JP6294208B2 - トレンチゲート電極を有する絶縁ゲート型スイッチング素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独あるいは各種の組み合わせによって技術有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの1つの目的を達成すること自体で技術有用性を持つものである。
12:SiC基板
12a:上面
12b:下面
14:トレンチ
14a:側面
14b:底面
16:ゲート絶縁膜
18:ゲート電極
20:層間絶縁膜
22:ソース領域
24:ボディ領域
26:ドリフト領域
28:ドレイン領域
30:チャネル
50:上部電極
52:下部電極
60:保護膜
Claims (2)
- トレンチゲート電極を有する絶縁ゲート型スイッチング素子を製造する方法であって、
表面がc面であるSiC基板の前記表面に、側面がm面に沿って伸びるトレンチを形成する工程と、
前記トレンチを形成した後に、炭素を含んでおり、前記表面の少なくとも一部を覆っている保護膜を形成する工程と、
前記表面の少なくとも一部が前記保護膜に覆われており、前記側面が露出している状態で、前記SiC基板を熱処理する工程と、
前記熱処理よりも後に、前記側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜を形成した後に、前記トレンチ内にゲート電極を形成する工程、
を有し、
前記保護膜を形成する工程が、前記表面に前記保護膜を形成するとともに前記側面に前記表面の前記保護膜よりも薄い前記保護膜を形成する工程と、前記側面の前記保護膜が除去されるとともに前記表面の前記保護膜が残存するように前記保護膜をエッチングする工程を有する、
方法。 - 前記熱処理よりも前に、前記SiC基板に不純物を注入する工程をさらに有し、
前記熱処理において、前記不純物を活性化させる、
請求項1の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2014212856A JP6294208B2 (ja) | 2014-10-17 | 2014-10-17 | トレンチゲート電極を有する絶縁ゲート型スイッチング素子の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016082099A JP2016082099A (ja) | 2016-05-16 |
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JP2014212856A Active JP6294208B2 (ja) | 2014-10-17 | 2014-10-17 | トレンチゲート電極を有する絶縁ゲート型スイッチング素子の製造方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP6294208B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6623772B2 (ja) * | 2016-01-13 | 2019-12-25 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6687504B2 (ja) * | 2016-12-19 | 2020-04-22 | トヨタ自動車株式会社 | スイッチング素子の製造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8198675B2 (en) * | 2006-11-21 | 2012-06-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP5817204B2 (ja) * | 2011-04-28 | 2015-11-18 | トヨタ自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP6119100B2 (ja) * | 2012-02-01 | 2017-04-26 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
WO2014102979A1 (ja) * | 2012-12-27 | 2014-07-03 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置およびその製造方法 |
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2014
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Publication number | Publication date |
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JP2016082099A (ja) | 2016-05-16 |
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