JP6248897B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Claims (5)
- 第1導電型の犠牲層上に、前記第1導電型とは反対の第2導電型の不純物を添加した化合物半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記犠牲層を取り除いて前記化合物半導体層の表面を露出させる工程と、
露出させた前記化合物半導体層の表面に電極を合金化処理せずに形成する工程とを備え、
前記化合物半導体層は前記犠牲層に格子整合し、
前記化合物半導体層に添加される前記第2導電型の不純物の濃度は1E20cm−3以上であり、
前記第2導電型の不純物を添加した前記化合物半導体層はSiを添加したGaAsであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記犠牲層の半導体材料は前記化合物半導体層の半導体材料と同じであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1導電型はp型、前記第2導電型はn型であり、
前記犠牲層の半導体材料は前記化合物半導体層の半導体材料よりも価電子帯上端のエネルギーが大きいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記第1導電型はn型、前記第2導電型はp型であり、
前記犠牲層の半導体材料は前記化合物半導体層の半導体材料よりも価電子帯下端のエネルギーが小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体装置はヘテロ接合バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ又はダイオードであることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の半導体装置の製造方法。
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