JP6295897B2 - ガラス基板に貫通孔を形成する装置および方法 - Google Patents

ガラス基板に貫通孔を形成する装置および方法 Download PDF

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Description

本発明は、ガラス基板に貫通孔を形成する装置および方法に関する。
ガラス基板にレーザ光を照射することにより、ガラス基板に貫通孔を形成する技術が知られている。
また、最近では、ガラス基板に貫通孔を形成する技術として、レーザ溶融式放電除去技術が提案されている（例えば、特許文献１）。このレーザ溶融式放電除去技術では、レーザ光照射でガラス材料を溶融した後、電極間放電現象によって溶融した絶縁材料を除去し、ガラス基板に貫通孔を形成することができる。
国際公開第ＷＯ２０１１／０３８７８８号
従来の貫通孔形成技術を用いて形成された貫通孔の中には、しばしば、寸法および形状に問題があるものが含まれる場合が認められる。例えば、形成された複数の貫通孔の中に、所定の直径範囲に属さないものが含まれたり、真円から逸脱した形態の開口を有する貫通孔が含まれたりする場合がある。
このため、所望の寸法および形状を有する貫通孔を、高い確度で形成することが可能な貫通孔形成技術が要望されている。
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、所望の直径および開口形状を有する貫通孔を、より高い確度で形成することが可能な装置ならびに方法を提供することを目的とする。
本発明では、ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する装置であって、
ガラス基板の第１の表面の側にレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記ガラス基板の第２の表面の側に配置されるベースプレートと、
を有し、
前記ベースプレートは、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記ガラス基板を支持する複数の支柱を有し、
前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
前記ｄ１およびｄ２は、５ｍｍ以上であり、３０ｍｍより小さく、
前記支柱は、高さｈが１００μｍ〜１４００μｍの範囲である、装置が提供される。
また、本発明では、ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する装置であって、
ガラス基板の第１の表面の側にレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記ガラス基板の前記第１の表面の側に配置される、略針状の先端を有する第１の電極と、
前記ガラス基板の前記第２の表面の側に配置される第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極の間に放電を発生させる直流電圧電源と、
を有し、
前記第２の電極は、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記ガラス基板を支持する複数の支柱を有するベースプレートで構成され、
前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
前記ｄ１およびｄ２は、５ｍｍ以上であり、３０ｍｍより小さく、
前記支柱は、高さｈが１００μｍ〜１４００μｍの範囲である、装置が提供される。
さらに、本発明では、ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する方法であって、
（ａ）被加工体を準備するステップであって、前記被加工体は、第１および第２の表面を有するガラス基板を有し、さらに任意で、前記ガラス基板の前記第１の表面に設置された第１の保護フィルム、および／または前記ガラス基板の前記第２の表面に設置された第２の保護フィルムを有するステップと、
（ｂ）前記ガラス基板の前記第１の表面の側からレーザ光を照射し、前記ガラス基板に貫通孔を形成するステップと、
（ｃ）前記貫通孔を介して、前記ガラス基板に放電を発生させるステップと、
を有し、
前記（ｂ）および（ｃ）のステップは、前記被加工体をベースプレート上に載置した状態で実施され、前記被加工体は、前記ガラス基板の前記第２の表面の側が前記ベースプレートに近い側となるように載置され、
前記ベースプレートは、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記被加工体を支持する複数の支柱を有し、
前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
前記ｄ１およびｄ２は、５ｍｍ以上であり、３０ｍｍより小さく、前記支柱は、高さｈが１００μｍ〜１４００μｍの範囲、となるように選定される、方法が提供される。
本発明では、所望の直径および開口形状を有する貫通孔を、より高い確度で形成することが可能な装置ならびに方法を提供することができる。
従来の貫通孔形成装置の構成を概略的に示した図である。 本発明の一実施形態による貫通孔形成装置の構成を概略的に示した図である。 図２に示した貫通孔形成装置に使用されるベースプレートの概略的な上面図である。 本発明の一実施形態による別の貫通孔形成装置の構成を概略的に示した図である。 本発明の一実施形態によるガラス基板に貫通孔を形成する方法のフローを概略的に示した図である。 実験１−１において得られた、ベースプレートの支柱の間隔ｄと平均開口直径ｄａｖｅの関係を、まとめて示した図である。 実験１−２において得られた、ベースプレートの支柱の間隔ｄと平均開口直径ｄａｖｅの関係を、まとめて示した図である。 実験１−３において得られた、ベースプレートの支柱の間隔ｄと平均開口直径ｄａｖｅの関係を、まとめて示した図である。 実験２における各加工後に得られた貫通孔の底部開口の状態をまとめて示した図である。
以下、本発明について詳しく説明する。
（従来の貫通孔形成装置）
本発明についてより良く理解するため、まず、図１を参照して、従来の貫通孔形成装置の構成について、簡単に説明する。
図１には、ガラス基板に貫通孔を形成する際に使用される従来の貫通孔形成装置の構成を概略的に示す。
図１に示すように、従来の貫通孔形成装置１は、レーザ光源１０と、直流高圧電源２５と、第１の電極４０および第２の電極４５とを有する。
レーザ光源１０は、被加工対象となるガラス基板８０に向かってレーザ光１３を照射する役割を有する。
第１の電極４０および第２の電極４５は、それぞれ、導体５０および５５と電気的に接続されており、これらの導体５０および５５は、直流高圧電源２５と接続されている。
第１の電極４０は、略針状の形状を有し、ガラス基板８０から離して配置されている。第２の電極４５は、略平板状の形状を有し、ガラス基板８０の直下に、該ガラス基板８０と接するように配置されている。第２の電極４５は、ガラス基板８０を支持するベースプレートとしても機能する。第２の電極４５は、中央部分に空間４６を有する。この空間４６の存在により、加工中にガラス基板８０から生じるデブリを、第２の電極４５の内部に収容することができる。
このような貫通孔形成装置１を用いて、ガラス基板８０に複数の貫通孔を形成する際には、まず、ガラス基板８０が両電極４０、４５の間に配置される。ガラス基板８０は、第１の表面８２および第２の表面８４を有し、例えば、第１の表面８２が第１の電極４０に近い側となるように配置される。次に、第２の電極４５を水平方向に移動させることにより、ガラス基板８０が所定の位置に配置される。
次に、レーザ光源１０からガラス基板８０の第１の表面８２に向かって、レーザ光１３が照射される。レーザ光１３は、ガラス基板８０の第１の表面８２の照射領域９３に照射される。
これにより、ガラス基板８０の照射領域９３の温度が局部的に上昇し、その直下に溶融部が形成される。
次に、直流高圧電源２５を用いて、両電極４０、４５間に直流高電圧が印加される。これにより、両電極４０、４５間において、放電が生じる。放電は、ガラス基板８０の照射領域９３、すなわち溶融部を介して生じる傾向にある。放電の発生により、溶融部が貫通孔９５となる。
次に、第２の電極４５を水平方向に移動させ、ガラス基板８０を所定の場所に配置する。その後、同様の工程により、第２の貫通孔が形成される。
このような工程を繰り返すことにより、ガラス基板８０に複数の貫通孔を形成できる。
ここで、このような従来の貫通孔形成装置１を用いて形成された貫通孔９５の中には、しばしば、寸法および形状に問題があるものが含まれる場合がある。例えば、形成された貫通孔９５の直径が、意図した範囲から逸脱していたり、真円から逸脱した形態の開口を有する貫通孔９５が含まれたりする場合がある。
本願発明者らは、このような問題に対処するため、鋭意研究開発を実施してきた。その結果、本願発明者らは、ガラス基板８０のある領域では、第１の表面８２に照射されるレーザ光１３の焦点が、他の領域に比べてＺ方向（ガラス基板８０の厚さ方向）にずれる場合があり、これが貫通孔９５の直径が意図した範囲から逸脱する原因となっていることを見出した。なお、レーザ光１３の焦点のずれの要因としては、
・第２の電極４５上に配置されるガラス基板８０の自重により、ガラス基板８０がたわむこと、および
・加工中に、ガラス基板８０が熱応力によって変形すること
などが考えられる。
また、本願発明者らは、第２の電極４５の空間４６の深さが貫通孔９５の第２の開口（ガラス基板８０の第２の表面８４の側の開口）の形状（真円度）に関係していることを見出した。より具体的には、第２の電極４５の空間４６の深さが比較的浅い場合、貫通孔９５の第２の開口の真円度が悪くなる傾向にある。なお、この原因として、空間４６内に蓄積される熱により、貫通孔９５の第２の開口が熱溶融することが考えられる。
本願発明者らは、以上の考察に基づき、以下の（ｉ）および（ｉｉ）の対策により、前述のような問題が抑制されることを見出し、本願発明に至った：
（ｉ）ガラス基板８０の第１の表面８２上の加工領域内で、レーザ光１３が、場所によらずなるべく一定の焦点を形成できるようにすることにより、貫通孔の直径の精度を高める；および
（ｉｉ）第２の電極４５の空間４６の深さを所定の範囲以上とすることにより、貫通孔９５の第２の開口が熱溶融することを回避する。
すなわち、本願発明では、第１の形態（本願第１発明）として、
ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する装置であって、
ガラス基板の第１の表面の側にレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記ガラス基板の第２の表面の側に配置されるベースプレートと、
を有し、
前記ベースプレートは、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記ガラス基板を支持する複数の支柱を有し、
前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
前記ｄ１およびｄ２は、３０ｍｍより小さく、
前記支柱は、高さｈが７０μｍよりも大きい、装置が提供される。
また、本願発明では、第２の形態（本願第２発明）として、
ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する装置であって、
ガラス基板の第１の表面の側にレーザ光を照射するレーザ光源と、
前記ガラス基板の前記第１の表面の側に配置される、略針状の先端を有する第１の電極と、
前記ガラス基板の前記第２の表面の側に配置される第２の電極と、
前記第１の電極と第２の電極の間に放電を発生させる直流電圧電源と、
を有し、
前記第２の電極は、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記ガラス基板を支持する複数の支柱を有するベースプレートで構成され、
前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
前記ｄ１およびｄ２は、３０ｍｍより小さく、
前記支柱は、高さｈが７０μｍよりも大きい、装置が提供される。
本願第１発明および第２発明では、ベースプレートの空間内に複数の支柱が格子状に設けられる。これらの複数の支柱は、第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、ｄ１およびｄ２は、３０ｍｍより小さいという特徴がある。
支柱をこのような間隔ｄ１およびｄ２で、ベースプレートの空間内に規則的に配置することにより、ベースプレートの上部に配置されるガラス基板の変形を有意に抑制することができる。また、これにより、レーザ光が、ガラス基板の第１の表面上で場所によらず実質的に一定の焦点を形成できるようになり、貫通孔の直径の精度を高めることが可能になる。
また、本願第１発明および第２発明では、ベースプレートの支柱の高さｈが７０μｍよりも高いという特徴を有する。
ベースプレートの支柱の高さｈをこのように調整することにより、加工中に、ベースプレートの空間内に蓄積される熱により貫通孔の第２の開口が熱溶融することを有意に回避することができる。また、これにより、貫通孔の開口形状を所望の形状（真円）に近づけることが可能となる。
以上のような効果により、本願第１発明および第２発明では、所望の直径および開口形状を有する貫通孔を、より高い確度で形成することが可能となる。
（本発明の一実施形態による貫通孔形成装置）
次に、図２〜図３を参照して、本発明の一実施形態による貫通孔形成装置について説明する。
図２には、本発明の一実施形態による貫通孔形成装置（以下、「第１の貫通孔形成装置」という）の構成を概略的に示す。また、図３には、第１の貫通孔形成装置が備えるベースプレートの概略的な上面図を示す。
図２に示すように、第１の貫通孔形成装置１００は、被加工体１３０に貫通孔１９５を形成することができる装置である。
被加工体１３０は、第１の表面１８２および第２の表面１８４を有するガラス基板１８０を有する。また、被加工体１３０は、ガラス基板１８０の第１の表面１８２側に設置された第１の保護フィルム１３２と、ガラス基板１８０の第２の表面１８４側に設置された第２の保護フィルム１３４とを有する。従って、被加工体１３０の第１の表面１３３は、第１の保護フィルム１３２の外表面で構成され、被加工体１３０の第２の表面１３５は、第２の保護フィルム１３４の外表面で構成される。
これらの保護フィルム１３２、１３４は、加工中に、ガラス基板１８０の両表面１８２、１８４に、デブリ（加工屑）が付着することを回避する役割を有する。ただし、保護フィルム１３２、１３４は、本発明において、必須の部材ではなく、省略されてもよい。
ガラス基板１８０の厚さは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲であってもよい。
図２に示すように、第１の貫通孔形成装置１００は、レーザ光源１１０と、ベースプレート１６０とを有する。
レーザ光源１１０は、被加工体１３０の第１の表面１３３に向かってレーザ光１１３を照射する役割を有する。
ベースプレート１６０は、上部に被加工体１３０を支持し、固定する役割を有する。ベースプレート１６０の中央部分には、空間１６９が形成されている。ベースプレート１６０は、例えば、アルミニウム金属またはアルミニウム合金のような導電性材料で構成されても良い。
図３に示すように、ベースプレート１６０は、略円形の形状を有し、この外径は、被加工体１３０の直径よりも大きくなるように選定される。
また、ベースプレート１６０は、空間１６９を区画する内壁１６４と、空間１６９に設けられた複数の支柱１７０を有する。図２に示すように、ベースプレート１６０の内壁１６４の直径は、被加工体１３０の外径よりも小さくなるように形成される。従って、被加工体１３０は、ベースプレート１６０の上部表面１６３上に載置することができる。
さらに、ベースプレート１６０は、１または２以上の吸引孔１６２を有し、この吸引孔１６２は、外部吸引装置（図示されていない）に接続される。ベースプレート１６０は、吸引孔１６２により、上部に載置される被加工体１３０を上部表面１６３に吸引固定することができる。
ベースプレート１６０の各支柱１７０は、空間１６９内に、規則的に配置される。より具体的には、各支柱１７０は、空間１６９内に、ＸＹ方向に沿って、格子状に配置される。図３に示すように、Ｘ方向における支柱１７０の間隔はｄ１であり、Ｙ方向における支柱１７０の間隔はｄ２である。間隔ｄ１＝間隔ｄ２であってもよい。なお本願では、間隔ｄ１および間隔ｄ２を、単に「間隔ｄ」と称する場合がある。間隔ｄ（すなわちｄ１および間隔ｄ２）は、いずれも

ｄ＜３０ｍｍ （１）式

を満たすように選定される。
また、各支柱１７０（および内壁１６４）は、高さｈを有し、この高さｈは、

７０μｍ＜ｈ （２）式

となるように選定される。
なお、図３において、支柱１７０は、円柱状の形態として示されている。しかしながら、これは単なる一例であって、支柱１７０の形態は、三角角柱状および四角柱状など、その他の形態であっても良い。
このようなベースプレート１６０を有する第１の貫通孔形成装置１００を用いて、ガラス基板１８０に貫通孔を形成する場合、まずベースプレート１６０上に、被加工体１３０が配置される。次に、外部吸引装置（図示されていない）が稼働される。これにより、ベースプレート１６０の吸引孔１６２を介して、被加工体１３０がベースプレート１６０の上部表面１６３上に吸引され、ここに固定される。
次に、レーザ光源１１０から被加工体１３０の第１の表面１３３に向かって、レーザ光１１３が照射される。レーザ光１１３は、被加工体１３０の第１の表面１３３の照射領域１９３に照射される。
これにより、被加工体１３０の照射領域１９３の温度が局部的に上昇し、その直下に存在する各部材（第１の保護フィルム１３２、ガラス基板１８０、および第２の保護フィルム１３４）の部分が除去される。これにより、ガラス基板１８０に貫通孔１９５が形成される。
ここで、前述のように、従来の貫通孔形成装置１では、形成された貫通孔９５の直径が、意図した範囲から逸脱していたり、真円から逸脱した形態の開口を有する貫通孔９５が生じたりする場合がある。
これに対して、第１の貫通孔形成装置１００では、支柱１７０は格子状に規則的に配置され、支柱１７０の間隔ｄは、３０ｍｍを超えないように選定されている。例えば、支柱１７０の間隔ｄは、１５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲である。
この場合、ベースプレート１６０の上部表面１６３上に配置される被加工体１３０の厚さ方向の変形が有意に抑制される。また、これにより、被加工体１３０の第１の表面１３３に照射されるレーザ光１１３の焦点が、Ｚ方向（被加工体１３０の厚さ方向）に沿ってずれることが有意に抑制される。その結果、形成される貫通孔１９５の直径の精度を高めることが可能になる。
また、第１の貫通孔形成装置１００では、ベースプレート１６０の支柱１７０の高さｈは、（２）式を満たすように選定されている。例えば、支柱１７０の高さｈは、１００μｍ〜１４００μｍの範囲である。
この場合、空間１６９内に蓄積される熱により、貫通孔１９５の第２の開口（ガラス基板１８０の第２の表面１８４の側の開口）が熱溶融することが有意に抑制される。
その結果、第１の貫通孔形成装置１００では、所望の直径および開口形状を有する貫通孔１９５を、高い確度で形成することが可能となる。
なお、一般に、支柱の位置では孔品質を維持した状態で貫通孔を形成することは難しいため、支柱の配置間隔が極端に狭くなると、ガラス基板の加工可能領域が著しく制限されるという問題が生じ得る。
この問題に対処するため、第１の貫通孔形成装置１００において、支柱１７０の間隔ｄは、１０ｍｍを超えるように選定することが好ましい。これにより、ガラス基板１８０の加工可能領域が狭くなり、ガラス基板１８０の未使用領域が増加するという問題を有意に回避することができる。
特に、加工可能領域の観点からは、支柱１７０の太さ（延伸方向に垂直な断面の最大寸法）は、できる限り細いことが好ましい。支柱１７０の太さは、例えば、５００μｍ〜５０００μｍの範囲であってもよい。
（本発明の一実施形態による別の貫通孔形成装置）
次に、図４を参照して、本発明の一実施形態による別の貫通孔形成装置について説明する。
図４には、本発明の一実施形態による別の貫通孔形成装置（以下、「第２の貫通孔形成装置」という）の構成を概略的に示す。
なお、図４に示した第２の貫通孔形成装置は、「放電補助式レーザ孔加工技術」を用いて、ガラス基板に複数の貫通孔を形成できる装置である。
ここで、「放電補助式レーザ孔加工技術」とは、以下に示すような、ガラス基板に対するレーザ光照射によってガラス基板の照射領域に貫通孔を形成し、その後電極間放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する技術の総称を意味する。なお、貫通孔形状の調整とは、レーザ光照射によってガラス基板に貫通孔を形成した際に生じるネッキングを低減することを意味する。ここで「ネッキング」とは、レーザ加工後に貫通孔内に形成され得る狭窄部を意味する。
図４に示すように、第２の貫通孔形成装置２００は、レーザ光源２１０と、直流高電圧電源２２５と、第１の電極２４０および第２の電極２６０とを有する。
レーザ光源２１０は、被加工体２３０に向かってレーザ光２１３を照射する。
第１の電極２４０および第２の電極２６０は、それぞれ、導体２５０および２５５と電気的に接続されており、これらの導体２５０および２５５は、直流高電圧電源２２５と接続されている。
第１の電極２４０は、針状の形状を有する。一方、第２の電極２６０は、前述の図２および図３を参照して説明したベースプレート１６０と同様のベースプレートで構成される。従って、以下、第２の電極２６０をベースプレート２６０とも称する。
また、ベースプレート２６０は、前述のベースプレート１６０と同様の構成を有するため、図４のベースプレート２６０において、図２および図３に示したベースプレート１６０を構成する各部分に対応する部分には、図２および図３に示した参照符号に１００を加えた参照符号が使用されている。例えば、ベースプレート２６０は、空間２６９内に、縦横規則的に配置された支柱２７０を有する。また、ベースプレート２６０は、被加工体２３０を上部表面２６３に吸引固定するための吸引孔２６２を有する。
被加工体２３０は、第１の表面２８２および第２の表面２８４を有するガラス基板２８０を有する。また、被加工体２３０は、ガラス基板２８０の第１の表面２８２側に設置された第１の保護フィルム２３２と、ガラス基板２８０の第２の表面２８４側に設置された第２の保護フィルム２３４とを有する。従って、被加工体２３０の第１の表面２３３は、第１の保護フィルム２３２の外表面で構成され、被加工体２３０の第２の表面２３５は、第２の保護フィルム２３４の外表面で構成される。本願では、被加工体２３０の第１の表面２３３を、「照射面」とも称する。
なお、保護フィルム２３２、２３４は、本発明において、必須の部材ではなく、省略されてもよい。
このような第２の貫通孔形成装置２００を用いて、被加工体２３０のガラス基板２８０に複数の貫通孔２９５を形成する場合、まず、被加工体２３０がベースプレート２６０の上に配置される。次に、外部吸引装置（図示されていない）が稼働される。これにより、ベースプレート２６０の吸引孔２６２を介して、被加工体２３０がベースプレート２６０の上部表面２６３上に吸引され、ここに固定される。
次に、レーザ光源２１０から被加工体２３０の第１の表面２３３に向かって、レーザ光２１３が照射される。レーザ光２１３は、被加工体２３０の第１の表面２３３の照射領域２９３に照射される。
これにより、被加工体２３０の照射領域２９３の温度が局部的に上昇し、その直下に存在する各部材（第１の保護フィルム２３２、ガラス基板２８０、および第２の保護フィルム２３４）の部分が昇華する。これにより、ガラス基板２８０に貫通孔が形成される。
レーザ光２１３の照射後、直流高電圧電源２２５を用いて、第１の電極２４０と第２の電極（ベースプレート）２６０の間に直流高電圧が印加される。これにより、電極２４０とベースプレート２６０間で放電が生じる。放電は、貫通孔を介して生じる傾向にある。これは、この位置では、抵抗が他の部分よりも低くなっているためである。
放電の発生により、貫通孔の形状が整えられ、ガラス基板２８０に貫通孔２９５が形成される。
以降、同様の操作を行うことにより、ガラス基板２８０に複数の貫通孔を形成することができる。
ここで、第２の貫通孔形成装置２００においても、ベースプレート２６０の支柱２７０の間隔ｄは、前述の（１）式を満たすように選定されている。例えば、支柱２７０の間隔ｄは、１５ｍｍ〜２５ｍｍの範囲である。
従って、第２の貫通孔形成装置２００においても、ベースプレート２６０の上部表面２６３上に配置される被加工体２３０の厚さ方向の変形が有意に抑制される。また、これにより、被加工体２３０の第１の表面２３３に照射されるレーザ光２１３の焦点が、Ｚ方向（被加工体２３０の厚さ方向）に沿ってずれることが有意に抑制される。その結果、形成される貫通孔２９５の直径の精度を高めることが可能になる。
さらに、第２の貫通孔形成装置２００においても、ベースプレート２６０の支柱２７０の高さｈは、前述の（２）式を満たすように選定されている。例えば、支柱２７０の高さｈは、１００μｍ 〜１４００μｍの範囲である。
この場合、空間２６９内に蓄積される熱により、貫通孔２９５の第２の開口（ガラス基板２８０の第２の表面２８４の側の開口）が熱溶融することが有意に抑制される。
その結果、第２の貫通孔形成装置２００では、所望の直径および開口形状を有する貫通孔２９５を、高い確度で形成することが可能となる。
第２の貫通孔形成装置２００においても、支柱２７０の間隔ｄは、１０ｍｍを超えるように選定されることが好ましい。これにより、ガラス基板２８０の加工可能領域が狭くなり、ガラス基板２８０の未使用領域が増加するという問題を、有意に回避することができる。
なお、第２の貫通孔形成装置２００では、第１の電極２４０の先端から、被加工体２３０の第１の表面２３３のレーザ光２１３の焦点の中心までの距離をａとし、被加工体２３０の厚さをＴとし、支柱２７０の高さをｈとしたとき、ａ＋Ｔ＋ｈで表される距離Ｄは

Ｄ（＝ａ＋Ｔ＋ｈ）≦３０００μｍ （３）式

を満たすように選定されることが好ましい。
距離Ｄが（３）式を満たさない場合、第１の電極２４０とベースプレート２６０の間で生じる放電が不安定になるおそれがあるからである。距離Ｄを３０００μｍ以下とすることにより、両電極２４０、２６０間に安定した放電を発生させ、ネッキングが適正に抑制された貫通孔２９５を形成することが可能となる。
以上、第１の貫通孔形成装置１００および第２の貫通孔形成装置２００を例に、本発明の一実施例の特徴について説明した。ただし、本発明は、これらの貫通孔形成装置１００、２００の態様に限られるものではなく、例えば、貫通孔形成装置１００、２００において、各種変更および置換が可能であることは当業者には明らかである。
例えば、第１の貫通孔形成装置１００および第２の貫通孔形成装置２００では、ベースプレート１６０、２６０の吸引孔１６２、２６２は、空間１６９、２６９内の支柱１７０、２７０のない領域に設けられる。しかしながら、この代わりにまたはこれに加えて、吸引孔は、支柱１７０、２７０の内部に形成されてもよい。さらに、吸引孔は、ベースプレート１６０、２６０の上部表面１６３、２６３に開口が形成されるように設けられても良い。
また、ベースプレート１６０、２６０の形状は、円形に限られるものではなく、ガラス基板１８０、２８０の形状に応じて、各種形状を選択しても良い。例えば、ベースプレート１６０、２６０は、正方形状、矩形状、および楕円状等であってもよい。その他にも各種変更が可能である。
（本発明の一実施形態によるガラス基板に貫通孔を形成する方法）
次に、図５を参照して、本発明の一実施形態によるガラス基板に貫通孔を形成する方法について説明する。
図５には、本発明の一実施形態によるガラス基板に貫通孔を形成する方法（以下、「第１の貫通孔形成方法」と称する）のフローを概略的に示す。
図５に示すように、第１の貫通孔形成方法は、
（ａ）被加工体を準備するステップであって、前記被加工体は、第１および第２の表面を有するガラス基板を有し、さらに任意で、前記ガラス基板の前記第１の表面に設置された第１の保護フィルム、および／または前記ガラス基板の前記第２の表面に設置された第２の保護フィルムを有するステップ（ステップＳ１１０）と、
（ｂ）前記ガラス基板の前記第１の表面の側からレーザ光を照射し、前記ガラス基板に貫通孔を形成するステップ（ステップＳ１２０）と、
（ｃ）前記貫通孔を介して、前記ガラス基板に放電を発生させるステップ（ステップＳ１３０）と、
を有する。
ここで、ステップＳ１２０〜ステップＳ１３０は、被加工体をベースプレート上に載置した状態で実施される。なお、被加工体は、ガラス基板の第２の表面の側がベースプレートに近い側となるように載置される。
また、ベースプレートは、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記被加工体を支持する複数の支柱を有し、該複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置される。この間隔ｄ１およびｄ２は、１０ｍｍより大きく３０ｍｍより小さく、前記支柱は、高さｈが７０μｍよりも大きくなるように選定される。
このような第１の貫通孔形成方法では、前述のように、被加工体の厚さ方向の変形が有意に抑制される。また、これにより、形成される貫通孔の直径の精度を高めることが可能になる。
また、ベースプレートの空間内に蓄積される熱により、貫通孔の第２の開口（ガラス基板の第２の表面の側の開口）が熱溶融することが有意に抑制される。その結果、第１の貫通孔形成方法では、所望の直径および開口形状を有する貫通孔を、高い確度で形成することが可能となる。
なお、第１の貫通孔形成方法において、ステップＳ１３０における放電は、ガラス基板の第１の表面の側に配置された針状の第１の電極と、ベースプレートとの間で生じても良い。この場合、ベースプレートは、導電性材料で構成される。
また、被加工体の厚さをＴとし、第１の電極の先端から、被加工体の照射面（被加工体のレーザ光が照射される側の表面）上のレーザ光の焦点までの距離をａとしたとき、ａ＋Ｔ＋ｈで表される距離Ｄは、３０００μｍ未満であることが好ましい。この場合、第１の電極とベースプレートの間で安定した放電を発生させることが可能となる。
以下、本発明の実施例について説明する。
（実験１−１）
前述の図４に示したような構成の貫通孔形成装置２００を用いてガラス基板に複数の貫通孔を形成し、その状態を評価した。
ガラス基板には、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの寸法の無アルカリガラスを使用した。ガラス基板の第１の表面に、厚さ７５μｍの第１の樹脂フィルム（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）を設置し、ガラス基板の第２の表面に、厚さ７５μｍの第２の樹脂フィルム（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）を設置し、被加工体を作製した。
ベースプレートには、アルミニウム製の吸引式ベースプレート（寸法：約５０ｍｍ×約５０ｍｍ）を使用した。支柱は、ベースプレートの空間内に、ＸＹ方向に沿って格子状に配置した。Ｘ方向における支柱の間隔ｄ１＝２０ｍｍとし、Ｙ方向における支柱の間隔ｄ２＝２０ｍｍとした。各支柱は円柱形状とし、支柱の太さは、直径１ｍｍφとし、支柱の高さｈは、５００μｍとした。
被加工体に照射するレーザ光は、ＣＯ２レーザ（出力１００Ｗ）とし、照射時間は、１６５μｓｅｃとした。被加工体の照射面でのレーザ光の焦点は、約６９μｍ〜７１μｍを目標とした。レーザ光照射を完了してから、第１の針状電極とベースプレートとの間で、放電を発生させた。
このような条件下で、ガラス基板の中央部分（３０ｍｍ四方の領域）に合計１７８５６個の貫通孔からなるパターンを形成した。各貫通孔同士のピッチは、２００μｍとした。
なお、ガラス基板のサンプル数は２とし、すなわち、同一の条件で、２枚のガラス基板に貫通孔の同じパターンを形成した。
得られた貫通孔のガラス基板の第１の表面側における開口（貫通孔の上部開口）の直径を評価した。なお、評価する貫通孔の数は、それぞれのガラス基板において４個とし、これらは、格子状に配置された４つの支柱で取り囲まれた最小正方形単位（すなわち２０ｍｍ×２０ｍｍ）に相当するガラス基板の領域の中から選定した。このようにして選定した合計８個の貫通孔の上部開口の直径を平均して、平均開口直径ｄａｖｅを求めた。
また、ベースプレートの支柱の間隔ｄ１、ｄ２を５ｍｍ〜４０ｍｍの範囲で変化させて、同様の加工を実施し、得られた貫通孔から、同様の方法により平均開口直径ｄａｖｅを求めた。なお、いずれの加工においても、支柱の間隔ｄ１＝ｄ２とした。
実験１−１において得られた結果を、まとめて図６に示す。
この結果から、支柱間隔ｄ（ｄ１およびｄ２）が５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲では、貫通孔の平均開口直径ｄａｖｅは、いずれも７０．５μｍであり、レーザ光の目標焦点径である６９μｍ〜７１μｍとよい一致を示していることがわかる。これに対して、支柱間隔ｄ（ｄ１およびｄ２）が３０ｍｍおよび４０ｍｍでは、平均開口直径ｄａｖｅは、それぞれ、７３．１μｍおよび７４．８μｍとなっており、レーザ光の目標焦点径から逸脱していることがわかる。
このように、支柱間隔ｄを３０ｍｍ未満とすることにより、形成される貫通孔の直径の精度を高められることが確認された。
（実験１−２）
実験１−１と同様の評価を実施した。ただし、この実験１−２では、実験１−１の場合とは異なり、ガラス基板の厚さは、０．２ｍｍとした。また、被加工体に照射するレーザ光の出力は、１００Ｗとし、照射時間は、１１０μｓｅｃとした。被加工体の照射面でのレーザ光の焦点は、約６３μｍ〜６５μｍを目標とした。その他の条件は、実験１−１の場合と同様である。
実験１−２において得られた結果を、まとめて図７に示す。
この結果から、支柱間隔ｄ（ｄ１およびｄ２）が５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲では、貫通孔の平均開口直径ｄａｖｅは、６４．３μｍ〜６４．７μｍの範囲であり、レーザ光の目標焦点径である６４μｍ〜６６μｍとよい一致を示していることがわかる。これに対して、支柱間隔ｄ（ｄ１およびｄ２）が３０ｍｍおよび４０ｍｍでは、平均開口直径ｄａｖｅは、それぞれ、６７．３μｍおよび６７．６μｍとなっており、レーザ光の目標焦点径から逸脱していることがわかる。
このように、支柱間隔ｄを３０ｍｍ未満とすることにより、形成される貫通孔の直径の精度を高められることが確認された。
（実験１−３）
実験１−１と同様の評価を実施した。ただし、この実験１−３では、実験１−１の場合とは異なり、ガラス基板の厚さは、０．５ｍｍとした。また、被加工体に照射するレーザ光の出力は、１００Ｗとし、照射時間は、４１０μｓｅｃとした。被加工体の照射面でのレーザ光の焦点は、約８９μｍ〜９１μｍを目標とした。その他の条件は、実験１−１の場合と同様である。
実験１−３において得られた結果を、まとめて図８に示す。
この結果から、支柱間隔ｄ（ｄ１およびｄ２）が５ｍｍ〜２０ｍｍの範囲では、貫通孔の平均開口直径ｄａｖｅは、８９．５μｍ〜９０．４μｍの範囲であり、レーザ光の目標焦点径である８９μｍ〜９１μｍとよい一致を示していることがわかる。これに対して、支柱間隔ｄ（ｄ１およびｄ２）が３０ｍｍおよび４０ｍｍでは、平均開口直径ｄａｖｅは、それぞれ、９１．１μｍおよび９２．２μｍとなっており、レーザ光の目標焦点径から逸脱していることがわかる。
このように、支柱間隔ｄを３０ｍｍ未満とすることにより、ガラス基板に形成される貫通孔の開口直径の精度を高められることが確認された。
実験１−１〜実験１−３において得られた結果を、まとめて以下の表１に示した。
（実験２）
前述の図４に示したような構成の貫通孔形成装置２００を用いてガラス基板に複数の貫通孔を形成し、その状態を評価した。
ガラス基板には、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの寸法の無アルカリガラスを使用した。ガラス基板の第１の表面に、厚さ７５μｍの第１の樹脂フィルム（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）を設置し、ガラス基板の第２の表面に、厚さ７５μｍの第２の樹脂フィルム（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム）を設置し、被加工体を作製した。
ベースプレートには、アルミニウム製の吸引式ベースプレート（外寸法：約５０ｍｍ×約５０ｍｍ）を使用した。
なお、このベースプレートでは、外周（４辺）に沿って枠状に形成された内壁によって空間が区画されており、空間内に支柱は配置されていない。すなわち、ベースプレートには、内壁と外周部の間の枠状の上部表面によって、被加工体を支持する構造のものを使用した。空間の寸法は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍとした。この縦または横の寸法は、ベースプレートの支柱間隔ｄ（ｄ１またはｄ２）に対応するパラメータとなる。また、空間の深さは、１００μｍとした。この空間の深さＰは、前述の支柱の高さｈに対応するパラメータとなる。
被加工体に照射するレーザ光は、ＣＯ２レーザ（出力１００Ｗ）とし、照射時間は、１６８μｓｅｃ〜１７３μｓｅｃとした。被加工体に照射されるレーザ光の焦点は、ガラス基板の第２の表面に形成される貫通孔の第２の開口の直径が３８μｍ（目標値）となるように設定した。レーザ光照射を完了してから、放電を発生させた。
このような条件下で、ガラス基板の中央部分に、単一の貫通孔を形成した。
得られた貫通孔のガラス基板の第２の表面側における開口（以下、「貫通孔の底部開口」と称する）の形状を評価した。
また、ベースプレートの支柱の高さｈに対応するパラメータとなる空間の深さＰを、０μｍ〜４４０μｍの範囲で変化させて、同様の加工を実施し、貫通孔の底部開口の形状を評価した。
図９には、得られた結果をまとめて示す。図９には、各加工において得られた貫通孔の底部開口の状態を示す。
図９に示すように、空間の深さＰによって、貫通孔の底部開口の状態が変化していることがわかる。特に、空間の深さＰが７０μｍ以下の場合、貫通孔の底部開口の形状は、真円から大きく逸脱している。これに対して、空間の深さＰが１００μｍ以上の場合、貫通孔の底部開口の形状は、真円に近くなっている。
なお、空間の深さＰが７０μｍ以下の場合、貫通孔加工後に、被加工体の第２の保護フィルムがベースプレートの空間に付着していることが認められた。このことから、空間の深さＰが７０μｍ以下の条件では、加工中に第２の保護フィルムが貫通孔の直下のベースプレートの底面に付着して、ここに密閉空間が形成され、この密閉空間に蓄積された熱により、貫通孔の底部開口が熱溶融したものと予想される。
このように、空間の深さＰ、すなわちベースプレートの支柱の高さｈを７０μｍ超とすることにより、貫通孔の底部開口の形状を所望の形状（真円）に近づけられることが確認された。
（実験３）
前述の図４に示したような構成の貫通孔形成装置２００を用いてガラス基板に複数の貫通孔を形成した。
ガラス基板には、縦５０ｍｍ×横５０ｍｍ×厚さ０．３ｍｍの寸法の無アルカリガラスを使用した。ガラス基板の第１および第２の表面にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムを設置し、被加工体を作製した。
被加工体の厚さＴは、０．４ｍｍである。
ベースプレートには、アルミニウム製の吸引式ベースプレート（寸法：約５０ｍｍ×約５０ｍｍ）を使用した。支柱は、ベースプレートの空間内に、ＸＹ方向に沿って格子状に配置した。Ｘ方向における支柱の間隔ｄ１＝２０ｍｍとし、Ｙ方向における支柱の間隔ｄ２＝２０ｍｍとした。各支柱は、略円柱状形状とし、支柱の太さは、直径１ｍｍφとした。
なお、ベースプレートとして、空間の深さ、すなわち支柱の高さｈが１０１０μｍのもの、および１４８０μｍのものの２種類を使用した。
被加工体に照射するレーザ光は、ＣＯ２レーザ（出力１００Ｗ）とし、照射時間は、１６８μｓｅｃ〜１７３μｓｅｃとした。被加工体に照射されるレーザ光の焦点は、ガラス基板の第２の表面に形成される貫通孔の第２の開口の直径が３８μｍ（目標値）となるように設定した。レーザ光照射を完了してから、放電を発生させた。
放電の際の第１の電極の先端から、被加工体の照射面におけるレーザ光の焦点までの距離ａは、約１２００μｍである。従って、ａ＋Ｔ＋ｈで表される距離Ｄは、２６１０μｍ（支柱の高さｈが１０１０μｍの場合）、および３０８０μｍ（支柱の高さｈが１４８０μｍの場合）である。
以上のような条件下で、ガラス基板に複数の貫通孔を形成した。
実験の結果、ベースプレートの支柱の高さｈを１０１０μｍとした場合（距離Ｄ＝２６１０μｍ）、加工の際に、安定的に放電を発生させることができることがわかった。これに対して、ベースプレートの支柱の高さｈを１４８０μｍとした場合（距離Ｄ＝３０８０μｍ）、意図しない場所で放電が生じたり、放電が生じなくなったりして、安定した放電現象が生じ難くなることがわかった。
この結果から、ａ＋Ｔ＋ｈで表される距離Ｄは、３０００μｍ以下にすることが好ましく、２６１０μｍ以下にすることがより好ましいと言える。
１ 従来の貫通孔形成装置
１０ レーザ光源
１３ レーザ光
２５ 直流高圧電源
４０ 第１の電極
４５ 第２の電極（ベースプレート）
４６ 空間
５０ 導体
５５ 導体
８０ ガラス基板
８２ 第１の表面
８４ 第２の表面
９３ 照射領域
９５ 貫通孔
１００ 本発明による第１の貫通孔形成装置
１１０ レーザ光源
１１３ レーザ光
１３０ 被加工体
１３２ 第１の保護フィルム
１３３ 第１の表面
１３４ 第２の保護フィルム
１３５ 第２の表面
１６０ ベースプレート
１６２ 吸引孔
１６３ 上部表面
１６４ 内壁
１６９ 空間
１７０ 支柱
１８０ ガラス基板
１８２ 第１の表面
１８４ 第２の表面
１９３ 照射領域
１９５ 貫通孔
２００ 本発明による第２の貫通孔形成装置
２１０ レーザ光源
２１３ レーザ光
２２５ 直流高電圧電源
２３０ 被加工体
２３２ 第１の保護フィルム
２３３ 第１の表面
２３４ 第２の保護フィルム
２３５ 第２の表面
２４０ 第１の電極
２５０ 導体
２５５ 導体
２６０ ベースプレート（第２の電極）
２６２ 吸引孔
２６３ 上部表面
２６４ 内壁
２６９ 空間
２７０ 支柱
２８０ ガラス基板
２８２ 第１の表面
２８４ 第２の表面
２９３ 照射領域
２９５ 貫通孔

Claims (17)

  1. ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する装置であって、
    ガラス基板の第１の表面の側にレーザ光を照射するレーザ光源と、
    前記ガラス基板の第２の表面の側に配置されるベースプレートと、
    を有し、
    前記ベースプレートは、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記ガラス基板を支持する複数の支柱を有し、
    前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
    前記ｄ１およびｄ２は、５ｍｍ以上であり、３０ｍｍより小さく、
    前記支柱は、高さｈが１００μｍ〜１４００μｍの範囲である、装置。
  2. 前記ｄ１およびｄ２は、１０ｍｍよりも大きい、請求項１に記載の装置。
  3. 前記ベースプレートは、前記ガラス基板を吸引固定する吸引機構を有する、請求項１または２に記載の装置。
  4. 前記ベースプレートの前記空間は、前記ベースプレートの外周部に形成された内壁により区画される、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の装置。
  5. 前記支柱は、最大寸法が５００μｍ〜５０００μｍの範囲の太さを有する、請求項１乃至４のいずれか一つに記載の装置。
  6. 前記ガラス基板は、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲の厚さを有する、請求項１乃至５のいずれか一つに記載の装置。
  7. 前記ガラス基板の前記第１の表面には、第１の保護フィルムが設置され、前記第２の表面には、第２の保護フィルムが設置される、請求項１乃至６のいずれか一つに記載の装置。
  8. 前記ベースプレートは、導電性材料で構成される、請求項１乃至７のいずれか一つに記載の装置。
  9. ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する装置であって、
    ガラス基板の第１の表面の側にレーザ光を照射するレーザ光源と、
    前記ガラス基板の前記第１の表面の側に配置される、略針状の先端を有する第１の電極と、
    前記ガラス基板の前記第２の表面の側に配置される第２の電極と、
    前記第１の電極と第２の電極の間に放電を発生させる直流電圧電源と、
    を有し、
    前記第２の電極は、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記ガラス基板を支持する複数の支柱を有するベースプレートで構成され、
    前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
    前記ｄ１およびｄ２は、５ｍｍ以上であり、３０ｍｍより小さく、
    前記支柱は、高さｈが１００μｍ〜１４００μｍの範囲である、装置。
  10. 前記ｄ１およびｄ２は、１０ｍｍよりも大きい、請求項９に記載の装置。
  11. 前記ベースプレートは、前記ガラス基板を吸引固定する吸引機構を有する、請求項９または１０に記載の装置。
  12. 前記ベースプレートの前記空間は、前記ベースプレートの外周側に形成された内壁により区画される、請求項９乃至１１のいずれか一つに記載の装置。
  13. 前記支柱は、最大寸法が５００μｍ〜５０００μｍの範囲の太さを有する、請求項９乃至１２のいずれか一つに記載の装置。
  14. 前記ガラス基板は、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの厚さを有する、請求項９乃至１３のいずれか一つに記載の装置。
  15. 前記ガラス基板の前記第１の表面には、第１の保護フィルムが設置され、前記第２の表面には、第２の保護フィルムが設置され、
    前記ガラス基板と前記第１および第２の保護フィルムとの合計厚さＴは、０．１ｍｍ〜０．９ｍｍの範囲であり、
    前記第１の電極の前記先端から、前記第１の保護フィルムの前記レーザ光の焦点までの距離をａとしたとき、
    ａ＋Ｔ＋ｈで表される距離Ｄは、３０００μｍ以下である、請求項９乃至１４のいずれか一つに記載の装置。
  16. ガラス基板に第１の表面から第２の表面に至る貫通孔を形成する方法であって、
    （ａ）被加工体を準備するステップであって、前記被加工体は、第１および第２の表面を有するガラス基板を有し、さらに任意で、前記ガラス基板の前記第１の表面に設置された第１の保護フィルム、および／または前記ガラス基板の前記第２の表面に設置された第２の保護フィルムを有するステップと、
    （ｂ）前記ガラス基板の前記第１の表面の側からレーザ光を照射し、前記ガラス基板に貫通孔を形成するステップと、
    （ｃ）前記貫通孔を介して、前記ガラス基板に放電を発生させるステップと、
    を有し、
    前記（ｂ）および（ｃ）のステップは、前記被加工体をベースプレート上に載置した状態で実施され、前記被加工体は、前記ガラス基板の前記第２の表面の側が前記ベースプレートに近い側となるように載置され、
    前記ベースプレートは、中央部分に設けられた空間、および該空間に配置され前記被加工体を支持する複数の支柱を有し、
    前記複数の支柱は、該支柱の延伸方向に略垂直な第１の方向の間隔がｄ１となり、前記第１の方向と垂直な第２の方向の間隔がｄ２となるように、格子状に配置され、
    前記ｄ１およびｄ２は、５ｍｍ以上であり、３０ｍｍより小さく、前記支柱は、高さｈが１００μｍ〜１４００μｍの範囲、となるように選定される、方法。
  17. 前記（ｃ）のステップにおいて、前記放電は、前記ガラス基板の前記第１の表面の側に配置された針状の第１の電極と前記ベースプレートとの間で生じ、
    前記被加工体の厚さをＴとし、前記被加工体の前記レーザ光が照射される側の表面を照射面と称し、
    前記第１の電極の先端から、前記被加工体の前記照射面上の前記レーザ光の焦点までの距離をａとしたとき、
    ａ＋Ｔ＋ｈで表される距離Ｄは、３０００μｍ以下である、請求項１６に記載の方法。
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