JPH0940683A - 高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物 - Google Patents
高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物Info
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- JPH0940683A JPH0940683A JP19487595A JP19487595A JPH0940683A JP H0940683 A JPH0940683 A JP H0940683A JP 19487595 A JP19487595 A JP 19487595A JP 19487595 A JP19487595 A JP 19487595A JP H0940683 A JPH0940683 A JP H0940683A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 熱分解温度が高く、高純度なＴｉ錯体を提供
する。 【解決手段】 ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 ：Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 の有機溶媒溶液にＨＤ
ＰＭを加えて加熱還流してｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶を得る。この高純度Ｔｉ錯体と
Ｂａ（ＤＰＭ）2 及び／又はＳｒ（ＤＰＭ）2 とを有機
溶媒に溶解したＢＳＴ膜形成用液体組成物。 【化４】 【効果】 ＣＶＤ法により、段差被覆性が良好で、高純
度で電気特性に優れたＴｉＯ膜を成膜できる。溶液供給
法により、所望の膜組成のＢＳＴ膜を成膜できる。
する。 【解決手段】 ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 ：Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 の有機溶媒溶液にＨＤ
ＰＭを加えて加熱還流してｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶を得る。この高純度Ｔｉ錯体と
Ｂａ（ＤＰＭ）2 及び／又はＳｒ（ＤＰＭ）2 とを有機
溶媒に溶解したＢＳＴ膜形成用液体組成物。 【化４】 【効果】 ＣＶＤ法により、段差被覆性が良好で、高純
度で電気特性に優れたＴｉＯ膜を成膜できる。溶液供給
法により、所望の膜組成のＢＳＴ膜を成膜できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体膜、半導体
膜、光学薄膜、表面強化膜、薄膜触媒等として有用なＴ
ｉを含む金属酸化物薄膜を、化学気相析出法（ＣＶＤ
法）にて形成するための原料として好適な高純度Ｔｉ錯
体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物に
関する。
膜、光学薄膜、表面強化膜、薄膜触媒等として有用なＴ
ｉを含む金属酸化物薄膜を、化学気相析出法（ＣＶＤ
法）にて形成するための原料として好適な高純度Ｔｉ錯
体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、チタン酸ストロンチウム、チタン
酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコ
ン酸鉛等のＴｉ含有誘電体薄膜形成用のＣＶＤ原料とし
て、各種金属アルコキシド化合物やＴｉＤＰＭ（本明細
書において、「ＤＰＭ」はジピバロイルメタン：（ＣＨ
3 ）3 −Ｃ−ＣＯ−ＣＨ2 −ＣＯ−Ｃ−（ＣＨ3 ）3 を
示す。）錯体が、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｒ等のアルコキシド化
合物やＤＰＭ錯体と共に用いられている。
酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）、チタン酸ジルコ
ン酸鉛等のＴｉ含有誘電体薄膜形成用のＣＶＤ原料とし
て、各種金属アルコキシド化合物やＴｉＤＰＭ（本明細
書において、「ＤＰＭ」はジピバロイルメタン：（ＣＨ
3 ）3 −Ｃ−ＣＯ−ＣＨ2 −ＣＯ−Ｃ−（ＣＨ3 ）3 を
示す。）錯体が、Ｂａ、Ｓｒ、Ｚｒ等のアルコキシド化
合物やＤＰＭ錯体と共に用いられている。
【０００３】これらのＣＶＤ原料のうち、ＴｉＤＰＭ錯
体については、特開平５−２７１２５３号公報に「高純
度チタン錯体及びその製造方法」として、Ｔｉ（Ｒ１）
2 （Ｒ２）2 （Ｒ１はアセチルアセトン、３，５−ヘプ
タンジオン、ジピバロイルメタン等のβ−ジケトン、Ｒ
２はメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ（以下「Ｏ−
ｉ−Ｐｒ」と記す。）、ノルマルプロポキシ、ノルマル
ブトキシ等のアルコキシ基）と、これを製造する方法が
開示されている。なお、この特開平５−２７１２５３号
公報に具体的な実施例として挙げられているＴｉＤＰＭ
錯体は、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 のみであ
る。
体については、特開平５−２７１２５３号公報に「高純
度チタン錯体及びその製造方法」として、Ｔｉ（Ｒ１）
2 （Ｒ２）2 （Ｒ１はアセチルアセトン、３，５−ヘプ
タンジオン、ジピバロイルメタン等のβ−ジケトン、Ｒ
２はメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ（以下「Ｏ−
ｉ−Ｐｒ」と記す。）、ノルマルプロポキシ、ノルマル
ブトキシ等のアルコキシ基）と、これを製造する方法が
開示されている。なお、この特開平５−２７１２５３号
公報に具体的な実施例として挙げられているＴｉＤＰＭ
錯体は、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 のみであ
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＣＶＤ法によるＢＳＴ
膜形成用原料として、Ｂａ（ＤＰＭ）2 ，Ｓｒ（ＤＰ
Ｍ）2 と共に、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 を
用いた場合、Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 の熱
分解温度３５０〜４１０℃に対して、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐ
ｒ）2 （ＤＰＭ）2 の熱分解温度が２７０℃（２５５〜
２９０℃）と低いために、成膜時に気相でのＴｉ（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 の分解反応が進み易く、気相
分解種の基板への吸着確率が増大する。このため、表面
に凹凸がある基板に対する成膜時の段差被覆性が悪化す
るという欠点がある。
膜形成用原料として、Ｂａ（ＤＰＭ）2 ，Ｓｒ（ＤＰ
Ｍ）2 と共に、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 を
用いた場合、Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 の熱
分解温度３５０〜４１０℃に対して、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐ
ｒ）2 （ＤＰＭ）2 の熱分解温度が２７０℃（２５５〜
２９０℃）と低いために、成膜時に気相でのＴｉ（Ｏ−
ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 の分解反応が進み易く、気相
分解種の基板への吸着確率が増大する。このため、表面
に凹凸がある基板に対する成膜時の段差被覆性が悪化す
るという欠点がある。
【０００５】アルコキシ基にノルマルブトキシ基（Ｏ−
ｎ−Ｂｕ）を導入したＴｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 も知られているが、この材料の熱分解温度は２８
０℃（２６０〜３１０℃）と多少の向上がみられている
だけで、熱ＣＶＤ法による凹凸基板上への成膜時の段差
被覆性の向上は見られていない。
ｎ−Ｂｕ）を導入したＴｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 も知られているが、この材料の熱分解温度は２８
０℃（２６０〜３１０℃）と多少の向上がみられている
だけで、熱ＣＶＤ法による凹凸基板上への成膜時の段差
被覆性の向上は見られていない。
【０００６】更に、熱安定性の良い材料としてＴｉＣｌ
2 （ＤＰＭ）2 （熱分解温度３３０℃（３２０〜３４０
℃））も知られているが、このものは、分子中に塩化物
イオン（Ｃｌ- ）を含んでいるために、ＢＳＴ膜形成用
原料として用いた場合、この塩素が不純物として膜中に
取り込まれてしまうという問題がある。
2 （ＤＰＭ）2 （熱分解温度３３０℃（３２０〜３４０
℃））も知られているが、このものは、分子中に塩化物
イオン（Ｃｌ- ）を含んでいるために、ＢＳＴ膜形成用
原料として用いた場合、この塩素が不純物として膜中に
取り込まれてしまうという問題がある。
【０００７】また、複合組成の金属酸化物膜の形成に当
り、ＣＶＤ原料の供給方法として、原料となる金属化合
物を有機溶媒に溶解した溶液を気化器に液体状態で供給
し、気化器で溶媒と共に加熱気化させ、ガスとしてＣＶ
Ｄ成膜室に供給する方法が知られているが、この方法に
おいて、従来のＴｉ化合物、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）
2（ＤＰＭ）2 、Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2
は、溶液中でＢａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 と反
応し易く、分子量の大きな錯体を形成することにより、
気化特性を劣化させる問題があった。また、この方法に
おいて、Ｔｉ化合物中に不純物としてＯＨ基が含まれて
いると、Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 がＯＨ基
に対して非常に反応活性が高いため、ＯＨ基と反応して
気化特性が低下し、気化器内部での残留物の増加、ガス
配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の増加を引
き起こす上に、膜の組成コントロールが困難となるとい
った問題が生じる。
り、ＣＶＤ原料の供給方法として、原料となる金属化合
物を有機溶媒に溶解した溶液を気化器に液体状態で供給
し、気化器で溶媒と共に加熱気化させ、ガスとしてＣＶ
Ｄ成膜室に供給する方法が知られているが、この方法に
おいて、従来のＴｉ化合物、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）
2（ＤＰＭ）2 、Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2
は、溶液中でＢａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 と反
応し易く、分子量の大きな錯体を形成することにより、
気化特性を劣化させる問題があった。また、この方法に
おいて、Ｔｉ化合物中に不純物としてＯＨ基が含まれて
いると、Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 がＯＨ基
に対して非常に反応活性が高いため、ＯＨ基と反応して
気化特性が低下し、気化器内部での残留物の増加、ガス
配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の増加を引
き起こす上に、膜の組成コントロールが困難となるとい
った問題が生じる。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決し、著し
く高純度であるため不純物による問題がなく、また、上
記錯体形成による気化特性劣化の問題もなく、しかも、
熱分解温度が高く、気相分解による段差被覆性の低下の
問題もない高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法、並びに、
この高純度Ｔｉ錯体を用いたＢＳＴ膜形成用液体組成物
を提供することを目的とする。
く高純度であるため不純物による問題がなく、また、上
記錯体形成による気化特性劣化の問題もなく、しかも、
熱分解温度が高く、気相分解による段差被覆性の低下の
問題もない高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法、並びに、
この高純度Ｔｉ錯体を用いたＢＳＴ膜形成用液体組成物
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の高純度Ｔｉ錯体
は、下記構造式（Ｉ）で表される高純度Ｔｉ錯体であ
る。
は、下記構造式（Ｉ）で表される高純度Ｔｉ錯体であ
る。
【００１０】
【化２】
【００１１】上記構造式（Ｉ）で表されるｃｉｓ−Ｔｉ
（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 は、熱分解温度が３１
５℃（３００〜３４０℃）と、従来のＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐ
ｒ）2 （ＤＰＭ）2 やＴｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 よりも高く、Ｂａ（ＤＰＭ）2 やＳｒ（ＤＰＭ）
2 とほぼ同等の熱分解温度である。従って、気相分解種
の基板への吸着が低減され、段差被覆性が良好となる。
（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 は、熱分解温度が３１
５℃（３００〜３４０℃）と、従来のＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐ
ｒ）2 （ＤＰＭ）2 やＴｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 よりも高く、Ｂａ（ＤＰＭ）2 やＳｒ（ＤＰＭ）
2 とほぼ同等の熱分解温度である。従って、気相分解種
の基板への吸着が低減され、段差被覆性が良好となる。
【００１２】しかも、ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2
（ＤＰＭ）2 はＯＨ基含有量０．１重量％以下、塩素含
有量５ｐｐｍ以下の高純度に精製可能であるため、不純
物汚染の問題もなく、高純度なＴｉ酸化物薄膜を形成す
ることができる。
（ＤＰＭ）2 はＯＨ基含有量０．１重量％以下、塩素含
有量５ｐｐｍ以下の高純度に精製可能であるため、不純
物汚染の問題もなく、高純度なＴｉ酸化物薄膜を形成す
ることができる。
【００１３】また、ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2
（ＤＰＭ）2 は、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2
やＴｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 に比べて嵩高い
アルコキシ基（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）を有するため、溶液中で
のＢａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 との反応が抑え
られることにより、Ｔｉ化合物とＢａ，Ｓｒ化合物との
反応で分子量の大きな錯体を形成し気化特性が劣化する
等の問題も解決される。
（ＤＰＭ）2 は、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2
やＴｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 に比べて嵩高い
アルコキシ基（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）を有するため、溶液中で
のＢａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 との反応が抑え
られることにより、Ｔｉ化合物とＢａ，Ｓｒ化合物との
反応で分子量の大きな錯体を形成し気化特性が劣化する
等の問題も解決される。
【００１４】このような本発明の高純度Ｔｉ錯体は、テ
トラターシャリーブトキシチタンを有機溶剤に溶解した
後、ジピバロイルメタンを加えて、１００℃以上で加熱
還流して残留水分やＯＨ基を共沸により除去すると共に
濃縮し、結晶を得る、本発明の高純度Ｔｉ錯体の製造方
法により容易に製造することができる。
トラターシャリーブトキシチタンを有機溶剤に溶解した
後、ジピバロイルメタンを加えて、１００℃以上で加熱
還流して残留水分やＯＨ基を共沸により除去すると共に
濃縮し、結晶を得る、本発明の高純度Ｔｉ錯体の製造方
法により容易に製造することができる。
【００１５】また、この方法において、得られた結晶を
非プロトン性溶媒で精製することにより、高純度Ｔｉ錯
体のＯＨ基や残留塩素等の不純物含有量を著しく低いも
のとすることができる。
非プロトン性溶媒で精製することにより、高純度Ｔｉ錯
体のＯＨ基や残留塩素等の不純物含有量を著しく低いも
のとすることができる。
【００１６】本発明のＢＳＴ膜形成用液体組成物は、こ
のような本発明の高純度Ｔｉ錯体とビス（ジピバロイル
メタナト）バリウム錯体（Ｂａ（ＤＰＭ）2 ）及び／又
はビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム錯体
（Ｓｒ（ＤＰＭ）2 ）とを、有機溶媒に溶解してなるも
のである。
のような本発明の高純度Ｔｉ錯体とビス（ジピバロイル
メタナト）バリウム錯体（Ｂａ（ＤＰＭ）2 ）及び／又
はビス（ジピバロイルメタナト）ストロンチウム錯体
（Ｓｒ（ＤＰＭ）2 ）とを、有機溶媒に溶解してなるも
のである。
【００１７】この本発明のＢＳＴ膜形成用液体組成物に
あっては、Ｔｉ原料として用いる高純度Ｔｉ錯体が、Ｏ
Ｈ基含有量が著しく低い、非常に高純度なものである上
に、前述の錯体形成の問題もないため、Ｂａ（ＤＰＭ）
2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 のような、ＯＨ基に対して反応活
性な原料との組み合わせにおいて、気化特性を損なうこ
とがなく、従って、気化器内部での残留物の増加、ガス
配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の増加等の
問題を引き起こすことなく、所望の組成のＢＳＴ膜を効
率的に成膜することができる。
あっては、Ｔｉ原料として用いる高純度Ｔｉ錯体が、Ｏ
Ｈ基含有量が著しく低い、非常に高純度なものである上
に、前述の錯体形成の問題もないため、Ｂａ（ＤＰＭ）
2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 のような、ＯＨ基に対して反応活
性な原料との組み合わせにおいて、気化特性を損なうこ
とがなく、従って、気化器内部での残留物の増加、ガス
配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の増加等の
問題を引き起こすことなく、所望の組成のＢＳＴ膜を効
率的に成膜することができる。
【００１８】本発明のＢＳＴ膜形成用液体組成物におい
て、有機溶媒としては、ピリジン、ルチジン及びテトラ
ヒドロフランよりなる群から選ばれる１種又は２種以上
が好適である。
て、有機溶媒としては、ピリジン、ルチジン及びテトラ
ヒドロフランよりなる群から選ばれる１種又は２種以上
が好適である。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の高純度Ｔｉ錯体は、後掲
の実施例１の分析結果から推定されるように、１個のＴ
ｉ原子に対して、２個のジピバロイルメタンのカルボニ
ル基の酸素と、２個のターシャリーブトキシ基が、ｃｉ
ｓ位で結合した構造を有するシス−（ビス（ジピバロイ
ルメタナイト）ジ（ターシャリーブトキシ）チタン錯体
ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 である。
の実施例１の分析結果から推定されるように、１個のＴ
ｉ原子に対して、２個のジピバロイルメタンのカルボニ
ル基の酸素と、２個のターシャリーブトキシ基が、ｃｉ
ｓ位で結合した構造を有するシス−（ビス（ジピバロイ
ルメタナイト）ジ（ターシャリーブトキシ）チタン錯体
ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 である。
【００２０】この本発明の高純度Ｔｉ錯体を製造するに
は、まず、後掲の実施例１で示されるように、テトラタ
ーシャリーブトキシチタンＴｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 を出
発原料として用い、これをトルエン、キシレン、メシチ
レン等の芳香族炭化水素、或いは、ペンタン、ノルマル
ヘキサン等の脂肪族炭化水素等の有機溶媒に、１〜７０
重量％濃度となるように溶解し、Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）
4 に対して２．０〜２．５倍モル量のジピバロイルメタ
ンＨＤＰＭを加え、用いた有機溶媒の沸点より１０〜５
０℃高いオイルバスの温度で１００℃以上で加熱還流す
ることにより、残留水分やＯＨ基を共沸により除去する
と共に、濃縮し、結晶を得る。
は、まず、後掲の実施例１で示されるように、テトラタ
ーシャリーブトキシチタンＴｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 を出
発原料として用い、これをトルエン、キシレン、メシチ
レン等の芳香族炭化水素、或いは、ペンタン、ノルマル
ヘキサン等の脂肪族炭化水素等の有機溶媒に、１〜７０
重量％濃度となるように溶解し、Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）
4 に対して２．０〜２．５倍モル量のジピバロイルメタ
ンＨＤＰＭを加え、用いた有機溶媒の沸点より１０〜５
０℃高いオイルバスの温度で１００℃以上で加熱還流す
ることにより、残留水分やＯＨ基を共沸により除去する
と共に、濃縮し、結晶を得る。
【００２１】この結晶は、トルエン、キシレン、メシチ
レン等の非プロトン性無水有機溶媒を用いて、再結晶
後、減圧下で溶媒を昇華させる精製を繰り返し行うこと
により、ＯＨ基含有量０．１重量％以下で残留塩素含有
量が５ｐｐｍ以下の高純度ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 を得ることができる。
レン等の非プロトン性無水有機溶媒を用いて、再結晶
後、減圧下で溶媒を昇華させる精製を繰り返し行うこと
により、ＯＨ基含有量０．１重量％以下で残留塩素含有
量が５ｐｐｍ以下の高純度ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 を得ることができる。
【００２２】本発明の高純度Ｔｉ錯体において、ｃｉｓ
−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 のＯＨ基含有量
が０．１重量％を超えると、Ｂａ（ＤＰＭ）2 やＳｒ
（ＤＰＭ）2 等のＯＨ基に対して反応活性の高い他の原
料と共に複合金属酸化物膜形成用液体組成物とした場
合、気化特性を劣化させ、気化器内部での残留物の増
加、ガス配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の
増加、膜組成のずれを引き起こす。
−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 のＯＨ基含有量
が０．１重量％を超えると、Ｂａ（ＤＰＭ）2 やＳｒ
（ＤＰＭ）2 等のＯＨ基に対して反応活性の高い他の原
料と共に複合金属酸化物膜形成用液体組成物とした場
合、気化特性を劣化させ、気化器内部での残留物の増
加、ガス配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の
増加、膜組成のずれを引き起こす。
【００２３】また、残留塩素含有量が５ｐｐｍを超える
と、得られるＴｉ酸化物膜の純度が損なわれる。
と、得られるＴｉ酸化物膜の純度が損なわれる。
【００２４】従って、本発明の高純度Ｔｉ錯体は、ＯＨ
基の含有量が０．１重量％以下、塩素含有量が５ｐｐｍ
以下であることが好ましい。
基の含有量が０．１重量％以下、塩素含有量が５ｐｐｍ
以下であることが好ましい。
【００２５】本発明のＢＳＴ膜形成用液体組成物は、こ
のような本発明の［ＴｉＯ（ＤＰＭ）2 ］2 とＢａ（Ｄ
ＰＭ）2 及び／又はＳｒ（ＤＰＭ）2 とを所望の膜組成
となるように有機溶媒に溶解したものである。
のような本発明の［ＴｉＯ（ＤＰＭ）2 ］2 とＢａ（Ｄ
ＰＭ）2 及び／又はＳｒ（ＤＰＭ）2 とを所望の膜組成
となるように有機溶媒に溶解したものである。
【００２６】ここで、有機溶媒としては、ピリジン、ル
チジン及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）よりなる群か
ら選ばれる１種又は２種以上を用いるのが好ましく、
［ＴｉＯ（ＤＰＭ）2 ］2 とＢａ（ＤＰＭ）2 及び／又
はＳｒ（ＤＰＭ）2 とは、このような有機溶媒に、その
合計濃度が１〜２０重量％となるように溶解するのが好
ましい。
チジン及びテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）よりなる群か
ら選ばれる１種又は２種以上を用いるのが好ましく、
［ＴｉＯ（ＤＰＭ）2 ］2 とＢａ（ＤＰＭ）2 及び／又
はＳｒ（ＤＰＭ）2 とは、このような有機溶媒に、その
合計濃度が１〜２０重量％となるように溶解するのが好
ましい。
【００２７】本発明の高純度Ｔｉ錯体は、これをそのま
ま固体状態で常法に従ってＣＶＤ原料として用いること
もでき、また、上述の如く、必要に応じて他の金属化合
物と共に有機溶媒に溶解して従来と同様にしてＣＶＤ原
料として用いることもできる。
ま固体状態で常法に従ってＣＶＤ原料として用いること
もでき、また、上述の如く、必要に応じて他の金属化合
物と共に有機溶媒に溶解して従来と同様にしてＣＶＤ原
料として用いることもできる。
【００２８】
実施例１：高純度ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （Ｄ
ＰＭ）2 の合成 Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 のトルエン溶液（３０重量％濃
度）にＴｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 に対して２倍モルのＨＤ
ＰＭを加え、この溶液をオイルバスの温度１３０〜１５
０℃で加熱還流し、残留水分、ＯＨ基を共沸により除去
した後、濃縮し、白色結晶を得た。この結晶をトルエン
で再結晶した後、減圧下、１９０℃で昇華精製を行っ
た。
ＰＭ）2 の合成 Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 のトルエン溶液（３０重量％濃
度）にＴｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 に対して２倍モルのＨＤ
ＰＭを加え、この溶液をオイルバスの温度１３０〜１５
０℃で加熱還流し、残留水分、ＯＨ基を共沸により除去
した後、濃縮し、白色結晶を得た。この結晶をトルエン
で再結晶した後、減圧下、１９０℃で昇華精製を行っ
た。
【００２９】得られた結晶の同定は、 1Ｈ−ＮＭＲ（Ｃ
6 Ｄ6 ＋ｄ−ＴＨＦ）、質量分析、元素分析により行っ
た。結果は下記の通りである。
6 Ｄ6 ＋ｄ−ＴＨＦ）、質量分析、元素分析により行っ
た。結果は下記の通りである。
【００３０】1Ｈ−ＮＭＲ：δ：1.1092（９Ｈ，Ｃ（Ｃ
Ｈ3)3 ，ＤＰＭ），1.2682（９Ｈ，ＯＣ（ＣＨ3)3 ) ，
1.4056（９Ｈ，Ｃ（ＣＨ3)3 ，ＤＰＭ） 元素分析：（計算値）Ti=8.54%,C=64.27%,H=10.07%,O=1
7.12%,Cl=0% （実測値）Ti=8.59%,C=64.21%,H=10.05%,O=17.15%,Cl<1
ppm 質量分析：図１に示す通り、M/Z560の分子イオンピーク
が確認されている。
Ｈ3)3 ，ＤＰＭ），1.2682（９Ｈ，ＯＣ（ＣＨ3)3 ) ，
1.4056（９Ｈ，Ｃ（ＣＨ3)3 ，ＤＰＭ） 元素分析：（計算値）Ti=8.54%,C=64.27%,H=10.07%,O=1
7.12%,Cl=0% （実測値）Ti=8.59%,C=64.21%,H=10.05%,O=17.15%,Cl<1
ppm 質量分析：図１に示す通り、M/Z560の分子イオンピーク
が確認されている。
【００３１】以上の分析結果より、得られたｃｉｓ−Ｔ
ｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2の構造式としては、
下記の構造が推定される。
ｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2の構造式としては、
下記の構造が推定される。
【００３２】
【化３】
【００３３】なお、得られたｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶の元素分析により、残留Ｃｌ量
は＜１ｐｐｍであり、また、ＩＲ分析によりＯＨ基は＜
０．１重量％であることが確認された。
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶の元素分析により、残留Ｃｌ量
は＜１ｐｐｍであり、また、ＩＲ分析によりＯＨ基は＜
０．１重量％であることが確認された。
【００３４】このｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （Ｄ
ＰＭ）2 結晶について、Ａｒ気流下、昇温速度１０℃／
ｍｉｎでＴＧ分析を行ったところ、図２に示す如く、こ
のｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 は、１
７５℃から気化を開始し、２８０℃で１００％気化する
ことが確認された。
ＰＭ）2 結晶について、Ａｒ気流下、昇温速度１０℃／
ｍｉｎでＴＧ分析を行ったところ、図２に示す如く、こ
のｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 は、１
７５℃から気化を開始し、２８０℃で１００％気化する
ことが確認された。
【００３５】また、このｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）
2 （ＤＰＭ）2 結晶をＡｌ容器内に密封し、Ａｒ気流
下、昇温速度１０℃／ｍｉｎでＤＴＡ分析を行ったとこ
ろ、熱分解温度は、３１５℃（３００〜３４０℃）であ
ることが確認された。
2 （ＤＰＭ）2 結晶をＡｌ容器内に密封し、Ａｒ気流
下、昇温速度１０℃／ｍｉｎでＤＴＡ分析を行ったとこ
ろ、熱分解温度は、３１５℃（３００〜３４０℃）であ
ることが確認された。
【００３６】実施例２：ＣＶＤ成膜試験 実施例１において、５ｐｐｍから３００ｐｐｍの塩素を
含むＴｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 を原料に用いることによ
り、それぞれの残留塩素量が各々４ｐｐｍ，６ｐｐｍ，
５０ｐｐｍ，２００ｐｐｍのｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶を得、これらのｃｉｓ−Ｔｉ
（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶と実施例１で得ら
れた残留塩素含有量が＜１ｐｐｍのｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−
ｔ−Ｂｕ）2（ＤＰＭ）2 結晶とをそれぞれＴｉ原料と
して用いると共に、Ｂａ（ＤＰＭ）2及びＳｒ（ＤＰ
Ｍ）2 を併用してＣＶＤ法により下記成膜条件でＢＳＴ
（Ｂａ0.7 Ｓｒ0.3 Ｔｉ0.1 ）膜の成膜を行った。
含むＴｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）4 を原料に用いることによ
り、それぞれの残留塩素量が各々４ｐｐｍ，６ｐｐｍ，
５０ｐｐｍ，２００ｐｐｍのｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶を得、これらのｃｉｓ−Ｔｉ
（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶と実施例１で得ら
れた残留塩素含有量が＜１ｐｐｍのｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−
ｔ−Ｂｕ）2（ＤＰＭ）2 結晶とをそれぞれＴｉ原料と
して用いると共に、Ｂａ（ＤＰＭ）2及びＳｒ（ＤＰ
Ｍ）2 を併用してＣＶＤ法により下記成膜条件でＢＳＴ
（Ｂａ0.7 Ｓｒ0.3 Ｔｉ0.1 ）膜の成膜を行った。
【００３７】成膜条件 ＣＶＤ装置：基板加熱式ＣＶＤ装置 反応ガス：Ｏ2 キャリアガス：Ａｒ 気化温度： ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 ＝１６０
℃ Ｂａ（ＤＰＭ）2 ＝２００℃ Ｓｒ（ＤＰＭ）2 ＝１９０℃ 成膜圧力：２．０ｔｏｒｒ 基板：Ｐｔ／Ｔｉ電極 基板温度：６００℃ 成膜厚さ：１０００Å 得られたＢＳＴ膜上に各々Ａｕ電極を蒸着し、電気特性
の評価を行い、結果を表１に示した。
℃ Ｂａ（ＤＰＭ）2 ＝２００℃ Ｓｒ（ＤＰＭ）2 ＝１９０℃ 成膜圧力：２．０ｔｏｒｒ 基板：Ｐｔ／Ｔｉ電極 基板温度：６００℃ 成膜厚さ：１０００Å 得られたＢＳＴ膜上に各々Ａｕ電極を蒸着し、電気特性
の評価を行い、結果を表１に示した。
【００３８】
【表１】
【００３９】実施例３：ＣＶＤ段差被覆性試験 特開平５−２７１２５３号公報記載のＴｉ（Ｏ−ｉ−Ｐ
ｒ）2 （ＤＰＭ）2 と、Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 と、実施例１で製造した高純度ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ
−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 とを用いて、図５に示す断
面形状のトレンチ基板１上に熱ＣＶＤ法により下記の条
件で各々ＴｉＯ2 膜の成膜を行い、ＣＶＤ−ＴｉＯ2 膜
２の膜厚ａと膜厚ｂとの比ａ／ｂ（ａ／ｂが１に近似し
ているほど、段差被覆性が良い。）で段差被覆性の評価
を行い、結果を表２に示した。
ｒ）2 （ＤＰＭ）2 と、Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰ
Ｍ）2 と、実施例１で製造した高純度ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ
−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 とを用いて、図５に示す断
面形状のトレンチ基板１上に熱ＣＶＤ法により下記の条
件で各々ＴｉＯ2 膜の成膜を行い、ＣＶＤ−ＴｉＯ2 膜
２の膜厚ａと膜厚ｂとの比ａ／ｂ（ａ／ｂが１に近似し
ているほど、段差被覆性が良い。）で段差被覆性の評価
を行い、結果を表２に示した。
【００４０】成膜条件 気化温度： ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 ＝１６０
℃ Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 ＝１４０℃ Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 ＝１８０℃ 成膜圧力：２．０ｔｏｒｒ 基板温度：６００℃ また、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 及びＴｉ
（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 について、それぞれ実
施例１と同様にしてＴＧ分析及びＤＴＡ分析を行って、
結果を図３，４及び表２に示した。
℃ Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 ＝１４０℃ Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 ＝１８０℃ 成膜圧力：２．０ｔｏｒｒ 基板温度：６００℃ また、Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 及びＴｉ
（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 について、それぞれ実
施例１と同様にしてＴＧ分析及びＤＴＡ分析を行って、
結果を図３，４及び表２に示した。
【００４１】
【表２】
【００４２】実施例４：ＢＳＴ溶液の気化特性評価 実施例１において、溶媒にベンゼンを用い、１００℃又
８０℃の温度で加熱，減圧濃縮することにより、ＯＨ基
が０．２重量％、０．８重量％又は２重量％存在するｃ
ｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶を各々
製造した。これらのｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2
（ＤＰＭ）2 結晶と、ＯＨ基の量が＜０．１％の、実施
例１で得られた高純度ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2
（ＤＰＭ）2 とを、それぞれＢａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ
（ＤＰＭ）2 と共に表３に示す無水溶媒に、Ｂａ：Ｓ
ｒ：Ｔｉ＝０．５：０．５：１なる組成比（モル比）で
溶解した溶液を減圧濃縮し、析出した固体の気化特性を
Ａｒ下でＴＧ分析して評価し、結果を表３に示した。
８０℃の温度で加熱，減圧濃縮することにより、ＯＨ基
が０．２重量％、０．８重量％又は２重量％存在するｃ
ｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶を各々
製造した。これらのｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2
（ＤＰＭ）2 結晶と、ＯＨ基の量が＜０．１％の、実施
例１で得られた高純度ｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2
（ＤＰＭ）2 とを、それぞれＢａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ
（ＤＰＭ）2 と共に表３に示す無水溶媒に、Ｂａ：Ｓ
ｒ：Ｔｉ＝０．５：０．５：１なる組成比（モル比）で
溶解した溶液を減圧濃縮し、析出した固体の気化特性を
Ａｒ下でＴＧ分析して評価し、結果を表３に示した。
【００４３】
【表３】
【００４４】実施例５：ＢＳＴ溶液の気化特性評価 実施例５において、ＯＨ基の量が＜０．１％のｃｉｓ−
Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 と、Ｔｉ（Ｏ−ｎ
−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 とを用い、それぞれＢａ（ＤＰ
Ｍ）2 及びＳｒ（ＤＰＭ）2 と共に無水溶媒にＢｓ：Ｓ
ｒ：Ｔｉ＝０．７：０．３：１なる組成比（モル比）で
溶解した溶液について同様にＴＧ分析を行い、結果を表
４に示した。
Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 と、Ｔｉ（Ｏ−ｎ
−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 とを用い、それぞれＢａ（ＤＰ
Ｍ）2 及びＳｒ（ＤＰＭ）2 と共に無水溶媒にＢｓ：Ｓ
ｒ：Ｔｉ＝０．７：０．３：１なる組成比（モル比）で
溶解した溶液について同様にＴＧ分析を行い、結果を表
４に示した。
【００４５】
【表４】
【００４６】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高純度Ｔｉ
錯体は、熱分解温度が高く、ＯＨ基や残留塩素等の不純
物含有量を著しく低減することができる上に、Ｂａ（Ｄ
ＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 等との錯体形成の問題もな
いことから、 ＣＶＤ成膜に当り、気相でのＴｉ錯体の分解による
気相分解種の基板への吸着が低減され、成膜時の段差被
覆性が良好となる。 不純物汚染のない高純度で、電気特性に優れたＴｉ
酸化物膜を成膜できる。 Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 等の錯体化の
問題がなく、また、ＯＨ基に対する反応活性の高い原料
との組み合わせにおいて、これらの原料の気化特性を損
なうことがなく、従って、気化器内部での残留物の増
加、ガス配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の
増加等を引き起こすことなく、膜組成を容易にコントロ
ールして、所望の組成のＴｉ含有金属複合酸化物膜を成
膜できる。
錯体は、熱分解温度が高く、ＯＨ基や残留塩素等の不純
物含有量を著しく低減することができる上に、Ｂａ（Ｄ
ＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 等との錯体形成の問題もな
いことから、 ＣＶＤ成膜に当り、気相でのＴｉ錯体の分解による
気相分解種の基板への吸着が低減され、成膜時の段差被
覆性が良好となる。 不純物汚染のない高純度で、電気特性に優れたＴｉ
酸化物膜を成膜できる。 Ｂａ（ＤＰＭ）2 、Ｓｒ（ＤＰＭ）2 等の錯体化の
問題がなく、また、ＯＨ基に対する反応活性の高い原料
との組み合わせにおいて、これらの原料の気化特性を損
なうことがなく、従って、気化器内部での残留物の増
加、ガス配管、シャワーヘッド等への分解物の析出量の
増加等を引き起こすことなく、膜組成を容易にコントロ
ールして、所望の組成のＴｉ含有金属複合酸化物膜を成
膜できる。
【００４７】といった効果が奏される。従って、本発明
の高純度Ｔｉ錯体を、ＣＶＤ法によるＢＳＴ膜形成原料
等として用いることにより、１Ｇ以後に求められてい
る、微細で複雑な構造を有するメモリーデバイスの誘電
体薄膜を成膜することが可能となる。
の高純度Ｔｉ錯体を、ＣＶＤ法によるＢＳＴ膜形成原料
等として用いることにより、１Ｇ以後に求められてい
る、微細で複雑な構造を有するメモリーデバイスの誘電
体薄膜を成膜することが可能となる。
【００４８】請求項２の高純度Ｔｉ錯体によれば、上記
効果を確実に得ることができる。
効果を確実に得ることができる。
【００４９】このような本発明の高純度Ｔｉ錯体は、本
発明の高純度Ｔｉ錯体の製造方法により容易に製造され
る。
発明の高純度Ｔｉ錯体の製造方法により容易に製造され
る。
【００５０】請求項４の方法によれば、不純物含有量が
著しく少ない高純度Ｔｉ錯体を製造することができる。
著しく少ない高純度Ｔｉ錯体を製造することができる。
【００５１】請求項５のＢＳＴ膜形成用液体組成物によ
れば、気化特性を損なわずに同一の有機溶媒にＴｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ原料を溶解した溶液を調製することができ、こ
の溶液を気化器に供給し、気化器で溶媒と共に加熱気化
させ、ガスとしてＣＶＤ成膜室に供給するＣＶＤ原料供
給方法に安定に適応できる。
れば、気化特性を損なわずに同一の有機溶媒にＴｉ、Ｂ
ａ、Ｓｒ原料を溶解した溶液を調製することができ、こ
の溶液を気化器に供給し、気化器で溶媒と共に加熱気化
させ、ガスとしてＣＶＤ成膜室に供給するＣＶＤ原料供
給方法に安定に適応できる。
【図１】実施例１で製造したｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶の質量分析結果を示すグラフで
ある。
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶の質量分析結果を示すグラフで
ある。
【図２】実施例１で製造したｃｉｓ−Ｔｉ（Ｏ−ｔ−Ｂ
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶のＴＧ分析結果を示すグラフで
ある。
ｕ）2 （ＤＰＭ）2 結晶のＴＧ分析結果を示すグラフで
ある。
【図３】Ｔｉ（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 （ＤＰＭ）2 のＴＧ分
析結果を示すグラフである。
析結果を示すグラフである。
【図４】Ｔｉ（Ｏ−ｎ−Ｂｕ）2 （ＤＰＭ）2 のＴＧ分
析結果を示すグラフである。
析結果を示すグラフである。
【図５】実施例３の段差被覆性評価方法を示す断面図で
ある。
ある。
１ トレンチ基板 ２ ＣＶＤ−ＴｉＯ2 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小木 勝実 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内
Claims (6)
- 【請求項１】 下記構造式（Ｉ）で表される高純度Ｔｉ
錯体。 【化１】 - 【請求項２】 請求項１において、ＯＨ基の含有量が
０．１重量％以下、塩素含有量が５ｐｐｍ以下であるこ
とを特徴とする高純度Ｔｉ錯体。 - 【請求項３】 テトラターシャリーブトキシチタンを有
機溶剤に溶解した後、ジピバロイルメタンを加えて、１
００℃以上で加熱還流して残留水分やＯＨ基を共沸によ
り除去すると共に濃縮し、結晶を得ることを特徴とする
請求項１に記載の高純度Ｔｉ錯体の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３の方法において、得られた結晶
を非プロトン性溶媒で精製することを特徴とする高純度
Ｔｉ錯体。 - 【請求項５】 請求項１又は２の高純度Ｔｉ錯体とビス
（ジピバロイルメタナト）バリウム錯体（Ｂａ（ＤＰ
Ｍ）2 ）及び／又はビス（ジピバロイルメタナト）スト
ロンチウム錯体（Ｓｒ（ＤＰＭ）2 ）とを、有機溶媒に
溶解してなるＢＳＴ膜形成用液体組成物。 - 【請求項６】 請求項５において、有機溶媒がピリジ
ン、ルチジン及びテトラヒドロフランよりなる群から選
ばれる１種又は２種以上であることを特徴とするＢＳＴ
膜形成用液体組成物。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19487595A JP2822946B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物 |
| KR1019960031489A KR100418164B1 (ko) | 1995-07-31 | 1996-07-30 | 고순도 티탄착체 및 그의 제조방법과 티탄산 바륨 스트론튬막 형성용 액체조성물 |
| US08/688,774 US5767302A (en) | 1995-07-31 | 1996-07-31 | High-purity TI complexes, methods for producing the same and BST film-forming liquid compositions |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19487595A JP2822946B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0940683A true JPH0940683A (ja) | 1997-02-10 |
| JP2822946B2 JP2822946B2 (ja) | 1998-11-11 |
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ID=16331773
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19487595A Expired - Fee Related JP2822946B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 高純度Ｔｉ錯体及びその製造方法並びにＢＳＴ膜形成用液体組成物 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2822946B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6280518B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-08-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Organic titanium compound suitable for MOCVD |
| US6355097B2 (en) | 1998-02-09 | 2002-03-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Organic titanium compound suitable for MOCVD |
| JP2003040627A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 石英系ガラス用原料及び石英系ガラスの製造方法 |
| US6743933B2 (en) | 2001-11-15 | 2004-06-01 | Asahi Denka Co., Ltd. | Process of forming thin film and precursor for chemical vapor deposition |
| US6984591B1 (en) | 2000-04-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Precursor source mixtures |
| EP2322530B1 (en) * | 2009-10-23 | 2016-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Group 4 metal precursors for metal-containing films |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8471049B2 (en) | 2008-12-10 | 2013-06-25 | Air Product And Chemicals, Inc. | Precursors for depositing group 4 metal-containing films |
| US20110256314A1 (en) | 2009-10-23 | 2011-10-20 | Air Products And Chemicals, Inc. | Methods for deposition of group 4 metal containing films |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP19487595A patent/JP2822946B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6280518B1 (en) | 1998-02-09 | 2001-08-28 | Mitsubishi Materials Corporation | Organic titanium compound suitable for MOCVD |
| US6355097B2 (en) | 1998-02-09 | 2002-03-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Organic titanium compound suitable for MOCVD |
| US6984591B1 (en) | 2000-04-20 | 2006-01-10 | International Business Machines Corporation | Precursor source mixtures |
| JP2003040627A (ja) * | 2001-07-30 | 2003-02-13 | Mitsubishi Electric Corp | 石英系ガラス用原料及び石英系ガラスの製造方法 |
| US6743933B2 (en) | 2001-11-15 | 2004-06-01 | Asahi Denka Co., Ltd. | Process of forming thin film and precursor for chemical vapor deposition |
| EP2322530B1 (en) * | 2009-10-23 | 2016-04-06 | Air Products And Chemicals, Inc. | Group 4 metal precursors for metal-containing films |
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