JP6237880B2 - 硬化性組成物 - Google Patents

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Description

本出願は、硬化性組成物及びその用途に関する。
LED(Light Emitting Diode)は、表示装置の光源や照明など多様な分野で活用されている素子である。
LED封止材として、接着性が高くて、力学的な耐久性に優れたエポキシ樹脂が幅広く利用されている。しかし、エポキシ樹脂は、青色ないし紫外線領域の光に対する透過率が低く、また耐熱性と耐光性が劣る問題点がある。これによって、例えば、特許文献1〜3などでは、上記のような問題点を改良するための技術を提案している。しかし、現在まで知られた封止材は、 高温での耐熱性、ガスバリア性及び耐クラック性特性などが十分ではない。
日本国特開平11−274571号公報 日本国特許公開第2001−196151号公報 日本国特許公開第2002−226551号公報
本出願は、硬化性組成物及びその用途を提供する。
例示的な硬化性組成物は、水素ケイ素化反応(hydrosilylation)、例えば、脂肪族不飽和結合とケイ素原子に結合された水素原子の反応によって硬化する成分を含むことができる。例えば、硬化性組成物は、脂肪族不飽和結合を含むポリオルガノシロキサン及びケイ素原子に結合された水素原子を含むポリオルガノシロキサンを含むことができる。
本明細書で用語「M単位」は、当業界で式(RSiO1/2)で表示される場合があるいわゆる1官能性シロキサン単位を意味し、用語「D単位」は、当業界で式(RSiO2/2)で表示される場合があるいわゆる2官能性シロキサン単位を意味し、用語「T単位」は、当業界で式(RSiO3/2)で表示される場合があるいわゆる3官能性シロキサン単位を意味し、用語「Q単位」は、式(SiO4/2)で表示される場合があるいわゆる4官能性シロキサン単位を意味することができる。上記Rは、ケイ素(Si)に結合されている官能基であり、例えば、水素原子、エポキシ基または1価炭化水素基であることができる。
硬化性組成物は、(A)線形または部分架橋型ポリオルガノシロキサン;(B)架橋型ポリオルガノシロキサン及び(C)ケイ素原子に結合した水素原子を有するポリオルガノシロキサンを含むことができる。
本明細書で線形ポリオルガノシロキサンは、シロキサン単位としてM及びD単位のみを含むポリオルガノシロキサンを意味することができる。また、本明細書で用語部分架橋型のポリオルガノシロキサンは、TまたはQ単位をD単位とともに必須に含み、D単位から由来する線形構造が充分に長い構造であって、全体D、T及びQ単位に対するD単位の比率(D/(D+T+Q))が0.7以上、0.75以上、0.8以上または0.85以上のポリオルガノシロキサンを意味することができる。上記比率(D/(D+T+Q))は、また、1未満または約0.95以下であることができる。
本明細書で用語架橋型ポリオルガノシロキサンは、TまたはQ単位を必須に含み、上記比率(D/(D+T+Q))が0以上且つ0.7未満のポリオルガノシロキサンを意味することができる。架橋型ポリオルガノシロキサンにおいて上記比率(D/(D+T+Q))は、他の例示では、0.65以下、0.6以下、0.55以下、0.5以下、0.45以下、0.4以下または0.35以下であることができる。
硬化性組成物は、架橋型ポリオルガノシロキサン(B)として低屈折架橋型ポリオルガノシロキサン及び高屈折架橋型ポリオルガノシロキサンの混合物を含むことができる。本明細書で用語低屈折ポリオルガノシロキサンは、分子内にアリール基を少ない量で含むか、実質的に含まないポリオルガノシロキサンを意味することができる。例えば、本明細書で、低屈折ポリオルガノシロキサンというのは、上記ポリオルガノシロキサンの全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.3以下、0.2以下、約0.15以下、約0.1以下または約0.06以下であるか、実質的に0であるポリオルガノシロキサンを意味することができる。本明細書で用語高屈折ポリオルガノシロキサンは、分子内にアリール基を所定の比率以上に含むポリオルガノシロキサンを意味することができる。例えば、本明細書で高屈折ポリオルガノシロキサンというのは、上記ポリオルガノシロキサンの全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)の比率(Ar/Si)が0.25以上、0.3以上または0.5以上のポリオルガノシロキサンを意味することができる。高屈折ポリオルガノシロキサンにおいて上記比率(Ar/Si)は、例えば、2.0以下、1.5以下、1以下、約0.8以下、約0.7以下、約0.65以下または約0.6以下であることができる、上記で低屈折架橋型ポリオルガノシロキサンは、Q単位を必須に含むポリオルガノシロキサンであり、高屈折架橋型ポリオルガノシロキサンは、T単位を必須に含むポリオルガノシロキサンであることができる。
本明細書で用語「アリール基」は、特に別途規定しない限り、ベンゼン環または2個以上のベンゼン環が連結されているか、1個または2個以上の炭素原子を共有しながら縮合または結合された構造を含む化合物またはその誘導体から由来する1価残基を意味することができる。本明細書で言うアリール基の範囲には、通常、アリール基と呼称される官能基はもちろん、いわゆるアルアルキル基(aralkyl group)またはアリールアルキル基などをも含まれることができる。アリール基は、例えば、炭素数6〜25、炭素数6〜21、炭素数6〜18または炭素数6〜12のアリール基であることができる。アリール基として、フェニル基、ジクロロフェニル、クロロフェニル、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基(xylyl group)またはナフチル基などを例示することができる。
上記低屈折架橋型ポリオルガノシロキサンは、例えば、下記化学式1の平均組成式を有することができ、高屈折架橋型ポリオルガノシロキサンは、下記化学式2の平均組成式を有することができる。
[化学式1]
(R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(OR)
化学式1で、R〜Rは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つR〜Rのうち少なくとも1つは、アルケニル基であり、Rは、水素または1価炭化水素基であり、a、b、c、d及びeは、それぞれ独立に、0または正の数であり、d/(c+d)は、0.3以上であり、e/(c+d)は、0.2以下である。 1つの例示で、化学式 1の1価炭化水素基は、アリール基を除いた1価炭化水素基であることができる。
[化学式2]
(R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(OR)
化学式2で、R〜Rは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つR〜Rのうち少なくとも1つは、アルケニル基であり、R〜Rのうち少なくとも1つは、アリール基であり、Rは、水素または1価炭化水素基であり、f、g、h、i及びjは、それぞれ独立に、0または正の数であり、 h/(h+i)は、0.7以上であり、j/(h+i)は、0.2以下である。
本明細書で「特定の平均組成式を有するポリオルガノシロキサン」は、その平均組成式で表示される単一の成分であるポリオルガノシロキサンまたは2個以上の成分の混合物であり、且つ上記混合物の成分の組成の平均を取れば、その平均組成式で現われる混合物形態のポリオルガノシロキサンである。
本明細書で用語「エポキシ基」は、特に別途規定しない限り、3個の環構成原子を有する環形エーテル(cyclic ether)または上記環形エーテルを含む化合物から誘導された1価残基を意味することができる。エポキシ基として、グリシジル基、エポキシアルキル基、グリシドキシアルキル基または脂環式エポキシ基などを例示することができる。上記で脂環式エポキシ基は、脂肪族炭化水素環構造を含み、上記脂肪族炭化水素環を形成している2個の炭素原子がまたエポキシ基を形成している構造を含む化合物から由来する1価残基を意味することができる。脂環式エポキシ基として、6個〜12個の炭素原子を有する脂環式エポキシ基を例示することができ、例えば、3、4−エポキシシクロヘキシルエチル基などを例示することができる。
本明細書で用語「1価炭化水素基」は、特に別途規定しない限り、炭素と水素よりなる化合物またはそのような化合物の誘導体から誘導される1価残基を意味することができる。例えば、1価炭化水素基は、1個〜25個の炭素原子を含むことができる。1価炭化水素基として、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基などを例示することができる。1つの例示で、上記化学式1の1価炭化水素基は、アリール基を除いた1価炭化水素基のうち選択することができる。
本明細書で用語「アルキル基」は、特に別途規定しない限り、炭素数1〜20、炭素数1〜16、炭素数1〜12、炭素数1〜8または炭素数1〜4のアルキル基を意味することができる。上記アルキル基は、直鎖形、分岐鎖形または環形であることができる。また、上記アルキル基は、任意的に1つ以上の置換基で置換されていてもよい。
本明細書で用語「アルケニル基」は、特に別途規定しない限り、炭素数2〜20、炭素数2〜16、炭素数2〜12、炭素数2〜8または炭素数2〜4のアルケニル基を意味することができる。上記アルケニル基は、直鎖形、分岐鎖形または環形であることができ、任意的に1つ以上の置換基で置換されていてもよい。
本明細書で用語「アルキニル基」は、特に別途規定しない限り、炭素数2〜20、炭素数2〜16、炭素数2〜12、炭素数2〜8または炭素数2〜4のアルキニル基を意味することができる。上記アルキニル基は、直鎖形、分岐鎖形または環形であることができ、任意的に1つ以上の置換基で置換されていてもよい。
本明細書でエポキシ基または1価炭化水素基に任意的に置換されていてもよい置換基として、塩素またはフッ素などのハロゲン、グリシジル基、エポキシアルキル基、グリシドキシアルキル基または脂環式エポキシ基などのエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、イソシアネート基、チオール基または1価炭化水素基(但し、化学式1の平均組成式を有するポリオルガノシロキサンの場合、1価炭化水素基としてアリール基で置換される場合は除外することができる)などを例示することができるが、これに制限されるものではない。
化学式1でR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であることができる。1つの例示でアルケニル基は、化学式1のポリオルガノシロキサンに含まれる全体ケイ素原子のモル数(Si)に対する上記アルケニル基のモル数(Ak)の比率(Ak/Si)が0.01〜0.43、0.01〜0.4、0.01〜0.35、0.01〜0.2、0.03〜0.2、0.05〜0.1または0.05〜0.09になる量で存在することができる。上記モル比(Ak/Si)の範囲内で反応性を適切に維持し、未反応の成分が硬化物の表面に染み出る現象を防止することができ、硬化物の硬度、耐クラック性及び耐熱衝撃性などを優秀に維持することができる。
化学式1の平均組成式でa、b、c及びdは、各シロキサン単位のモルの比率を示し、その総和を1に換算すれば、aは、0.2〜0.8の範囲内であり、bは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3または0〜0.2の範囲であり、cは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3、0〜0.2または0〜0.1であり、dは、0.2〜0.8、0.2〜0.6、0.2〜0.5または0.2〜0.45であることができる。硬化物の強度、亀裂耐性及び耐熱衝撃性を極大化するために、上記で(a+b)/(a+b+c+d)は、0.2〜0.8、0.3〜0.8、0.4〜0.8または0.5〜0.8の範囲内になるように調節することができる。化学式1でd/(c+d)は、0.3以上、0.5以上、0.7以上、0.8以上または0.85以上になるように調節することができる。d/(d+c)の上限は、特に制限されず、例えば、1であることができる。
化学式1でeは、ポリオルガノシロキサンに含まれている縮合性官能基、例えば、ヒドロキシ基またはアルコキシ基の量を示す。化学式1でeは、0または正の数であり、例えば、上記化学式1でe/(c+d)が0.2以下、0.15以下、0.1以下または0.05以下になる範囲で決定することができる。これを通じて、硬化性組成物の各成分間の相溶性を維持して、硬化した後に透明度に優れた硬化物を形成することができ、また、上記硬化物の耐湿性などをも優秀に維持することができ、上記硬化物が例えば半導体素子などに適用されれば、素子の長期信頼性をも確保することができる。
化学式2でR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であることができる。1つの例示でアルケニル基は、高屈折架橋型ポリオルガノシロキサンに含まれる全体ケイ素原子のモル数(Si)に対する上記アルケニル基のモル数(Ak)の比率(Ak/Si)が0.01〜0.43、0.01〜0.4、0.01〜0.35、0.05〜0.35、0.1〜0.35、0.1〜0.3または0.1〜0.25の範囲内になる量で存在することができる。上記モル比(Ak/Si)の調節を通じて反応性を適切に維持し、未反応の成分が硬化物の表面に染み出る現象を防止し、硬化物の硬度、亀裂耐性及び耐熱衝撃性などを優秀に維持することができる。
化学式2でR4〜R6のうち1個または2個以上は、アリール基であることができる。例えば、アリール基は、化学式2の組成式のポリオルガノシロキサンに含まれる全体ケイ素原子のモル数(Si)に対する上記アリール基のモル数(Ar)の比率(Ar/Si)が前述した高屈折ポリオルガノシロキサンのモル数の比率(Ar/Si)を満足することができる範囲内で存在することができる。
化学式2の平均組成式でf、g、h及びiは、各シロキサン単位のモル比率を示し、その総和を1に換算すれば、fは、0〜0.7、0〜0.6、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3または0.1〜0.3であり、gは、0〜0.5、0〜0.4または0〜0.35であり、hは、0〜0.85、0.1〜0.85、0.2〜0.85、0.3〜0.85、0.35〜0.85、0.35〜0.8、0.35〜0.75、0.35〜0.7、0.35〜0.65または0.35〜0.6であり、iは、0〜0.2、0〜0.15、0〜0.1または0〜0.05であることができる。硬化物の強度、亀裂耐性及び耐熱衝撃性を極大化するために、上記で(f+g)/(f+g+h+i)は、0.1〜0.7、0.1〜0.65、0.1〜0.6、0.1〜0.55、0.2〜0.55、0.2〜0.55、0.3〜0.55になるように調節することができる。化学式2でh/(h+i)は、0.7以上、0.75以上、0.8以上、0.85以上または0.9以上にあるように調節することができる。上記でh/(h+i)の上限は、特に制限されず、例えば、1.0であることができる。
化学式2でjは、ポリオルガノシロキサンに含まれている縮合性官能基、例えば、ヒドロキシ基またはアルコキシ基の量を示す。化学式2でjは、0または正の数であり、例えば、上記化学式2でj/(h+i)が0.2以下、0.15以下、0.1以下または0.05以下になる範囲で決定することができる。これを通じて、硬化性組成物の各成分間の相溶性を維持し、硬化した後に透明度に優れた硬化物を形成することができ、また、上記硬化物の耐湿性などをも優秀に維持することができ、上記硬化物が例えば半導体素子などに適用されれば、素子の長期信頼性をも確保することができる。
架橋型ポリオルガノシロキサンの混合物において上記架橋型低屈折ポリオルガノシロキサン(B1)及び架橋型高屈折ポリオルガノシロキサン(B2)の比率は、特に制限されない。例えば、架橋型高屈折ポリオルガノシロキサンは、架橋型低屈折ポリオルガノシロキサン100重量部に対して約5重量部〜100重量部、約5重量部〜90重量部、約5重量部〜80重量部、約5重量部〜70重量部、約5重量部〜60重量部、約10重量部〜60重量部で含まれることができる。本明細書で特に別途規定しない限り、単位重量部は、各成分間の重量比率を意味することができる。
架橋型ポリオルガノシロキサンの混合物は、25℃における粘度が500cP以上または5000cP以上または50000cp、または1,000,000cP以上であることができ、これによって、硬化前の加工性と硬化後の硬度特性などを適切に維持することができる。また、架橋型ポリオルガノシロキサンの混合物は、例えば、500〜20,000または500〜10,000の重量平均分子量(Mw)を有することができる。本明細書で用語重量平均分子量は、GPC(Gel Permeation Chromatograph)で測定された標準ポリスチレンに対する換算数値を意味することができる。特に別途規定しない限り、用語分子量は、重量平均分子量を意味することができる。架橋型ポリオルガノシロキサンの混合物の分子量を500以上に調節し、硬化前の成形性や、硬化後の強度を効果的に維持することができ、分子量を20,000または10,000以下に調節し、粘度などを適切な水準に維持することができる。
架橋型ポリオルガノシロキサンの混合物に含まれるそれぞれの架橋型ポリオルガノシロキサンを製造する方法は、特に制限されず、この分野で公知されている通常の方式を適用することができる。
硬化性組成物は、ケイ素原子に結合している水素原子を含むポリオルガノシロキサン(以下、ポリオルガノシロキサン(C)という)をさらに含むことができる。ポリオルガノシロキサン(C)は、例えば、ケイ素原子に結合した水素原子を1個または2個以上有することができる。ポリオルガノシロキサン(C)は、例えば、高屈折ポリオルガノシロキサンであることができる。ポリオルガノシロキサン(C)は、固体または液体であることができる。また、ポリオルガノシロキサン(C)は、線形構造、すなわちM及びD単位だけよりなる構造であるか、TまたはQ単位を含む構造を有することができる。特に制限されるものではないが、線形構造の場合に、上記水素原子は、上記線形構造の末端に存在するケイ素原子と結合していてもよい。ポリオルガノシロキサン(C)は、低分子型または単分子型の化合物であることができる。これによって、ポリオルガノシロキサン(C)は、ケイ素原子を3個〜10個、3個〜9個、3個〜8個、3個〜7個、3個〜6個または3個〜5個含むことができる。このようなポリオルガノシロキサン(C)は、脂肪族不飽和結合と優れた反応性を示すことができる。また、硬化物の耐クラック性を向上させ、ガス透過性を低い水準に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(C)は、脂肪族不飽和結合と反応して組成物を架橋させる架橋剤であることができる。例えば、ポリオルガノシロキサン(C)の水素原子は、上記記述したポリオルガノシロキサン(A)及び/またはポリオルガノシロキサン(B)のアルケニル基などの脂肪族不飽和結合は付加反応して、架橋及び硬化を進行させることができる。
ポリオルガノシロキサン(C)において全体ケイ素原子のモル数(Si)及びケイ素原子結合水素原子のモル数(H)の比率(H/Si)は、例えば、1.0以下、0.9以下、0.8以下または0.75以下であることができる。上記モル比(H/Si)は、また、0.1以上、0.2以上、0.3以上、0.4以上または0.5以上であることができる。このような範囲で硬化性を優秀に維持し、亀裂耐性及び耐熱衝撃性などを優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(C)が高屈折ポリオルガノシロキサンの場合には、上記ポリオルガノシロキサン(C)に含まれる全体ケイ素原子のモル数(Si)に対する、上記アリール基のモル数(Ar)の比率(Ar/Si)は、前述した高屈折ポリオルガノシロキサンのモル比(Ar/Si)と同じ範囲内であることができる。
ポリオルガノシロキサン(C)は、固体または液体であることができる。ポリオルガノシロキサン(B)が液体なら、その25℃における粘度が300mPa・s以下または300mPa・s以下であることができる。ポリオルガノシロキサン(C)の粘度を上記のように制御することによって、組成物の加工性及び硬化物の硬度特性などを優秀に維持することができる。ポリオルガノシロキサン(C)は、例えば、1,000未満または800未満の分子量を有することができる。ポリオルガノシロキサン(C)の分子量が1,000以上なら、硬化物の強度が低下するおそれがある。ポリオルガノシロキサン(C)の分子量の下限は、特に制限されず、例えば、250であることができる。
ポリオルガノシロキサン(C)として上記のような特性を満足する限り、多様な種類のポリオルガノシロキサンをすべて使用することができる。例えば、ポリオルガノシロキサン(C)として、下記化学式3または4の化合物を使用することができる。
[化学式3]
Figure 0006237880
化学式3でRは、それぞれ独立に、水素、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つRのうち1つ以上は、アリール基であり、nは、1〜10の数である。
化学式3でnは、例えば、1〜8、1〜6、1〜4、1〜3または1〜2であることができる。
[化学式4]
(HR SiO1/2(RSiO3/2
化学式4でR及びRは、それぞれ独立に、水素または1価炭化水素基であり、且つR及びRのうち1つ以上は、アリール基である。
ポリオルガノシロキサン(C)の含量は、硬化性組成物に含まれる全体脂肪族不飽和結合含有官能基、例えば、上記ポリオルガノシロキサン(A)及びポリオルガノシロキサン(B)などに含まれるアルケニル基のモル数(Ak)に対するポリオルガノシロキサン(B)の水素原子のモル数(H)の比率(H/Ak)が0.5〜3.0または0.7〜2になる範囲で選択することができる。
このようなモル比(H/Ak)で配合することによって、硬化前に優れた加工性と作業性を示し、硬化して優れた亀裂耐性、硬度特性、耐熱衝撃性及び接着性を示し、苛酷条件での白濁や、表面のべたつきなどを誘発しない組成物を提供することができる。
硬化性組成物は、ケイ素原子に結合した水素原子を含むポリオルガノシロキサンであって、例えば、低屈折の高分子形の化合物をさらに含むことができる。例えば、硬化性組成物は、ケイ素原子に結合している水素原子を含み、10個〜50個または20個〜40個の範囲内でケイ素原子を含むポリオルガノシロキサンをさらに含むことができる。上記ポリオルガノシロキサンは、低屈折ポリオルガノシロキサンであることができ、このような場合に、上記記述した範囲のアリール基モル比(Ar/Si)を有することができる。上記ポリオルガノシロキサンが含むケイ素原子の数は、他の例示で、25個以上、27個以上または約30個以上であることができ、38個以下または36個以下程度であることができる。このような化合物は、例えば上記化学式3で表示され、1価炭化水素基のRのうちアリール基が上記低屈折ポリオルガノシロキサンのアリール基モル比(Ar/Si)を満足することができるように含まれ、nが18〜38の範囲内の化合物であることができる。また、このような場合に、nは、23以上、25以上または28以上であることができ、36以下または34以下であることができる。このような化合物の硬化性組成物での包含比率は、特に制限されず、例えば、上記ポリオルガノシロキサン(B)100重量部に対して5重量部〜30重量部、5重量部〜25重量部、5重量部〜20重量部または5重量部〜15重量部の範囲内であることができる。本明細書で特に別途規定しない限り、単位重量部は、各成分間の重量の比率であることができる。
硬化性組成物は、水素原子を含む化合物であって、例えば、下記化学式5の平均組成式を有する化合物(以下、化合物(C)という)をさらに含むことができる。
[化学式5]
(HRSiO)(RSiO3/2(RSiO2/2
化学式5でRは、それぞれ独立に、1価の炭化水素基であり、Rのうち少なくとも1つは、アリール基であり、a、b及びcの総和(a+b+c)は、1であり、aは、0.3〜0.8であり、bは、0.2〜0.7であり、cは、0〜0.5である。
上記化合物(C)において全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合水素原子のモル数(H)の比率(H/Si)は、例えば、0.2〜1.0または0.3〜1.0程度であることができる。
また、上記化合物(C)において全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合アリール基のモル数(Ar)の比率(Ar/Si)は、例えば、0.3〜1.0または0.4〜1.0程度であることができる。
上記化合物(C)が使用される場合に、その含量は、例えば、上記ポリオルガノシロキサン(B)の比率や、脂肪族不飽和結合の量などを考慮して適切に選択することができる。
硬化性組成物は、水素原子を含む他の化合物であって、例えば、下記化学式6の化合物(以下、化合物(D)という)をさらに含むことができる。
[化学式6]
SiO(HRSiO)(RSiO)OSiR
化学式6で、Rは、それぞれ独立に、水素、エポキシ基または1価の炭化水素基であり、rは、5〜100の数であり、sは、0〜100または5〜100の数である。化学式6で、1価炭化水素基は、例えば、アリール基を除いた1価炭化水素基であることができる。
化合物(D)に含まれる全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合水素原子のモル数(H)の比率(H/Si)は、0.2〜1または0.3〜1であることができる。モル比(H/Si)を上記のように調節して硬化性を優秀に維持することができる。化合物(D)は、また、25℃における粘度が0.1cP〜100,000cP、0.1cP〜10,000cP、0.1cP〜1,000cPまたは0.1cP〜300cPであることができる。上記粘度を有すれば、組成物の加工性及び硬化体の硬度特性などを優秀に維持することができる。
化合物(D)の全体ケイ素原子のモル数(Si)に対するケイ素原子結合アリール基のモル数(Ar)の比率(Ar/Si)は、例えば、0〜0.8または0〜0.7程度であることができる。
化合物(D)の含量は、例えば、硬化性組成物に含まれる全体脂肪族不飽和結合含有官能基、例えば、ポリオルガノシロキサン(A)に含まれるアルケニル基の量とポリオルガノシロキサン(B)に含まれるケイ素原子結合水素原子の量を考慮して適正な含量に調節することができる。
硬化性組成物に含まれる線形または部分架橋型ポリオルガノシロキサン(以下、ポリオルガノシロキサン(A)という)は、低屈折ポリオルガノシロキサンまたは高屈折ポリオルガノシロキサンであることができる。高温耐熱性などを考慮して、ポリオルガノシロキサン(A)として低屈折ポリオルガノシロキサンを使用することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)は、脂肪族不飽和結合を含む官能基、例えば、アルケニル基を1つ以上含むことができる。例えば、ポリオルガノシロキサン(A)は、ポリオルガノシロキサン(A)に含まれる全体ケイ素原子(Si)に対する上記脂肪族不飽和結合を含む官能基(Ak)、例えば、アルケニル基のモル比(Ak/Si)が0.001〜0.4になる量で上記官能基を含むことができる。上記モル比(Ak/Si)は他の例示で0.01以上、0.02以上、0.03以上、0.04以上または0.05以上であることができる。また、上記モル比(Ak/Si)は、他の例示で、0.3以下、0.25以下または0.2以下であることができる。
ポリオルガノシロキサン(A)は、例えば、下記化学式7の平均組成式を有することができる。
[化学式7]
(R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2
化学式7でR〜Rは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であり、a、c及びdは、それぞれ独立に、0または正の数であり、bは、正の数である。
化学式7で、1価炭化水素基は、ポリオルガノシロキサン(A)が低屈折ポリオルガノシロキサンなら、アリール基を除いた1価炭化水素基であることができる。
化学式7でR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であり、例えば、上記記述したモル比(Ak/Si)を満足する範囲内でアルケニル基が存在することができる。特に制限されるものではないが、例えば、アルケニル基は、Rの位置に存在することができる。
化学式7の平均組成式でa、b、c及びdは、ポリオルガノシロキサン(A)の各シロキサン単位のモル比率を示す。その総和(a+b+c+d)を1に換算したら、aは、0.001〜0.2、0.01〜0.2、0.02〜0.2、0.03〜0.2、0.04〜0.2または0.04〜0.1であり、bは、0.7〜0.999または0.7〜0.95であり、cは、0〜0.3または0超過且つ0.2以下であるか、0超過且つ0.1以下であり、dは、0〜0.3、0〜0.2または0〜0.1であることができる。
化学式7で各シロキサン単位は、例えば、(c+d)/(a+b+c+d)が0〜0.3、0〜0.2または0〜0.1になるように存在することができる。また、ポリオルガノシロキサン(A)が部分架橋型なら、b/(b+c+d)は、上記部分架橋型のD/(D+T+Q)の範囲を満足する範囲内で調節することができる。シロキサン単位の比率をこのように調節して、適用用途によって適した物性を確保することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)は、例えば、環形ポリオルガノシロキサンを含む混合物の開環重合反応物に含まれていてもよい。上記反応物は、例えば、重量平均分子量(Mw)が800以下、750以下または700以下の環形化合物、例えば、環形ポリオルガノシロキサンを含み、その比率が7重量%以下、5重量%以下または3重量%以下であることができる。上記環形化合物の比率の下限は、例えば、0重量%または1重量%であることができる。上記比率への調節を通じて長期信頼性及び亀裂耐性に優れた硬化物を提供することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)またはそれを含む反応物は、H NMRで求められるスペクトルでケイ素原子に結合されたアルコキシ基から由来するピークの面積がケイ素に結合された脂肪族不飽和結合含有官能基、例えば、ビニル基のようなアルケニル基から由来するピークの面積に対して0.01以下、0.005以下または0であることができる。上記範囲で適切な粘度特性を示しながら、他の物性をも優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)またはそれを含む反応物は、KOH滴定によって求められる酸価(acid value)が0.02以下、0.01以下または0であることができる。上記範囲で適切な粘度特性を示しながら、他の物性をも優秀に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)またはそれを含む重合反応物は、25℃における粘度が500cP以上、1,000cP以上、2,000cP以上、5,000cP以上であることができる。このような範囲で加工性及び硬度特性などを適切に維持することができる。上記粘度の上限は、特に制限されるものではないが、例えば、上記粘度は、500,000cP以下、400,000cP以下、300,000cP以下、200,000cP以下、100,000cP以下、80,000cP以下、70,000cP以下または65,000cP以下であることができる
ポリオルガノシロキサン(A)またはそれを含む重合反応物は、分子量が500〜100,000または1,500〜50,000であることができる。このような範囲で成形性、硬度及び強度特性などを適切に維持することができる。
ポリオルガノシロキサン(A)を含む重合反応物は、例えば、環形ポリオルガノシロキサンを含む混合物の開環重合反応物であることができる。ポリオルガノシロキサン(A)が部分架橋構造の場合には、上記混合物は、例えば、ケージ構造または部分ケージ構造を有するか、またはT単位を含むポリオルガノシロキサンをさらに含むことができる。環形ポリオルガノシロキサン化合物として、例えば、下記化学式8で表示される化合物を使用することができる。
[化学式8]
Figure 0006237880
化学式8でR及びRは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、oは、3〜6である。
環形ポリオルガノシロキサンは、また、下記化学式9の化合物及び下記化学式10の化合物を含むことができる。
[化学式9]
Figure 0006237880
[化学式10]
Figure 0006237880
化学式9及び10でR及びRは、エポキシ基またはアルキル基であり、R及びRは、エポキシ基または1価炭化水素基であり、pは、3〜6の数であり、qは、3〜6の数である。
化学式8〜10で、R〜Rの具体的な種類やo、p及びqの具体的な数値、そして混合物内での各成分の比率は、目的するポリオルガノシロキサン(D)の構造によって定められることができる。
ポリオルガノシロキサン(A)が部分架橋構造の場合に、上記混合物は、ケージ構造のポリオルガノシロキサンであって、例えば、下記化学式11の平均組成式を有する化合物または部分ケージ構造を有するか、T単位を含むポリオルガノシロキサンであって、下記化学式12の平均組成式を有する化合物をさらに含むことができる。
[化学式11]
[RSiO3/2
[化学式12]
[R SiO1/2[RSiO3/2
化学式11及び12で、R、R及びRは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、Rは、エポキシ基または炭素数1〜4のアルキル基であり、pは、1〜3であり、qは、1〜10である。
化学式11及び12で、R〜Rの具体的な種類やp及びqの具体的な数値、そして混合物内での各成分の比率は、目的するポリオルガノシロキサン(D)の構造によって定められることができる。
環形ポリオルガノシロキサンをケージ構造及び/または部分ケージ構造を有するか、T単位を含むポリオルガノシロキサンと反応させれば、目的する部分架橋構造を有するポリオルガノシロキサンを十分な分子量で合成することができる。また、上記方式によれば、ポリオルガノシロキサンまたはそれを含む重合反応物内でケイ素原子に結合しているアルコキシ基やヒドロキシ基のような官能基を最小化し、優れた物性を有する目的物を製造することができる。
1つの例示で、上記混合物は、下記化学式13で表示される化合物をさらに含むことができる。
[化学式13]
(R Si)
化学式13で、R及びRは、エポキシ基または1価炭化水素基である。
化学式13で、1価炭化水素基の具体的な種類や混合物内での配合比率は、目的するポリオルガノシロキサン(A)によって定められることができる。
上記混合物内の各成分の反応は、適切な触媒の存在の下で行われることができる。したがって、上記混合物は、触媒をさらに含むことができる。
混合物に含まれることができる触媒として、例えば、塩基触媒をあげることができる。適切な塩基触媒として、KOH、NaOHまたはCsOHなどのような金属水酸化物;アルカリ金属化合物とシロキサンを含む金属シラノレート(metal silanolate)またはテトラメチルアンモニウムヒドロキシド(tetramethylammonium hydroxide)、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド(tetraethylammonium hydroxide)またはテトラプロピルアンモニウムヒドロキシド(tetrapropylammonium hydroxide)などのような4級アンモニウム化合物などを例示することができるが、これに制限されるものではない。
混合物内で上記触媒の比率は、目的する反応性などを考慮して適切に選択することができ、例えば、混合物内の反応物の合計重量100重量部に対して0.01重量部〜30重量部または0.03重量部〜5重量部の比率で含まれることができる。本明細書で特に別途規定しない限り、単位重量部は、各成分間の重量の比率を意味する。
1つの例示で、上記混合物の反応は、溶媒を使用しない無溶媒の下または適切な溶媒の存在の下に行われることができる。溶媒として、上記混合物内の反応物、すなわちジシロキサンまたはポリシロキサンなどと触媒を適切に混合することができ、反応性に大きい差し支えを与えないものなら、いずれの種類も使用することができる。溶媒として、n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、2、2、4−トリメチルペンタン、シクロヘキサンまたはメチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒;ベンゼン、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、エチルベンゼンまたはメチルエチルベンゼンなどの芳香族系溶媒、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ジエチルケトン、メチルn−プロピルケトン、メチルn−ブチルケトン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノンまたはアセチルアセトンなどのケトン系溶媒;テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、エチルエーテル、n−プロピルエーテル、イソプロピルエーテル、ジグライム、ジオキシン、ジメチルジオキシン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルまたはプロピレングリコールジメチルエーテルなどのエーテル系溶媒;ジエチルカーボネート、メチルアセテート、エチルアセテート、エチルラクテート、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートまたはエチレングリコールジアセテートなどのエステル系溶媒;N−メチルピロリドン、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N−エチルホルムアミド、N、N−ジメチルアセトアミドまたはN、N−ジエチルアセトアミドなどのアミド系溶媒を例示することができるが、これに制限されるものではない。
混合物の反応、例えば、開環重合反応は、例えば、触媒を添加して行い、例えば、0℃〜150℃または30℃〜130℃の範囲内の反応温度で行われることができる。また、上記反応時間は、例えば、1時間〜3日の範囲内で調節することができる。
硬化性組成物は、ヒドロシリル化触媒をさらに含むことができる。ヒドロシリル化触媒は、水素ケイ素化反応を促進させるために使用することができる。ヒドロシリル化触媒として、この分野で公知された通常の成分をすべて使用することができる。このような触媒の例として、白金、パラジウムまたはロジウム系触媒などを挙げることができる。本出願では、触媒効率などを考慮して、白金系触媒を使用することができ、このような触媒の例として、塩化白金酸、四塩化白金、白金のオレフィン錯体、白金のアルケニルシロキサン錯体または白金のカルボニル錯体などを挙げることができるが、これに制限されるものではない。
ヒドロシリル化触媒の含量は、いわゆる触媒量、すなわち触媒として作用することができる量で含まれる限り、特に制限されない。通常、白金、パラジウムまたはロジウムの原子量を基準として0.1ppm〜200ppmまたは0.2ppm〜100ppmの量で使用することができる。
硬化性組成物は、また、各種基材に対する接着性のさらなる向上の観点から、接着性付与剤をさらに含むことができる。接着性付与剤は、組成物または硬化物に自己接着性を改善することができる成分であって、特に金属及び有機樹脂に対する自己接着性を改善することができる。
接着性付与剤として、ビニル基などのアルケニル基、(メタ)アクリロイルオキシ基、ヒドロシリル基(SiH基)、エポキシ基、アルコキシ基、アルコキシシリル基、カルボニル基及びフェニル基よりなる群から選択される1種以上または2種以上の官能基を有するシラン;または2〜30または4〜20個のケイ素原子を有する環状または直鎖状シロキサンなどの有機ケイ素化合物などを例示することができるが、これに制限されるものではない。本出願では、上記のような接着性付与剤の一種または二種以上をさらに混合して使用することができる。
1つの例示で、接着性付与剤として、ケイ素原子に結合されたアルケニル基とエポキシ基を含み、全体ケイ素原子(Si)に対してアルケニル基(Ak)のモル比(Ak/Si)が
0.02〜0.5,0.08〜0.5,0.1〜0.5または0.1〜0.4の範囲内であり、全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.9以下、0.8以下、0.7以下、0.6以下、0.5以下、0.4以下、0.3以下、0.2以下、0.1以下または0.05以下であり、全体ケイ素原子(Si)に対してエポキシ基(Ep)のモル比(Ep/Si)が0.01〜0.5,0.05〜0.5,0.1〜0.5または0.1〜0.45の範囲内のポリオルガノシロキサンであることができる。
例えば、上記接着性付与剤は、下記化学式14の平均組成式を有することができる。
[化学式14]
(R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(OR)
化学式14でR及びR〜Rは、それぞれ独立に、1価炭化水素基またはエポキシ基であり、且つR〜Rのうち少なくとも1つは、アルケニル基またはエポキシ基であり、a、b、c、d及びeは、それぞれ0または正の数であり、c/(c+d)は、0.3以上であり、e/(c+d)は、0.2以下であることができる。但し、上記でc及びdのうち少なくとも1つは、正の数であることができる。
接着性付与剤がアリール基を実質的に含まない低屈折成分なら、上記R及びR〜Rは、それぞれアリール基を除いた上記置換基であることができる。接着性付与剤が低屈折成分の場合に、上記化学式14でアリール基は、前述したアリール基のモル比(Ar/Si)が、0.9以下、0.8以下、0.7以下、0.6以下、0.5以下、0.4以下、0.3以下、0.2以下、0.1以下または0.05以下になるように含まれることができる。
化学式14でR〜Rのうち1個または2個以上は、アルケニル基であることができる。1つの例示で、化学式14でアルケニル基は、上記言及したモル比(Ak/Si)を満足するように含まれることができる。また、化学式14でR〜Rのうち1つ以上は、エポキシ基であることができる。1つの例示で、化学式14でエポキシ基は、上記言及したモル比(Ep/Si)を満足するように含まれることができる。
化学式14の平均組成式でa、b、c及びdは、各シロキサン単位のモル比率を示し、その総和(a+b+c+d)を1に換算すれば、aは、0.2〜0.8、0.3〜0.8、0.3〜0.7または0.3〜0.6であり、bは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3または0〜0.2であり、cは、0〜0.8、0.1〜0.7、0.1〜0.65、0.1〜0.6または0.1〜0.5であり、dは、0〜0.5、0〜0.4、0〜0.3または0〜0.2であることができる。化学式14の平均組成式でc/(c+d)は、0.3以上、0.5以上、0.65以上または0.7以上であることができる。接着性付与剤の各シロキサン単位のモル比を上記のように調節すれば、硬化体の接着性を優秀に維持しながら、信頼性に優れた半導体素子を提供することができる。上記c/(c+d)の上限は、特に制限されず、例えば、1、0.9、0.8または0.75であることができる。
化学式14でeは、ポリオルガノシロキサンに含まれている縮合性官能基、例えば、ヒドロキシ基またはアルコキシ基の量を示す。化学式14でeは、0または正の数であり、例えば、化学式14でe/(c+d)が0.2以下、0.15以下、0.1以下または0.05以下になる範囲で存在することができる。このような調節を通じて、硬化性組成物の各成分間の相溶性を維持して、硬化した後に透明度に優れた硬化体を形成することができ、また、上記硬化体の耐湿性などをも優秀に維持することができ、上記硬化体が例えば半導体素子などに適用されれば、素子の長期信頼性をも確保することができる。ポリオルガノシロキサンにおいて上記縮合性官能基は、なるべく存在しないことが良く、したがって上記e/(c+d)の下限は、特に制限されない。
このような接着性付与剤は、例えば、500〜20,000または500〜10,000の分子量を有することができる。
接着性付与剤は、例えば、硬化性組成物の固形分100重量部に対して0.1重量部〜20重量部の比率で含まれることができるが、上記含量は、目的する接着性改善効果などを考慮して適切に変更することができる。
接着性付与剤が組成物に含まれる場合、例えば、硬化性組成物の固形分100重量部に対して0.1重量部〜20重量部の比率で含まれることができるが、上記含量は、目的する接着性改善効果などを考慮して適切に変更することができる。
硬化性組成物は、必要に応じて、2−メチル−3−ブチン−2−オル、2−フェニル−3−1−ブチン−2オル、3−メチル−3−ペンテン−1−イン、3、5−ジメチル−3−ヘキセン−1−イン、1、3、5、7−テトラメチル−1、3、5、7−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサンまたはエチニルシクロヘキサンなどの反応抑制剤;シリカ、アルミナ、ジルコニアまたはチタニアなどの無機充填剤;エポキシ基及び/またはアルコキシシリル基を有する炭素官能性シラン、その部分加水分解縮合物またはシロキサン化合物;ポリエーテルなどと併用できる煙霧状シリカなどの揺変性付与剤;フィラー;螢光体;銀、銅またはアルミニウムなどの金属粉末や、各種カーボン素材などのような導電性付与剤;顔料または染料などの色調調整剤などの添加剤を一種または二種以上をさらに含むことができる。
本出願は、また、半導体素子、例えば、光半導体素子に関する。例示的な半導体素子は、上記硬化性組成物の硬化物を含む封止材によって封止されたものであることができる。封止材で封止される半導体素子として、ダイオード、トランジスタ、サイリスタ、フォトカップラー、CCD、固体撮像装置、一体式IC、混成IC、LSI、VLSI及びLED(Light Emitting Diode)などを例示することができる。1つの例示で、上記半導体素子は、発光ダイオードであることができる。
発光ダイオードとして、例えば、基板上に半導体材料を積層して形成した発光ダイオードなどを例示することができる。上記半導体材料として、GaAs、GaP、GaAlAs、GaAsP、AlGaInP、GaN、InN、AlN、InGaAlNまたはSiCなどを例示することができるが、これに制限されるものではない。また、上記基板として、サファイア、スピンネル、SiC、Si、ZnOまたはGaN単結晶などを例示することができる。
発光ダイオードの製造時には、必要に応じて、基板と半導体材料との間にバッファー層を形成してもよい。バッファー層として、GaNまたはAlNなどを使用することができる。基板上への半導体材料の積層方法は、特に制限されず、例えば、MOCVD法、HDVPE法または液相成長法などを使用することができる。また、発光ダイオードの構造は、例えば、MIS接合、PN接合、PIN接合を有するモノ接合、ヘテロ接合、二重ヘテロ接合などであることができる。また、単一または多重量子井戸構造で上記発光ダイオードを形成することができる。
1つの例示で、発光ダイオードの発光波長は、例えば、250nm〜550nm、300nm〜500nmまたは330nm〜470nmであることができる。発光波長は、主発光ピーク波長を意味することができる。発光ダイオードの発光波長を上記範囲に設定することによって、より長い寿命で、エネルギー効率が高くて、色再現性が高い白色発光ダイオードを得ることができる。
発光ダイオードは、上記組成物を使用して封止することができる。発光ダイオードの封止は、上記組成物だけで行われることができ、場合によっては、他の封止材を上記組成物と併用することができる。2種の封止材を併用する場合、上記混合物を使用した封止後に、その周囲を他の封止材で封止してもよく、他の封止材でまず封止した後、その周囲を上記混合物で封止してもよい。他の封止材として、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ユレア樹脂、イミド樹脂またはガラスなどが挙げられる。
硬化性組成物で発光ダイオードを封止する方法として、例えば、モールド型鋳型に上記混合物をあらかじめ注入し、そこに発光ダイオードが固定されたリードフレームなどを浸漬させ、混合物を硬化させる方法、発光ダイオードを挿入した鋳型の中に混合物を注入し、硬化させる方法などを使用することができる。混合物を注入する方法として、ディスペンサーによる注入、トランスファー成形または射出成形などを例示することができる。また、その他の封止方法として、混合物を発光ダイオード上に滴下、孔版印刷、スクリーン印刷またはマスクを媒介で塗布し、硬化させる方法、底部に発光ダイオードを配置したカップなどに混合物をディスペンサーなどによって注入し、硬化させる方法などが使用することができる。
硬化性組成物は、必要に応じて、発光ダイオードをリード端子やパッケージに固定するダイボンド材や、発光ダイオード上のパッシベーション(passivation)膜またはパッケージ基板などに利用することができる。
上記組成物の硬化が必要な場合、硬化方法は、特に制限されず、例えば、60℃〜200℃の温度で10分〜5時間上記組成物を維持して行うか、または適正温度及び時間での2段階以上の過程を経て段階的な硬化工程を進行してもよい。
封止材の形状は、特に限定されず、例えば、砲弾型のレンズ形状、板状または薄膜状などで構成することができる。
また、従来の公知の方法によって発光ダイオードのさらなる性能向上を図ることができる。性能向上の方法として、例えば、発光ダイオードの背面に光の反射層または集光層を設置する方法、補色着色部を底部に形成する方法、主発光ピークより短波長の光を吸収する層を発光ダイオード上に設置する方法、発光ダイオードを封止した後、さらに硬質材料でモールディングする方法、発光ダイオードを貫通ホールに挿入して固定する方法、発光ダイオードをフリップチップ接続などによってリード部材などと接続し、基板方向から光を取り出す方法などが挙げられる。
上記光半導体、例えば、発光ダイオードは、例えば、液晶表示装置(LCD;Liquid Crystal Display)のバックライト、照明、各種センサー、プリンター、コピー機などの光源、車両用計器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾または各種ライトなどに効果的に適用することができる。
例示的な硬化性組成物は、加工性、作業性及び接着性などに優れ、白濁及び表面でのべたつきなどが誘発されない硬化物を提供することができる。上記硬化性組成物は、また、高温での耐熱性、ガスバリア性及び耐クラック性特性などに優れ、例えば上記組成物が適用された半導体素子が高温で長時間使用される場合にも、安定的に性能を維持することができる。
以下、実施例及び比較例を通じて上記硬化性組成物を詳しく説明するが、上記硬化性組成物の範囲が下記実施例によって制限されるものではない。
以下で、符号Vi、Ph、Me及びEpは、それぞれ、ビニル基、フェニル基、メチル基及び3−グリシドキシプロピル基を示す。
1.長期信頼性の評価
ポリフタルアミド(PPA)で製造された7020LEDパッケージを使用して長期信頼性(高温での長期信頼性)を評価する。具体的に、ポリフタルアミドカップ内に硬化性組成物をディスペンシングし、60℃で1時間維持し、さらに80℃で1時間維持した後、さらに150℃で4時間維持することによって硬化させ、表面実装型LEDを製造する。その後、製造されたLEDを85℃温度条件で維持した状態で120mAの電流を流しながら500時間動作させる。引き続いて、動作前の初期輝度に対して動作後の輝度減少率を測定し、下記基準で評価する。
〈評価基準〉
O:輝度減少率が5%以下の場合
X:輝度減少率が5%を超過する場合
2.耐熱衝撃性
LEDを−30℃で15分間維持し、さらに100℃で15分維持することを1サイクル(cycle)にして、200サイクルにLEDを維持した後、点灯しないLEDの数と総評価LED数を評価した。同一硬化性組成物で全体20個のLEDを製造し、製造されたLEDのうち点灯しないLEDの数を評価し、下記表1に記載した((点灯しないLEDの数)/(評価されたLEDの数))。
実施例1
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式A〜Eで表示される化合物を混合して混合物(配合量:化学式A:20g、化学式B:30g、化学式C:5g、化学式D:8g、化学式E:1.0g)を製造し、Pt(0)の含量が2ppmになる量で触媒(Platinum(0)−1、3−divinyl−1、1、3、3−tetramethyldisiloxane)を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式A]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/240(PhSiO2/210
[化学式B]
(ViMeSiO1/2)(MeSiO1/2(MeSiO2/21.5(SiO4/24.5
[化学式C]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/21.5(MeSiO2/21.5(PhSiO3/2
[化学式D]
(HMeSiO1/2(PhSiO2/2
[化学式E]
(ViMeSiO1/2(MeSiO1/2(EpMeSiO2/22.5(SiO4/2
実施例2
上記化学式A〜C及びEの化合物と下記化学式Fの化合物を混合し、混合物(配合量:化学式A:30g、化学式B:50g、化学式C:20g、化学式F:14g、化学式E:1.0g)を製造し、Pt(0)の含量が2ppmになる量で触媒(Platinum(0)−1、3−divinyl−1、1、3、3−tetramethyldisiloxane)を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式F]
(HMeSiO1/2(MePhSiO2/2
実施例3
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式A〜Eで表示される化合物を混合し、混合物(配合量:化学式A:5g、化学式B:55g、化学式C:5g、化学式D:8g、化学式E:1.0g)を製造し、Pt(0)の含量が2ppmになる量で触媒(Platinum(0)−1、3−divinyl−1、1、3、3−tetramethyldisiloxane)を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式A]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/240(PhSiO2/210
[化学式B]
(ViMeSiO1/2(SiO4/2
[化学式C]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/21.5(MeSiO2/21.5(PhSiO3/2
[化学式D]
(HMeSiO1/2(PhSiO2/2
[化学式E]
(ViMeSiO1/2(MeSiO1/2(EpMeSiO2/22.5(SiO4/2
実施例4
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式A〜Eで表示される化合物を混合し、混合物(配合量:化学式A:5g、化学式B:55g、化学式C:5g、化学式D:8g、化学式E:1.0g)を製造し、Pt(0)の含量が2ppmになる量で触媒(Platinum(0)−1、3−divinyl−1、1、3、3−tetramethyldisiloxane)を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式A]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/240(PhSiO2/210
[化学式B]
(ViMeSiO1/2(SiO4/2
[化学式C]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/21.5(MeSiO2/21.5(PhSiO3/2
[化学式D]
(HMeSiO1/2(PhMeSiO2/2
[化学式E]
(ViMeSiO1/2(MeSiO1/2(EpMeSiO2/22.5(SiO4/2
比較例1
化学式Dの化合物を使用せず、下記化学式Gの化合物3gを使用したことを除いて、実施例1と同一に硬化性組成物を製造した。
[化学式G]
(MeSiO1/2)(HMeSiO2/220
比較例2
化学式Fの化合物を使用せず、上記化学式Gの化合物7gを使用したことを除いて、実施例2と同一に硬化性組成物を製造した。
比較例3
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式A〜Eで表示される化合物を混合し、混合物(配合量:化学式A:20g、化学式B:30g、化学式C:5g、化学式D:8g、化学式E:1.0g)を製造し、Pt(0)の含量が2ppmになる量で触媒(Platinum(0)−1、3−divinyl−1、1、3、3−tetramethyldisiloxane)を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式A]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/240(PhSiO2/210
[化学式B]
(ViMeSiO1/2)(MeSiO1/2(MeSiO2/21.5(SiO4/24.5
[化学式C]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/21.5(MeSiO2/21.5(PhSiO3/2
[化学式D]
(HMeSiO1/2(MeSiO2/2(MePhSiO2/2
[化学式E]
(ViMeSiO1/2(MeSiO1/2(EpMeSiO2/22.5(SiO4/2
比較例4
それぞれ公知の方法で製造された下記の化学式A〜Eで表示される化合物を混合し、混合物(配合量:化学式A:20g、化学式B:30g、化学式C:5g、化学式D:8g、化学式E:1.0g)を製造し、Pt(0)の含量が2ppmになる量で触媒(Platinum(0)−1、3−divinyl−1、1、3、3−tetramethyldisiloxane)を配合し、硬化性組成物を製造した。
[化学式A]
(ViMeSiO1/2(MeSiO2/240(PhSiO2/210
[化学式B]
(ViMeSiO1/2)(MeSiO1/2(Me2SiO2/21.5(SiO4/24.5
[化学式C]
(ViMeSiO1/2(Me2SiO2/21.5(MeSiO2/21.5(PhSiO3/2
[化学式D]
(HMeSiO1/2(PhSiO2/2
[化学式E]
(ViMeSiO1/2(MeSiO1/2(EpMeSiO2/22.5(SiO4/2
上記実施例及び比較例の硬化性組成物に対して物性を測定した結果を下記表1に整理して記載した。
Figure 0006237880

Claims (16)

  1. (A)脂肪族不飽和結合を有する線形または部分架橋型ポリオルガノシロキサンと;(B)脂肪族不飽和結合を有し、全体ケイ素原子(Si)に対するアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.3以下である第1架橋型ポリオルガノシロキサンと、脂肪族不飽和結合を有し、全体ケイ素原子(Si)に対するアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が上記第1架橋型ポリオルガノシロキサンと異なっていて、且つ0.3以上である第2架橋型ポリオルガノシロキサンの混合物、及び(C)ケイ素原子に結合している水素原子及びアリール基を含み、ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比が0.3以上であり、3個〜10個の範囲内でケイ素原子を有するポリオルガノシロキサンを含む硬化性組成物であって、
    前記(A)脂肪族不飽和結合を有する線形または部分架橋型ポリオルガノシロキサンが、下記化学式7の平均組成式を有し、分子量が500〜100,000であり:
    [化学式7]
    (R SiO 1/2 (R SiO 2/2 (R SiO 3/2 (SiO 4/2
    化学式7でR 〜R は、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つR 〜R のうち1個または2個以上は、アルケニル基であり、a、c及びdは、それぞれ独立に、0または正の数であり、bは、正の数であり、(c+d)/(a+b+c+d)が0〜0.3である;
    前記第1架橋型ポリオルガノシロキサンが、下記化学式1の平均組成式を有し、重量平均分子量が500〜20,000であり
    [化学式1]
    (R SiO1/2(R SiO2/2(RSiO3/2(SiO4/2(O 1/2 R)
    化学式1でR〜Rは、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、R〜Rのうち少なくとも1つは、アルケニル基であり、Rは、水素または1価炭化水素基であり、a、b、c、d及びeは、それぞれ独立に、0または正の数であり、d/(c+d)は、0.3以上であり、e/(c+d)は、0.2以下であり、(a+b)/(a+b+c+d)は、0.2〜0.8であり:
    前記第2架橋型ポリオルガノシロキサンは、下記化学式2の平均組成式を有し、重量平均分子量が500〜20,000であり:
    [化学式2]
    (R SiO 1/2 (R SiO 2/2 (R SiO 3/2 (SiO 4/2 (O 1/2 R)
    化学式2でR 〜R は、それぞれ独立に、エポキシ基または1価炭化水素基であり、R はアルケニル基又はアリール基であり、且つR 〜R のうち少なくとも1つは、アルケニル基であり、R 〜R のうち少なくとも1つは、アリール基であり、Rは、水素または1価炭化水素基であり、f、g、h及びiは、それぞれ独立に、0または正の数であり、h/(h+i)は、0.7以上であり、j/(h+i)は、0.2以下であり、(f+g)/(f+g+h+i)は、0.1〜0.7である;
    前記第2架橋型ポリオルガノシロキサンは、第1架橋型ポリオルガノシロキサン100重量部に対して5〜100重量部で含まれる、硬化性組成物。
  2. ポリオルガノシロキサン(C)の全体ケイ素原子のモル数(Si)及び水素原子のモル数(H)の比率(H/Si)は、0.2〜0.8である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  3. ポリオルガノシロキサン(C)は、25℃における粘度が300mPa・s以下である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  4. ポリオルガノシロキサン(C)の分子量は、1,000未満である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  5. ポリオルガノシロキサン(C)は、下記化学式3または4の化合物である、請求項1に記載の硬化性組成物:
    [化学式3]
    Figure 0006237880
    [化学式4]
    (HR SiO1/2(RSiO3/2
    化学式3及び4でR、R及びRは、それぞれ独立に、水素、エポキシ基または1価炭化水素基であり、且つRのうち1つ以上は、アリール基であり、R及びRのうち1つ以上は、アリール基であり、nは、1〜8の数である。
  6. ポリオルガノシロキサン(C)は、硬化性組成物に含まれる全体アルケニル基(Ak)に対してケイ素原子に結合した水素原子(H)のモル比(H/Ak)が0.5〜3.0になる範囲で含まれる、請求項1に記載の硬化性組成物。
  7. ケイ素原子に結合している水素原子を含み、ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比が0.3以下であり、10個〜50個の範囲内でケイ素原子を含むポリオルガノシロキサンをさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物。
  8. 下記化学式5の平均組成式の化合物をさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物:
    [化学式5]
    (HRSiO1/2(RSiO3/2(RSiO2/2
    化学式5でRは、それぞれ独立に、1価の炭化水素基であり、Rのうち少なくとも1つは、アリール基であり、a、b及びcの総和(a+b+c)は1であり、aは、0.3〜0.8であり、bは、0.2〜0.7であり、cは、0〜0.5である。
  9. 下記化学式6の化合物をさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物:
    [化学式6]
    SiO(HRSiO)(RSiO)OSiR
    化学式6でRは、それぞれ独立に、水素、エポキシ、またはアリール基を除いた1価の炭化水素基であり、rは、5〜100の範囲内の数であり、sは、0〜100の範囲内の数である。
  10. 線形または部分架橋型ポリオルガノシロキサンは、全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.2以下である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  11. 線形または部分架橋型ポリオルガノシロキサンは、全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.3以上である、請求項1に記載の硬化性組成物。
  12. ケイ素原子に結合されたアルケニル基とエポキシ基を含み、全体ケイ素原子(Si)に対してアルケニル基(Ak)のモル比(Ak/Si)が0.02〜0.5の範囲内であり、全体ケイ素原子(Si)に対してアリール基(Ar)のモル比(Ar/Si)が0.9以下であり、全体ケイ素原子(Si)に対してエポキシ基(Ep)のモル比(Ep/Si)が0.01〜0.5の範囲内のポリオルガノシロキサンをさらに含む、請求項1に記載の硬化性組成物。
  13. 請求項1に記載の硬化性組成物の硬化物を含む封止材で封止された半導体素子。
  14. 請求項1に記載の硬化性組成物の硬化物を含む封止材で封止された光半導体素子。
  15. 請求項1に記載の光半導体素子を含む液晶表示装置。
  16. 請求項1に記載の光半導体素子を含む照明。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105940040B (zh) * 2014-01-28 2019-04-02 株式会社Lg化学 固化产物
CN106189258B (zh) * 2016-08-09 2019-08-16 天津凯华绝缘材料股份有限公司 固化速度可调节的有机硅组合物及其制备方法和应用
KR102136686B1 (ko) * 2018-09-21 2020-08-13 주식회사 케이씨씨 실리콘 조성물

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3241338B2 (ja) 1998-01-26 2001-12-25 日亜化学工業株式会社 半導体発光装置
JP2001196151A (ja) 2000-01-12 2001-07-19 Takazono Sangyo Kk 発熱体装置及び発熱体温度制御方法
JP2002226551A (ja) 2001-01-31 2002-08-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光ダイオード
JP4586967B2 (ja) * 2003-07-09 2010-11-24 信越化学工業株式会社 発光半導体被覆保護材及び発光半導体装置
JP4908736B2 (ja) * 2003-10-01 2012-04-04 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物および半導体装置
US20090146175A1 (en) * 2006-01-17 2009-06-11 Maneesh Bahadur Thermal stable transparent silicone resin compositions and methods for their preparation and use
KR20080104279A (ko) * 2006-02-24 2008-12-02 다우 코닝 코포레이션 실리콘으로 캡슐화된 발광 장치 및 실리콘 제조용의 경화성실리콘 조성물
MY150228A (en) * 2006-10-19 2013-12-31 Momentive Performance Mat Jp Curable polyorganosiloxane composition
JP2009173773A (ja) * 2008-01-24 2009-08-06 Toshiba Corp シリコーン樹脂組成物および半導体装置
JP5000566B2 (ja) 2008-03-27 2012-08-15 信越化学工業株式会社 硬化性シリコーンゴム組成物、およびそれを封止材料として用いた光半導体装置
JP5972512B2 (ja) * 2008-06-18 2016-08-17 東レ・ダウコーニング株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物及び半導体装置
WO2011090362A2 (ko) * 2010-01-25 2011-07-28 (주)Lg화학 실리콘 수지
JP5377401B2 (ja) * 2010-04-20 2013-12-25 信越化学工業株式会社 硬化性オルガノポリシロキサン組成物
JP5170471B2 (ja) * 2010-09-02 2013-03-27 信越化学工業株式会社 低ガス透過性シリコーン樹脂組成物及び光半導体装置
TWI435914B (zh) 2010-12-31 2014-05-01 Eternal Chemical Co Ltd 可固化之有機聚矽氧烷組合物及其製法
JP2012149131A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Shin-Etsu Chemical Co Ltd シリコーン樹脂組成物及び当該組成物を使用した光半導体装置
JP5502804B2 (ja) * 2011-06-07 2014-05-28 信越化学工業株式会社 シリコーンゲル組成物及び該組成物の硬化物で封止された電子回路
WO2013015591A2 (ko) * 2011-07-22 2013-01-31 주식회사 엘지화학 경화성 조성물

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