JP6274320B2 - 送信回路及び半導体集積回路 - Google Patents
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Description
Claims (10)
- ドライバ回路と、
バイアス回路とを有し、
前記ドライバ回路は、
出力インピーダンスを調整するための第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに接続され、差動出力のための出力極性を切り替える切り替え回路とを有し、
前記バイアス回路は、
前記第1のトランジスタに対応する第2のトランジスタを含む第1のレプリカ回路を有し、
前記第1のトランジスタの電流及び電圧特性が第1の出力インピーダンス値に対応するようなゲート電圧を生成し、前記ゲート電圧を前記第1のトランジスタのゲートに供給し、
前記第1のトランジスタは、
出力インピーダンスを調整するための第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタにカスコード接続され、ゲートに固定電圧が供給される第4のトランジスタとを含み、
前記第2のトランジスタは、
前記第3及び第4のトランジスタに対応する第5及び第6のトランジスタを含み、
前記バイアス回路は、
前記第3及び第4のトランジスタの電流及び電圧特性が前記第1の出力インピーダンス値に対応するようなゲート電圧を生成し、前記ゲート電圧を前記第3のトランジスタのゲートに供給することを特徴とする送信回路。 - 前記バイアス回路は、
前記第3及び第4のトランジスタに対応する第7及び第8のトランジスタを含む第2のレプリカ回路を有し、
前記第5のトランジスタには第1の電流が流れ、
前記第1の電流及び第2の電流が加算された電流が前記第7のトランジスタに流れ、
前記バイアス回路は、
前記第2の電流が流れる第1の抵抗と、
前記第5のトランジスタのドレイン電圧に前記第1の抵抗の電圧を加算した電圧と、前記第7のトランジスタのドレイン電圧とを入力し、前記第3、第5及び第7のトランジスタのゲートに電圧を出力する第1のオペアンプを有することを特徴とする請求項1記載の送信回路。 - 前記第3及び第4のトランジスタのカスコード接続は、前記切り替え回路及びグランド電位ノード間に接続され、
前記ドライバ回路は、
前記切り替え回路及び電源電位ノード間に接続される第9のトランジスタと、
前記第9のトランジスタに並列に接続される第2の抵抗とを有することを特徴とする請求項1記載の送信回路。 - 前記第1のレプリカ回路は、
前記第9のトランジスタに対応する第10のトランジスタと、
前記第2の抵抗に対応する第3の抵抗とを有し、
前記ドライバ回路は、前記第5のトランジスタのドレイン電圧及び基準電圧を入力し、前記第9及び第10のトランジスタのゲートに電圧を出力する第2のオペアンプを有することを特徴とする請求項3記載の送信回路。 - 前記第3及び第4のトランジスタのカスコード接続は、前記切り替え回路及びグランド電位ノード間に接続され、
前記ドライバ回路は、
前記切り替え回路及び電源電位ノード間に接続される第9のトランジスタと、
前記第9のトランジスタに並列に接続される第2の抵抗とを有し、
前記第1のレプリカ回路は、
前記第9のトランジスタに対応する第10のトランジスタと、
前記第2の抵抗に対応する第3の抵抗とを有し、
前記第2のレプリカ回路は、
前記第9のトランジスタに対応する第11のトランジスタと、
前記第2の抵抗に対応する第4の抵抗とを有し、
前記ドライバ回路は、前記第5のトランジスタのドレイン電圧及び基準電圧を入力し、前記第9、第10及び第11のトランジスタのゲートに電圧を出力する第2のオペアンプを有することを特徴とする請求項2記載の送信回路。 - 前記第1のレプリカ回路は、前記第5及び第10のトランジスタ間に接続され、受信回路の入力終端抵抗に対応する第5の抵抗を有することを特徴とする請求項4記載の送信回路。
- 前記第1のレプリカ回路は、前記第5及び第10のトランジスタ間に接続され、受信回路の入力終端抵抗に対応する第5の抵抗を有し、
前記第2のレプリカ回路は、前記第7及び第11のトランジスタ間に接続され、受信回路の入力終端抵抗に対応する第6の抵抗を有することを特徴とする請求項5記載の送信回路。 - 内部回路と、
前記内部回路からデータを受けとる送信回路を有し、
前記送信回路は、
ドライバ回路と、
バイアス回路とを有し、
前記ドライバ回路は、
出力インピーダンスを調整するための第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに接続され、差動出力のための出力極性を切り替える切り替え回路とを有し、
前記バイアス回路は、
前記第1のトランジスタに対応する第2のトランジスタを含む第1のレプリカ回路を有し、
前記第1のトランジスタの電流及び電圧特性が第1の出力インピーダンス値に対応するようなゲート電圧を生成し、前記ゲート電圧を前記第1のトランジスタのゲートに供給し、
前記第1のトランジスタは、
出力インピーダンスを調整するための第3のトランジスタと、
前記第3のトランジスタにカスコード接続され、ゲートに固定電圧が供給される第4のトランジスタとを含み、
前記第2のトランジスタは、
前記第3及び第4のトランジスタに対応する第5及び第6のトランジスタを含み、
前記バイアス回路は、
前記第3及び第4のトランジスタの電流及び電圧特性が前記第1の出力インピーダンス値に対応するようなゲート電圧を生成し、前記ゲート電圧を前記第3のトランジスタのゲートに供給することを特徴とする半導体集積回路。 - ドライバ回路と、
バイアス回路とを有し、
前記ドライバ回路は、
出力インピーダンスを調整するための第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに接続され、差動出力のための出力極性を切り替える切り替え回路とを有し、
前記バイアス回路は、
前記第1のトランジスタに対応する第2のトランジスタを含む第1のレプリカ回路と、
前記第1のトランジスタに対応する第3のトランジスタを含む第2のレプリカ回路とを有し、
前記第2のトランジスタには第1の電流が流れ、
前記第1の電流及び第2の電流が加算された電流が前記第3のトランジスタに流れ、
前記バイアス回路は、
前記第2の電流が流れる第1の抵抗と、
前記第2のトランジスタのドレイン電圧に前記第1の抵抗の電圧を加算した電圧と、前記第3のトランジスタのドレイン電圧とを入力し、前記第1、第2及び第3のトランジスタのゲートに電圧を出力する第1のオペアンプとを有することを特徴とする送信回路。 - 内部回路と、
前記内部回路からデータを受けとる送信回路を有し、
前記送信回路は、
ドライバ回路と、
バイアス回路とを有し、
前記ドライバ回路は、
出力インピーダンスを調整するための第1のトランジスタと、
前記第1のトランジスタに接続され、差動出力のための出力極性を切り替える切り替え回路とを有し、
前記バイアス回路は、
前記第1のトランジスタに対応する第2のトランジスタを含む第1のレプリカ回路と、
前記第1のトランジスタに対応する第3のトランジスタを含む第2のレプリカ回路とを有し、
前記第2のトランジスタには第1の電流が流れ、
前記第1の電流及び第2の電流が加算された電流が前記第3のトランジスタに流れ、
前記バイアス回路は、
前記第2の電流が流れる第1の抵抗と、
前記第2のトランジスタのドレイン電圧に前記第1の抵抗の電圧を加算した電圧と、前記第3のトランジスタのドレイン電圧とを入力し、前記第1、第2及び第3のトランジスタのゲートに電圧を出力する第1のオペアンプとを有することを特徴とする半導体集積回路。
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