、本実施形態においては、機械的強度の低下、製造プロセス上の不具合の発生がなく、「けられ」の発生を効果的に防止することが容易である。よって、本実施形態は、「けられ」の発生によって、光の利用効率が低下し、表示画像の画像品質が低下することを防止できる。特に、色純度が低下するなどの不具合の発生を防止できる。そして、これに伴って、投影レンズを小口径であって、Ｆ値が大きいものを用いることが容易になるため、装置の小型化を実現することができる。

したがって、本実施形態は、表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を容易に実現できる。

また、本実施形態においては、上述したように、加工バラツキが生ずることを抑制することができる。さらに、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合と、本実施形態の場合とを比較すると、前者は、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの重ね合わせを高精度に行う必要があるが、後者は、必要がない。また、本実施形態は、焦点距離が小さいために、画素ピッチに対するマイクロレンズの設計値の範囲を広げることができるため、画素ピッチを狭くすることが容易に実現できる。このため、本実施形態は、装置を容易に製造することができる。

＜実施形態２＞
（構成）
図１５は、本発明にかかる実施形態２の液晶表示装置において、液晶パネル４を構成するＴＦＴアレイ基板３１の要部を示す図である。図１５は、図１０（Ｆ）と同様に、図１０（Ｇ）において示すＸ１−Ｘ２部分と、Ｘ３−Ｘ４部分のそれぞれの断面を示している。

図１５に示すように、本実施形態においては、図１０（Ｆ）の記載と比較することによって判るように、マイクロプリズム５１２が、実施形態１と異なる。この点を除き、実施形態１と同様である。このため、重複する箇所については、その説明を省略する。なお、ＴＦＴアレイ基板３１においては、図１０（Ｆ）の場合と同様に、図１５に示した部材以外の部材についても設けられ、各部が図４に示すように電気的に接続されているが、ここでは、図示の関係上、省略して記載している。また、画素電極１０１，画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３などについても、一の画素Ｐに対応するもののみを模式的に記載している。

本実施形態のマイクロプリズム５１２は、図１５に示すように、凹状であって、ＴＦＴアレイ基板３１からマイクロレンズアレイ基板２１へ向かう側に窪むように形成されている。このマイクロプリズム５１２は、図１５に示すように、ＴＦＴアレイ基板３１においてマイクロレンズアレイ基板２１の側の面の側に設けられており、そのＴＦＴアレイ基板３１を構成するガラス基板３１ａの面に接するように形成されている。具体的には、ＴＦＴアレイ基板３１のガラス基板３１ａにおいてエッチング処理によって設けられた溝を埋めるように、マイクロプリズム５１２が形成されている。

また、マイクロプリズム５１２は、図１５に示すように、断面形状が対称な台形である台形プリズムであって、第１のプリズム面ＳＧと第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢとのそれぞれを含む。そして、実施形態１の場合と同様に、マイクロレンズ２４によって集光された３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、その第１のプリズム面ＳＧと第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢとのそれぞれを入射されるように構成されている。

第１のプリズム面ＳＧは、実施形態１と同様に、３つが一組とされた画素Ｐにおいて、緑色の光束ＨＧが入射されるようにｙ方向に配置された複数の画素電極１０１Ｇに沿って延在している。そして、図１５に示すように、第１のプリズム面ＳＧは、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直な角度の面になるように形成されている。

また、第２のプリズム面ＳＲは、実施形態１と同様に、３つが一組とされた画素Ｐにおいて、赤色の光束ＨＲが入射されるようにｙ方向に配置された複数の画素電極１０１Ｒに沿って延在している。そして、図１５に示すように、第２のプリズム面ＳＲは、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直でなく傾斜した面になるように形成されている。たとえば、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、８°の角度にて傾斜した面になるように形成されている。

また、第３のプリズム面ＳＢは、３つが一組とされた画素Ｐにおいて、青色の光束ＨＢが入射されるようにｙ方向に配置された複数の画素電極１０１Ｂに沿って延在している。そして、図５に示すように、第３のプリズム面ＳＢは、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直でなく傾斜した面になるように形成されている。たとえば、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、８°の角度にて傾斜した面になるように形成されている。

（製造方法）
以下より、本実施形態にかかるマイクロプリズム５１２を含むＴＦＴアレイ基板３１を形成する方法について説明する。

図１６は、本発明にかかる実施形態１において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。図１６においては、（Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ）の順にて、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示している。

まず、図１６（Ａ）に示すように、フォトレジストマスクＲａを形成する。

ここでは、マイクロプリズム材料膜５１２ａを被覆するように、フォトレジスト膜をスピンコート法によって塗布した後に、そのフォトマスクを用いてフォトレジスト膜を露光する。そして、その露光されたフォトレジストを現像処理することによって、フォトレジストマスクＲａを形成する。

具体的には、図１６（Ａ）に示すように、マイクロプリズム５１２を形成する領域において、その形成するマイクロプリズム５１２の形状に対応するように、フォトレジスト膜をパターン加工することによって、フォトレジストマスクＲａを形成する。つまり、図１６（Ａ）に示すように、マイクロプリズム５１２を形成する領域において、断面形状が台形状に窪むように、フォトレジストマスクＲａを形成する。

つぎに、図１６（Ｂ）に示すように、ガラス基板３１ａについてエッチング処理する。

ここでは、フォトレジストマスクＲａを用いて、ガラス基板３１ａについてエッチング処理を実施することによって、ガラス基板３１ａをパターン加工する。つまり、図１６（Ｂ）に示すように、ガラス基板３１ａの表面が窪んだ凹状であって、断面形状が台形になるように、ガラス基板３１ａをエッチングする。これにより、マイクロプリズム５１２に設けられる第１のプリズム面ＳＧと第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面ＳＢに対応する面が形成される。

つぎに、図１６（Ｃ）に示すように、ガラス基板３１ａの一方の面に、マイクロプリズム材料膜５１２ａを形成する。

ここでは、実施形態１と同様にして、マイクロプリズム材料膜５１２ａを形成する。

つぎに、図１６（Ｄ）に示すように、マイクロプリズム５１２を形成する。

ここでは、たとえば、ＣＭＰ処理を実施することによって、マイクロプリズム材料膜５１２ａの表面を平坦化することによって、マイクロプリズム５１２を形成する。

そして、各部を設けて、ＴＦＴアレイ基板３１を完成させる。その後、マイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１とを、シール材を用いて貼り合わせて、液晶パネル４を形成後、光源２と色分離要素３と液晶パネル４と投影レンズ５などの部材と用いて、液晶表示装置１を組み立てて完成させる。

以上のように、本実施形態においては、実施形態１と同様に、マイクロプリズム５１２をマイクロレンズアレイ基板２１に形成せずに、マイクロプリズム５１２をＴＦＴアレイ基板３１に形成している。このため、本実施形態は、実施形態１と同様に、マイクロプリズム５１２を出射した３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢについて、投影レンズ５において、「けられ」が発生することを防止することができる。

したがって、本実施形態は、実施形態１と同様に、表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を容易に実現できる。

＜実施形態３＞
（構成）
図１７は、本発明にかかる実施形態３の液晶表示装置において、液晶パネル４を構成するＴＦＴアレイ基板３１の要部を示す図である。図１７は、図１０（Ｆ）と同様に、図１０（Ｇ）において示すＸ１−Ｘ２部分と、Ｘ３−Ｘ４部分のそれぞれの断面を示している。

図１７に示すように、本実施形態においては、図１０（Ｆ）の記載と比較することによって判るように、マイクロプリズム５１２が形成されている位置が、実施形態１と異なる。そして、これに伴い、層間絶縁膜ＳＩａが形成されていない。この点を除き、実施形態１と同様である。このため、重複する箇所については、その説明を省略する。なお、ＴＦＴアレイ基板３１においては、図１０（Ｆ）の場合と同様に、図１７に示した部材以外の部材についても設けられ、各部が図４に示すように電気的に接続されているが、図示の関係上、省略して記載している。また、画素電極１０１，画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３などについても、一の画素Ｐに対応するもののみを模式的に記載している。

本実施形態のマイクロプリズム５１２は、図１７に示すように、実施形態１と同様に、凸状に突き出るように形成されているが、実施形態１と異なり、ガラス基板３１ａから液晶層４１の側へ間隔が隔てられるように形成されている。具体的には、マイクロプリズム５１２は、図１７に示すように、第２，第３の遮光膜ＬＳ２，ＬＳ３が形成された面と、画素電極１０１が形成された面との間において介在するように形成されている。

（製造方法）
以下より、本実施形態にかかるマイクロプリズム５１２を含むＴＦＴアレイ基板３１を形成する方法について説明する。

図１８は、本発明にかかる実施形態３において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。図１９は、本発明にかかる実施形態３において、図１８に次いで、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。図１８と図１９とにおいては、図１８（Ａ），図１８（Ｂ），図１８（Ｃ），図１９（Ｄ），図１９（Ｅ）の順にて、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示している。なお、図１８と図１９とのそれぞれは、図１０（Ｆ）と同様に、図１０（Ｇ）において示すＸ１−Ｘ２部分と、Ｘ３−Ｘ４部分のそれぞれの断面を示している。

まず、図１８（Ａ）に示すように、マイクロプリズム材料膜５１２ａを形成する。

ここでは、図１８（Ａ）に示すように、第２，第３の遮光膜ＬＳ２，ＬＳ３が表面に形成された層間絶縁膜ＳＩｄを被覆するように、マイクロプリズム材料膜５１２ａを形成する。

具体的には、走査配線２０１が表面に形成されており、その他の部材が実施形態１と同様に順次形成されたガラス基板３１ａを準備する。つまり、各層間絶縁膜ＳＩｂ，ＳＩｃ，ＳＩｄ、画素スイッチング素子１０２、保持容量素子１０３、各コンタクトＣ１，Ｃ２，Ｃ３，各遮光膜ＬＳ１，ＬＳ２，ＬＳ３、ブラックマトリクス層５１１が形成されたガラス基板３１ａを準備する。その後、そのガラス基板３１ａにおいて形成された層間絶縁膜ＳＩｄの上に、実施形態１と同様にして、マイクロプリズム材料膜５１２ａを成膜する。

つぎに、実施形態１と同様にして、図１８（Ｂ）に示すように、フォトレジストマスクＲａを形成した後に、図１８（Ｃ）に示すように、マイクロプリズム５１２を形成する。

そして、図１９（Ｄ）に示すように、層間絶縁膜ＳＩ２を堆積後、図１９（Ｅ）に示すように、平坦化する。

そして、図１７に示すように、実施形態１と同様に、第２の遮光膜ＬＳ２に接続する第５のコンタクトＣ５を、その層間絶縁膜ＳＩ２を貫通するように形成する。そして、その第５のコンタクトＣ５に接続するように、画素電極１０１を層間絶縁膜ＳＩ２上に形成する。

以上のように、本実施形態においては、実施形態１と同様に、マイクロプリズム５１２をマイクロレンズアレイ基板２１に形成せずに、マイクロプリズム５１２をＴＦＴアレイ基板３１に形成している。このため、本実施形態は、実施形態１と同様に、マイクロプリズム５１２を出射した３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢについて、投影レンズ５において、「けられ」が発生することを防止することができる。

したがって、本実施形態は、実施形態１と同様に、表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を容易に実現できる。

＜実施形態４＞
（構成）
図２０は、本発明にかかる実施形態４の液晶表示装置において、液晶パネル４を構成するＴＦＴアレイ基板３１の要部を示す図である。図２０は、図１０（Ｆ）と同様に、図１０（Ｇ）において示すＸ１−Ｘ２部分と、Ｘ３−Ｘ４部分のそれぞれの断面を示している。

図２０に示すように、本実施形態においては、図１５の記載と比較することによって判るように、マイクロプリズム５１２が形成されている位置が、実施形態２と異なる。また、図１７の記載と比較することによって判るように、本実施形態は、マイクロプリズム５１２の形状が、実施形態３と異なる。これらの点を除き、実施形態２または実施形態３と同様である。このため、重複する箇所については、その説明を省略する。なお、ＴＦＴアレイ基板３１においては、図１５，図１７の場合と同様に、図２０に示した部材以外の部材についても設けられ、各部が図４に示すように電気的に接続されているが、図示の関係上、省略して記載している。また、画素電極１０１，画素スイッチング素子１０２，保持容量素子１０３などについても、一の画素Ｐに対応するもののみを模式的に記載している。

本実施形態のマイクロプリズム５１２は、図２０に示すように、実施形態２と同様に、凹状に窪むように形成されているが、実施形態２と異なり、ガラス基板３１ａから液晶層４１の側へ間隔が隔てられるように形成されている。また、本実施形態のマイクロプリズム５１２は、図２０に示すように、実施形態３と同様に、第２，第３の遮光膜ＬＳ２，ＬＳ３が形成された面と、画素電極１０１が形成された面との間において介在するように形成されている。

（製造方法）
以下より、本実施形態にかかるマイクロプリズム５１２を含むＴＦＴアレイ基板３１を形成する方法について説明する。

図２１は、本発明にかかる実施形態４において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。図２２は、本発明にかかる実施形態４において、図２１に次いで、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。図２１と図２２とにおいては、図２１（Ａ），図２１（Ｂ），図２１（Ｃ），図２２（Ｄ），図２２（Ｅ）の順にて、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示している。

まず、図２１（Ａ）に示すように、層間絶縁膜ＳＩ２まで順次形成されたガラス基板３１ａを準備する。

つぎに、図２１（Ｂ）に示すように、フォトレジストマスクＲａを形成した後に、図２１（Ｃ）に示すように、層間絶縁膜ＳＩ２についてエッチング処理する。ここでは、実施形態２と同様に、表面が窪んだ凹状であって、断面形状が台形になるようにエッチングする。

そして、図２２（Ｄ）に示すように、マイクロプリズム材料膜５１２ａを形成後、図２２（Ｅ）に示すように、その表面を平坦化し、マイクロプリズム５１２を形成する。

そして、図２０に示すように、実施形態３と同様に、第２の遮光膜ＬＳ２に接続する第５のコンタクトＣ５を、その層間絶縁膜ＳＩ２を貫通するように形成する。そして、その第５のコンタクトＣ５に接続するように、画素電極１０１を層間絶縁膜ＳＩ２上に形成する。

以上のように、本実施形態においては、各実施形態と同様に、マイクロプリズム５１２をマイクロレンズアレイ基板２１に形成せずに、マイクロプリズム５１２をＴＦＴアレイ基板３１に形成している。このため、本実施形態は、実施形態１と同様に、マイクロプリズム５１２を出射した３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢについて、投影レンズ５において、「けられ」が発生することを防止することができる。

したがって、本実施形態は、表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を容易に実現できる。

＜実施形態５＞
（構成）

図２３は、本発明にかかる実施形態５において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。図２３において、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、斜視図である。

図２３（ａ）においては、実施形態３において第５のコンタクトＣ５を形成した位置Ｐ１と、本実施形態において第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ２とを示している。

図２３（ａ）に示すように、本実施形態は、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ２が、実施形態３の場合の位置Ｐ１と異なる。この点を除き、実施形態３と同様である。このため、重複する箇所については、その説明を省略する。

本実施形態においては、図２３（ａ）と図２３（ｂ）とに示すように、マイクロプリズム５１２において、第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面とＳＢが設けられた部分の位置Ｐ１ではなく、第１のプリズム面ＳＧの部分の位置Ｐ２に、第５のコンタクトＣ５を形成する。つまり、マイクロプリズム５１２に対面するマイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、垂直になるように設けられている第１のプリズム面ＳＧに対応するように、第５のコンタクトＣ５が形成されている。

本実施形態においては、実施形態３（図１７参照）のように、液晶層４１の側にガラス基板３１ａから間隔を隔てるように、厚みが厚いマイクロプリズム５１２を設けている。このため、レイアウトの関係にて、そのマイクロプリズム５１２を貫通するように第５のコンタクトＣ５を形成する際には、その第５のコンタクトＣ５を深く形成する必要が生ずる。

具体的には、図１７に示すように、マイクロプリズム５１２と同じ面であって、マイクロプリズム５１２よりもガラス基板３１ａの側に表面が位置するように設けられた第２の遮光膜ＬＳ２に接続するように、第５のコンタクトＣ５を形成する場合には、まず、第２の遮光膜ＬＳ２の表面を露出させるように、その厚いマイクロプリズム５１２をエッチングし、深い貫通孔を形成する。そして、その後、その貫通孔を導電材料によって埋めることによって、その第５のコンタクトＣ５を形成する。このため、第５のコンタクトＣ５は、高アスペクト比であって、深くなるように形成される。

このため、これに起因して、その第５のコンタクトＣ５が高い抵抗値となると共に、その製造の際に第５のコンタクトＣ５を高精度に形成することが困難であって、バラツキが発生し易くなるため、製造歩留まりが悪化するなどの不具合が生ずる場合がある。

しかし、図２３に示すように、第５のコンタクトＣ５を形成する場合には、マイクロプリズム５１２において第１のプリズム面ＳＧが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して傾斜していないため、マイクロプリズム５１２を均一にエッチングすることが、容易に可能になる。

このように、本実施形態においては、第２の遮光膜ＬＳ２などの配線を介して、画素電極１０１と画素スイッチング素子１０２とを接続される第５のコンタクトＣ５を、マイクロプリズム５１２において、第１のプリズム面ＳＧが設けられた部分に形成してため、高精度に第５のコンタクトＣ５を設けることができる。

したがって、本実施形態は、実施形態３の効果に加えて、コンタクトの高抵抗化、バラツキの発生、歩留まりの悪化などの不具合の発生を防止することができる。

＜実施形態６＞
（構成）

図２４は、本発明にかかる実施形態６において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。図２４において、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、斜視図である。

図２４（ａ）においては、本実施形態において第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ３を示している。

図２４（ａ）に示すように、本実施形態は、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ３が、実施形態５と異なる。この点を除き、実施形態５と同様である。このため、重複する箇所については、その説明を省略する。

本実施形態においては、図２４（ａ）と図２４（ｂ）とに示すように、マイクロプリズム５１２において、第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面とＳＢが設けられた部分であって、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿った方向にて規定されるマイクロプリズム５１２の厚みの最大値Ｔｍに対して、１／２以下の厚み（Ｔｍ／２）になる範囲の部分に、第５のコンタクトＣ５を形成する。つまり、マイクロプリズム５１２において、第１のプリズム面ＳＧが設けられた部分の厚みＴｍに対して、１／２以下の厚み（Ｔｍ／２）になる部分に対応する位置Ｐ３形成する。

実施形態５の場合と同様に、本実施形態においても、第５のコンタクトＣ５を、高アスペクト比であって、深くなるように形成する必要がある。このため、これに起因して、第５のコンタクトＣ５が高い抵抗値となると共に、その第５のコンタクトＣ５を製造する際にバラツキが発生し易くなるため、製造歩留まりが悪化するなどの不具合が生ずる場合がある。

しかし、図２４に示すように第５のコンタクトＣ５を形成する場合には、プリズムを形成していないものに対して、コンタクト深さが深くなる。この深さが深くなるとコンタクト径を大きくしなければ、下部電極との接続状態が悪くなり、ばらつき悪化、高抵抗化の要因となる。そこで、この深さを従来比として１．５倍以下に抑えることにより、径の拡大を抑えるとともに、コンタクトの高抵抗化、バラツキの発生、歩留まりの悪化などの不具合の発生を防止することができる。

このように、本実施形態においては、第２の遮光膜ＬＳ２などの配線を介して、画素電極１０１と画素スイッチング素子１０２とを接続される第５のコンタクトＣ５を、マイクロプリズム５１２において、第１のプリズム面ＳＧの部分の厚みに対して１／２以下になる部分に形成しているため、高精度に、第５のコンタクトＣ５を設けることができる。

したがって、本実施形態は、実施形態６と同様に、コンタクトの高抵抗化、バラツキの発生、歩留まりの悪化などの不具合の発生を防止することができる。

＜実施形態７＞
（構成）

図２５は、本発明にかかる実施形態７において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。図２５において、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、斜視図である。

図２５（ａ）においては、実施形態４において第５のコンタクトＣ５を形成した位置Ｐ１ａと、本実施形態において第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ２ａとを示している。

図２５（ａ）に示すように、本実施形態は、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ２ａが、実施形態４と異なる。この点を除き、実施形態４と同様である。このため、重複する箇所については、その説明を省略する。

本実施形態においては、図２５（ａ）と図２５（ｂ）とに示すように、マイクロプリズム５１２において、第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面とＳＢが設けられた部分の位置Ｐ１ａではなく、第１のプリズム面ＳＧの部分の位置Ｐ１ａに、第５のコンタクトＣ５を形成する。つまり、マイクロプリズム５１２に対面するマイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して、垂直になるように設けられている第１のプリズム面ＳＧに対応するように、第５のコンタクトＣ５が形成されている。

実施形態４（図２０参照）のように、本実施形態においては、液晶層４１の側にガラス基板３１ａから間隔を隔てるように、厚みが厚いマイクロプリズム５１２を設けている。このため、レイアウトの関係にて、そのマイクロプリズム５１２を貫通するように第５のコンタクトＣ５を形成する際には、第５のコンタクトＣ５を深く形成する必要が生ずる。

このため、実施形態５，６の場合と同様に、これに起因して、その第５のコンタクトＣ５が高い抵抗値となると共に、その製造の際に第５のコンタクトＣ５を高精度に形成することが困難であって、バラツキが発生し易くなるため、製造歩留まりが悪化するなどの不具合が生ずる場合がある。

しかし、図２５に示すように第５のコンタクトＣ５を形成する場合には、マイクロプリズム５１２において第１のプリズム面ＳＧが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して傾斜していないため、マイクロプリズム５１２を均一にエッチングすることが、容易に可能になる。

したがって、本実施形態は、実施形態４の効果に加えて、実施形態５，６と同様に、コンタクトの高抵抗化、バラツキの発生、歩留まりの悪化などの不具合の発生を防止することができる。

＜実施形態８＞
（構成）

図２６は、本発明にかかる実施形態８において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。図２６において、（ａ）は、上面図であり、（ｂ）は、斜視図である。

図２６（ａ）においては、本実施形態において第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ３ａとを示している。

図２６（ａ）に示すように、本実施形態は、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置Ｐ３ａが、実施形態７と異なる。この点を除き、実施形態７と同様である。このため、重複する箇所については、その説明を省略する。

本実施形態においては、図２６（ａ）と図２６（ｂ）とに示すように、マイクロプリズム５１２において、第２のプリズム面ＳＲと第３のプリズム面とＳＢが設けられた部分であって、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿った方向にて規定されるマイクロプリズム５１２の厚みの最大値Ｔｍに対して、１／２以下の厚み（Ｔｍ／２）になる範囲の部分に対応する位置Ｐ３ａに、第５のコンタクトＣ５を形成する。つまり、マイクロプリズム５１２において、第１のプリズム面ＳＧが設けられた部分の厚みＴｍに対して、１／２以下の厚み（Ｔｍ／２）になる部分に形成する。

実施形態７の場合と同様に、本実施形態においても、第５のコンタクトＣ５を、高アスペクト比であって、深くなるように形成する必要がある。このため、これに起因して、第５のコンタクトＣ５が高い抵抗値となると共に、その第５のコンタクトＣ５の製造の際にバラツキが発生し易くなるため、製造歩留まりが悪化するなどの不具合が生ずる場合がある。

しかし、図２６に示すように、第５のコンタクトＣ５を形成する場合には、プリズムを形成していないものに対して、コンタクト深さが深くなる。この深さが深くなるとコンタクト径を大きくしなければ、下部電極との接続状態が悪くなり、ばらつき悪化、高抵抗化の要因となる。そこで、この深さを従来比として１．５倍以下に抑えることにより、径の拡大を抑えるとともに、コンタクトの高抵抗化、バラツキの発生、歩留まりの悪化などの不具合の発生を防止することができる。

＜実施形態９＞
（構成）
図２７は、本発明にかかる実施形態９の液晶表示装置５００を示す構成図である。

図２７に示すように、本実施形態の液晶表示装置５００は、３板式の液晶プロジェクタであり、実施形態１と同様に、光源２と、色分離要素３と、第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂと、投影レンズ５とを含み、スクリーン６にカラー画像を投影して表示する。

本実施形態の液晶表示装置５００の各部について、順次、説明する。

光源２は、図２７に示すように、実施形態１と同様に、ランプ２ａとリフレクタ２ｂとを含み、光を色分離要素３へ照明するように構成されている。

色分離要素３は、図２７に示すように、第１のダイクロイックミラー３Ｒと、第２のダイクロイックミラー３Ｇと、第３のダイクロイックミラー３Ｂとを含み、光源２によって照明された光束を、互いに異なる波長帯域の色であって、互いに異なる角度の光束になるように分離し、第１の液晶パネル４Ｒと第２の液晶パネル４Ｇと第３の液晶パネル４Ｂとのそれぞれの画素領域ＰＲに出射するように構成されている。

本実施形態においては、色分離要素３は、図２７に示すように、第１のダイクロイックミラー３Ｒと、第２のダイクロイックミラー３Ｇと、第３のダイクロイックミラー３Ｂとのそれぞれが、光源２の側から順次配置されている。つまり、第１のダイクロイックミラー３Ｒと、第２のダイクロイックミラー３Ｇと、第３のダイクロイックミラー３Ｂとのそれぞれの面が、光源２から照明される光束の光軸に対して垂直でなく、傾斜するように、順次、配置されている。

具体的には、色分離要素３において、第１のダイクロイックミラー３Ｒは、光源２から照明される光束の進行方向に対して、たとえば、４５°の角度にて面が傾斜するように設けられている。そして、第１のダイクロイックミラー３Ｒは、光源２から照明される白色の光束において、赤色の波長領域に対応する光束を反射し、かつ、赤色の波長領域以外の波長領域に対応する光束を、第２のダイクロイックミラー３Ｇへ透過する。第１のダイクロイックミラー３Ｒによって反射された赤色の光束ＨＲは、図２７に示すように、第１のダイクロイックミラー３Ｒに対面するように配置された第１の反射ミラーＭＲに出射される。そして、その後、赤色の光束ＨＲを、第１の反射ミラーＭＲが、液晶パネル４として設けられた第１の液晶パネル４Ｒの画素領域ＰＲへ出射する。ここでは、第１の液晶パネル４Ｒにおいて画素領域ＰＲが設けられた面に対して、赤色の光束ＨＲが垂直に進行するように、第１の反射ミラーＭＲが配置されている。

また、色分離要素３において、第２のダイクロイックミラー３Ｇは、光源２から照明される光束の進行方向に対して、たとえば、４５°の角度にて面が傾斜するように設けられている。そして、第２のダイクロイックミラー３Ｇは、光源２から照明され、第１のダイクロイックミラー３Ｒを透過した光束において、緑色の波長領域に対応する光束を反射し、かつ、緑色の波長領域以外の波長領域に対応する光束を、第３のダイクロイックミラー３Ｂへ透過する。第２のダイクロイックミラー３Ｇによって反射された緑色の光束ＨＧは、図２７に示すように、液晶パネル４として設けられた第２の液晶パネル４Ｇの画素領域ＰＲへ出射する。ここでは、第２の液晶パネル４Ｇにおいて画素領域ＰＲが設けられた面に対して、緑色の光束ＨＧが垂直に進行するように、第２のダイクロイックミラー３Ｇが配置されている。

また、色分離要素３において、第３のダイクロイックミラー３Ｂは、光源２から照明される光束の進行方向に対して、たとえば、４５°の角度にて面が傾斜するように設けられている。そして、第３のダイクロイックミラー３Ｂは、光源２から照明され、第１および第２のダイクロイックミラー３Ｒ，３Ｇを透過した光束において、青色の波長領域に対応する光束を反射し、かつ、青色の波長領域以外の波長領域に対応する光束を透過する。第３のダイクロイックミラー３Ｂによって反射された青色の光束ＨＢは、図２７に示すように、第３のダイクロイックミラー３Ｂに対面するように配置された第２の反射ミラーＭＢに出射される。そして、その後、青色の光束ＨＢを、第２の反射ミラーＭＢが、液晶パネル４として設けられた第３の液晶パネル４Ｂの画素領域ＰＲへ出射する。ここでは、第３の液晶パネル４Ｂにおいて画素領域ＰＲが設けられた面に対して、青色の光束ＨＢが垂直に進行するように、第２の反射ミラーＭＢが配置されている。

このように、本実施形態においては、色分離要素３は、光源２によって照射された白色光を、３原色の光束のそれぞれに分離すると共に、その３原色の光束のそれぞれが液晶パネル４として設けられた第１の液晶パネル４Ｒ、第２の液晶パネル４Ｇ、第３の液晶パネル４Ｂの画素領域ＰＲのそれぞれに対して垂直に出射されるように構成されている。

第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂとのそれぞれは、図２７に示すように、矩形形状のダイクロイックプリズムＤＰの面に、画素領域ＰＲが設けられた面が対面するように配置されている。また、第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂとのそれぞれは、実施形態１と同様に、いずれも透過型であって、図２７に示すように、画素領域ＰＲが設けられており、その画素領域ＰＲにおいて色分離要素３から出射された光が透過されるように構成されている。ここでは、第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂとのそれぞれにおいては、色分離要素３から分離して出射された光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、各画素領域ＰＲへ入射し、その画素領域ＰＲにおいて変調される。その後、その画素領域ＰＲを透過した光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、ダイクロイックプリズムＤＰに入射された後に、投影レンズ５へ出射される。具体的には、第１の液晶パネル４Ｒは、赤色の光束ＨＲが入射され、ダイクロイックプリズムＤＰに、その赤色の光束ＨＲが出射される。また、第２の液晶パネル４Ｇは、緑色の光束ＨＧが入射され、ダイクロイックプリズムＤＰに、その緑色の光束ＨＧが出射される。また、第３の液晶パネル４Ｂは、青色の光束ＨＲが入射され、ダイクロイックプリズムＤＰに、その青色の光束ＨＲが出射される。なお、第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂのそれぞれは、両面に、偏光板（図示なし）が設けられている。また、この第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂの詳細な構成については、後述する。

投影レンズ５は、図２７に示すように、第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂとのそれぞれの画素領域ＰＲを透過後に、ダイクロイックプリズムＤＰを介して、画像として出射される光束を、スクリーン６へ投影するように構成されている。

第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂの詳細な構成について説明する。第１の液晶パネル４Ｒと、第２の液晶パネル４Ｇと、第３の液晶パネル４Ｂとは、互いに同様な構成である。このため、第１の液晶パネル４Ｒを代表として説明する。

図２８は、本発明にかかる実施形態９の液晶表示装置５００において、第１の液晶パネル４Ｒの要部を拡大して示す断面図である。

図２８に示すように、本実施形態の第１の液晶パネル４Ｒは、図５に示した実施形態１の液晶パネル４の場合に対して、画素電極１０１とマイクロプリズム５１２との関係が異なっている。この点を除き、実施形態１の液晶パネル４と同様に構成されている。このため、重複する箇所については、説明を省略する。

第１の液晶パネル４Ｒは、アクティブマトリクス方式であり、実施形態１と同様に、図２８に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１と、ＴＦＴアレイ基板３１と、液晶層４１とを有しており、マイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１とが間隔を隔てて対面し、シール材（図示なし）によって貼り合わされている。そして、液晶層４１が、そのマイクロレンズアレイ基板２１とＴＦＴアレイ基板３１との間の間隔に注入されている。また、実施形態１と同様に、第１の液晶パネル４Ｒにおいては、画素領域ＰＲが設けられ、その画素領域ＰＲにおいて画像を表示するように構成されている。

この画素領域ＰＲにおいては、図２８に示すように、マイクロレンズアレイ基板２１の側から入射された赤色の光束ＨＲが、液晶層４１を介して、ＴＦＴアレイ基板３１の側に出射されるように構成されている。

具体的には、本実施形態においては、第１の液晶パネル４Ｒは、図２８に示すように、入射される赤色の光束ＨＲが、画素領域ＰＲにおいて、マイクロレンズアレイ基板２１にて液晶層４１側の面に対して反対側の面に入射される。

そして、図２８に示すように、この入射された赤色の光束ＨＲがマイクロレンズアレイ基板２１に透過し、液晶層４１に入射される。そして、その液晶層４１を透過した赤色の光束ＨＲが、ＴＦＴアレイ基板３１へ入射された後、ＴＦＴアレイ基板３１を透過する。すなわち、赤色の光束ＨＲが、画素領域ＰＲにおいて、マイクロレンズアレイ基板２１と、液晶層４１と、ＴＦＴアレイ基板３１とを、順次、透過する。詳細については後述するが、本実施形態においては、赤色の光束ＨＲが、ＴＦＴアレイ基板３１の面に対して垂直な方向に進行するように出射される。そして、その第１の液晶パネル４Ｒを透過した赤色の光束ＨＲが、ダイクロイックプリズムＤＰを介して、投影レンズ５へ出射される。

マイクロレンズアレイ基板２１について説明する。

マイクロレンズアレイ基板２１は、実施形態１の場合と同様に、図２８に示すように、マイクロレンズ２４が形成されている。

マイクロレンズ２４は、図２８に示すように、実施形態１と同様に、ベースガラス基板２１ａにおいて液晶層４１側の面に設けられている。また、マイクロレンズ２４は、図２８に示すように、画素領域ＰＲにおいて一の画素Ｐに対応して赤色の光束ＨＲを出射するように、複数設けられている。つまり、図２８に示すように、実施形態１と異なり、マイクロレンズ２４は、その一つが、赤色の光束ＨＲを一つの画素電極１０１へ集光するように構成されている。

具体的には、図２８に示すように、マイクロレンズ２４においては、赤色の光束ＨＲが、第１の液晶パネル４Ｒの画素領域ＰＲに沿った面に対して、９０°の角度になるように進行して入射される。このため、マイクロレンズ２４は、その赤色の光束ＨＲを光軸ＰＧに沿うように集光する。つまり、マイクロレンズ２４は、赤色の光束ＨＲが入射した方向の状態を保持した状態において、その赤色の光束ＨＲを画素電極１０１に集光する。

ＴＦＴアレイ基板３１について説明する。

ＴＦＴアレイ基板３１は、実施形態１の場合と同様に、図２８に示すように、マイクロプリズム５１２が画素領域ＰＲに形成されている。

マイクロプリズム５１２は、実施形態１の場合と同様に、図２８に示すように、凸状であって、ＴＦＴアレイ基板３１からマイクロレンズアレイ基板２１へ向かう側に突き出るように形成されている。

つまり、実施形態１の場合と同様に、マイクロプリズム５１２は、第１のプリズム面Ｓ１と第２のプリズム面Ｓ２と第３のプリズム面Ｓ３とを含み、第１のプリズム面Ｓ１が、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直な角度の面になるように形成されている。そして、第２のプリズム面Ｓ２と第３のプリズム面Ｓ３とのそれぞれが、第１のプリズム面Ｓ１を介して、互いに対称であって、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに対して垂直でなく傾斜した面になるように形成されている。

しかしながら、本実施形態においては、実施形態１の場合と異なり、マイクロプリズム５１２は、図２８に示すように、画素領域ＰＲにおいて、一つが、一つの画素Ｐに対応して入射された赤色の光束ＨＲを出射するように設けられている。

図２９は、本発明にかかる実施形態９において、マイクロプリズム５１２と、画素電極１０１との関係を示す上面図である。

ここでは、図２９に示すように、第１のプリズム面Ｓ１と第２のプリズム面Ｓ２と第３のプリズム面Ｓ３とのそれぞれが、ｙ方向に配置された複数の画素電極１０１に沿って延在するように設けられている。

そして、本実施形態においては、図２８に示すように、第１のプリズム面Ｓ１と第２のプリズム面Ｓ２と第３のプリズム面Ｓ３とのそれぞれに入射された赤色の光束ＨＲのそれぞれが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿って互いに平行に進行するように構成されている。ここでは、スネルの法則に基づいて算出される傾斜角度に対応するように形成される。

第２の液晶パネル４Ｇについても、上記の第１の液晶パネル４Ｒの場合と同様に、マイクロプリズム５１２において第１のプリズム面Ｓ１と第２のプリズム面Ｓ２と第３のプリズム面Ｓ３とのそれぞれに入射された緑色の光束ＨＧのそれぞれが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿って互いに平行に進行するように構成されている。

また、第３の液晶パネル４Ｂについても、上記の第１の液晶パネル４Ｒの場合と同様に、マイクロプリズム５１２において第１のプリズム面Ｓ１と第２のプリズム面Ｓ２と第３のプリズム面Ｓ３とのそれぞれに入射された青色の光束ＨＢのそれぞれが、マイクロレンズ２４の光軸ＰＧに沿って互いに平行に進行するように構成されている。

以上のように、本実施形態においては、マイクロレンズ２４によって集光された３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれが、互いに平行に変換されて出射されるように、マイクロプリズム５１２がＴＦＴアレイ基板３１に形成されている。そして、実施形態１と同様に、本実施形態においては、このマイクロプリズム５１２をマイクロレンズアレイ基板２１に形成せずに、マイクロプリズム５１２をＴＦＴアレイ基板３１に形成している。このため、本実施形態は、マイクロプリズム５１２を出射した３原色の光束ＨＲ，ＨＧ，ＨＢのそれぞれについて、投影レンズ５において、「けられ」が発生することを防止することができる。

したがって、本実施形態は、実施形態１と同様に、表示画像の画像品質を向上可能であって、小型化を容易に実現できる。また、実施形態２から８の構成を、３板式の液晶プロジェクタに適用することが可能であり、適用した場合には、各実施形態に対応する効果を、同様に奏することができる。

なお、本発明の実施に際しては、上記した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形形態を採用することができる。

たとえば、マイクロプリズム５１２を台形形状になるように形成する場合について説明したが、これに限定されない。

図３０は、本発明にかかる実施形態において、マイクロプリズム５１２の変形形態を示す断面図である。

図３０（Ａ）に示すように、台形形状にて中央の矩形部分が除かれた形状になるように、マイクロプリズム５１２を形成しても良い。また、図３０（Ｂ）に示すように、複数の平面を有するマイクロプリズム５１２を、曲面を有するマイクロレンズに置換するように形成してもよい。その他、光学特性に応じて、さまざまな形状の光学要素を適用した場合であっても、好適な結果を得ることができる。

また、本実施形態においては、光学要素として、マイクロレンズ，マイクロプリズムを用いる場合ついて記載したが、これに限定されない。たとえば、シリンドリカルレンズを用いることができる。この場合には、光を屈折する必要のない縦方向の形状ばらつきを抑えられ、製造ばらつきに対して強くなる等の効果を奏することができる。

また、上記の実施形態において、液晶表示装置１，５００は、本発明の液晶表示装置に相当する。また、上記の実施形態において、光源２は、本発明の光源に相当する。また、上記の実施形態において、色分離要素３は、本発明の色分離要素に相当する。また、上記の実施形態において、液晶パネル４，第１の液晶パネル４Ｒ，第２の液晶パネル４Ｇ，第３の液晶パネル４Ｂは、本発明の液晶パネルに相当する。また、上記の実施形態において、投影レンズ５は、本発明の投影レンズに相当する。また、上記の実施形態において、ベースガラス基板２１ａは、本発明の第１基板に相当する。また、上記の実施形態において、マイクロレンズ２４は、本発明の第１光学要素，マイクロレンズに相当する。また、上記の実施形態において、ガラス基板３１ａは、本発明の第２基板に相当する。また、上記の実施形態において、液晶層４１は、本発明の液晶層に相当する。また、上記の実施形態において、画素電極１０１は、本発明の画素電極に相当する。また、上記の実施形態において、画素スイッチング素子１０２は、本発明の画素スイッチング素子に相当する。また、上記の実施形態において、マイクロプリズム５１２は、本発明の第２光学要素，マイクロプリズムに相当する。また、上記の実施形態において、第１のプリズム面ＳＧ，Ｓ１は、本発明の第１のプリズム面に相当する。また、上記の実施形態において、第２のプリズム面ＳＲ，Ｓ２は、本発明の第２のプリズム面に相当する。また、上記の実施形態において、第３のプリズム面ＳＢ，Ｓ３は、本発明の第３のプリズム面に相当する。また、上記の実施形態において、第５のコンタクトＣ５は、本発明のコンタクトに相当する。また、上記の実施形態において、画素Ｐは、本発明の画素に相当する。また、上記の実施形態において、画素領域ＰＲは、本発明の画素領域に相当する。

図１は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１について、要部構成を示す図である。 図２は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の構成を示す断面図である。 図３は、本発明にかかる実施形態１において、液晶パネル４を示す平面図である。 図４は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の回路構成を示す回路図である。 図５は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の要部を拡大して示す断面図である。 図６は、本発明にかかる実施形態１の液晶表示装置１において、液晶パネル４の要部を拡大して示す斜視図である。 図７は、本発明にかかる実施形態１において、マイクロプリズム５１２と、画素電極１０１との関係を示す上面図である。 図８は、本発明にかかる実施形態１において、マイクロプリズム５１２の部分を拡大して示す断面図である。 図９は、本発明にかかる実施形態１において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。 図１０は、本発明にかかる実施形態１において、図９に次いで、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。 図１１は、本発明にかかる実施形態１において、フォトレジスト膜を露光する際に用いるグレーマスクにて光が透過する分布を示す図である。 図１２は、本発明にかかる実施形態１において、「けられ量（％）」と、プリズム面の角度（°）との関係を示す図である。 図１３は、「けられ量（％）」に関して、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合（図３２参照）と、実施形態１の場合（図１２参照）とを比較した図である。 図１４は、第１のマイクロレンズ７２４ａと第２のマイクロレンズ７２４ｂとの両者をマイクロレンズアレイ基板７２１に形成した場合（図３２参照）と、実施形態１の場合（図１２参照）とのそれぞれにおいて、設計値に対する加工バラツキを考慮した際に生ずる「けられ量（％）」を示す図である。 図１５は、本発明にかかる実施形態２の液晶表示装置において、液晶パネル４を構成するＴＦＴアレイ基板３１の要部を示す図である。 図１６は、本発明にかかる実施形態１において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。 図１７は、本発明にかかる実施形態３の液晶表示装置において、液晶パネル４を構成するＴＦＴアレイ基板３１の要部を示す図である。 図１８は、本発明にかかる実施形態３において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。 図１９は、本発明にかかる実施形態３において、図１８に次いで、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。 図２０は、本発明にかかる実施形態４の液晶表示装置において、液晶パネル４を構成するＴＦＴアレイ基板３１の要部を示す図である。 図２１は、本発明にかかる実施形態４において、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。 図２２は、本発明にかかる実施形態４において、図２１に次いで、ＴＦＴアレイ基板３１を形成する際の各工程を示す断面図である。 図２３は、本発明にかかる実施形態５において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。 図２４は、本発明にかかる実施形態６において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。 図２５は、本発明にかかる実施形態７において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。 図２６は、本発明にかかる実施形態８において、マイクロプリズム５１２に対して、第５のコンタクトＣ５を形成する位置を示す図である。 図２７は、本発明にかかる実施形態９の液晶表示装置５００を示す構成図である。 図２８は、本発明にかかる実施形態９の液晶表示装置５００において、第１の液晶パネル４Ｒの要部を拡大して示す断面図である。 図２９は、本発明にかかる実施形態９において、マイクロプリズム５１２と、画素電極１０１との関係を示す上面図である。 図３０は、本発明にかかる実施形態において、マイクロプリズム５１２の変形形態を示す断面図である。 図３１は、マイクロレンズアレイ基板７２１を用いた液晶パネル７０４ａの断面を示す断面図である。 図３２は、「けられ量（％）」と、第２のカバーガラス基板７２１ｃの厚みとの関係を示す図である。

符号の説明

１，５００：液晶表示装置（液晶表示装置）、２：光源（光源）、２ａ：ランプ、２ｂ：リフレクタ、３：色分離要素（色分離要素）、３Ｒ：第１のダイクロイックミラー、３Ｇ：第２のダイクロイックミラー、３Ｂ：第３のダイクロイックミラー、４：液晶パネル（液晶パネル）、４Ｒ：第１の液晶パネル（液晶パネル）、４Ｇ：第２の液晶パネル（液晶パネル）、４Ｂ：第３の液晶パネル（液晶パネル）、５：投影レンズ（投影レンズ）、２１：マイクロレンズアレイ基板、２１ａ：ベースガラス基板（第１基板）、２１ｂ：カバーガラス基板、２４：マイクロレンズ（第１光学要素，マイクロレンズ）、２３：対向電極、３１：ＴＦＴアレイ基板、３１ａ：ガラス基板（第２基板）、４１：液晶層（液晶層）、１０１：画素電極（画素電極）、１０２：画素スイッチング素子（画素スイッチング素子）、１０３：保持容量素子、２０１：走査配線、２０２：信号配線、２０３：保持容量配線、５１１：ブラックマトリクス層、５１２：マイクロプリズム（第２光学要素，マイクロプリズム）、ＳＧ，Ｓ１：第１のプリズム面（第１のプリズム面）、ＳＲ，Ｓ２：第２のプリズム面（第２のプリズム面）、ＳＢ，Ｓ３：第３のプリズム面（第３のプリズム面）、ＳＩａ，ＳＩｂ，ＳＩｃ，ＳＩｄ，ＳＩｄ，ＳＩ２：層間絶縁膜、Ｃ１：第１のコンタクト、Ｃ２：第２のコンタクト、Ｃ３：第３のコンタクト、Ｃ４：第４のコンタクト（コンタクト）、ＬＳ１：第１の遮光膜、ＬＳ２：第２の遮光膜、ＬＳ３：第３の遮光層、Ｐ：画素（画素）、ＰＲ：画素領域（画素領域）

Claims (5)

1. 複数の画素が画素領域に形成されている液晶パネルと、
   光を照射する光源と、
   前記光源によって照射された光を、互いに異なる波長帯域の色であって、互いに異なる角度の光束になるように分離し、前記液晶パネルの前記画素領域に出射する色分離要素と、
   前記色分離要素によって前記液晶パネルの画素領域に出射された後に当該画素領域を介して出射される光束を投影する投影レンズと
   を有し、
   前記液晶パネルは、
   光入射側に設けられた第１基板と、
   前記第１基板に間隔を隔てて対面するように配置されている光出射側に設けられた第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板との間において挟まれるように設けられた液晶層と
   を有し、前記画素領域において前記第１基板の側から入射された入射光が、前記液晶層を介して、前記第２基板の側に出射されるように構成されており、
   前記第１基板に、前記色分離要素によって出射された光束のそれぞれを、前記複数の画素において当該色分離要素によって出射された光束に対応するように設けられた画素のそれぞれに集光するように構成されたマイクロレンズが複数設けられており、
   前記第２基板に、前記色分離要素によって出射された光束のそれぞれが前記マイクロレンズ及び前記液晶層を介して入射され、前記画素領域において前記複数の画素のそれぞれに対応して前記マイクロレンズによって集光された光束のそれぞれを互いが平行になるように変換して出射するように構成されたマイクロプリズムが複数設けられており、
   前記マイクロプリズムは、前記第２基板から前記第１基板へ向かう側に突き出た凸状になるように、あるいは、前記第２基板から前記第１基板へ向かう側に窪んだ凹状になるように、前記液晶層の側へ前記第２基板から間隔が隔てられるように形成されている、
   液晶表示装置。
2. 前記光源は、白色光を照射するように構成されており、
   前記色分離要素は、前記光源によって照射された白色光を、３原色の光束のそれぞれに分離すると共に、当該３原色の光束のそれぞれが異なる角度にて出射されるように構成されており、
   前記マイクロレンズにおいては、前記色分離要素によって分離され出射された前記３原色の光束のそれぞれが、互いに異なる角度にて前記複数の画素において前記３原色の光束のそれぞれに対応する画素に集光されるように、前記マイクロレンズが構成されており
   前記マイクロプリズムにおいては、前記マイクロレンズによって集光された前記３原色の光束のそれぞれが、互いに平行に変換されて出射されるように、前記マイクロプリズムが構成されている
   請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記マイクロプリズムは、
   前記マイクロレンズによって集光された前記３原色の光束のそれぞれが入射される第１のプリズム面と第２のプリズム面と第３のプリズム面とのそれぞれを含み、前記第１のプリズム面が、前記マイクロレンズの光軸に対して垂直であって、前記第２のプリズム面と第３のプリズム面とが、前記マイクロレンズの光軸に対して傾斜するように形成されている、
   請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記第２基板は、
   前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数形成された画素電極と、
   前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数形成された画素スイッチング素子と、
   前記画素電極と画素スイッチング素子とを接続されるコンタクトと
   含み、
   前記コンタクトは、前記マイクロプリズムにおいて、前記第１のプリズム面が設けられた部分に対応するように形成されている
   請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。
5. 前記第２基板は、
   前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数形成された画素電極と、
   前記画素領域において前記複数の画素に対応するように複数形成された画素スイッチング素子と、
   前記画素電極と画素スイッチング素子とを接続されるコンタクトと
   含み、
   前記コンタクトは、前記マイクロプリズムにおいて、前記マイクロレンズの光軸に沿った方向にて規定される厚みの最大値に対して、１／２以下の厚みになる範囲部分に形成されている、
   請求項１〜３のいずれかに記載の液晶表示装置。

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