JP6285463B2 - 材料配列の最適化による磁気熱量カスケードの性能改良 - Google Patents
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Description
異なるキュリー温度を有する少なくとも3つの異なる磁気熱量材料(magnetocaloric materials)を含む磁気熱量カスケードであり、
異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料は、キュリー温度が低下するように連続して配置されており、
異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料のいずれも、最高のキュリー温度を有する磁気熱量材料より高い層性能Lpを持たず、
異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料の少なくとも1つが、最高のキュリー温度を有する磁気熱量材料より低い層性能Lpを持ち、
特定の磁気熱量材料のLpは、下記式(I):
Lp = m * dTad,max
[但し、
dTad,maxは、特定の磁気熱量材料が磁気熱量サイクル中に低磁場から高磁場に磁化された時に、特定の磁気熱量材料が受ける最大の断熱温度変化であり、
mは、磁気熱量カスケードに含まれる特定の磁気熱量材料の質量である。]
に従い計算されることを特徴とする磁気熱量カスケード、により達成される。
Lp = m * dTad,max
[但し、
dTad,maxは、特定の磁気熱量材料が磁気熱量サイクル中に低磁場から高磁場に磁化された時に、特定の磁気熱量材料が受ける最大の断熱温度変化であり、
mは、前記磁気熱量カスケードに含まれる特定の磁気熱量材料の質量である。]
に従い計算される。
−壁厚が50〜300μm、さらに好ましくは50〜150μm、特に85〜115μm、
−多孔率が10〜60%、さらに好ましくは15〜35%、特に20〜30%の範囲、
−容量に対する表面の比が3000〜50000m2/m3の範囲、さらに好ましくは5000〜15000m2/m3の範囲。
(1)一般式(I):
(AyB1−y)2+dCwDxEz (I)
[但し、
Aが、Mn又はCoを表し、
Bが、Fe、Cr又はNiを表し、
C、D及びEについて、C、D及びEの少なくとも2個が、異なっており、非消失濃度を有し、P、 B、Se、Ge、Ga、Si、Sn、N、As及びSbから選択され、且つC、D及びEの少なくとも1個がGe、As又はSiであり、
dが、−0.1〜0.1の範囲の数であり、
w、x、y、zが、0〜1の範囲の数であり、且つw+x+y=1を満たす。]
で表される化合物;
(2)一般式(II)及び/又は(III)及び/又は(IV):
La(FexAl1−x)13Hy又はLa(FexSi1−x)13Hy (II)
[但し、
xが、0.7〜0.95の数であり、
yが、0〜3の数、好ましくは0〜2の数である。]、
La(FexAlyCoz)13 又はLa(FexSiyCoz)13 (III)
[但し、
xが、0.7〜0.95の数であり、
yが、0.05〜1−xの数であり、
zが、0.005〜0.5の数である。]、
LaMnxFe2−xGe (IV)
[但し、
xが、1.7〜1.95の数である。]
で表されるLa及びFeを基礎とする化合物;
(3)MnTtTpタイプ[但し、Ttは遷移金属であり、Tpは7〜8.5の範囲の原子当たり電子計数(e/a)を有するp−ドープ金属である。]のホイスラー合金;
(4)一般式(V):
Gd5(SixGe1−x)4 (V)
[但し、
xが、0.2〜1の数である。];
で表されるGd及びSiを基礎とする化合物;
(5)Fe2Pを基礎とする化合物;
(6)ペロブスカイト(perovskite)タイプの亜マンガン酸塩(manganites);
(7)希土類元素を含み、且つ一般式(VI)及び(VII):
Tb5(Si4−xGex) (VI)
[但し、
xが、0、1、2、3、又は4である。]、及び
XTiGe (VII)
[但し、
Xが、Dy、Ho、Tmである。]
で表される化合物;
及び
(8)一般式(VIII)、(IX)、(X)及び(XI):
Mn2−xZxSb (VIII)
Mn2ZxSb1−x (IX)
[但し、
Zが、Cr、Cu、Zn、Co、V、As、Geであり、
xが、0.01〜0.5である。]、
Mn2−xZxAs (X)及び
Mn2ZxAs1−x (XI)
[但し、
Zが、Cr、Cu、Zn、Co、V、Sb、Geであり、
xが、0.01〜0.5である。]、
で表されるMn及びSb又はAsを基礎とする化合物;
から選択される。
(MnxFe1−x)2+z P1-ySiy
上記式において、
0.20≦x≦0.40
0.4≦y≦0.8
−0.1≦z≦0.1
又は
0.55≦x<1
0.4≦y≦0.8
−0.1≦z≦0.1
を有する。
一般式(VIII)〜(XI)で表されるMn及びSb又はAsを基礎とする化合物は、x=0.05〜0.3、Z=Cr、Cu、Ge、Coの規定を有することが好ましい。
本発明の磁気熱量カスケードに使用される異なる磁気熱量材料を製造するための好ましい方法は、
(a)後の磁気熱量材料に化学量論的に存在する元素及び/又は合金(それは固体又は液体の相の磁気熱量材料に対応する)を反応させ、固体又は液体組成物を得る工程、
(b)工程(a)で得られた組成物が液相の場合、工程(a)で得られた組成物を固相に転送する工程、
(c)任意に、工程(a)又は(b)で得られた固体組成物を成形する工程、
(d)前述の工程のいずれかで得られた固体組成物を焼結及び/又は熱処理して、熱処理組成物を得る工程、及び
(e)工程(d)で得た熱処理組成物を急速冷却する工程
を含む。
異なるキュリー温度を有し、異なる材料品質を示す5種の異なる磁気熱量材料からなる磁気熱量カスケードのシミュレーションを計算した。磁気熱量材料の材料品質は、この場合、材料のdTad,maxの大きさにより表されると考えられる。材料の磁気熱量品質は、下記の区分:4:最良、3:普通、2:最悪で順位付けした。区分4(最良)の材料は、区分3のdTad,maxより約30%大きいdTad,maxを有し、区分3の材料は、区分2のdTad,maxより約30%大きいdTad,maxを有する。5種の材料のそれぞれの質量は同じである。表1に示された5種の磁気熱量材料の5つの異なる配列を用いて計算を行った。左側は、磁気熱量カスケードの低温側に対応し、右側は高温側に対応する、例えば発明実施例1eの配列では、2つの品質4が磁気熱量カスケードの高温側に配置されている。
シミュレーションは、30℃から−12℃で等間隔されたキュリー温度を有する磁気熱量材料を15層用いて行った。層間のキュリー温度間隔は3Kであった。シミュレーションにおいて、13の磁気熱量層は実施例1で記載した区分3(普通)の性質を示した。2つの磁気熱量層は区分4(最良)の性質を示した。シミュレーションは、これらの2つの層が、(a)カスケードの低温側、(b)カスケードの高温側及び(c)カスケードの中間に位置するようにして行った。
シミュレーションは、実施例2に記載したように、キュリー温度を有する異なる磁気熱量材料を15層含む磁気熱量カスケードについて実施した。この場合、全ての層は同じ磁気熱量品質を示している。層の質量をファクターr>1により重み付けし、その際、全ての層の各層は、低温側(ここには最低のキュリー温度を有する材料が置かれている)から始まって高温側(ここには最低のキュリー温度を有する材料が置かれている)に進むが、その際前の層よりr倍大きい;即ち、高温キュリー温度を有する材料は最大量で存在している。サイクル特性は実施例1で使用されたものと同じである。結果を図4に示す。図4では、冷却力は温度幅の関数として描かれている。より高い冷却力は、磁気熱量カスケードの高温側に向かって同じ磁気熱量品質の材料の質量を重くすることにより得ることができる。
2つの磁気熱量カスケードは、異なるキュリー温度を有する5つの異なる磁気熱量材料を含んで組み立てられた。磁気熱量材料は全てMnFePAsのファミリーの材料(メンバー)であり、MnFePAsのファミリーは、異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料が得られるようにWO2003/012801 A14に記載された元素の量を変更した。使用された磁気熱量材料は、類似の磁気熱量品質、即ち類似のdTad,max、を示す。結果において、異なる層性能Lpは、磁気熱量カスケードに存在するそれぞれの磁気熱量材料を異なる質量にすることにより生ずる。
Claims (16)
- 異なるキュリー温度を有する少なくとも3つの異なる磁気熱量材料を含む磁気熱量カスケードであり、
異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料は、キュリー温度が低下するように連続して配置されており、
異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料のいずれも、最高のキュリー温度を有する磁気熱量材料より高い層性能Lpを持たず、
異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料の少なくとも1つが、最高のキュリー温度を有する磁気熱量材料より低い層性能Lpを持ち、
特定の磁気熱量材料のLpは、下記式(I):
Lp = m * dTad,max
[但し、
dTad,maxは、特定の磁気熱量材料が磁気熱量サイクル中に低磁場から高磁場に磁化された時に、特定の磁気熱量材料が受ける最大の断熱温度変化であり、
mは、前記磁気熱量カスケードに含まれる特定の磁気熱量材料の質量である。]
に従い計算されることを特徴とする磁気熱量カスケード。 - 異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料のいずれも、最低のキュリー温度を有する磁気熱量材料より低い層性能Lpを持たない請求項1に記載の磁気熱量カスケード。
- 最高のキュリー温度を有する磁気熱量材料の層性能Lpは、異なるキュリー温度を有する他の磁気熱量材料のそれぞれの層性能Lpより2〜100%高い請求項1又は2に記載の磁気熱量カスケード。
- 異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料のそれぞれの層性能Lpが、より低いキュリー温度を有する隣接する磁気熱量材料の層性能Lpと同じ又は高い請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 磁気熱量材料のそれぞれの層性能Lpが、より低いキュリー温度を有する隣接する磁気熱量材料の層性能Lpより、2〜100%高い請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 異なるキュリー温度を有する異なる磁気熱量材料のそれぞれの質量が、より低いキュリー温度を有する隣接する磁気熱量材料の質量と同じ又はこれより大きい請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 異なるキュリー温度を有する隣接する2つの磁気熱量材料間のキュリー温度の差が、0.5〜6Kである請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 当該磁気熱量カスケードが、異なるキュリー温度を有する3〜100の異なる磁気熱量材料を有する請求項1〜7のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 異なるキュリー温度を有する隣接する2つの磁気熱量材料が、0.01〜1mmの分離間隔を有する請求項1〜8のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 磁気熱量材料が、中間の熱及び/又は電気絶縁体により相互に隔離されている請求項1〜9のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 磁気熱量材料及び必要により熱及び/又は電気絶縁体により層配列が形成され、磁気熱量材料のそれぞれの層厚が0.1〜100mmである請求項1〜10のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。
- 磁気熱量材料が、
(1)一般式(I):
(AyB1−y)2+dCwDxEz (I)
[但し、
Aが、Mn又はCoを表し、
Bが、Fe、Cr又はNiを表し、
C、D及びEにおいて、C、D及びEの少なくとも2個が異なり、非消失濃度を有し、P、 B、Se、Ge、Ga、Si、Sn、N、As及びSbから選択され、且つC、D及びEの少なくとも1個がGe、As又はSiであり、
dが、−0.1〜0.1の範囲の数であり、
w、x、y、zが、0〜1の範囲の数であり、且つw+x+y=1を満たす。]
で表される化合物;
(2)一般式(II)及び/又は(III)及び/又は(IV):
La(FexAl1−x)13Hy又はLa(FexSi1−x)13Hy (II)
[但し、
xが、0.7〜0.95の数であり、
yが、0〜3の数、好ましくは0〜2の数である。]、
La(FexAlyCoz)13 又はLa(FexSiyCoz)13 (III)
[但し、
xが、0.7〜0.95の数であり、
yが、0.05〜1−xの数であり、
zが、0.005〜0.5の数である。]、及び
LaMnxFe2−xGe (IV)
[但し、
xが、1.7〜1.95の数である。]
で表されるLa及びFeを基礎とする化合物;
(3)MnTtTpタイプ[但し、Ttは遷移金属であり、Tpは7〜8.5の範囲の原子当たり電子計数(e/a)を有するp−ドープ金属である。]のホイスラー合金;
(4)一般式(V):
Gd5(SixGe1−x)4 (V)
[但し、
xが、0.2〜1の数である。];
で表されるGd及びSiを基礎とする化合物;
(5)Fe2Pを基礎とする化合物;
(6)ペロブスカイトタイプの亜マンガン酸塩;
(7)希土類元素を含み、且つ一般式(VI)及び(VII):
Tb5(Si4−xGex) (VI)
[但し、
xが、0、1、2、3、又は4である。]、及び
XTiGe (VII)
[但し、
Xが、Dy、Ho、Tmである。]
で表される化合物;
及び
(8)一般式(VIII)、(IX)、(X)及び(XI):
Mn2−xZxSb (VIII) 及び
Mn2ZxSb1−x (IX)
[但し、
Zが、Cr、Cu、Zn、Co、V、As、Geであり、
xが、0.01〜0.5である。]、
Mn2−xZxAs (X)及び
Mn2ZxAs1−x (XI)
[但し、
Zが、Cr、Cu、Zn、Co、V、Sb、Geであり、
xが、0.01〜0.5である。]、
で表されるMn及びSb又はAsを基礎とする化合物;
から選択される請求項1〜11のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケード。 - 磁気熱量材料が、一般式(I)で表され、且つMn、Fe、P及び任意にSbを含み、加えて、Ge又はSi又はAs、又はGeとSiの両方、又はGeとAsの両方、又はSiとAsの両方、又はGe、Si及びAsのそれぞれを含む少なくとも第4級の化合物から選択される請求項12に記載の磁気熱量カスケード。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケードを製造する方法であって、特定の磁気熱量材料の粉末を成形して磁気熱量材料を形成する工程、及び次いで、磁気熱量材料を圧縮して磁気熱量カスケードを形成する工程を含むことを特徴とする方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケードを、冷却装置、気候制御装置、及びヒートポンプで使用する方法。
- 請求項1〜13のいずれか1項に記載の磁気熱量カスケードを含む冷却装置、気候制御装置、及びヒートポンプ。
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