JP6165517B2 - 発光素子 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 203
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 31
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 12
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- -1 moisture Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
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- Led Devices (AREA)
Description
11、31、51 半導体構造層
19 発光層
14、34、54 p電極
15、35、55 n電極
16、36、56 第1トレンチ
17、37、57 第2トレンチ
38、58 第3トレンチ
39、59 第4トレンチ
60 第5トレンチ
HD 高抵抗方向
LD 低抵抗方向
11H、11AH 高抵抗方向領域
11L、11AL 低抵抗方向領域
Claims (6)
- 第1の導電型を有する第1の半導体層、前記第1の導電型とは反対の第2の導電型を有する第2の半導体層並びに前記第1及び第2の半導体層間に形成された発光層を含み、前記第1の半導体層の表面を第1の主面とする半導体構造層と、前記半導体構造層の前記第1の半導体層の前記表面上に形成されかつ金属材料からなる第1の電極と、前記第1の半導体層の前記表面から前記第1の半導体層及び前記発光層を貫通して前記第2の半導体層に接続されかつ金属材料からなる第2の電極と、を有し、前記第1の主面を実装面とするフリップチップ型の発光素子であって、
前記第1の主面における前記第1の電極と前記第2の電極との間の電極間領域から前記半導体構造層の前記電極間領域に対向する第2の主面に向かって、全体として前記第1の主面における前記第2の電極の形成領域を囲むように形成され、前記発光層を貫通する深さを有する第1トレンチ及び第2トレンチを有し、
前記半導体構造層内における前記第1の電極及び前記第2の電極間の電流の方向は、前記半導体構造層の面内方向において相対的に低い電気抵抗を有する電流方向である低抵抗方向と、相対的に高い電気抵抗を有する電流方向である高抵抗方向との少なくとも2つに区別され、
前記半導体構造層は、前記低抵抗方向に沿った領域である低抵抗方向領域と、前記高抵抗方向に沿った領域である高抵抗方向領域との少なくとも2つに区画され、
前記第1トレンチは前記低抵抗方向領域に亘って形成され、前記第2トレンチは前記高抵抗方向領域に亘って形成され、
前記第2トレンチは前記第1トレンチよりも深く形成されていることを特徴とする発光素子。 - 前記半導体構造層の上面視において前記第1の電極に重ならないように前記第2の主面から前記第1の主面に向かって形成された第3トレンチ及び第4トレンチを有し、
前記第3トレンチは前記低抵抗方向領域に亘って形成され、前記第4トレンチは前記高抵抗方向領域に亘って形成され、
前記第3トレンチ及び前記第4トレンチは、前記第1トレンチ及び前記第3トレンチによって形成される前記低抵抗方向領域の電流路の開口における電気抵抗値が、前記第2トレンチ及び前記第4トレンチによって形成される前記高抵抗方向領域の電流路の開口における電気抵抗値よりも大きくなるような位置及び深さで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 前記第3トレンチは、前記半導体構造層の上面視において前記第1トレンチに重なるように、又は前記第1トレンチよりも第1の電極に近い位置に形成され、
前記第4トレンチは、前記半導体構造層の上面視において前記第2トレンチに重なるように、又は前記第2トレンチよりも第1の電極に近い位置に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。 - 前記半導体構造層の上面視において前記第3トレンチと前記第1の電極との間の前記電極間領域内の領域から前記第2の主面に向かって、かつ前記低抵抗方向領域に亘って形成され、前記発光層を貫通して前記第3トレンチの底部を越える深さを有する第5トレンチを有することを特徴とする請求項3に記載の発光素子。
- 前記第1の主面及び前記第2の主面は、矩形形状を有し、
前記第2の電極は、前記第1の主面の角部の領域に形成され、
前記第1の電極は、前記第1の主面の他の領域上に形成され、
前記低抵抗方向は、前記第1の主面内における辺方向に沿った方向であり、
前記高抵抗方向は、前記第1の主面内における対角方向に沿った方向であることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1つに記載の発光素子。 - 前記第1トレンチ、前記第2トレンチ、前記第3トレンチ、前記第4トレンチ及び前記第5トレンチには絶縁材料が充填されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1つに記載の発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131631A JP6165517B2 (ja) | 2013-06-24 | 2013-06-24 | 発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013131631A JP6165517B2 (ja) | 2013-06-24 | 2013-06-24 | 発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015005697A JP2015005697A (ja) | 2015-01-08 |
JP6165517B2 true JP6165517B2 (ja) | 2017-07-19 |
Family
ID=52301337
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013131631A Active JP6165517B2 (ja) | 2013-06-24 | 2013-06-24 | 発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6165517B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6292956B2 (ja) * | 2014-04-15 | 2018-03-14 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58101486A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Fujitsu Ltd | 半導体発光装置 |
JP2002026386A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP4224960B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2009-02-18 | ブラザー工業株式会社 | インクジェット記録用インクセット |
JP4325160B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2009-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
TWI222756B (en) * | 2002-11-12 | 2004-10-21 | Epitech Corp Ltd | Lateral current blocking light emitting diode and method of making the same |
JP2007073590A (ja) * | 2005-09-05 | 2007-03-22 | Kyocera Corp | 発光素子 |
KR100665284B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-01-09 | 삼성전기주식회사 | 반도체 발광 소자 |
JP2008227109A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Mitsubishi Chemicals Corp | GaN系LED素子および発光装置 |
DE102010008603A1 (de) * | 2010-02-19 | 2011-08-25 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 | Elektrisches Widerstandselement |
-
2013
- 2013-06-24 JP JP2013131631A patent/JP6165517B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015005697A (ja) | 2015-01-08 |
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