JP6262037B2 - 発光装置 - Google Patents
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Description
実施例1である発光装置10の製造方法について、以下に詳細に説明する。図5−図8は、実施例1の発光装置10の各製造工程を示す断面図である。
まず、MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)法を用いて結晶成長を行い、半導体構造層37を形成する。具体的には、サファイア基板等の成長基板61をMOCVD装置に投入し、サーマルクリーニング後、第1の半導体層31、活性層33、及び第2の半導体層35を順に成膜する。なお、以下、第1の半導体層31がn型半導体層、第2の半導体層35が第1の半導体層と反対導電型のp型半導体層である場合について説明する。
まず、Si等の支持基板21の一方の面に例えばSiO2またはSiNからなる絶縁層23を形成する。その後、絶縁層23上に発光素子30との接合層としても機能するAuからなるp配線電極25A、n配線電極25B及び接続電極27を形成して、支持体20を完成する。p配線電極25A、n配線電極25B及び接続電極27の形成には、例えば、抵抗加熱及びEB蒸着法、スパッタ法などから適当な手法を用いることが出来る。
支持体20と発光素子30とを接合した後、成長基板61を除去する。成長基板61の除去により第1の半導体層31の表面31Sが露出し、光出射面となる。成長基板61の除去は、レーザリフトオフ法を用いて行った。なお、成長基板61の除去は、レーザリフトオフに限らず、ウエットエッチングドライエッチング、機械研磨法、化学機械研磨(CMP)もしくはそれらのうち少なくとも1つの方法を含む組合せにより行ってもよい。
実施例2である発光装置70の製造方法について、以下に詳細に説明する。図12(a)−(d)は、実施例1の発光装置70の各製造工程を示す断面図である。
まず、MOCVD(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition)法を用いて結晶成長を行い、半導体構造層37を形成する。具体的には、サファイア基板等の成長基板61をMOCVD装置に投入し、サーマルクリーニング後、第1の半導体層31、活性層33、及び第2の半導体層35を順に成膜する。なお、以下、第1の半導体層31がn型半導体層、第2の半導体層35が第1の半導体層と反対導電型のp型半導体層である場合について説明する。
まず、Si等の支持基板21の一方の面に例えばSiO2またはSiNからなる絶縁層23を形成する。その後、絶縁層33上に発光素子30との接合層としても機能するAuからなるp配線電極25A、n配線電極25B(図示せず)及び接続電極27を形成して、支持体20を完成する。p配線電極25A、n配線電極25B及び接続電極27の形成には、例えば、抵抗加熱及びEB蒸着法、スパッタ法などから適当な手法を用いることが出来る。
支持体20と発光素子30とを接合した後、成長基板61を除去して、図10示した断面を有する発光装置70が完成する。成長基板61の除去により第1の半導体層31の表面31Sが露出し、光出射面となる。成長基板61の除去は、レーザリフトオフ法を用いて行った。なお、成長基板61の除去は、レーザリフトオフに限らず、ウエットエッチングドライエッチング、機械研磨法、化学機械研磨(CMP)もしくはそれらのうち少なくとも1つの方法を含む組合せにより行ってもよい。
実施例1の上記説明においては、発光素子30A−30Dの4つの発光素子を直線上に一列に配列する場合を例として説明したが、この構成に限定されるものではない。例えば、発光素子の配列個数は2以上であればよく、配列も任意であり、例えば千鳥状に配列してもよく、また曲線上、円周上、多角形の辺上に配列する等してもよい。
20 支持体
21 支持基板
23 絶縁層
25A p配線電極
25B n配線電極
27 接続電極
30、30A、30B、30C、30D 発光素子
31 第1の半導体層
31S 表面
33 活性層
35 第2の半導体層
37 半導体構造層
37H 孔部
39 p電極
41 キャップ層
41A 開口部
43 絶縁層
43A、43B 開口部
45 n電極
47 p給電電極
49 n給電電極
61 成長基板
Claims (3)
- 基板と、
前記基板の表面に形成された第1の配線電極と、
前記第1の配線電極と電気的に絶縁された第2の配線電極と、
前記第1の配線電極と前記第2の配線電極との間に配されている1または複数の接続電極と、
第1の半導体層、活性層及び前記第1の半導体層とは反対導電型の第2の半導体層が順次積層され、前記第1の半導体層の表面を光取り出し面とする半導体構造層を各々が有し、前記第1の配線電極と前記第2の配線電極との間で前記接続電極を介して電気的に直列接続され前記基板の前記表面上に配置された複数の発光素子と、を有し、
前記複数の発光素子の各々は、前記第2の半導体層側から前記第2の半導体層及び前記活性層を貫通し、前記第1の半導体層内に達する少なくとも1つの孔部と、
前記第2の半導体層及び前記活性層と絶縁され、前記少なくとも1つの孔部の底部から露出している前記第1の半導体層に接して形成された第1の電極と、
前記第2の半導体層の表面に形成されている第2の電極と、を有し、
前記複数の発光素子のうちの前記直列接続の一端の発光素子の前記第1の電極は前記第1の配線電極に接続されており、前記複数の発光素子の前記直列接続の他端の発光素子の前記第2の電極は前記第2の配線電極に接続されており、
前記少なくとも1つの孔部の平均深さは、前記複数の発光素子のうち前記直列接続において前記第2の配線電極から最も遠い発光素子から前記第2の配線電極に最も近い発光素子に向けて徐々に浅くなっていることを特徴とする発光装置。 - 前記孔部は前記発光素子の各々内に複数形成されており、当該複数の孔部の深さは、前記発光素子の各々内において同一であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記孔部は前記発光素子の各々内に複数形成されており、当該複数の孔部の深さは、前記発光素子の各々内において前記第2の配線電極に近い方が浅いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
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