JP2015031788A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】解像度の高い画像を表示できる表示素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成された反射電極４６と、反射電極４６上に形成され、反射電極４６の周縁部の光反射率を中心部の光反射率よりも高める反射率増強膜５４と、反射電極４６上に配置された対向電極６２を有する透明基板６０と、反射電極４６と対向電極６２との間に挟持された液晶層７０とを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、反射型液晶表示素子を有する半導体装置及びその製造方法に関する。

プロジェクタ等に用いられる表示素子として、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる反射型液晶表示素子を搭載した半導体装置が注目されている。ＬＣＯＳを搭載した半導体装置は、駆動回路や画素電極が形成されたシリコン基板と対向電極が形成された透明基板との間に液晶を挟持したものであり、画素電極下に駆動回路を配置できることから高い開口率を実現することができる。

特開２００７−３１６３０５号公報 特開２０１２−１７３４７０号公報

プロジェクタ等の画像系に用いられる表示装置の高解像度化の要求に伴い、ＬＣＯＳ搭載の半導体装置にも、より解像度の高い画像を表示することが求められている。

本発明の目的は、より解像度の高い画像を表示しうる表示素子を有する半導体装置及びその製造方法を提供することにある。

実施形態の一観点によれば、半導体基板上に形成された反射電極と、前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜とを有する半導体装置が提供される。

また、実施形態の他の観点によれば、半導体基板上に形成された反射電極と、前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と、前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、前記液晶層上に形成された対向電極とを有する表示装置が提供される。

また、実施形態の更に他の観点によれば、半導体基板上に反射電極を形成する工程と、前記反射電極上に反射率増強膜を形成する工程と、前記反射率増強膜が前記反射電極の周縁部上に残存するように、前記反射電極上の前記反射率増強膜をパターニングする工程とを有する半導体装置の製造方法が提供される。

開示の半導体装置及びその製造方法によれば、個々の画素領域の解像度を向上することができる。これにより、より高解像度の表示装置を実現することができる。

図１は、一実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。 図２は、一実施形態による半導体装置の構造を示す平面図である。 図３は、第１参考例による半導体装置の反射電極における反射光強度を示す図である。 図４は、第２参考例による半導体装置の反射電極における反射光強度を示す図である。 図３は、一実施形態による半導体装置の反射電極における反射光強度を示す図である。 図６は、アルミニウム基板上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを形成したときの光反射率の膜厚依存性をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。 図７は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その１）である。 図８は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その２）である。 図９は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その３）である。 図１０は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その４）である。 図１１は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その５）である。 図１２は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その６）である。 図１３は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その７）である。 図１４は、一実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図（その８）である。 図１５は、反射率増強膜の構造の違いによる光反射率の変化を示すグラフである。

一実施形態による半導体装置及びその製造方法について図１乃至図１５を用いて説明する。

図１は、本実施形態による半導体装置の構造を示す概略断面図である。図２は、本実施形態による半導体装置の構造を示す平面図である。図３乃至図５は、反射電極による反射光強度を示す図である。図６は、アルミニウム基板上にシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とを形成したときの光反射率の膜厚依存性をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図７乃至図１４は、本実施形態による半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。図１５は、反射率増強膜の構造の違いによる光反射率の変化を示すグラフである。

はじめに、本実施形態による半導体装置の構造について図１及び図２を用いて説明する。

シリコン基板１０の表面部には、活性領域を確定する素子分離絶縁膜１２が形成されている。活性領域には、ゲート電極１６及びソース／ドレイン領域１８を含むＭＩＳトランジスタ２０が形成されている。

ＭＩＳトランジスタ２０が形成されたシリコン基板１０上には、層間絶縁膜２２が形成されている。層間絶縁膜２２には、ＭＩＳトランジスタに接続されたコンタクトプラグ２６が埋め込まれている。

層間絶縁膜２２上には、コンタクトプラグ２６に接続された配線層３２が埋め込まれた層間絶縁膜２８が形成されている。層間絶縁膜２８上には、配線層３２に接続されたコンタクトプラグ３６が埋め込まれた層間絶縁膜３４が形成されている。層間絶縁膜３４上には、コンタクトプラグ３６に接続された配線層４０が埋め込まれた層間絶縁膜３８が形成されている。層間絶縁膜３８上には、配線層４０に接続されたコンタクトプラグ４４が埋め込まれた層間絶縁膜４２が形成されている。

層間絶縁膜４２上には、コンタクトプラグ４４に接続された反射電極４６が埋め込まれた絶縁膜４８が形成されている。反射電極４６は、図２に示すように、層間絶縁膜４２上にマトリクス状に配置されている。反射電極４６は、表示装置のピクセル（画素）領域に対応する。反射電極４６のそれぞれは、コンタクトプラグ４４、配線層４０、コンタクトプラグ３６、配線層３２及びコンタクトプラグ２６を介してＭＩＳトランジスタ２０に接続されている。これにより、反射電極４６に印加する駆動電圧をＭＩＳトランジスタ２０により制御できるようになっている。なお、シリコン基板１０には、ＭＩＳトランジスタ２０を含む駆動回路やその他所定の回路が形成される。

反射電極４６が埋め込まれた絶縁膜４８上には、反射率増強膜５４が形成されている。反射率増強膜５４は、図１及び図２に示すように、反射電極４６の周縁部を覆うように形成されている。反射電極４６の中心部分には、反射率増強膜５４は形成されていない。

反射電極４６及び反射率増強膜５４上には、液晶配向膜５６が形成されている。

液晶配向膜５６上には、対向電極６２及び液晶配向膜６４が形成されたガラス基板６０が、液晶配向膜５６と液晶配向膜６４とが対向するように配置されている。液晶配向膜５６と液晶配向膜６４との間には、液晶層７０が形成されている。

このように、本実施形態による半導体装置は、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）と呼ばれる反射型液晶デバイスを搭載した半導体装置である。本実施形態による半導体装置は、前述のように、反射電極４６の周縁部を選択的に覆うように形成された反射率増強膜５４を有している。

次に、本実施形態による半導体装置の反射率増強膜５４の効果について図３乃至図５を用いて説明する。

図３は、反射電極４６上に反射率増強膜５４を形成していない半導体装置における反射電極４６による反射光強度を示す図である。図３（ｂ）が半導体装置の断面構造を示し、図３（ａ）が対応する位置の反射光強度を示している。

図３に示すように、反射電極４６上に反射率増強膜５４を形成していない半導体装置では、反射電極４６部においてほぼ均一の反射光強度を有している。反射電極４６をアルミニウム合金膜により形成した場合、光反射率は約８５％となる。

図４は、反射電極４６上の全面に反射率増強膜５４を形成した半導体装置における反射電極４６による反射光強度を示す図である。図４（ｂ）が半導体装置の断面構造を示し、図４（ａ）が対応する位置の反射光強度を示している。

図４に示すように、反射電極４６上に反射率増強膜５４を形成した半導体装置においても、反射電極４６部における反射光強度はほぼ均一である。光反射率は、反射電極４６上に反射率増強膜５４を形成することで、図３の半導体装置の場合よりも向上されている。シリコン酸化膜（膜厚７５ｎｍ、屈折率１．４）とシリコン窒化膜（膜厚６５ｎｍ、屈折率２．１）との積層膜よりなる反射率増強膜５４の例では、光反射率は約９２％程度まで向上された。

しかしながら、図４の半導体装置の場合においても反射電極４６部における反射光強度はほぼ均一であり、より解像度の高い表示装置を実現するためには、ピクセル単体の解像度を更に向上することが求められる。

図５は、反射電極４６の周縁部を選択的に覆うように反射率増強膜５４を形成した本実施形態による半導体装置における反射電極４６による反射光強度を示す図である。図５（ｂ）が半導体装置の断面構造を示し、図５（ａ）が対応する位置の反射光強度を示している。

図５に示すように、反射電極４６の周縁部を選択的に覆うように反射率増強膜５４を形成した本実施形態による半導体装置では、反射電極４６の周縁部における光反射率が選択的に向上されている。すなわち、反射電極４６の中心部分における光反射率が約８５％であるのに対し、反射電極４６の周縁部における光反射率が約９２％程度となる。これにより、反射電極４６により反射される光のコントラストが反射電極４６の周縁部において選択的に増強され、個々のピクセル領域の解像度を向上することができる。これにより、より高解像度の表示装置の実現が可能となる。

反射率増強膜５４による反射電極４６の端部からのかぶり量は、人の目の視認力を考慮して、例えば以下のようにして決定することができる。

ここでは、一例として、視力１．０の人の場合を例に挙げる。視力１．０と判断されるのは、「５ｍの距離で直径７．５ｍｍ、太さ１．５ｍｍ、切れ目１．５ｍｍのランドルト環が視認できること」である。すなわち、視力１．０の人によって認識可能な５ｍ先の対象物の最小のサイズは、１．５ｍｍであるといえる。

ここで、反射電極４６（ピクセル領域）の大きさが例えば６ｍｍ×８ｍｍであるＬＣＯＳデバイスをプロジェクタに用い、５ｍ先に６ｍ×８ｍの面積に画像を投影する場合を考える。この場合、スクリーンに投影された１．５ｍｍのサイズは、ＬＣＯＳデバイス上では１．５μｍのサイズに相当する。よってこの場合、反射電極４６の周縁部に１．５μｍ程度のかぶり量をもった反射率増強膜５４を設けることで、ピクセル領域端の光反射率を強調する効果を視認することができる。

反射率増強膜５４による反射電極４６の端部からのかぶり量は、上述のような観点から、表示装置の使用目的等に応じて適宜設定することが望ましい。

次に、反射電極４６の周縁部上に形成する反射率増強膜５４の構造について説明する。

反射率増強膜５４は、特に限定されるものではないが、典型的には低屈折率膜と高屈折率膜との積層膜により形成することができる。

一般的に、金属をλ／４の光学膜厚をもつ２層の膜でコートしたとき、金属に接する第１の膜の屈折率をｎ_１、その上の第２の膜の屈折率をｎ_２として、（ｎ_２／ｎ_１）＞１の関係を満足する場合に、金属の光反射率を高めることができる。（ｎ_２／ｎ_１）＞１の関係を満足するとは、すなわち、第１の膜の屈折率よりも第２の膜の屈折率の方が大きい場合である。

反射率増強膜５４に用いる低屈折率膜としては、屈折率が１．６程度以下の材料が好ましく、特に限定されるものではないが、例えば、シリコン酸化膜、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ化マグネシウム等を適用することができる。

また、反射率増強膜５４に用いる高屈折率膜としては、屈折率が１．８程度以上の材料が好ましく、特に限定されるものではないが、例えば、シリコン窒化膜、二酸化チタン、ジルコニア、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、二酸化セリウム等を適用することができる。

これらのうち、シリコン酸化膜（屈折率１．４）及びシリコン窒化膜（屈折率２．１）は、シリコンプロセスに多用される絶縁材料でありプロセスとの整合性もよいため、特に好ましい。

図６は、アルミニウム基板上にシリコン酸化膜の低屈折率膜とシリコン窒化膜の高屈折率膜とを形成した場合の光反射率の変化をシミュレーションにより求めた結果を示すグラフである。図６のシミュレーションでは、光の波長λを４００ｎｍとした。なお、アルミニウムの光反射率の理論値は、９１％程度である。

図６に示すように、シリコン酸化膜の膜厚とシリコン窒化膜の膜厚を適宜選択することにより、アルミニウムの光反射率を向上できることが判る。例えば、シリコン酸化膜の膜厚を７５ｎｍ、シリコン窒化膜の膜厚を６５ｎｍとすることにより、アルミニウムの光反射率を理論値の９１％から９５％以上にまで向上することができる。

次に、本実施形態による半導体装置の製造方法について図７乃至図１４を用いて説明する。

まず、シリコン基板１０上に、通常の素子分離絶縁膜形成方法、例えばＳＴＩ（Shallow Trench Isolation）法等により、活性領域を画定する素子分離絶縁膜１２を形成する。

次いで、シリコン基板１０の活性領域に、通常のＭＩＳトランジスタ形成方法により、ゲート絶縁膜１４、ゲート電極１６、ソース／ドレイン領域１８等を含むＭＩＳトランジスタ２０を形成する（図７（ａ））。

次いで、ＭＩＳトランジスタ２０が形成されたシリコン基板１０上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition：科学気相堆積）法により、例えば膜厚７００ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜２２を形成する。

次いで、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing：化学的機械的研磨）法により層間絶縁膜２２の表面を研磨し、層間絶縁膜２２を平坦化する。

次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜２２に、ソース／ドレイン領域１８、ゲート電極１６等に達するコンタクトホール２４を形成する。

次いで、コンタクトホール２４が形成された層間絶縁膜２２上に、例えばＣＶＤ法により、例えばバリアメタル膜とタングステン膜とを堆積する。

次いで、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜２２上のタングステン膜及びバリアメタル膜を除去し、バリアメタル膜及びタングステン膜よりなりコンタクトホール２４内に埋め込まれたコンタクトプラグ２６を形成する（図７（ｂ））。

次いで、コンタクトプラグ２６が埋め込まれた層間絶縁膜２２上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚５００ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜２８を形成する。

次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、層間絶縁膜２８に、コンタクトプラグ２６に達する配線溝３０を形成する。配線溝３０は、配線幅を例えば２００ｎｍとする。

次いで、配線溝３０が形成された層間絶縁膜２８上に、例えば電解めっき法により、銅膜を堆積する。

次いで、例えばＣＭＰ法により、層間絶縁膜２８上の銅膜を除去し、銅膜よりなり配線溝３０内に埋め込まれた配線層３２を形成する（図８（ａ））。

次いで、図８（ａ）の工程と同様にして、配線層３２が埋め込まれた層間絶縁膜２８上に、配線層３２に接続されたコンタクトプラグ３６が埋め込まれた層間絶縁膜３４を形成する。

次いで、図８（ａ）の工程と同様にして、コンタクトプラグ３６が埋め込まれた層間絶縁膜３４上に、コンタクトプラグ３６に接続された配線層４０が埋め込まれた層間絶縁膜３８を形成する（図８（ｂ））。

なお、コンタクトプラグ３６及び配線層４０は、いわゆるデュアルダマシン法により一体形成してもよい。

また、ここではＭＩＳトランジスタ２０上に２層の配線層３２，４０を形成しているが、配線層の層数は、必要に応じて適宜増減することができる。

次いで、図７（ｂ）の工程と同様にして、配線層４０が埋め込まれた層間絶縁膜３８上に、配線層４０に接続されたコンタクトプラグ４４が埋め込まれた層間絶縁膜４２を形成する（図９（ａ））。

次いで、コンタクトプラグ４４が埋め込まれた層間絶縁膜４２上に、例えば膜厚１３０ｎｍのアルミニウム合金膜（例えば、ＡｌＣｕ膜）４６ａを堆積する（図９（ｂ））。

次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより、アルミニウム合金膜４６ａをパターニングし、アルミニウム合金膜４６ａよりなる反射電極４６を形成する（図１０（ａ））。なお、ＡｌＣｕ膜よりなる反射電極４６の表面における光反射率は、例えば８５％程度となる。

反射電極４６は、必ずしもアルミニウム合金膜により形成する必要はなく、他の金属・合金材料、例えば、銀、タンタル、クロム等により形成してもよい。

次いで、全面に、例えば高密度プラズマＣＶＤ法により、例えば膜厚７００ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜よりなる絶縁膜４８を形成する（図１０（ｂ））。

次いで、例えばＣＭＰ法により、絶縁膜４８の表面を研磨し、絶縁膜４８を平坦化する（図１１（ａ））。

次いで、例えばＣＭＰ法により、絶縁膜４８の表面を更に研磨し、反射電極４６の表面を露出する（図１１（ｂ））。

次いで、表面の反射電極４６及び絶縁膜４８上に、例えばＣＶＤ法により、ＴＥＯＳを原料に用い、例えば膜厚７５ｎｍのシリコン酸化膜を堆積し、シリコン酸化膜よりなる低屈折率膜５０を形成する。なお、シリコン酸化膜よりなる低屈折率膜５０の屈折率は、例えば１．４である。

次いで、低屈折率膜５０上に、例えばＣＶＤ法により、例えば膜厚６５ｎｍのシリコン窒化膜を堆積し、シリコン窒化膜よりなる高屈折率膜５２を形成する。なお、シリコン窒化膜よりなる高屈折率膜５２の屈折率は、例えば２．１である。

これにより、低屈折率膜５０と高屈折率膜５２との積層構造よりなる反射率増強膜５４を形成する（図１２（ａ））。

図１５は、シリコン酸化膜（ＴＥＯＳ）よりなる低屈折率５０の膜厚を７５ｎｍ一定として、シリコン窒化膜（ＳＩＮ）の膜厚を変化したときの反射電極４６の光反射率の変化を測定した結果を示すグラフである。

なお、反射率増強膜５４を形成しないときの光反射率は、８５％程度であった。理論的なアルミニウムの光反射率である９１％に達していないのは、バルクのアルミニウムでないことや自然酸化膜の形成が原因であると考えられる。

図１５に示すように、反射電極４６上に上述の反射率増強膜５４を形成することにより、反射電極４６部における光反射率は、形成前の８５％程度（図中、□で囲ったプロット）から、９２％程度（図中、△で囲ったプロット）にまで増強することができる。

次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチングにより反射率増強膜５４をパターニングし、反射電極４６を露出する。この際、反射電極４６の周縁部が反射率増強膜５４により覆われるように、反射率増強膜５４をパターニングする（図１２（ｂ））。反射電極４６の周縁部からの反射率増強膜５４のかぶり量は、例えば１．５μｍとする。

次いで、全面に、例えばスピンコート法等により、液晶配向膜５６を形成する（図１３（ａ））。

また、シリコン基板１０とは別に用意したガラス基板６０上に、例えばスパッタ法等により、ＩＴＯ膜等の透明電極材料を堆積し、必要に応じてパターニングを行い、この透明電極材料よりなる対向電極６２を形成する。

次いで、対向電極６２上に、例えばスピンコート法等により、液晶配向膜６４を形成する（図１３（ｂ））。

次いで、シリコン基板１０とガラス基板６０とを、液晶配向膜５６と液晶配向膜６４とが向き合うように対向させ、スペーサ（図示せず）等によって所定間隔維持した状態で貼り合わせる。

次いで、液晶配向膜５６と液晶配向膜６４との間に液晶材料を注入し、液晶層７０を形成する（図１４）。

こうして、本実施形態による半導体装置を完成する。

このように、本実施形態によれば、反射電極４６の周縁部の光反射率を選択的に高めるので、反射電極４６により反射される光のコントラストが反射電極４６の周縁部において選択的に増強され、個々のピクセル領域の解像度を向上することができる。これにより、より高解像度の表示装置を実現することができる。

［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。

例えば、上記実施形態では、反射電極の中心部の反射率増強膜を除去することにより、反射電極の周縁部の光反射率を選択的に高めているが、反射電極の周縁部の光反射率を選択的に高める方法は、これに限定されるものではない。

例えば、反射電極の中心部に第１の光反射率を有する反射率増強膜を設け、反射率の周縁部に第１の光反射率よりも高い第２の光反射率を有する反射率増強膜を設けるようにしてもよい。

また、上記実施形態では、反射電極の中心部の反射率増強膜をすべて除去しているが、反射率増強膜の上層の高屈折率膜だけを除去するようにしてもよい。

また、上記実施形態に記載した半導体装置の構造、構成材料、製造条件等は、一例を示したものにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。

以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。

（付記１） 半導体基板上に形成された反射電極と、
前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と
を有することを特徴とする半導体装置。

（付記２） 付記１記載の半導体装置において、
前記反射率増強膜は、前記反射電極上に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に形成され、前記第１の膜の材料よりも屈折率の高い第２の膜とを有する
ことを特徴とする半導体装置。

（付記３） 付記２記載の半導体装置において、
前記第１の膜は、シリコン酸化膜であり、
前記第２の膜は、シリコン窒化膜である
ことを特徴とする半導体装置。

（付記４） 付記１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記反射電極は、アルミニウム合金により形成されている
ことを特徴とする半導体装置。

（付記５） 付記１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記反射電極を複数有し、
前記反射率増強膜は、複数の前記反射電極の縁部を連続して覆う
ことを特徴とする半導体装置。

（付記６） 付記１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体基板に形成され、前記反射電極に電気的に接続されたトランジスタを更に有する
ことを特徴とする半導体装置。

（付記７） 付記１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と
を更に有することを特徴とする半導体装置。

（付記８） 半導体基板上に形成された反射電極と、
前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と、
前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、
前記液晶層上に形成された対向電極と
を有することを特徴とする表示装置。

（付記９） 半導体基板上に反射電極を形成する工程と、
前記反射電極上に、反射率増強膜を形成する工程と、
前記反射率増強膜が前記反射電極の周縁部上に残存するように、前記反射電極上の前記反射率増強膜をパターニングする工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

１０…シリコン基板
１２…素子分離絶縁膜
１４…ゲート絶縁膜
１６…ゲート電極
１８…ソース／ドレイン領域
２０…ＭＩＳトランジスタ
２２，２８，３４，３８，４２…層間絶縁膜
２４…コンタクトホール
２６，３６，４４…コンタクトプラグ
３０…配線溝
３２，４０…配線層
４６…反射電極
４６ａ…アルミニウム合金膜
４８…絶縁膜
５０…シリコン酸化膜
５２…シリコン窒化膜
５４…反射率増強膜
５６，６４…液晶配向膜
６０…ガラス基板
６２…対向電極

Claims (5)

1. 半導体基板上に形成された反射電極と、
   前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と
   を有することを特徴とする半導体装置。
2. 請求項１記載の半導体装置において、
   前記反射率増強膜は、前記反射電極上に形成された第１の膜と、前記第１の膜上に形成され、前記第１の膜の材料よりも屈折率の高い第２の膜とを有する
   ことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１又は２記載の半導体装置において、
   前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、
   前記液晶層上に形成された対向電極と
   を更に有することを特徴とする半導体装置。
4. 半導体基板上に形成された反射電極と、
   前記反射電極上に形成され、前記反射電極の周縁部を覆い、前記反射電極の中心部を露出する反射率増強膜と、
   前記反射電極上及び前記反射率増強膜上に形成された液晶層と、
   前記液晶層上に形成された対向電極と
   を有することを特徴とする表示装置。
5. 半導体基板上に反射電極を形成する工程と、
   前記反射電極上に反射率増強膜を形成する工程と、
   前記反射率増強膜が前記反射電極の周縁部上に残存するように、前記反射電極上の前記反射率増強膜をパターニングする工程と
   を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

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