JP6270671B2 - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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- ウェハリングと、前記ウェハリングにより周縁が固定されたエキスパンドテープと、前記エキスパンドテープ上に接着層を挟んで貼りつけられ、互いに分割された複数の半導体部品と、を備える被処理体に対し、前記エキスパンドテープに重畳するように押し当てられるエキスパンドリングと、
中空部を有し、前記中空部において少なくとも前記複数の半導体部品が露出するように前記ウェハリングを押さえる押さえ用リングと、
前記ウェハリングと前記エキスパンドリングとの間に高低差を生じさせて前記エキスパンドテープを引き伸ばすように、前記被処理体および前記エキスパンドリングの少なくとも一方を昇降させる駆動機構と、を具備し、
前記エキスパンドテープの引き伸ばし時において、前記エキスパンドテープの樹脂流れ方向(MD)に垂直な垂直方向(TD)の前記押さえ用リングの内周と前記エキスパンドリングの外周との間隔は、前記樹脂流れ方向の前記間隔よりも狭い、半導体製造装置。 - 請求項1に記載の半導体製造装置において、
前記エキスパンドリングの外周または前記押さえ用リングの内周は、第一方向の幅に比べ前記第一方向に直交する第二方向の幅が小さい形状を有する、半導体製造装置。 - 請求項2に記載の半導体製造装置において、
前記エキスパンドリングの外周が前記形状を有するとき、前記エキスパンドリングは、高さ方向に沿った回転軸を有する、半導体製造装置。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の半導体製造装置において、
下記式(1)で表される前記エキスパンドテープを引き伸ばしたときの前記エキスパンドテープの前記樹脂流れ方向の引き伸ばし量に対する前記垂直方向の引き伸ばし量の比Lrateが1.0よりも大きく2.0よりも小さい、半導体製造装置。
- ウェハリングと、前記ウェハリングにより周縁が固定されたエキスパンドテープと、前記エキスパンドテープ上に接着層を挟んで貼りつけられ、分割された複数の半導体部品とを備える被処理体を、前記エキスパンドテープがエキスパンドリングに重畳するように配置し、
中空部を有する押さえ用リングにより、前記中空部において前記複数の半導体部品が露出するように前記ウェハリングを押さえ、
前記ウェハリングと前記エキスパンドリングとの間に高低差を設けて前記エキスパンドテープを引き伸ばすことにより、前記半導体部品に応じて前記接着層を分割する半導体装置の製造方法であって、
前記エキスパンドテープの樹脂流れ方向(MD)に垂直な垂直方向(TD)の引き伸ばし量が前記樹脂流れ方向の引き伸ばし量よりも大きくなるように前記エキスパンドテープを引き伸ばす、半導体装置の製造方法。
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