JP6245229B2 - 半導体装置と半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)発熱する半導体素子に重なり合う範囲では、接合材の法線方向に伝熱して半導体素子を冷却する。
(2)発熱する半導体素子の周囲に位置する範囲では、接合材の沿面方向に伝熱し、半導体素子の熱を冷却器の広い範囲に伝熱する。
図1に示すように、本実施例の半導体装置2は、半導体モジュール10と接合材30と冷却器50を有する。半導体装置2では、半導体モジュール10が、接合材30を介して冷却器50に接合されている。
続いて、本実施例の半導体装置2の製造方法を説明する。まず、放熱板12を準備し、その内面12aにはんだを介して半導体素子14の下面のコレクタ電極を接続する。さらに、放熱板12、半導体素子14のエミッタ電極及び半導体素子14のゲート電極パッドに、所定の導電部材を接続する。
図4を参照して、本実施例の半導体装置102について、第1実施例と異なる点を中心に説明する。図4では、第1実施例の半導体装置2(図1参照)と同様の構成を備える要素は図1と同様の符号で示している。
図5を参照して、本実施例の半導体装置202について、第1実施例と異なる点を中心に説明する。図5でも、第1実施例の半導体装置2(図1参照)と同様の構成を備える要素は図1と同様の符号で示している。
図6を参照して、本実施例の半導体装置302について、第1実施例と異なる点を中心に説明する。図6でも、第1実施例の半導体装置2(図1参照)と同様の構成を備える要素は図1と同様の符号で示している。
本実施例は第3実施例(図5参照)の変形例である。図7を参照して、本実施例の半導体装置402について、第3実施例と異なる点を中心に説明する。図7でも、第3実施例の半導体装置202(図5参照)と同様の構成を備える要素は図5と同様の符号で示している。
10:半導体モジュール
12:放熱板
12a:内面
12b:外面
14:半導体素子
16:モールド樹脂
16a:端面
30:接合材
31:基材
32:中心部分
34:周辺部分
40:分散材
50:冷却器
60A:法線方向の熱伝導率のグラフ
60B:沿面方向の熱伝導率のグラフ
102:半導体装置
130:接合材
132:中心部分
132a:第1中心部分
132b:第2中心部分
134:周辺部分
134a:第1周辺部分
134b:第2周辺部分
160A:法線方向の熱伝導率のグラフ
160B:沿面方向の熱伝導率のグラフ
202:半導体装置
230:接合材
232:中心部分
234:周辺部分
260A:法線方向の熱伝導率のグラフ
260B:沿面方向の熱伝導率のグラフ
302:半導体装置
330:接合材
332:中心部分
334:外側部分
336:周辺部分
360A:法線方向の熱伝導率のグラフ
360B:沿面方向の熱伝導率のグラフ
402:半導体装置
430:接合材
432:中心部分
434:第1外側部分
436:第2外側部分
438:周辺部分
460A:法線方向の熱伝導率のグラフ
460B:沿面方向の熱伝導率のグラフ
Claims (5)
- 半導体モジュールと、接合材と、冷却器を備えており、
前記半導体モジュールは、放熱板と、前記放熱板の内面側に配置されている半導体素子と、前記放熱板の内面側と前記半導体素子の周囲を封止しているモールド樹脂を有しており、前記接合材を介して前記冷却器に接合する面に前記放熱板の外面が露出しているとともに前記放熱板の周囲を前記モールド樹脂が囲繞しており、
前記接合材は、絶縁性の樹脂でシート状に形成されており、前記放熱板の法線方向から見たときに、前記半導体素子と重なる第1部分と、前記モールド樹脂と重なる第2部分を有しており、前記第1部分における前記法線方向の熱伝導率が前記第2部分における前記法線方向の熱伝導率より大きく、前記法線方向に直交する方向を沿面方向としたときに、前記第2部分における前記沿面方向の熱伝導率が前記第1部分における前記沿面方向の熱伝導率より大きく、前記第1部分における前記法線方向の熱伝導率が前記第1部分における前記沿面方向の熱伝導率より大きく、
前記放熱板の外面とその周囲を囲繞する前記モールド樹脂とが前記接合材を介して前記冷却器に接合されている半導体装置。 - 前記接合材が、電気絶縁材料より熱伝導率が高い分散材が分散している電気絶縁材料で形成されており、その分散材の姿勢によって前記法線方向の熱伝導率と前記沿面方向の熱伝導率が変化する特性を備えており、
前記法線方向の熱伝導率を大きくする姿勢の前記分散材の存在割合が、前記第2部分よりも前記第1部分で高く、
前記沿面方向の熱伝導率を大きくする姿勢の前記分散材の存在割合が、前記第1部分よりも前記第2部分で高い、
請求項1の半導体装置。 - 前記接合材が、前記第1部分に隣接し、前記法線方向から見たときに、前記半導体素子と、前記半導体素子から前記放熱板の厚さ分の距離離れた位置との間に存在する第3部分をさらに有しており、前記第3部分における前記法線方向の熱伝導率が前記第2部分における前記法線方向の熱伝導率より大きく、前記第3部分における前記沿面方向の熱伝導率が前記第2部分における前記沿面方向の熱伝導率より小さく、前記第3部分における前記法線方向の熱伝導率が前記第3部分における前記沿面方向の熱伝導率より大きい、
請求項1または2の半導体装置。 - 前記放熱板の周囲を囲繞する前記モールド樹脂の前記接合材側の端面が、前記放熱板の前記外面よりも前記接合材側に突出しており、
前記法線方向に沿って延びる前記分散材の存在割合が、前記第2部分よりも前記第1部分で高く、
前記沿面方向に沿って延びる前記分散材の存在割合が、前記第1部分よりも前記第2部分で高い、
請求項2の半導体装置。 - 半導体装置の製造方法であって、
放熱板の内面側に半導体素子を配置する工程と、
前記半導体素子の周囲と前記放熱板の内面側を封止して前記放熱板の周囲を囲繞するとともに、その囲繞部が前記放熱板の外面よりも接合材側に突出するモールド樹脂を形成する工程と、
前記放熱板の外面とその周囲を囲繞する前記モールド樹脂の端面と、冷却器の間に、法線方向の熱伝導率を沿面方向の熱伝導率よりも大きくする姿勢の分散材が分散している前記接合材を配置する工程と、
前記接合材を介して、前記放熱板の外面及び前記モールド樹脂の端面を前記冷却器に圧接し、前記モールド樹脂の端面と前記冷却器の間に位置する範囲の前記接合材に含まれる前記分散材の姿勢を変化させる工程、
を有する半導体装置の製造方法。
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