JP2013021024A - トランジスタ素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化合物半導体からなる、高電子移動度トランジスタ(HEMT)とヘテロバイポーラトランジスタ(HBT)とを、同一基板上に重ねてエピタキシャル成長した多層構造のトランジスタ素子において、エピ層として内在するインジウムガリウムリン層(InGaP)のバンドギャップエネルギを1.91eV以上にすることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
Organic Chemical Vapor Deposition)や分子線成長法(MBE : Metal Beam Epitaxy)などの方法により形成することが出来る。
前述したように、BiHEMTデバイスを構成するHBTデバイスは、単体構造のHBTデバイスより劣化し易いという問題があった。この原因としてBiHEMTに内在するInGaPの特性に問題があることが分かった。InGaPの特性を改善する大きなポイントの一つとしては、InGaP層を低温で成長させることである。
V以上とすることで、低温でInGaP層を成長させることになるので、トランジスタ素子中のHBTの信頼性が向上する。
図1に示す第1の実施の形態のトランジスタ素子用エピタキシャルウエハでは、エピ層として内在するInGaP層は分離層である。
用いると本実施の形態の効果が高いといえる。一例としては、HBTのp型ベース層へのドーピングがこれに該当するが、カーボン以外のドーパント、例えば亜鉛などを用いると、亜鉛自体が熱拡散や電界による異常拡散を引き起こし、本実施の形態の効果がマスクされてしまう。
(1)BiHEMTに内在するInGaP層のバンドギャップエネルギを1.91eV以上とすることでBiHEMT中のHBTの信頼性が向上し、単体構造のHBTエピタキシャルウエハと同等の特性を発揮できる。
図2に示す第2の本実施の形態のトランジスタ素子用エピタキシャルウエハでは、エピ層として内在するInGaP層はエミッタ層である。エミッタ層48をバンドギャップエネルギが1.91eV以上のIn(1−y)GayP層(0<y<1)で構成し、分離層47は従来例と同様に1.91eV未満のInGaP層で構成している。このように、BiHEMT中のHBTのエミッタ層48に1.91eV以上のInGaP層を用いても、既述したc)の効果により、第1の実施の形態と同様に高い効果を得ることができる。
図3に示す第3の実施の形態のトランジスタ素子用エピタキシャルウエハでは、エピ層として内在するInGaP層は分離層及びエミッタ層である。分離層40のみならず、エミッタ層48もバンドギャップエネルギが1.91eV以上のIn(1−y)GayP層(0<y<1)で構成している。その他の構成は第1の実施の形態と同じである。このように、BiHEMT中のHEMTとHBTの分離層40及びHBTのエミッタ層48にバンドギャップエネルギ1.91eV以上のInGaP層を用いると、既述したa)〜c)の理由から、第1の実施の形態よりもさらに大きな効果を得ることができる。
本発明は以上説明した実施例の限定されるものではなく、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常に知識を有する者により可能である。
図1に示すトランジスタ素子用エピタキシャルウエハを製作した。その製作方法では、先ず、半絶縁性基板31上に、HEMT構造51を形成するために、III族原料ガス、V
族原料ガス、ドーパント原料ガスなどを供給し、MOVPE成長法により、GaAsバッファ層32aを500nm、AlGaAsバッファ層32bを50nm、Siでn型にドーピングしたAlxGa(1−x)As(x=0.3)キャリア供給層33を30nm、AlxGa(1−x)As(x=0.3)スペーサ層34を10nm、InxGa1−xAs(x=0.18)チャネル層35を15nm、AlxGa(1−x)As(x=0.3)スペーサ層36を10nm、Siでn型にドーピングしたAlxGa(1−x)As(x=0.48)キャリア供給層37を30nm、AlxGa(1−x)As(x=0.3)ショットキー層38を30nm、Siでn型にドーピングしたGaAsコンタクト層39を600nm、順番にエピタキシャル成長した。HEMT構造51の各層を成長させる際は、成長温度を580℃以上750℃以下とした。また、成長圧力を6666Pa(50torr)、V/III比を10以上300以下とした。
、ホスフィンをアルシンに切り替えて、この分離層40の上にHBT構造52として、Siでn型にドーピングしたGaAsサブコレクタ層41を500nm、Siでn型にドーピングしたGaAsコレクタ層42を700nm、C(カーボン)でp型にドーピングしたGaAsベース層43を120nm、Siでn型にドーピングしたInGaPエミッタ層44を40nm、Siでn型にドーピングしたGaAsエミッタコンタクト層45を100nm、Siでn型にドーピングしたInxGa(1−x)As(0<x<1)ノンアロイコンタクト層46、を成長した。HBT構造52の各層を成長させる際は、HEMT構造51の移動度の低下させないように、成長温度をHEMT構造51の成長温度よりも低く、400℃以上580℃以下とした。また、成長圧力を6666Pa(50torr)、V/III比を0.5以上300以下とした。このうち、サブコレクタ層41、コレクタ層42の成長時のV/III比は1以上75以下とした。
図2に示すBiHEMTエピタキシャルウエハを製作した。分離層47は、GaAsコンタクト層39と同じ温度で成長させて、InGaPのバンドギャップエネルギを1.91eV未満とした。エミッタ層48は、基本的に実施例1のInGaP分離層40と同じ成長方法で成長させた。ただし、直前に成長しているGaAsベース層43の成長温度がInGaPエミッタ層48の成長温度である550℃以下より低いため、GaAsベース層成長後の温度変更のインターバルは昇温となる。エミッタ層48は、成長温度550℃以下でベース層43の成長温度よりも高い温度で成長させて、バンドギャップエネルギを1.91eV以上とした。
図3に示すBiHEMTエピタキシャルウエハを製作した。InGaPエミッタ層48の成長方法は実施例2と同じとし、他のエピ層は分離層40も含めて実施例1と同様に製造した。これにより分離層40及びエミッタ層48のバンドギャップエネルギをともに1.91eV以上とした。
比較例のBiHEMTは、InGaP分離層をGaAsコンタクト層と同じ温度で成長させた点を除いて、実施例1と同様に製造して、分離層及びエミッタ層のInGaPのバンドギャップエネルギをともに1.91eV未満とした。
実施例1、2、3、及び比較例の方法で製作した化合物半導体基板上に結晶成長させた薄膜多層構造のトランジスタ素子用エピタキシャルウエハ50を用い、パターン形成、エッチング、電極形成、保護膜形成やパッケージングなどの加工プロセスを経て、BiHEMTを用いたデバイスを完成した(図6参照)。このデバイスは、送信用パワー増幅器において使用されるとき、低電圧で動作し、出力信号の歪みを抑え、消費電力を軽減でき、かつ高移動度を有する。
以下、本発明の好ましい形態を付記する。
化合物半導体からなる、HEMTとHBTを、同一基板上に重ねてエピタキシャル成長した多層構造(BiHEMT)において、エピ層として内在するインジウムガリウムリン層(InGaP)のバンドギャップエネルギを1.91eV以上にすることを特徴とするBiHEMT構造。
付記1において、エピ層として内在するInGaP層がHEMTとHBTを分離するための分離層とHBTのエミッタ層であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記1において、化合物半導体なるものが、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP、InAlGaPのいずれか複数若しくは全てを含むことを特徴とするBiHEMT構造。
付記3において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±500s以内であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記3において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±200s以内であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記4及び5において、エピ層として内在するInGaP層がHEMTとHBTを分離するための分離層であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記3において、n型不純物がSi、Sn、S、Se、Teの何れか若しくは複数を含むことを特徴とするBiHEMT構造。
付記7において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±500s以内であることを特徴とするBiHEMT構造
付記7において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±200s以内であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記8及び9において、エピ層として内在するInGaP層がHEMTとHBTを分離するための分離層とHBTのエミッタ層であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記7において、p型不純物がC(カーボン)であることを特徴とするBiHEMT構造。
<付記12>
付記11において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±500s以内であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記11において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±200s以内であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記12及び13において、エピ層として内在するInGaP層がHEMTとHBTを分離するための分離層とHBTのエミッタ層であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記1において、エピ層として内在するInGaP層がHBTのエミッタ層であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記15において、化合物半導体なるものが、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP、InAlGaPのいずれか複数若しくは全てを含むことを特徴とするBiHEMT構造。
付記16において、n型不純物がSi、Sn、S、Se、Teの何れか若しくは複数を含むことを特徴とするBiHEMT構造。
付記17において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±500s以内であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記17において、エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±200s以内であることを特徴とするBiHEMT構造。
付記18及び19において、HBTのベース層のドーピングにC(カーボン)を用いることを特徴とするBiHEMT構造。
9:サブコレクタ層、10:コレクタ層、11:ベース層、12:エミッタ層、13:エミッタコンタクト層、20:半絶縁性化合物半導体基板、21:HEMT部、22:HBT部、23:ソース電極、24:ゲート電極、25:ドレイン電極、26:エミッタ電極、27:ベース電極、28:コレクタ電極、29:絶縁エリア、31:半絶縁性基板、32a:GaAsバッファ層、32b:AlGaAsバッファ層、33:AlxGa(1−x)As(0<x<1)キャリア供給層、34:AlxGa(1−x)As(0<x<1)スペーサ層、35:InxGa1−xAs(0<x<1)チャネル層、36:AlxGa(1−x)As(0<x<1)スペーサ層、37:AlxGa(1−x)As(0<x<1)キャリア供給層、38:AlxGa(1−x)As(0<x<1)ショットキー層、39:GaAsコンタクト層、40:分離層(本実施の形態のIn(1−y)GayP層)、41:GaAsサブコレクタ層、42:GaAsコレクタ層、43:GaAsベース層、44:InGaPエミッタ層、45:GaAsエミッタコンタクト層、46:InxGa(1−x)As(0<x<1)ノンアロイ層、47:分離層(InGaP層)、48:エミッタ層(本実施の形態のIn(1−y)GayP層)。
Claims (8)
- 化合物半導体からなる、高電子移動度トランジスタとヘテロバイポーラトランジスタとを、同一基板上に重ねてエピタキシャル成長した多層構造のトランジスタ素子において、
エピ層として内在するInGaP層のバンドギャップエネルギを1.91eV以上にすることを特徴とするトランジスタ素子。 - 請求項1に記載のトランジスタ素子において、前記エピ層として内在するInGaP層は高電子移動度トランジスタとヘテロバイポーラトランジスタを分離するための分離層であることを特徴とするトランジスタ素子。
- 請求項1に記載のトランジスタ素子において、前記エピ層として内在するInGaP層はヘテロバイポーラトランジスタのエミッタ層であることを特徴とするトランジスタ素子。
- 請求項1に記載のトランジスタ素子において、前記エピ層として内在するInGaP層は高電子移動度トランジスタとヘテロバイポーラトランジスタを分離するための分離層及びヘテロバイポーラトランジスタのエミッタ層であることを特徴とするトランジスタ素子。
- 請求項1ないし4のいずれかに記載のトランジスタ素子において、前記化合物半導体なるものが、GaAs、AlGaAs、InGaAs、InGaP、InAlGaPのいずれか複数若しくは全てを含むことを特徴とするトランジスタ素子。
- 請求項5に記載のトランジスタ素子において、n型不純物がSi、Sn、S、Se、Teの何れか若しくは複数を含むことを特徴とするトランジスタ素子。
- 請求項6に記載のトランジスタ素子において、p型不純物がC(カーボン)であることを特徴とするトランジスタ素子。
- 請求項5〜7のいずれかに記載のトランジスタ素子において、前記エピ層として内在するInGaP層とGaAs層の格子不整合度が、エックス線解析測定において±500s以内であることを特徴とするトランジスタ素子。
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---|---|---|---|---|
JP2015103784A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタ |
WO2016152195A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 住友化学株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
Families Citing this family (2)
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---|---|---|---|---|
SG11201804490VA (en) * | 2015-12-04 | 2018-06-28 | Qromis Inc | Wide band gap device integrated circuit architecture on engineered substrate |
CN106653826B (zh) * | 2016-12-26 | 2019-01-08 | 厦门市三安集成电路有限公司 | 一种化合物半导体异质接面双极晶体管 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335586A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Sony Corp | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2009194379A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-08-27 | Hitachi Cable Ltd | トランジスタ素子 |
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---|---|---|---|---|
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US20070278523A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-06 | Win Semiconductors Corp. | Structure and a method for monolithic integration of HBT, depletion-mode HEMT and enhancement-mode HEMT on the same substrate |
US7700423B2 (en) | 2006-07-28 | 2010-04-20 | Iqe Rf, Llc | Process for manufacturing epitaxial wafers for integrated devices on a common compound semiconductor III-V wafer |
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US20120175681A1 (en) * | 2010-09-17 | 2012-07-12 | Kopin Corporation | Method and Layer Structure for Preventing Intermixing of Semiconductor Layers |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007335586A (ja) * | 2006-06-14 | 2007-12-27 | Sony Corp | 半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の製造方法 |
JP2009194379A (ja) * | 2008-01-17 | 2009-08-27 | Hitachi Cable Ltd | トランジスタ素子 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6015008206; R.L.Moon: 'Bandgap and lattice constant of GaInAsP as a function of alloy composition' Journal of Electronic Materials Vol.3,No.3, 1974, 635-636 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015103784A (ja) * | 2013-11-28 | 2015-06-04 | 日本電信電話株式会社 | 電界効果トランジスタ |
WO2016152195A1 (ja) * | 2015-03-26 | 2016-09-29 | 住友化学株式会社 | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ用エピタキシャルウェハ及びヘテロ接合バイポーラトランジスタ |
US10312324B2 (en) | 2015-03-26 | 2019-06-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Epitaxial wafer for hetero-junction bipolar transistor and hetero-junction bipolar transistor |
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