JP4326005B2 - ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブとその製造方法及びそれを用いたald用原料溶液並びにそれを用いた窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜の形成方法。 - Google Patents
ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブとその製造方法及びそれを用いたald用原料溶液並びにそれを用いた窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜の形成方法。 Download PDFInfo
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これらの薄膜の成膜方法としてはスパッタリング法や塗布法、MOCVD法が挙げられるが、加工寸法が微細になるにつれ薄膜化が要求されており、これらの方法はさらなる薄膜化に応えられるものではない。
ALD法用の原料として特に求められることは、蒸気圧が高く、酸素供給源や窒素供給源と反応しやすいことが挙げられる。
非特許文献1では、Nb(OC2H5)5ならびにNb(OC2H5)5の類似化合物であるペンタエトキシタンタルTa(OC2H5)5および水を用い、ALD法にて酸化ニオブ膜と酸化タンタル膜を形成している。しかしNb(OC2H5)5ならびにTa(OC2H5)5は、ともに熱により自己反応が起こり、連鎖的に膜が堆積されることが明らかになっており、制御性に問題がある。
K.Kukli,M.Ritala,M.Leskel▲a▼,Chem.Mater.,2000,12,1914
Hsin−Tien Chiu,Jyh−Cherng Lin,Shiow−Huey Chuang,Gene−Hsiang Lee and Shie−Ming Peng,Journal of the Chinese Chemical Society,1998,45,355
そのため、ALD法において容易に蒸気を供給することができる。本化合物は再結晶と蒸留により容易に高純度化できるので、半導体装置用ALD原料として好ましい。また本化合物は融点が47℃なので、わずかな加熱により液体化できるので、液体マスフローコントローラーにより定量安定供給ができる。
このNb(NtAm)(NMe2)3と水によるALD法により、良質な酸化ニオブ膜あるいは窒化ニオブ膜を形成することができる。
反応溶媒としては、ヘキサンの他、ペプタン、オクタン、トルエン、ジエチルエーテルなどが使える。
使用する五塩化ニオブは、市販されている高純度のものを用いると最終生成物の金属元素不純物を少なくできる。当然のことながらその粒度により、反応速度、反応温度上昇に影響するので、添加速度を制御する。
(1)組成分析
湿式分解し、生成した液のICP発光分光分析の結果
Nb分析値 28.6wt% (理論値 29.9wt%)
CHN分析の結果
C 41.9wt% (理論値 42.6wt%)
H 9.2wt% (理論値 9.4wt%)
N 17.4wt% (理論値 18.1wt%)
ICP発光分光分析の結果(単位ppm)
Al<1、Ca<1、Fe<1、Mg<1、Ti<1、Li<1
であり高純度であった。
またCl分析の結果、Clは1ppmであった。
測定条件
装置;JEOL AX505W、イオン化法;EI、イオン源温度;230℃
イオン化エネルギー;70eV
測定結果を図1に示した。
主なm/zと強度(%)とそのイオン種を以下に列挙した。
m/z=
310(51%)Nb[NC(CH3)2C2H5][N(CH3)2]3分子イオン
295(21%)Nb[NC(CH3)C2H5][N(CH3)2]3
281(100%)Nb[NC(CH3)2][N(CH3)2]3
44(26%)N(CH3)2
測定条件
装置;JNM−ECA400(400MHz)、溶媒;C6D6、方法;1D
測定結果を図2に示した。
δH(ppm)と(帰属)を以下に列挙する。
3.14 s (18H,N(CH 3)2)
2.20 d (6.5H,不明)
1.54 q (2.3H,CH3CH 2C(CH3)2N)
1.31 s (7.6H,CH3CH2C(CH 3)2N)
1.11 t (3.4H,CH 3CH2C(CH3)2N)
蒸留のデータから、1Torr/100℃であった。
(6)性状と融点
淡黄色の結晶で、その融点は47℃であった。
測定条件
試料重量;22.8mg、雰囲気;Ar 1気圧、
昇温速度;10.0deg/min
測定結果を図3に示した。
Nb(NtAm)(NMe2)3にヘキサンを10wt%添加した組成物は、20℃で完全に溶液となり析出物がなかった。トルエンでも同様であった。
Nb(NtAm)(NMe2)3の供給方法としては、
(1)50〜120℃にソース温度を保ち、発生する蒸気の自圧でベーパーソースマスフローコントローラーにより供給する
(2)融点の47℃以上、好ましくは50℃以上にソース温度を保ち、液体とし、キャリアーガスをバブリングすることによりNb(NtAm)(NMe2)3を気化させる
(3)ソース温度を50℃以上に加熱し、液体として60℃程度に加熱された液体マスフローメーターで供給し、気化器で全量気化させる
(4)Nb(NtAm)(NMe2)3に10wt%以上の有機溶媒を添加し、室温で溶液として液体マスフローコントローラーあるいは液体マスフローメーターで供給し、気化器で全量気化させる
等がある。
Nb(NtAm)(NMe2)3は液体状態では約5cpの粘度であり、バブリングやマスフローコントローラー、マスフローメーターで使える。
また(4)の有機溶媒としては、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、シクロヘキサン等、CVD原料溶媒として通常使用されているものが使用できる。
温度計、攪拌子を備えた500mL三口フラスコを真空置換後、アルゴン雰囲気下とし、作りたてのLiNMe2ヘキサン懸濁液150mL(LiNMe2として20.4g,0.40mol)と作りたてのLiNHtAmヘキサン懸濁液50mL(LiNHtAmとして9.3g,0.10mol)を仕込み、1時間よく攪拌した。フラスコを水冷しながら粉末状の高純度NbCl5(27.0g,0.10mol)を反応液温が20〜35℃になるように徐々に加えた。その後、室温にて48時間攪拌すると、沈降性のよいスラリーとなった。次いで副生したLiCl粒子を濾過分離すると、黄色透明液体が得られた。この液をオイルバス温度30℃で減圧にしてヘキサン溶媒や副生アミン類を留去すると、オレンジ色の粘性液体となった。この液体を110℃付近で1Torrで蒸留し、黄紅茶色の透明液体22.3gを得た。この液体をヘキサン30mLに溶解し、−30℃で再結晶した。得られた淡黄色結晶を1Torr下で蒸留し、留出温度100℃付近で黄紅茶色の液体主留分18.0gを得た。この液は室温で暗黄色の結晶に固化した。同定の結果は前述したようにNb(NtAm)(NMe2)3であり(0.058mol)、収率はNbCl5に対して58%であった。
実施例1で得たNb(NtAm)(NMe2)3を入れたシリンダーを80℃に加熱し、露点−110℃のキャリアーガスでバブリングして得たNb(NtAm)(NMe2)3の蒸気と水、露点−110℃のパージガスを交互にALD室に導入した。基板温度350℃にて約20nmの膜を形成した。この膜は膜中の不純物が少ない良質の酸化ニオブ膜であった。
実施例1で得たNb(NtAm)(NMe2)3を入れたシリンダーを80℃に加熱し、露点−110℃のキャリアーガスでバブリングして得たNb(NtAm)(NMe2)3の蒸気とアンモニアガス、露点−110℃のパージガスを交互にALD室に導入した。基板温度300℃にて約20nmの膜を形成した。この膜は膜中の不純物が少ない良質の窒化ニオブ膜であった。
Claims (4)
- ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブ。
- 五塩化ニオブ1モルとリチウムジメチルアミド4モル、リチウムターシャリーアミルアミド1モルを有機溶媒中で反応させ、次いで副生塩化リチウムを濾過分離し、溶媒を留去し、次いで真空下で蒸留することよりなるターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブの製造方法。
- ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブに10wt%以上の有機溶媒を添加してなることを特徴とするALD用原料溶液。
- ターシャリーアミルイミドトリス(ジメチルアミド)ニオブを原料として用いることを特徴とするALD法による窒化ニオブ膜もしくは酸化ニオブ膜の形成方法。
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