JP6289952B2 - SiCエピタキシャル基板の製造方法、半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態のSiCエピタキシャル基板の製造方法は、n型不純物を含む原料ガスを用い、エピタキシャル成長法により第1のSiC層を形成する第1の工程と、n型不純物を含む原料ガスを用い、原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)を、第1のSiC層を形成する際の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)よりも高くし、第1のSiC層よりも薄い膜厚で、エピタキシャル成長法により第2のSiC層を形成する第2の工程と、を交互に行い、n型SiC層を形成する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、n型不純物を含む原料ガスを用い、エピタキシャル成長法により第1のSiC層を形成する第1の工程と、n型不純物を含む原料ガスを用い、原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)を、第1のSiC層を形成する際の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)よりも高くし、第1のSiC層よりも薄い膜厚で、エピタキシャル成長法により第2のSiC層を形成する第2の工程と、を交互に行い、n型SiC層を形成する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、n型不純物を含む原料ガスを用い、エピタキシャル成長法により第1のSiC層を形成する第1の工程と、n型不純物を含む原料ガスを用い、原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)を、第1のSiC層を形成する際の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)よりも高くし、第1のSiC層よりも薄い膜厚で、エピタキシャル成長法により第2のSiC層を形成する第2の工程と、を交互に行い、n型SiC層を形成する。さらに、n型SiC層に、B(ボロン)を選択的にイオン注入し、p型SiC領域を形成する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、複数の高炭素濃度SiC層12bのうちの一部の層が、高炭素濃度SiC層12bよりも、さらに、原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)が高い超高炭素濃度SiC層12cであること、および、B(ボロン)をイオン注入する際のプロジェクテッドレンジ(Rp)を、超高炭素濃度SiC層12cの深さよりも浅い位置とすること以外は、第3の実施形態と同様である。したがって、第3の実施形態と重複する内容については、記述を省略する。
12 n型SiC層
12a 低炭素濃度SiC層(第1のSiC層)
12b 高炭素濃度SiC層(第2のSiC層)
14 p型SiC層
22 p型SiC領域
100 SiCエピタキシャル基板
200 PINダイオード(半導体装置)
300 PINダイオード(半導体装置)
400 PINダイオード(半導体装置)
Claims (8)
- n型不純物を含み第1の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)が0.9以上1.2以下である前記第1の原料ガスを用い、エピタキシャル成長法により第1のSiC層を形成する第1の工程と、
前記n型不純物を含み第2の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)が1.5以上2.5以下である前記第2の原料ガスを用い、前記第1のSiC層よりも薄い膜厚で、エピタキシャル成長法により第2のSiC層を形成する第2の工程と、
を交互に行い、n型不純物濃度が1×10 15 cm −3 以上5×10 16 cm −3 以下であるn型SiC層を形成するSiCエピタキシャル基板の製造方法。 - 前記第2のSiC層の成長速度が、前記第1のSiC層の成長速度よりも遅い請求項1記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。
- 前記第2のSiC層を形成する際の、前記第2の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)が2.0より大きい請求項1または請求項2記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。
- 前記第2のSiC層を形成する際の、前記第2の原料ガス中に含まれる前記n型不純物の量が、前記第1のSiC層を形成する際の、前記第1の原料ガス中に含まれる前記n型不純物の量よりも多い請求項1ないし請求項3いずれか一項記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。
- 前記第2のSiC層の膜厚が0.1μm以上2μm以下である請求項1ないし請求項4いずれか一項記載のSiCエピタキシャル基板の製造方法。
- n型不純物を含み第1の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)が0.9以上1.2以下である前記第1の原料ガスを用い、エピタキシャル成長法により第1のSiC層を形成する第1の工程と、
前記n型不純物を含み第2の原料ガス中に含まれるC(炭素)とSi(シリコン)の原子数比(C/Si)が1.5以上2.5以下である前記第2の原料ガスを用い、前記第1のSiC層よりも薄い膜厚で、エピタキシャル成長法により第2のSiC層を形成する第2の工程と、
を交互に行い、n型不純物濃度が1×10 15 cm −3 以上5×10 16 cm −3 以下であるn型SiC層を形成する半導体装置の製造方法。 - 前記n型SiC層上に、
p型不純物を含むp型SiC層をエピタキシャル成長法により形成する請求項6記載の半導体装置の製造方法。 - 前記n型SiC層に、
B(ボロン)を選択的にイオン注入し、p型SiC領域を形成する請求項6記載の半導体装置の製造方法。
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