JP6273606B2 - 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 - Google Patents
固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6273606B2 JP6273606B2 JP2014016633A JP2014016633A JP6273606B2 JP 6273606 B2 JP6273606 B2 JP 6273606B2 JP 2014016633 A JP2014016633 A JP 2014016633A JP 2014016633 A JP2014016633 A JP 2014016633A JP 6273606 B2 JP6273606 B2 JP 6273606B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- thin film
- gate insulating
- film transistor
- ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、ゲート絶縁層が、1層の共有結合性酸化物膜と、共有結合性酸化物膜に接する1層のイオン結合性酸化物層とからなる2層構造を含み、前記共有結合性酸化物膜が前記ゲート絶縁層の前記半導体層の側にあることができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、ゲート絶縁層が、第1および第2の共有結合性酸化物膜と、第1および第2の共有結合性酸化物膜の間にあって、第1および第2の共有結合性酸化物膜の少なくとも一つと接している1層のイオン結合性酸化物層とを含む3層構造を含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、ゲート絶縁層が、共有結合性酸化物膜と、共有結合性酸化物膜の中に分布したイオン結合性酸化物とを含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、半導体層がIn−Si−Oを含む酸化物からなることができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、共有結合性酸化物膜がSiO2を含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、共有結合性酸化物膜とイオン結合性酸化物との界面に正の固定電荷を有することができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、共有結合性酸化物膜とイオン結合性酸化物との界面に負の固定電荷を有することができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物がAl2O3を含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物が(Ta/Nb)Oxを含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、固定電荷の面電荷密度の絶対値が1012cm−2以上であることができる。
さらに、本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタは、インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、および錫(Sn)からなる群から選択された少なくとも一つの金属の酸化物と、ジルコニウム(Zr)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd)、それ以外の希土類元素、アルミニウム(Al)、ボロン(B)、および炭素(C)からなる群から選択された少なくとも一つの元素の酸化物とを含む、半導体層を有する薄膜トランジスタの、前記半導体層と、ゲート電極との間のゲート絶縁層の作製方法であって、共有結合性酸化物膜を成膜する工程と、イオン結合性酸化物を堆積する工程と、を含む、ゲート絶縁層の作製方法によって、作製することができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物が層を形成することができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、共有結合性酸化物膜を成膜する工程が第1の共有結合性酸化物膜を成膜する工程であって、第1の共有結合性酸化物膜を成膜する工程の後に、イオン結合性酸化物を堆積する工程を実行し、さらに、イオン結合性酸化物を堆積する工程の後に、第2の共有結合性酸化物膜を成膜する工程を含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物がAl2O3を含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物を堆積する工程がトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)とプラズマ酸素ガスとを原料として用いたプラズマALD(atomic layer deposition)法によることができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物を堆積する工程がトリメチルアルミニウム(Al(CH3)3)の原料とH2O酸化ガスを用いた熱ALD法によることができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物が(Ta/Nb)2O5を含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物を堆積する工程がTa(NtAm)(NMe2)3とNb(NtAm)(NMe2)3を1対1で混合した原料とH2O酸化ガスを用いた熱ALD法によることができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、イオン結合性酸化物を堆積する工程が成膜温度を制御して行われることができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、成膜温度が200℃以上300℃以下であることができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、共有結合性酸化物膜がSiO2を含むことができる。
本願発明の一態様に係る薄膜トランジスタにおいては、共有結合性酸化物膜を成膜する工程がテトラメトキシシラン(Si(OCH3)4)を原料とし、プラズマ酸素ガスを反応ガスに用いたプラズマCVD(chemical vapor deposition)法によることができる。
本発明の一態様に係る半導体装置は、基板と、基板上に設けられた上記の薄膜トランジスタを有する。
以下、図1を参照しながら、本願発明の第1の実施形態に係る薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の寸法や比率などは、実際の製品とは適宜異ならせて示している。
基板20としては、公知の形成材料で形成されたものを用いることができ、光透過性を有するもの及び光透過性を有しないもののいずれも用いることができる。例えば、ケイ酸アルカリ系ガラス、石英ガラス、窒化ケイ素などを形成材料とする無機基板;シリコン基板;表面が絶縁処理された金属基板;アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、PET(ポリエチレンテレフタレート)やPBT(ポリブチレンテレフタレート)などのポリエステル樹脂などを形成材料とする樹脂基板;紙性の基板などの種々のものを用いることができる。また、これらの材料を複数組み合わせた複合材料を形成材料とする基板であっても構わない。
次に、本実施形態の薄膜トランジスタ15の製造方法、特に、本実施形態の薄膜トランジスタのゲート絶縁層40の製造方法について説明する。
以下に本実施形態を実施例により説明するが、本実施形態はこれらの実施例に限定されるものではない。
(スパッタリング条件)
DC power :100W
真空度 :0.2Pa
プロセスガス流量 :Ar 20sccm/O2 2sccm
(sccm:Standard Cubic Centimeter per Minute)
基板温度 :25℃(熱電対で測定)。加熱なし
図7は、本願発明の第2の実施形態に係る薄膜トランジスタ102の構成を示す概略断面図である。本実施形態では、ゲート絶縁層が、イオン結合性酸化物層140を2層の共有結合性酸化物膜145、148で挟み込む、3層構造としている。このようにゲート絶縁層の構成が異なる点以外は、第1の実施形態と同様である。
図8は、本願発明の第3の実施形態に係る薄膜トランジスタ104の構成を示す概略断面図である。本実施形態では、上記の第2の実施形態において、イオン結合性酸化膜結晶層140が十分に成長しておらず、層を形成することなく、島状のイオン結合性金属酸化物結晶142が共有結合性酸化膜層145の内部に挿入されている状態に該当する。この場合でも、共有結合性酸化膜層とイオン結合性金属酸化膜結晶との界面が存在するため、実施例2の場合と同様に、ゲート酸化膜中に固定電荷を誘起することができる。
15、100 薄膜トランジスタ
20 基板
30 ゲート電極
40 ゲート絶縁層
41 第1の絶縁体層
42 第2の絶縁体層
50、150 半導体層
60、160 ソース電極
70、170 ドレイン電極
80 層間絶縁膜
130 Si基板
140 イオン結合性酸化物層
142 イオン結合性酸化物
145、148 共有結合性酸化物膜
Claims (16)
- ゲート電極と、
前記ゲート電極上のゲート絶縁層であって、
共有結合性酸化物膜と、
イオン結合性酸化物と
を含む、ゲート絶縁層と、
前記ゲート絶縁層上の半導体層であって、
インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、および錫(Sn)からなる群から選択された少なくとも一つの金属の酸化物と、
ジルコニウム(Zr)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd)、それ以外の希土類元素、アルミニウム(Al)、ボロン(B)、および炭素(C)からなる群から選択された少なくとも一つの元素の酸化物と
を含む、半導体層と、
前記半導体層に接して設けられたソース電極およびドレイン電極と、
を含む、薄膜トランジスタであって、
前記共有結合性酸化物膜がSiO2を含み、
前記イオン結合性酸化物が(Ta/Nb)Oxを含む、薄膜トランジスタ。 - 前記ゲート絶縁層が、1層の共有結合性酸化物膜と、前記共有結合性酸化物膜に接する1層のイオン結合性酸化物層とからなる2層構造を含み、前記共有結合性酸化物膜が前記ゲート絶縁層の前記半導体層の側にある、請求項1に記載された薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁層が、第1および第2の共有結合性酸化物膜と、前記第1および第2の共有結合性酸化物膜の間にあって、前記第1および第2の共有結合性酸化物膜の少なくとも一つと接している1層のイオン結合性酸化物層とを含む3層構造を含む、請求項1に記載された薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁層が、共有結合性酸化物膜と、前記共有結合性酸化物膜の中に分布したイオン結合性酸化物とを含む、請求項1に記載された薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層がIn−Si−Oを含む酸化物からなる、請求項1から4のいずれか1項に記載された薄膜トランジスタ。
- 前記共有結合性酸化物膜と前記イオン結合性酸化物との界面に正の固定電荷を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載された薄膜トランジスタ。
- 前記共有結合性酸化物膜と前記イオン結合性酸化物との界面に負の固定電荷を有する、請求項1から5のいずれか1項に記載された薄膜トランジスタ。
- 前記固定電荷の面電荷密度の絶対値が1012cm−2以上である、請求項6、または7のいずれか1項に記載された薄膜トランジスタ。
- インジウム(In)、ガリウム(Ga)、亜鉛(Zn)、および錫(Sn)からなる群から選択された少なくとも一つの金属の酸化物と、ジルコニウム(Zr)、ケイ素(Si)、チタン(Ti)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、ハフニウム(Hf)、スカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)、ランタン(La)、プラセオジム(Pr)、ネオジム(Nd)、ガドリニウム(Gd)、それ以外の希土類元素、アルミニウム(Al)、ボロン(B)、および炭素(C)からなる群から選択された少なくとも一つの元素の酸化物とを含む、半導体層を有する薄膜トランジスタの、前記半導体層と、ゲート電極との間のゲート絶縁層の作製方法であって、
共有結合性酸化物膜を成膜する工程と、
イオン結合性酸化物を堆積する工程と、
を含む、ゲート絶縁層の作製方法であって、
前記共有結合性酸化物膜がSiO2を含み、
前記イオン結合性酸化物が(Ta/Nb)2O5を含む、ゲート絶縁層の作製方法。 - 前記イオン結合性酸化物が層を形成する、請求項9に記載されたゲート絶縁層の作製方法。
- 前記共有結合性酸化物膜を成膜する工程が第1の共有結合性酸化物膜を成膜する工程であって、前記第1の共有結合性酸化物膜を成膜する工程の後に、前記イオン結合性酸化物を堆積する工程を実行し、
さらに、前記イオン結合性酸化物を堆積する工程の後に、第2の共有結合性酸化物膜を成膜する工程を含む、
請求項9または10に記載されたゲート絶縁層の作製方法。 - 前記イオン結合性酸化物を堆積する工程がTa(NtAm)(NMe2)3とNb(NtAm)(NMe2)3を1対1で混合した原料とH2O酸化ガスを用いた熱ALD法による、請求項9から11のいずれか1項に記載されたゲート絶縁層の作製方法。
- 前記イオン結合性酸化物を堆積する工程が成膜温度を制御して行われる、請求項12に記載されたゲート絶縁層の作製方法。
- 前記成膜温度が200℃以上300℃以下である、請求項13に記載されたゲート絶縁層の作製方法。
- 前記共有結合性酸化物膜を成膜する工程がテトラメトキシシラン(Si(OCH3)4)を原料とし、プラズマ酸素ガスを反応ガスに用いたプラズマCVD(chemical vapor deposition)法による、請求項9から14のいずれか1項に記載されたゲート絶縁層の作製方法。
- 基板と、
前記基板上に設けられた請求項1から8のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタに記載の薄膜トランジスタと、
を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014016633A JP6273606B2 (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014016633A JP6273606B2 (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015144174A JP2015144174A (ja) | 2015-08-06 |
JP6273606B2 true JP6273606B2 (ja) | 2018-02-07 |
Family
ID=53889078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014016633A Active JP6273606B2 (ja) | 2014-01-31 | 2014-01-31 | 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6273606B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7382608B1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-11-17 | 国立大学法人東京農工大学 | 固定電荷発現方法、薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3963078B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2007-08-22 | 株式会社高純度化学研究所 | ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)タンタルとその製造方法及びそれを用いたmocvd用原料溶液並びにそれを用いた窒化タンタル膜の形成方法 |
JP4326005B2 (ja) * | 2004-11-08 | 2009-09-02 | 株式会社高純度化学研究所 | ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブとその製造方法及びそれを用いたald用原料溶液並びにそれを用いた窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜の形成方法。 |
JP5393058B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2014-01-22 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ |
JP2011222767A (ja) * | 2010-04-09 | 2011-11-04 | Sony Corp | 薄膜トランジスタならびに表示装置および電子機器 |
US8541266B2 (en) * | 2011-04-01 | 2013-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
-
2014
- 2014-01-31 JP JP2014016633A patent/JP6273606B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015144174A (ja) | 2015-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6296463B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP6974401B2 (ja) | 半導体装置 | |
TWI575663B (zh) | 半導體裝置 | |
TWI589000B (zh) | 半導體裝置 | |
TWI570925B (zh) | 半導體裝置以及半導體裝置的製造方法 | |
US9378981B2 (en) | Thin film device and manufacturing method thereof | |
KR101552975B1 (ko) | 산화물 반도체 및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 | |
US20150111340A1 (en) | Method for forming wiring, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device | |
JP2010040552A (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP2007281486A (ja) | ZnO薄膜トランジスタ | |
US20120025187A1 (en) | Transistors, methods of manufacturing transistors, and electronic devices including transistors | |
JP2023133618A (ja) | 半導体装置 | |
US10461192B2 (en) | Metal oxide protection structure of a semiconductor device | |
JP6273606B2 (ja) | 固定電荷を内部に誘起したゲート絶縁膜 | |
JP6308583B2 (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 | |
CN108878512B (zh) | 一种金属氧化物叠层场效应材料及其应用 | |
WO2015115330A1 (ja) | 薄膜トランジスタ、酸化物半導体、およびその製造方法 | |
JP6260992B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP6252903B2 (ja) | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
JP6327548B2 (ja) | 薄膜トランジスタ及びその製造方法 | |
JP6241848B2 (ja) | 薄膜トランジスタの構造、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 | |
JP6252904B2 (ja) | 酸化物半導体およびその製法 | |
JP2014175360A (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP6261125B2 (ja) | 酸化物薄膜トランジスタおよびその製造方法 | |
KR20130029272A (ko) | 박막 트랜지스터 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161020 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170725 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170829 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171024 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171208 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171220 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171221 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6273606 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |