JP6292956B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
また、本発明による発光素子は、第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び第1の導電型とは反対導電型の第2の導電型を有する第2の半導体層が積層された構造を有する半導体構造層と、第1の半導体層上に形成された第1の電極と、各々が、第1の半導体層側から第1の半導体層及び発光層を貫通して第2の半導体層内に至り、第2の半導体層に接続された複数のビア電極からなる第2の電極と、各々が、第1の半導体層の表面における第1及び第2の電極間の領域から第1の半導体層及び発光層を貫通して第2の半導体層内に至る深さを有し、ビア電極の各々を囲むように形成された複数のトレンチ部からなるトレンチと、を有し、半導体構造層は、各々がビア電極の各々を中心とする発光セグメントを有し、発光セグメントの各々は、相対的に低い電気抵抗を有する電流路の領域である低抵抗方向領域と、相対的に高い電気抵抗を有する電流路の領域である高抵抗方向領域と、その中間の電気抵抗を有する電流路の領域である中抵抗方向領域との3つの領域からなり、ビア電極の各々は、そのトレンチ部までの距離が、低抵抗方向領域から中抵抗方向領域又は高抵抗方向領域に近づくに従って、また、中抵抗方向領域から高抵抗方向領域に近づくに従って小さくなるように構成されていることを特徴としている。
11 半導体構造層
17 p型半導体層
18 発光層
19 n型半導体層
14 p電極
15、15A n電極
VE ビア電極
16、16A トレンチ
TR トレンチ部
11H、ESH 高抵抗方向領域
11L、ESL 低抵抗方向領域
ESM 中抵抗方向領域
Claims (8)
- 第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び前記第1の導電型とは反対導電型の第2の導電型を有する第2の半導体層が積層された構造を有する半導体構造層と、
前記第1の半導体層上に形成された第1の電極と、
前記第1の半導体層側から前記第1の半導体層及び前記発光層を貫通して前記第2の半導体層内に至り、前記第2の半導体層に接続された第2の電極と、
前記第1の半導体層の表面における前記第1及び第2の電極間の領域から前記第1の半導体層及び前記発光層を貫通して前記第2の半導体層内に至る深さを有し、前記第2の電極を囲むように形成されたトレンチと、を有し、
前記半導体構造層は、相対的に低い電気抵抗を有する電流路の領域である低抵抗方向領域と、相対的に高い電気抵抗を有する電流路の領域である高抵抗方向領域との少なくとも2つの領域からなり、
前記低抵抗方向領域における前記第2の電極及び前記トレンチ間の距離は、前記高抵抗方向領域における前記第2の電極及び前記トレンチ間の距離よりも大きいことを特徴とする発光素子。 - 前記第2の電極は、前記低抵抗方向領域よりも前記高抵抗方向領域の方が浅く形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記トレンチは一定の深さを有していることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記第2の電極は、複数のビア電極からなる電極群として構成され、
前記トレンチは、前記ビア電極の各々を囲むように形成された複数のトレンチ部からなるトレンチ群として構成され、
前記ビア電極の各々は、その形成深さ及び前記トレンチ部までの距離のいずれかが、前記低抵抗方向領域と前記高抵抗方向領域との間で異なるように形成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の発光素子。 - 前記トレンチ部の各々は一定の深さを有していることを特徴とする請求項4に記載の発光素子。
- 第1の導電型を有する第1の半導体層、発光層及び前記第1の導電型とは反対導電型の第2の導電型を有する第2の半導体層が積層された構造を有する半導体構造層と、
前記第1の半導体層上に形成された第1の電極と、
各々が、前記第1の半導体層側から前記第1の半導体層及び前記発光層を貫通して前記第2の半導体層内に至り、前記第2の半導体層に接続された複数のビア電極からなる第2の電極と、
各々が、前記第1の半導体層の表面における前記第1及び第2の電極間の領域から前記第1の半導体層及び前記発光層を貫通して前記第2の半導体層内に至る深さを有し、前記ビア電極の各々を囲むように形成された複数のトレンチ部からなるトレンチと、を有し、
前記半導体構造層は、各々が前記ビア電極の各々を中心とする発光セグメントを有し、
前記発光セグメントの各々は、相対的に低い電気抵抗を有する電流路の領域である低抵抗方向領域と、相対的に高い電気抵抗を有する電流路の領域である高抵抗方向領域と、その中間の電気抵抗を有する電流路の領域である中抵抗方向領域との3つの領域からなり、
前記ビア電極の各々は、その前記トレンチ部までの距離が、前記低抵抗方向領域から前記中抵抗方向領域又は前記高抵抗方向領域に近づくに従って、また、前記中抵抗方向領域から前記高抵抗方向領域に近づくに従って小さくなるように構成されていることを特徴とする発光素子。 - 前記ビア電極の各々は、その形成深さが、前記低抵抗方向領域から前記中抵抗方向領域又は前記高抵抗方向領域に近づくに従って、また、前記中抵抗方向領域から前記高抵抗方向領域に近づくに従って大きくなるように構成されていることを特徴とする請求項6に記載の発光素子。
- 前記トレンチ部の各々は一定の深さを有していることを特徴とする請求項6又は7に記載の発光素子。
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