JP6251420B1 - 電子モジュールおよび電子モジュールの製造方法 - Google Patents

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Abstract

複数の絶縁性の基材(10a,10b)および基材(10a,10b)間に形成された内層配線パターン(11b)を備えた多層配線基板からなる基板と、基板の表面に設けられた配線パターン(11a)と、配線パターン(11a)上に搭載された制御用IC(3)、チップコンデンサ(4)などの電子部品と、電子部品が搭載された面上の内層配線パターン(11b)と対向する位置に面実装され、基材(10a,10b)を貫通する貫通部を介して内層配線パターンに熱的に接続された放熱フィン(2)と、を備えたことを特徴とする。

Description

本発明は、放熱フィンを有する電子モジュールおよび電子モジュールの製造方法に関する。
基板の搭載面に搭載された電子部品の放熱は、電子部品上に放熱フィンを実装することで実現されている。一方で、電子部品が実装されるプリント基板等の配線基板の配線パターンは熱伝導率が高いため、配線パターンを介した電子部品の放熱効果についても期待できる。しかしながら、配線パターンを介した放熱経路は、配線パターンの温度が高いと、熱を逃がす効果が半減する。このため、配線パターンに大電流を流さなければならない場合、配線パターンの抵抗値および温度を下げるために、パターン幅を広げるという方策がとられることが多い。
一方、通電時に配線パターンの温度が上昇することで、搭載面のうち配線パターンと対向する領域も温度が上昇する。そのため、搭載面のうち配線パターンと対向する領域には、温度の上昇により特性が変動し易い制御用IC(Integrated Circuit)をはじめとする電子部品を実装できない場合がある。
したがって、配線パターンのパターン幅を広げることで、配線基板の搭載面のうち電子部品が実装可能な領域が小さくなってしまい、部品実装の高密度化が困難となるという課題がある。
多層配線構造をもつ配線基板の場合でも、制御用ICをはじめとする電子部品は、配線パターンの真上には実装しないことが多い。配線パターンの真上を避けて電子部品を実装するためには配線の引き回しが必要となり、その分配線パターンの占める割合が大きくなり、部品実装の高密度化が困難となるという課題がある。
放熱部品の実装を容易にするとともに任意の場所に放熱部品を実装可能とするために、特許文献1では、チップ部品と寸法規格とを合わせた放熱フィンを面実装する技術が開示されている。特許文献1では、電子部品の実装工程と同一工程で放熱フィンの実装ができることから、放熱フィンの実装工程のコストダウンを図ることができる。
また、放熱に関わる文献としては特許文献2がある。
特開平04−255294号公報 特表2008−524841号公報
上記特許文献1の技術によれば、放熱フィンは、電子部品上ではなく、プリント基板をはじめとする配線基板上に直接面実装されてはいるものの、放熱フィンの実装工程のコストダウンに主眼を置いているため、配線基板に電子部品が搭載される面の裏面側に実装されているのみである。また、特許文献1の技術は、部品実装の高密度化を目指すものではなく、チップ部品と寸法規格を合わせた放熱フィンでは、放熱効果も十分ではないという問題があった。さらにまた特許文献2の技術によっても、放熱効果が十分ではなかった。
本発明は、上記に鑑みてなされたもので、配線基板における配線パターンの冷却をはかり、配線基板上に実装される電子部品の放熱効果を高めることと、部品実装の高密度化との両立を実現することを目的とする。
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、複数の絶縁性基材および絶縁性基材間に形成された大電流用の信号線を含む内層配線パターンを備えた多層配線基板と、多層配線基板の表に設けられた配線パターンと、配線パターンの一つ面実装で搭載された電子部品と、電子部品が搭載された面上の、信号線の直上のパッドに面実装され、絶縁性基材を貫通する貫通部を介して信号線に熱的に接続された放熱部材と、を備える。放熱部材は、底面部全体が多層配線基板の表層の配線パターンのうちの電子部品の搭載された配線パターンの他の一つの表面に設けられたパッドに搭載されることで、直下の信号線に熱的に接触する。
本発明は、配線基板における配線パターンの冷却をはかり、配線基板上に実装される電子部品の放熱効果を高めること、部品実装の高密度化との両立を実現することができるという効果を奏する。
実施の形態1に係る配線基板を用いた電子モジュールを示す図 図1のII−II断面図 実施の形態1の配線基板に用いられる放熱フィンを示す図 (a)から(c)は、実施の形態1の電子モジュールの実装工程を示す工程断面図 実施の形態1の電子モジュールの実装工程を示すフローチャート 実施の形態1の配線基板に用いられる放熱フィンの変形例を示す図 (a)から(c)は、実施の形態2の電子モジュールの実装工程を示す工程断面図 実施の形態2の電子モジュールの実装工程を示すフローチャート 実施の形態2の電子モジュールの実装工程における放熱フィンの実装工程を示す説明図 実施の形態3に係る配線基板を用いた電子モジュールを示す断面図 実施の形態4に係る配線基板を用いた電子モジュールを示す図
以下に、本発明に係る電子モジュールおよび電子モジュールの製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態により本発明が限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
実施の形態1.
図1は、実施の形態1に係る電子モジュールを示す図、図2は、図1のII−II断面図、図3は、実施の形態1の電子モジュールに用いられる放熱フィンを示す図である。実施の形態1の電子モジュール100は、配線基板1の内層に形成された信号線11Ma,11Mbの直上に、放熱部材として、面実装放熱部品である放熱フィン2がはんだリフローにより直接面実装されて構成される。図1は模式図であり、配線パターンについては、信号線以外は省略している。
配線基板1は、第1の主面である表面1Aと、第1の主面とは反対側の面である第2の主面である裏面1Bとを備える。表面1Aには、放熱フィン2に加えて、制御用IC3およびチップコンデンサ4をはじめとする一般的な電子部品が実装されている。制御用IC3およびチップコンデンサ4をはじめとする一般的な電子部品に加えて、放熱フィン2が配線基板1上の配線パターンの一部であるフィンパッド11pに直接はんだで面実装される。放熱フィン2が実装されるパッドであるフィンパッド11pは、配線基板1の表面1Aに形成されている。フィンパッド11pは、配線基板1の内層に形成された銅パターン製の信号線11Ma,11Mbとは電気的には接続されていないが、熱的には接続されている。フィンパッド11pと信号線11Ma,11Mbとは、スルーホール11Tを介して熱的に接続される。スルーホール11Tは熱伝導性樹脂が充填されており、フィンパッド11pと信号線11Ma,11Mbとを熱的に接続している。
放熱フィン2は、信号線11Ma,11Mbの直上に形成された銅パターンからなるフィンパッド11pに当接面全体をはんだで接合されており、フィンパッド11pと信号線11Ma,11Mbとの熱的接続を確実にすることで、より短い放熱パスを形成することができ、信号線11Ma,11Mbの熱を効率よく逃がすことができる。すなわち、フィンパッド11pと信号線11Ma,11Mbとを熱的に接続すると、信号線11Ma,11Mbと放熱フィン2との伝熱経路を短くすることができるため、信号線11Ma,11Mbの熱を放熱フィン2から放出させることができる。その結果、信号線11Ma,11Mbの熱は、配線基板1の外部に効率よく放出される。従って信号線11Ma,11Mbのパターン幅を広げずに済むため、配線のレイアウトの自由度が増大し、配線基板の小型化をはかることができる。
配線基板1は、エポキシ樹脂を主成分とする基材10a,10bに、銅を主成分とする配線パターン11a,11b,11cおよび熱的接続のための貫通部を構成するスルーホール11Tを形成して積層されたものである。実施の形態1の配線基板1には、配線パターンを2層以上積層した多層基板を用いている。配線パターン11aと、内層配線パターンを構成する中間層である配線パターン11bとはビアホール11Vを介して電気的に接続され、配線パターン11a,11bと配線パターン11cとはビアホール11Vを介して電気的に接続されている。
つまり配線基板1は、図2に示すように、基材10aと基材10bと配線パターン11a,11b,11cとを備えている。配線パターン11aは、基材10aの表層に形成された銅パターンで構成され、放熱フィン2を搭載するためのフィンパッド11pを含む。実施の形態1の配線基板1は、表面1Aに形成される最表層の配線パターン11a上に放熱フィン2、制御用IC3およびチップコンデンサ4をはじめとする一般的な電子部品が、はんだ5を介した面実装により搭載されている。中間層である配線パターン11bは、信号線11Ma,11Mbを構成し、最下層の配線パターン11cはグランドを構成している。配線パターン11bには、信号線11Ma,11Mbが含まれる。また、制御用IC3およびチップコンデンサ4をはじめとする一般的な電子部品が搭載される領域には、図示していないがフットパターンと称する銅パターンからなるチップ部品搭載用の領域が形成されている。また基材10a,10b間に形成される銅パターンからなる中間層の配線パターン11bで形成された同一幅の信号線11Ma,11Mbが互いに並行して配列されている。信号線11Ma,11Mbは、ビアホール11Vを介して電気的に接続された表層のフットパターンおよびチップ部品とともに回路部を構成している。ビアホール11V内には金属めっきが施され、電気的接続のための貫通部を構成している。制御用IC3は、ボールグリッドアレイ3BGで配線パターン11a上にはんだ接合されている。
なお、図2では、電子回路を構成する一部のチップ部品のみを図示しており、配線パターンについては信号線11Ma,11Mbのみを図示し、他の配線パターンは省略している。電子回路を構成するチップ部品は、制御用IC3およびチップコンデンサ4をはじめとする一般的な電子部品であり、最表層の銅パターンで構成されたチップ部品搭載用の領域にはんだリフローにより接続され、回路部が形成される。はんだリフローは、配線基板上に電子部品を載置して、リフロー炉で一括加熱することで、はんだを溶融させ、配線基板上に電子部品を一括接続する技術である。
図3は、配線基板1に面実装する放熱フィンの構造を示す拡大図である。放熱フィン2は、中実の直方体形状をなす放熱材で形成された銅ブロックであり、側面の一部を含む底部にはんだ層2Sを形成してなるものである。放熱フィン2は、チップ部品と寸法規格を合わせることなく、信号線11Ma,11Mbの直上に配され、信号線11Ma,11Mbの熱を逃がす効果の確保を、より重視している。つまり放熱フィン2の寸法及び形状は、チップ部品の寸法規格と合致させることなく、信号線11Ma,11Mbの熱を逃がす効果を優先して決定すればよい。
また、配線基板1上のフィンパッド11pに放熱フィン2を載せる際に、吸着し易い中実の直方体形状としている。放熱フィン2を中実の直方体形状とすることで、表面に凹凸を有する形状あるいは中空形状よりも吸着は容易である。放熱フィン2は、幅Wおよび長さLに対して、高さHの方が大きい。つまり、H>WかつH>Lの関係を有することで、配線基板1上での専有面積の低減をはかるとともに、放熱性も向上する。放熱フィン2の大きさ形状を自由に選択できるため、放熱フィン2が実装されるフィンパッド11pの部分の配線パターンの幅は、信号線の線幅と等しくすることができる。つまり、フィンパッド11pの部分の配線パターンの幅を、太くすることなく一定とすることができ、レイアウトの自由度を高めることができる。
次に、実施の形態1の配線基板1を用いた電子モジュールの製造方法について説明する。図4(a)から(c)は、実施の形態1の電子モジュールの実装工程を示す工程断面図であり、図5は、実施の形態1の電子モジュールの実装工程を示すフローチャートである。まず、図4(a)に示すように、表面1Aと、裏面1Bとを備えた配線基板1を形成する。基材10aの表面および裏面と、基材10bの裏面とに配線パターンを形成する。配線パターンが形成された基材10aおよび基材10bを、図示しない絶縁性樹脂を介して積層することで、配線パターン11a,11b,11cを備えた配線基板1が形成される。ビアホール11Vおよびスルーホール11Tについてはすべてを図示していないが、配線パターン11a,11b,11c相互の間はビアホール11Vを介して電気的および熱的に接続されている。また、配線パターン11aおよび11bの間は熱的貫通部を構成するスルーホール11Tを介して熱的に接続されている。
次いで、図4(b)に示すように、図5に示す電子部品を載置するステップS101で配線基板1の表面1A上に形成された配線パターン11a上に制御用IC3、およびチップコンデンサ4をはじめとする電子部品および放熱フィン2を載置する。
この後、図4(c)に示すように、図5に示す放熱フィンを載置するステップS102で配線基板1の表面1A上に形成されたフィンパッド11p上に放熱フィン2を載置する。
放熱フィン2と電子部品とを載置した後、図5に示すはんだリフローステップS103でリフロー炉に配線基板1を配し、140℃から160℃で30分間加熱することで、図2に示したように、配線基板1の表面1Aには、基材10a上に形成された配線パターン11a上に、制御用IC3およびチップコンデンサ4をはじめとする電子部品および放熱フィン2が、はんだ5によって接合される。はんだ5は、めっきなどによりあらかじめ電子部品に形成しておくことで、リフロー炉での加熱だけで電子部品が配線基板1の配線パターン11a上に容易に実装可能である。
放熱フィン2は、配線基板1上への搭載面側である底部にはんだ層2Sが形成されている。放熱フィン2は、リフロー炉内で加熱されることで、はんだ層2Sが溶融し、はんだ5によりフィンパッド11pと接合される。制御用IC3およびチップコンデンサ4をはじめとする電子部品についても同時にはんだ接合がなされる。放熱フィン2は、図示しない吸着ノズルで把持して配線基板1上に搭載される。放熱フィン2は、吸着ノズルで吸着し易い中実の直方体形状を有しており、配線基板1に搭載し易い構成となっている。また、放熱フィン2には、放熱性を高めるために、比熱の小さい銅を使用している。従って、放熱フィン2は、放熱性が高いだけでなく、リフロー工程による熱の取り込みも速い。熱の取り込みが早いため、効率よくリフローが進行し、強固で確実なはんだ接合が可能となる。従って、放熱フィン2は、フィンパッド11pとの接触面を構成する幅Wおよび長さLに対して、高さHを大きくとることができる。かかる構成により、放熱フィン2の放熱性を向上させ、かつ配線基板1上の放熱フィン2の専有面積を低減させる。放熱フィン2の専有面積が低減された結果、配線基板1の部品を実装する面積は増加する。また、リフロー工程で他の部品と同時に、強固な接合が可能であるため、工数の増大なしに容易に放熱フィン2をフィンパッド11pに接続することができる。
実施の形態1の配線基板1によれば、放熱フィン2を信号線11Ma,11Mbの直上に配しており、放熱パスの短縮化が実現される上、熱伝導に加えて熱放射によっても放熱フィン2に信号線からの熱を伝えることができ、配線パターンの放熱性を高めることができる。
従って、実施の形態1の配線基板1を大電流で使用する際にも信号線の線幅を抑えることができ、電子部品の設置可能領域を広く確保できるため、回路設計の自由度を高めるとともに基板サイズの縮小化を図ることができる。また、放熱フィン2を、はんだリフローにより、フィンパッド11p上に他の電子部品と同時に一括して接続することができるので、放熱フィン2を実装する作業の効率が向上する。さらに、放熱フィン2の放熱性を高めるように、放熱フィン2の底面積、つまりフィンパッド11pとの接触面の面積に対して放熱フィン2の高さを高くした場合にも、放熱フィン2自体を配線パターン11a上に直接、面実装することができるため、強固で安定した接合を確保することができる。放熱フィン2を高くすると、放熱フィン2に負荷が加わった時に配線基板1との接合部であるフィンパッド11pに加わる負荷が大きくなり易い。しかしながら実施の形態1の放熱フィンによれば面実装によって接合の信頼性の向上が図られているため、放熱フィン2を高くした場合であっても、放熱フィン2が脱落しにくくなっている。
また、実施の形態1の配線基板1では、フィンパッド11pは信号線11Ma,11Mbに電気的に接続していないが、ビアホールを介して電気的に接続してもよい。ビアホールを介してフィンパッドを信号線に電気的に接続する構造とすることにより、信号線の放熱性をより高めることができる。また、熱伝導率の高い樹脂を充填したスルーホールを介して、フィンパッドと信号線とを熱的に接続するだけでも、放熱性は向上する。
あるいは、フィンパッドを、ビアホールを介して最下層のグランド層と接続することで、配線基板の裏面からの放熱も可能となり、さらなる放熱性の向上をはかることができる。
以上のように、実施の形態1の配線基板および電子モジュールによれば、配線基板の信号線をはじめとする配線パターンの冷却を図り、配線パターンを介して効率よく放熱することで、配線基板上の電子部品の放熱効果を高めると同時に、部品実装の高密度化との両立を実現することが可能となる。また、放熱フィンの寸法は、チップ部品の寸法規格と合わせる必要はないので、自由度の高い配線基板のレイアウトが可能になる。従って、適切なサイズの放熱フィンを配線基板上に直接はんだ実装することができる。
従来、配線基板上の電子部品の放熱効果を高めるため、配線基板上の信号線などの配線パターンの温度を下げるには、パターン幅を広げなければならず、その分、配線基板上で配線パターンの占める割合が大きくなり、部品実装の高密度化ができなくなっていた。実施の形態1により、放熱フィンを配線基板に直接はんだ実装することで、パターン幅を広げずに、配線基板の銅パターンの熱を逃がす効果を確保しつつ、部品実装の高密度化に貢献することが可能となる。
なお、前記実施の形態では、銅を主成分とする金属で配線パターンを構成したが、銅に限定されることなく、配線パターンは、アルミニウムおよび金をはじめとする金属あるいはアルミニウムおよび金をはじめとする金属の合金でもよい。また配線パターンは、金属あるいは金属の合金の単層膜、あるいは複数種の上記金属膜の積層体であってもよい。さらに、電子部品あるいは放熱フィンとの接続部には、はんだめっき層をはじめとする、はんだあるいははんだとの濡れ性の良好な金属による被覆層を形成しておくのが望ましい。
また、前記実施の形態では、絶縁性の基体に、エポキシ樹脂を主成分とする樹脂を用いたが、絶縁性の基体は樹脂に限定されることなく、セラミックあるいはガラスをはじめとする絶縁性の基体であればよい。
放熱フィンの変形例を図6に示す。図6に示すように、放熱空間を構成する空間20hを内部に有する放熱部材である中空の放熱フィン20を用いることも可能である。放熱フィン20の底部には実施の形態1の放熱フィン2と同様に、はんだ層20Sが形成されている。変形例の放熱フィン20は、内部が放熱空間である空間20hとなり、空気が内部を流通するように、断面四角形の筒状体をなすものである。筒状体の内側が空間20hであり、筒状体の一端側と他端側とが開口20oとなる。2つの開口20oのうち一方の開口20oから空気が流入し、空間20h内を通過して他方の開口20oから流出する。放熱フィン20は、上面部20aと側面部20bと底面部20cとで肉厚の異なる銅板で構成されている。上面部20aの肉厚をt1、側面部20bの肉厚をt2、実装面となる底面部20cの肉厚をt3とした時、t1<t2<t3とすることで、より熱容量の大きい領域が接合部となるため、はんだの溶融を促進し接合性を高めることができる。特に、配線パターンの微細化に伴い放熱フィン20の底面部20cの面積が小さくなるとともに、放熱フィン20の高さHが高くなったとき、t1<t2<t3となるように肉厚を調整することは有効である。t1<t2<t3となるように肉厚を調整することで、より放熱性が高くかつ重心が下方に位置することで、より安定した放熱フィン付き配線基板を得ることができる。
実施の形態2.
次に、実施の形態2の電子モジュールの製造方法について説明する。図7(a)から(c)は実施の形態2の電子モジュールの実装方法を示す工程断面図であり、図8は、実施の形態2の電子モジュールの実装工程を示すフローチャートである。図9は、放熱フィンの実装工程を示す説明図である。電子モジュールは図1および図2に示した実施の形態1の電子モジュール100と同様である。実施の形態1では、同時リフローにより、電子部品とともに放熱フィンを一括接続したが、実施の形態2では、電子部品を搭載した後に、図9に示すように把持具である熱ピペットHPを用いて放熱フィンをはんだ接合する。
熱ピペットHPは、先端部に真空吸引機能を備えた把持具であるが、先端部に発熱部を備え、通電により先端部の把持部が180℃程度に加熱されるようになっている。
まず、図7(a)に示すように、実施の形態1の電子モジュール100の製造方法と同様に、表面1Aと、裏面1Bとを備えた配線基板1を形成する。基材10aの表面及び裏面と、基材10bの表面および裏面とに配線パターンを形成する。配線パターンが形成された基材10aおよび基材10bを、絶縁性樹脂を介して積層することで、配線パターン11a,11b,11cを備えた配線基板1が形成される。
次いで、図7(b)に示すように、図8に示す電子部品の接続ステップS201で配線基板1の表面1A上に形成された配線パターン11a上に制御用IC3およびチップコンデンサ4などの電子部品を載置し、リフローによりはんだ接合する。リフロー炉に配線基板1を配し、140℃から160℃で30分間加熱することで、配線基板1の表面1A上に形成された配線パターン11a上に制御用IC3およびチップコンデンサ4などの電子部品が接合される。
電子部品接合後、図7(c)に示すように、図8に示す、熱ピペットで放熱フィンを接続するステップS202で、熱ピペットHPで放熱フィン2をフィンパッド11p上に載置する。熱ピペットHPを用いた実装工程の模式図を図9に示す。熱ピペットHPで放熱フィン2を把持し、フィンパッド11p上に到達するまでの時間で、熱ピペットHPを加熱し、図3に示した放熱フィン2のはんだ層2Sを溶融させる。フィンパッド11p上で放熱フィン2のはんだ層2Sが効率よく溶融し、放熱フィン2とフィンパッド11pとの接合がなされる。
放熱フィン2は、配線基板1上に搭載される面側にはんだ層2Sが形成されている。放熱フィン2は、熱ピペットHPで把持されると熱がはんだ層2Sまで到達するので、はんだ層2Sが加熱されて溶融する。熱ピペットHPの加熱を停止し、放熱することでフィンパッド11pと接触性良く強固に放熱フィン2が接合される。放熱フィン2は、配線基板1に載せる際に熱ピペットHPで吸着し易いブロック形状を有しており、フィンパッド11p上に搭載し易い構成となっている。また、放熱フィン2には、放熱性を高めるために、比熱の小さい銅を使用しており、放熱性が高いだけでなく、熱ピペットHPを介した熱の取り込みも速く、効率よくはんだの溶融が進行し、強固で確実なはんだ接合が可能となる。
実施の形態2の方法によれば、放熱フィン2をリフロー炉に通すことなく実装可能であり、吸着ノズルを熱ピペットHPに変更するだけで、載置と接合とが同時に行われるため、作業性も良好である。さらにまた、後付で放熱フィン2の数を増やしたい場合にも、配線パターン上に、熱ピペットで、望ましい形状の放熱フィン2を装着すればよいため、容易に放熱フィン2を実装可能である。
実施の形態3.
図10は本発明の実施の形態3の電子モジュールを示す断面図である。実施の形態1では、信号線の直上に放熱フィンを1つ設けたが、実施の形態3では、第1の放熱フィン2aおよび第2の放熱フィン2bを、並行する2本の信号線の直上に配したものである。実施の形態3の電子モジュール300では、フィンパッド11pは、ビアホール6a,6bを介して信号線11Ma,11Mbに電気的に接続されている。また、最表層である表面1Aの配線パターン11aにおいて、フィンパッド11pは、最表層では回路接続をしない状態となっており、ビアホール6a,6bを介した信号線11Ma,11Mbと接続がなされているのみである。
実装工程については、実施の形態1のように一括リフローにより放熱フィンを接合するようにしてもよいし、実施の形態2のように電子部品を実装した後、熱ピペットにより放熱フィンを接合するようにしてもよい。
実施の形態3の電子モジュール300によれば、実施の形態1の電子モジュール100に比べて放熱面の面積が大きくなるため、より放熱性の向上を図ることができる。電子部品とフィンパッド11pとは、最表層で電気的に接続されていないため、放熱フィン2a、2bでは、電子部品の発熱の影響を低減し、放熱のみを発揮することができる。
実施の形態4.
図11は本発明の実施の形態4の電子モジュールを示す図である。実施の形態1から3では、配線パターンに加え、複数の絶縁性基材および絶縁性基材間に形成された内層配線パターンを備えた多層配線基板を用い、大電流を流す信号線が内層に形成されている例について説明したが、実施の形態4では、絶縁性基板10の表面のみに配線パターンが形成された単層配線構造の配線基板が対象となる。配線基板1は、セラミック製の絶縁性基板10と絶縁性基板10の表面10Aに形成された配線パターン11とを備え、2本の信号線11S1,11S2が表面に形成されている点が実施の形態1から3の基板と異なる。実施の形態4の電子モジュール400では、放熱フィン2を、絶縁性基板10の表面10Aで並行する2本の信号線11S1,11S2にはんだ接合したものである。実施の形態4では、フィンパッド11pは、信号線11S2上にあり、信号線11S2に直接、電気的および熱的に接続されている。
実装工程については、実施の形態1のように一括リフローにより放熱フィンを接合するようにしてもよいし、実施の形態2のように電子部品実装後、熱ピペットにより放熱フィンを接合するようにしてもよい。
実施の形態4の電子モジュール400によれば、実施の形態1の電子モジュール100に比べて、直接最表層の配線パターンに放熱フィン2が接続されているため、さらなる放熱性の向上を図ることができる。
なお、放熱フィンの形状については、適宜変更可能であり、配線パターンの線幅と同程度の幅とするのが望ましい。配線パターンの線幅に応じて放熱フィンの底面の形状を決定し、放熱すべき熱量に応じて放熱フィンの高さを設定すればよい。放熱フィンの形状についても、中空とする他、表面に凹凸を有する形状など適宜選択可能である。さらにまた、1本の配線パターン上に複数の放熱フィンを載せてもよい。
また、放熱フィンの形状については、底面積および底面の形状を同一とし、用途に従って高さを決定するようにしてもよい。実施の形態1のように、はんだリフローにより、一括実装する際には、かかる構成により、放熱フィンとフィンパッドとが接する領域に均一に熱が供給されることになり効率よく一様にはんだの溶融が行われ、放熱フィンの配線パターン上への確実な実装が実現される。
さらにまた、実施の形態2のように、熱ピペットにより放熱フィンを実装する場合は、放熱フィンの熱容量が一定となるようにすれば、接続に必要な熱量も一定であるため、熱ピペットの温度を逐次調整することなく一定にして順次、放熱フィンを実装することができる。また熱ピペットの温度を随時調整する場合には、放熱フィンの形状についても自由に設計することができ、場所に応じて適切な大きさ、および適切な熱容量の放熱フィンをセットすることができる。いずれの場合も放熱フィンの底面にはんだ層を形成しておくことで、容易に配線パターン上に放熱フィンを実装可能である。
なお、配線パターンは、複数個の離間したパターンとして形成されていることが多く、放熱フィンは、各パターンの一部をフィンパッドとして実装されるが、各パターン上に複数の放熱フィンを配してもよいことはいうまでもない。また配線パターンを構成するパターンの一部には、放熱フィンを形成しないパターンがあってもよい。
以上説明してきたように、基板上に直接面実装される放熱フィンによって配線基板上の電子部品の放熱効果を高めるため、配線基板の配線パターンの冷却を図ると同時に、部品実装の高密度化との両立を実現することができる。また、リフローにより配線基板に直接はんだ実装することができ、パターン幅を広げることなく、配線基板上の配線パターンの熱を逃がす効果を確保する。
なお、放熱フィンの構造については適宜変更可能であることはいうまでもない。
以上の実施の形態に示した構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略および変更することも可能である。
1 配線基板、2,20 放熱フィン、3 制御用IC、4 チップコンデンサ、5 はんだ、6a,6b ビアホール、10 絶縁性基板、10a,10b 基材、11a,11b、11c 配線パターン、11p フィンパッド、11V ビアホール、11T スルーホール、HP 熱ピペット、100,300,400 電子モジュール。

Claims (5)

  1. 複数の絶縁性基材および前記絶縁性基材間に形成された大電流用の信号線を含む内層配線パターンを備えた多層配線基板と、
    前記多層配線基板の表に設けられた配線パターンと、
    前記配線パターンの一つ面実装で搭載された電子部品と、
    前記電子部品が搭載された面上の、前記大電流用の信号線の直上のパッドに面実装され、前記絶縁性基材を貫通する貫通部を介して前記信号線に熱的に接続された放熱部材と、
    を備え、
    前記放熱部材は、底面部全体が前記多層配線基板の前記表層の前記配線パターンのうちの前記電子部品の搭載された前記配線パターンの他の一つに設けられた前記パッドに搭載されることで直下の前記大電流用の信号線に熱的に接触することを特徴とする電子モジュール。
  2. 前記放熱部材は、上面部よりも底面部の肉厚が厚い中空の直方体形状であることを特徴とする請求項1に記載の電子モジュール。
  3. 前記信号線は、並行する2本の同一幅の信号線を含み、
    前記放熱部材は、前記2本の同一幅の信号線の直上に配された2つのパッドにそれぞれ実装され、
    前記放熱部材は、前記2本の同一幅の信号線と同一幅であり、
    前記2つのパッドは貫通部を介して前記2本の同一幅の信号線にそれぞれ回路接続されていることを特徴とする請求項1に記載の電子モジュール。
  4. 複数の絶縁性基材および前記絶縁性基材間に形成された大電流用の信号線を含む内層配線パターンを備えた多層配線基板と、前記多層配線基板の表に設けられた配線パターンとを有する電子モジュールの製造方法であって、
    前記配線パターンの一つ面実装で電子部品を載置する工程と、
    前記電子部品が搭載された面上の、前記大電流用の信号線の直上の前記表層の前記配線パターンの他の一つの表面に、放熱部材を載置し、前記放熱部材の底面部全体を前記多層配線基板表面に設けられたパッドに搭載し熱的に接触させる工程と、
    前記多層配線基板を加熱し、はんだリフローにより、前記電子部品および前記放熱部材を一括接続する接続工程と、を含むことを特徴とする電子モジュールの製造方法。
  5. 複数の絶縁性基材および前記絶縁性基材間に形成された大電流用の信号線を含む内層配線パターンを備えた多層配線基板と、前記多層配線基板の表に設けられた配線パターンとを有する電子モジュールの製造方法であって、
    前記配線パターンの一つ面実装で電子部品を接続する工程と、
    前記電子部品が搭載された面上の、前記大電流用の信号線の直上の前記表層の前記配線パターンの他の一つに、はんだ層を形成した放熱部材を搬送して加熱し、前記放熱部材の底面部全体を前記多層配線基板表面に設けられたパッドに搭載しはんだ接合する工程と、を含むことを特徴とする電子モジュールの製造方法。
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