JP6236969B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と
を有することを特徴とする半導体装置。
前記反射率増強膜は、前記反射電極上に形成された第1の膜と、前記第1の膜上に形成され、前記第1の膜の材料よりも屈折率の高い第2の膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記第1の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第2の膜は、シリコン窒化膜である
ことを特徴とする半導体装置。
前記反射電極は、アルミニウム合金により形成されている
ことを特徴とする半導体装置。
前記反射電極を複数有し、
前記反射率増強膜は、複数の前記反射電極の縁部を連続して覆う
ことを特徴とする半導体装置。
前記半導体基板に形成され、前記反射電極に電気的に接続されたトランジスタを更に有する
ことを特徴とする半導体装置。
前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と
を更に有することを特徴とする半導体装置。
前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と、
前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と
を有することを特徴とする表示装置。
前記反射電極上に、反射率増強膜を形成する工程と、
前記反射率増強膜が前記反射電極の周縁部上に残存するように、前記反射電極上の前記反射率増強膜をパターニングする工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
12…素子分離絶縁膜
14…ゲート絶縁膜
16…ゲート電極
18…ソース/ドレイン領域
20…MISトランジスタ
22,28,34,38,42…層間絶縁膜
24…コンタクトホール
26,36,44…コンタクトプラグ
30…配線溝
32,40…配線層
46…反射電極
46a…アルミニウム合金膜
48…絶縁膜
50…シリコン酸化膜
52…シリコン窒化膜
54…反射率増強膜
56,64…液晶配向膜
60…ガラス基板
62…対向電極
Claims (7)
- 半導体基板上に形成された反射電極と、
前記反射電極上に形成され、前記反射電極の全ての周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する第1の反射率増強膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置において、
前記反射電極の前記中心部上に形成され、前記第1の反射率増強膜の第1の光反射率よりも低い第2の光反射率を有する第2の反射率増強膜
を更に有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は2記載の半導体装置において、
前記第1の反射率増強膜は、前記反射電極上に形成された第1の膜と、前記第1の膜上に形成され、前記第1の膜よりも屈折率の高い第2の膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に形成された反射電極と、
前記反射電極上に形成され、前記反射電極の全ての周縁部及び中心部を覆う第1の膜と、前記第1の膜上に形成され、前記反射電極の前記全ての周縁部のみを覆い、前記第1の膜よりも屈折率の高い第2の膜とを有する第1の反射率増強膜と
を有することを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体装置において、
前記反射電極上及び前記第1の反射率増強膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と
を更に有することを特徴とする半導体装置。 - 半導体基板上に形成された反射電極と、
前記反射電極上に形成され、前記反射電極の全ての周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と、
前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と
を有することを特徴とする表示装置。 - 半導体基板上に反射電極を形成する工程と、
前記反射電極上に反射率増強膜を形成する工程と、
前記反射率増強膜が前記反射電極の全ての周縁部上に残存するように、前記反射電極上の前記反射率増強膜をパターニングする工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2013160438A JP6236969B2 (ja) | 2013-08-01 | 2013-08-01 | 半導体装置及びその製造方法 |
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JP2015031788A JP2015031788A (ja) | 2015-02-16 |
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