JP6232061B2 - 酸性ガス含有ガス処理用分離膜、及び酸性ガス含有ガス処理用分離膜の製造方法 - Google Patents
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-
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Description
表面に残留未反応基が存在する炭化水素基が導入されたポリシロキサン網目構造体に、炭化水素基含有モノアルコキシシラン、炭化水素基含有ジアルコキシシラン、炭化水素基含有モノクロロシラン、炭化水素基含有ジクロロシラン、及び炭化水素基含有トリクロロシランからなる群から選択される少なくとも一種の変性用シラン化合物を反応させ、前記残留未反応基を消滅又は低減させたことにある。
前記炭化水素基が導入された前記ポリシロキサン網目構造体は、テトラアルコキシシランと、前記炭化水素基を含有する炭化水素基含有トリアルコキシシランとの反応によって得られる複合ポリシロキサン網目構造体であることが好ましい。
前記テトラアルコキシシランは、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシラン(これを、Aとする)であり、
前記炭化水素基含有トリアルコキシシランは、トリメトキシシラン又はトリエトキシシランのSi原子に炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したもの(これを、Bとする)であることが好ましい。
前記Aと前記Bとの配合比率(A/B)が、モル比で1/9〜9/1に設定されていることが好ましい。
前記炭化水素基含有モノアルコキシシランは、モノメトキシシラン又はモノエトキシシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであり、
前記炭化水素基含有ジアルコキシシランは、ジメトキシシラン又はジエトキシシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであることが好ましい。
前記炭化水素基含有モノクロロシランは、モノクロロシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであり、
前記炭化水素基含有ジクロロシランは、ジクロロシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであり、
前記炭化水素基含有トリクロロシランは、トリクロロシランのSi原子に、炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであることが好ましい。
(a)酸触媒、水、及び有機溶媒を混合した準備液、並びに、酸触媒、有機溶媒、並びに炭化水素基含有モノアルコキシシラン、炭化水素基含有ジアルコキシシラン、炭化水素基含有モノクロロシラン、炭化水素基含有ジクロロシラン、及び炭化水素基含有トリクロロシランからなる群から選択される少なくとも一種の変性用シラン化合物を混合した処理液を調製する準備工程と、
(b)前記準備液にテトラアルコキシシランを混合する第一混合工程と、
(c)前記第一混合工程で得られた混合液に炭化水素基含有トリアルコキシシランを混合する第二混合工程と、
(d)前記第二混合工程で得られた混合液を無機多孔質支持体に塗布する第一塗布工程と、
(e)前記第一塗布工程が完了した無機多孔質支持体を熱処理し、当該無機多孔質支持体の表面に、炭化水素基が導入されたポリシロキサン網目構造体を形成する形成工程と、
(f)前記ポリシロキサン網目構造体の表面に前記処理液を塗布する第二塗布工程と、
(g)前記第二塗布工程が完了したポリシロキサン網目構造体を熱処理し、前記ポリシロキサン網目構造体の表面に存在する残留未反応基と前記処理液に含まれる前記変性用シラン化合物とを反応させ、前記残留未反応基を消滅又は低減させる反応工程と、
を包含することにある。
また、炭化水素基が導入されたポリシロキサン網目構造体を形成するに際し、原料となるケイ素アルコキシドとしてテトラアルコキシシランと炭化水素基含有トリアルコキシシランとを使用し、第一混合工程においてテトラアルコキシシランのゾル−ゲル反応を進行させ、第二混合工程において炭化水素基含有トリアルコキシシランのゾル−ゲル反応を進行させる二段階方式としているので、アルコキシシラン溶液の加水分解が急激に進行することが防止される。その結果、二酸化炭素又はメタンガスの分離性能に優れた均一且つ緻密な酸性ガス含有ガス処理用分離膜を形成することが可能となる。
前記準備工程において、前記準備液に酸性ガスと親和性を有する金属塩を添加することが好ましい。
前記第一混合工程において、前記テトラアルコキシシランは、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシラン(これを、Aとする)であり、
前記第二混合工程において、前記炭化水素基含有トリアルコキシシランは、トリメトキシシラン又はトリエトキシシランのSi原子に炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したもの(これを、Bとする)であることが好ましい。
前記Aと前記Bとの配合比率(A/B)が、モル比で1/9〜9/1に設定されていることが好ましい。
本発明の酸性ガス含有ガス処理用分離膜は、例えば、生ごみ等を生物学的処理することによって得られる消化ガスを処理するためのものである。消化ガスは、酸性ガス(二酸化炭素を主成分とし、その他に硫化水素等を含む)とメタンガスとを含有する混合ガスであるが、本明細書では、消化ガスを二酸化炭素とメタンガスとを含有する混合ガスとして取り扱う。従って、以後の説明では、酸性ガスとして二酸化炭素を例に挙げて説明し、酸性ガス含有ガス処理用分離膜については、便宜上、二酸化炭素を選択的に誘引する二酸化炭素分離膜として説明する。ただし、本発明の酸性ガス含有ガス処理用分離膜は、メタンガスを選択的に誘引するメタンガス分離膜として構成することも可能であり、さらには、二酸化炭素とメタンガスとを同時に分離可能な二酸化炭素/メタンガス分離膜とすることも可能である。以後、酸性ガス含有ガス処理用分離膜を、単純に「分離膜」と称する場合がある。
本発明の酸性ガス含有ガス処理用分離膜は、以下の工程(a)〜(g)を実施することにより製造される。以下、各工程について詳細に説明する。
準備工程として、酸触媒、水、及び有機溶媒を混合した準備液を調製する。準備液は、次工程の「第一混合工程」において使用されるものである。酸触媒、水、及び有機溶媒の夫々の配合量は、後述の変性用シラン化合物1モルに対して、酸触媒0.005〜0.1モル、水0.5〜10モル、有機溶媒5〜60モルに調整することが好ましい。酸触媒の配合量が0.005モルより少ない場合、加水分解速度が小さくなり、分離膜の製造に要する時間が長くなる。酸触媒の配合量が0.1モルより多い場合、加水分解速度が過大となり、均一な分離膜が得られ難くなる。水の配合量が0.5モルより少ない場合、加水分解速度が小さくなり、後述のゾル−ゲル反応が十分に進行しない。水の配合量が10モルより多い場合、加水分解速度が過大となり、細孔径が肥大化するため緻密な分離膜が得られ難くなる。有機溶媒の配合量が5モルより少ない場合、後述のテトラアルコキシシラン及び炭化水素基含有トリアルコキシシランを含む混合液の濃度が高くなり、緻密で均一な分離膜が得られ難くなる。有機溶媒の配合量が60モルより多い場合、後述のテトラアルコキシシラン及び炭化水素基含有トリアルコキシシランを含む混合液の濃度が低くなり、混合液のコーティング回数(工程数)が増加して生産効率が低下する。酸触媒としては、例えば、硝酸、塩酸、硫酸等が使用される。これらのうち、硝酸又は塩酸が好ましい。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ベンゼン、トルエン等が使用される。これらのうち、メタノール又はエタノールが好ましい。
上記準備液には、酸性ガスと親和性を有する金属塩を添加しておくことも有効である。ポリシロキサン網目構造体が有する炭化水素基は元来二酸化炭素やメタンガスとの親和性を有しているため、準備工程において、準備液に酸性ガスと親和性を有する金属塩を添加しておくと、ポリシロキサン網目構造体に酸性ガス(二酸化炭素も含む)と親和性を有する金属塩がドープされ、分離膜の二酸化炭素に対する親和性を相乗的に高めることができる。酸性ガスと親和性を有する金属塩としては、例えば、Li、Na、K、Mg、Ca、Ni、Fe、及びAlからなる群から選択される少なくとも一種の金属の酢酸塩、硝酸塩、炭酸塩、ホウ酸塩、又はリン酸塩が挙げられる。これらのうち、硝酸塩(例えば、硝酸マグネシウム)が好ましい。
準備工程では、さらに、酸触媒、有機溶媒、及び変性用シラン化合物を混合した処理液を調製する。処理液は、後述の「第二塗布工程」において使用されるものである。酸触媒、有機溶媒、及び変性用シラン化合物の夫々の配合量は、酸触媒0.001〜0.1モル、有機溶媒0.1〜10モル、変性用シラン化合物0.1〜5モルに調整することが好ましい。酸触媒の配合量が0.001モルより少ない場合、加水分解速度が小さくなり、分離膜の製造に要する時間が長くなる。酸触媒の配合量が0.1モルより多い場合、加水分解速度が過大となり、均一な分離膜が得られ難くなる。有機溶媒の配合量が0.1モルより少ない場合、後述のテトラアルコキシシラン及び炭化水素基含有トリアルコキシシランを含む混合液の濃度が高くなり、緻密で均一な分離膜が得られ難くなる。有機溶媒の配合量が10モルより多い場合、後述のテトラアルコキシシラン及び炭化水素基含有トリアルコキシシランを含む混合液の濃度が低くなり、混合液のコーティング回数(工程数)が増加して生産効率が低下する。変性用シラン化合物の配合量が0.1モルより少ない場合、残留未反応基を消滅させることが困難となる。変性用シラン化合物の配合量が5モルより多い場合、過剰の変性用シラン化合物が供給されることとなるため、却って残留未反応基との反応が起こり難くなる可能性がある。酸触媒及び有機溶媒は、準備液と同様のものを使用することができるが、処理液を調製するために使用する有機溶媒はトルエンが好ましい。後述の「第二塗布工程」では、炭化水素基が導入されたポリシロキサン網目構造体の上に処理液を塗布することになるが、ポリシロキサン網目構造体はトルエンに対する溶解性が小さいため、トルエンを使用すると、変性処理によって分離膜の細孔径が拡大することが防止される。変性用シラン化合物としては、上述の「酸性ガス含有ガス処理用分離膜」の項目で説明したものを使用することができる。
第一混合工程として、準備工程で調製した準備液にテトラアルコキシシランを混合する。このとき、混合液中において、テトラアルコキシシランが加水分解及び重縮合を繰り返すゾル−ゲル反応が開始する。テトラアルコキシシランは、上述の「酸性ガス含有ガス処理用分離膜」の項目で説明したものを使用することができる。例えば、テトラアルコキシシランの一例としてテトラエトキシシラン(TEOS)を使用した場合、ゾル−ゲル反応は下記のスキーム1のように進行すると考えられる。なお、このスキーム1は、ゾル−ゲル反応の進行を表す一つのモデルであり、実際の分子構造をそのまま反映しているとは限らない。
第二混合工程として、第一混合工程で得られたシロキサンオリゴマーを含む混合液に炭化水素基含有トリアルコキシシランを混合する。これにより、シロキサンオリゴマーと炭化水素基含有トリアルコキシシランとの反応が開始する。本発明は、原料となるケイ素アルコキシドとしてテトラアルコキシシランと炭化水素基含有トリアルコキシシランとを使用し、第一混合工程においてテトラアルコキシシランのゾル−ゲル反応を進行させ、第二混合工程において炭化水素基含有トリアルコキシシランのゾル−ゲル反応を進行させる二段階方式としている。このため、アルコキシシラン溶液の加水分解が急激に進行することが防止される。その結果、二酸化炭素又はメタンガスの分離性能に優れた均一且つ緻密な酸性ガス含有ガス処理用分離膜を形成することが可能となる。ちなみに、ゾル−ゲル反応を一段階で行う従来の方法では、炭化水素基含有トリアルコキシシランのゾル−ゲル反応が、テトラアルコキシシランのゾル−ゲル反応より速く進行してしまうため、最終的に得られる酸性ガス含有ガス処理用分離膜を均一且つ緻密な構造にすることができなくなる虞がある。
炭化水素基含有トリアルコキシシランは、上述の「酸性ガス含有ガス処理用分離膜」の項目で説明したものを使用することができる。例えば、炭化水素基含有トリアルコキシシランの一例としてメチルトリエトキシシランを使用した場合、反応は下記のスキーム2のように進行すると考えられる。なお、このスキーム2は、反応の進行を表す一つのモデルであり、実際の分子構造をそのまま反映しているとは限らない。
塗布工程として、第二混合工程で得られた混合液(ポリシロキサン網目構造体の懸濁液)を無機多孔質支持体に塗布する。無機多孔質支持体の材質としては、例えば、シリカ系セラミックス、シリカ系ガラス、アルミナ系セラミックス、ステンレス、チタン、銀等が挙げられる。無機多孔質支持体の構造は、ガスが流入する流入部と、ガスが流出する流出部とが設けられたものとする。例えば、ガス流入部は無機多孔質支持体に設けられた開口部であり、ガス流出部は無機多孔質支持体の外表面である。外表面には無数の細孔が形成されているため、外表面全体からガスが流出し得る。無機多孔質体の構成例としては、内部にガス流路が設けられた円筒構造、円管構造、スパイラル構造等が挙げられる。また、無機多孔質材料で構成される中実の平板体やバルク体を用意し、その一部を刳り抜いてガス流路を形成することで、無機多孔質支持体を構成しても構わない。無機多孔質支持体の細孔径は、0.01〜100μm程度とすることが好ましい。無機多孔質体の細孔径が比較的大きい場合(例えば、0.05μm以上の場合)は、無機多孔質支持体の表面に中間層を設けておくことが好ましい。細孔径が比較的大きい無機多孔質支持体の表面に混合液を直接塗布すると、混合液が細孔内部に過剰に浸透して表面に留まらず、成膜が難しくなることがある。そこで、無機多孔質支持体の表面に中間層を設けておくことで、細孔の入口が中間層によって狭められ、混合液の塗布が容易になる。中間層の材料としては、例えば、α−アルミナ、γ−アルミナ、シリカ、シリカライト等が挙げられる。
無機多孔質支持体に混合液を塗布する方法は、例えば、ディッピング法、スプレー法、スピン法等が挙げられる。これらのうち、ディッピング法は、無機多孔質支持体の表面に混合液を均等且つ容易に塗布できるため、好ましい塗布方法である。ディッピング法の具体的な手順について説明する。
先ず、無機多孔質支持体を第二混合工程で得られた混合液に浸漬する。浸漬時間は、無機多孔質支持体の細孔に混合液が十分に浸透するように5秒〜10分とすることが好ましい。浸漬時間が5秒より短いと十分な膜厚にならず、10分を超えると膜厚が大きくなり過ぎてしまう。次いで、混合液から無機多孔質支持体を引き上げる。引き上げ速度は、0.1〜2mm/秒とすることが好ましい。引き上げ速度が0.1mm/秒より遅くなると膜厚が大きくなり過ぎてしまい、2mm/秒より速いと十分な膜厚にならない。次いで、引き上げた無機多孔質支持体を乾燥させる。乾燥条件は、15〜40℃で0.5〜3時間とすることが好ましい。乾燥時間が0.5時間未満では十分な乾燥ができず、3時間を超えても乾燥状態は殆ど変化しない。乾燥が終わると、無機多孔質支持体の表面(細孔の内面を含む)にポリシロキサン網目構造体が付着したものが得られる。なお、無機多孔質支持体の浸漬、引き上げ、乾燥の一連の手順を複数回繰り返すことにより、無機多孔質支持体へのポリシロキサン網目構造体の付着量を増加させることができる。また、一連の手順を繰り返すことで、無機多孔質支持体に混合液を均一に塗布することができるため、最終的に得られる酸性ガス含有ガス分離膜の性能を向上させることができる。
形成工程として、第一塗布工程が完了した無機多孔質支持体を熱処理し、当該無機多孔質支持体の表面に、炭化水素基が導入されたポリシロキサン網目構造体を形成する。熱処理は、例えば、焼成器等の加熱手段が用いられる。熱処理の具体的な手順について説明する。
先ず、無機多孔質支持体を後述の焼成温度に達するまで昇温する。昇温時間は、1〜24時間が好ましい。昇温時間が1時間より短いと急激な温度変化により均一な膜が得られ難く、24時間より長いと長時間の加熱により膜が劣化する虞がある。昇温後、一定時間で焼成を行う。焼成温度は、30〜300℃が好ましく、50〜200℃がより好ましい。焼成温度が30℃より低いと十分な焼成を行えないため緻密な膜が得られず、300℃より高いと高温の加熱により膜が劣化する虞がある。焼成時間は、0.5〜6時間が好ましい。焼成時間が0.5時間より短いと十分な焼成を行えないため緻密な膜が得られず、6時間より長いと長時間の加熱により膜が劣化する虞がある。焼成が終わったら、無機多孔質支持体を室温まで冷却する。冷却時間は、5〜10時間が好ましい。冷却時間が5時間より短いと急激な温度変化により膜に亀裂や剥離が発生する虞があり、10時間より長いと膜が劣化する虞がある。冷却後の無機多孔質支持体の表面(細孔の内面を含む)には分離膜が形成される。なお、この「形成工程」の後、上述した「塗布工程」に戻り、塗布工程と形成工程とを複数回繰り返すと、無機多孔質支持体の表面に、より緻密で且つ均一な膜質の分離膜を形成することができる。
第二塗布工程として、形成工程によって得られたポリシロキサン網目構造体の表面に変性用シラン化合物を含有する処理液を塗布する。処理液の塗布方法は、第一塗布工程と同様の方法を採用することができる。
反応工程として、第二塗布工程が完了した無機多孔質支持体(ポリシロキサン網目構造体)を熱処理し、ポリシロキサン網目構造体の表面に存在する残留未反応基と処理液に含まれる変性用シラン化合物とを反応させる。反応工程における熱処理は、形成工程と同様の条件で行うことができる。無機多孔質支持体の熱処理を行うと、残留未反応基と変性用シラン化合物との間で脱アルコール化又は塩酸の遊離が起こるため、ポリシロキサン網目構造体の表面の残留未反応基が徐々に低減し、最終的に消滅させることができる。
〔分離膜形成用アルコキシド溶液〕
・テトラエトキシシラン 信越化学工業株式会社製 信越シリコーンLS−2430
・メチルトリエトキシシラン 信越化学工業株式会社製 信越シリコーンLS−1890
・硝酸 和光純薬工業株式会社製 試薬特級(143−01326) 69.5%
・エタノール 和光純薬工業株式会社製 試薬特級(057−00456) 99.5%
・硝酸マグネシウム六水和物 ALDRICH社製 M5296−500G 98.0%
〔変性処理用溶液〕
・トリメチルメトキシシラン 信越化学工業株式会社製 信越シリコーンLS−260
・ジメチルジエトキシシラン 信越化学工業株式会社製 信越シリコーンLS−1370
・トリメチルクロロシラン 信越化学工業株式会社製 信越シリコーンLS−510
・硝酸 和光純薬工業株式会社製 試薬特級(143−01326) 69.5%
・トルエン 和光純薬工業株式会社製 試薬特級(200−01863) 99.5%
・エタノール 和光純薬工業株式会社製 試薬特級(057−00456) 99.5%
表1の配合に従って、硝酸、水、及びエタノールを混合して約30分間攪拌し、準備液を調製した。準備液にテトラエトキシシランを添加して約1時間攪拌し、次いでメチルトリエトキシシランを添加して約2.5時間攪拌し、さらに硝酸マグネシウム六水和物を添加して約2時間攪拌し、分離膜形成用アルコキシド溶液(混合液)を調製した。
また、上記分離膜形成用アルコキシド液とは別に、硝酸、及びトルエンを混合して約2時間攪拌し、次いで変性用シラン化合物としてトリメチルメトキシシランを添加して約2時間攪拌し、変性処理用溶液(処理液)を調製した。
次に、無機多孔質支持体としてアルミナ系セラミックスの管状体を準備し、その表面に分離膜形成用アルコキシド溶液をディッピング法によって塗布した。ディッピング法の引き上げ速度は1mm/sとし、引き上げ後は室温で1時間乾燥させた。分離膜形成用アルコキシド溶液の塗布及び乾燥を2回繰り返した後、焼成器で熱処理を行った。熱処理条件は、室温(25℃)から150℃まで5時間かけて加熱し、150℃で2時間保持し、25℃まで5時間かけて冷却した。この熱処理を5回繰り返し、アルミナ系セラミックスの管状体の表面にポリシロキサン網目構造体からなる分離膜を形成した。
次に、分離膜を形成したアルミナ系セラミックスの管状体の表面に変性処理用溶液を塗布し、室温で1時間乾燥させた。変性処理用溶液の塗布及び乾燥を2回繰り返した後、焼成器で熱処理し、ポリシロキサン網目構造体の変性を行った。熱処理条件は、上記の分離膜形成用アルコキシド溶液の塗布及び乾燥後の熱処理条件と同様とした。この変性処理により、ポリシロキサン網目構造体の表面に存在する残留未反応基と変性処理用溶液に含まれるトリメチルメトキシシランとが反応し、残留未反応基が消滅又は低減した酸性ガス含有ガス処理用分離膜を完成させた。
表1の配合に従って、準備液、及び分離膜形成用アルコキシド溶液(混合液)を、実施例1と同様の手順で調製した。
変性処理用溶液(処理液)については、変性用シラン化合物としてトリメチルクロロシランを使用したこと以外は、実施例1と同様の手順で調製した。
アルミナ系セラミックスの管状体の表面へのポリシロキサン網目構造体からなる分離膜の形成、及び当該分離膜の変性処理は、実施例1と同様の手順で実施した。
表1の配合に従って、準備液、分離膜形成用アルコキシド溶液(混合液)を、実施例1と同様の手順で調製した。
変性処理用溶液(処理液)については、実施例1と同様の手順で調製した。
アルミナ系セラミックスの管状体の表面へのポリシロキサン網目構造体からなる分離膜の形成、及び当該分離膜の変性処理は、実施例1と同様の手順で実施した。
表1の配合に従って、準備液を、実施例1と同様の手順で調製した。分離膜形成用アルコキシド溶液(混合液)については、硝酸マグネシウム六水和物を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様の手順で調製した。
変性処理用溶液(処理液)については、実施例1と同様の手順で調製した。
アルミナ系セラミックスの管状体の表面へのポリシロキサン網目構造体からなる分離膜の形成、及び当該分離膜の変性処理は、実施例1と同様の手順で実施した。
表1の配合に従って、準備液を、実施例1と同様の手順で調製した。分離膜形成用アルコキシド溶液(混合液)については、硝酸マグネシウム六水和物を添加しなかったこと以外は、実施例1と同様の手順で調製した。
変性処理用溶液(処理液)については、変性用シラン化合物としてジメチルジエトキシシランを使用したこと以外は、実施例1と同様の手順で調製した。
アルミナ系セラミックスの管状体の表面へのポリシロキサン網目構造体からなる分離膜の形成、及び当該分離膜の変性処理は、実施例1と同様の手順で実施した。
表1の配合に従って、準備液を、実施例1と同様の手順で調製した。準備液にテトラエトキシシランを添加して約2時間攪拌し、さらに硝酸マグネシウム六水和物を添加して約2時間攪拌し、分離膜形成用アルコキシド溶液(混合液)を調製した。すなわち、比較例1は、分離膜形成用アルコキシド溶液の調製にメチルトリエトキシシランを使用しておらず、テトラエトキシシランのみの一段階のゾル−ゲル反応を進行させるものである。
変性処理用溶液(処理液)については、実施例1と同様の手順で調製した。
アルミナ系セラミックスの管状体の表面へのポリシロキサン網目構造体からなる分離膜の形成、及び当該分離膜の変性処理は、実施例1と同様の手順で実施した。
次に、実施例1〜5及び比較例1の分離膜について、二酸化炭素及びメタンガスの分離性能に関する確認試験を行った。確認試験では、窒素を介することにより、二酸化炭素及びメタンガスの分離性能を評価した。ここで、窒素の気体分子径は3.64Åであり、二酸化炭素の気体分子径は3.3Åであり、メタンガスの気体分子径は3.8Åである。従って、窒素/二酸化炭素の混合系では、窒素よりも気体分子径が小さい二酸化炭素は分離膜を透過し易く、窒素/メタンガスの混合系では、窒素よりも気体分子径が大きいメタンガスは分離膜を透過し難いものとなる。このような気体毎に異なる性質を利用し、さらに膜の特性(官能基)を適切に設定すれば、混合系から二酸化炭素又はメタンガスを分離することが可能となる。確認試験では、実施例1〜5及び比較例1の各分離膜について、変性処理前及び変性処理後における窒素、二酸化炭素、及びメタンガスの気体透過速度を比較した。試験手順として、真空乾燥を1時間行って細孔内の水分を完全に除去した分離膜(変性処理前及び変性処理後)を準備し、これを閉鎖空間に配置して窒素、二酸化炭素、及びメタンガスの単独ガスを0.1MPaの圧力で個別に流入させ、夫々の単独ガスの透過速度〔mol/(m2×s(秒)×Pa)〕を測定した。分離性能確認試験の結果を表2に示す。
(2)実施例2の分離膜は、変性処理を行うと、窒素、二酸化炭素、及びメタンガスの透過速度が全体的に上昇し、透過速度比も大きくなった。ポリシロキサン網目構造体の原材料の配合について、テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシラン=6:4としたものは、トリメチルクロロシランによる変性処理の効果が大きく現れることが示された。
(3)実施例3の分離膜は、変性処理を行うと、特に二酸化炭素の透過速度が上昇し、透過速度比も大きくなった。ポリシロキサン網目構造体の原材料の配合について、テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシラン=9:1としたものでも、トリメチルメトキシシランによる変性処理の効果が現れることが示された。
(4)実施例4の分離膜は、変性処理を行うと、特に二酸化炭素の透過速度が上昇し、透過速度比も大きくなった。ポリシロキサン網目構造体の原材料の配合について、硝酸マグネシウム六水和物を添加しない場合でも、テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシラン=4:6としたものは、トリメチルメトキシシランによる変性処理の効果が現れることが示された。
(5)実施例5の分離膜は、変性処理を行うと、特に二酸化炭素の透過速度が上昇し、透過速度比も大きくなった。ポリシロキサン網目構造体の原材料の配合について、硝酸マグネシウム六水和物を添加しない場合でも、テトラエトキシシラン:メチルトリエトキシシラン=4:6としたものは、ジメチルジエトキシシランによる変性処理の効果が現れることが示された。なお、実施例5は、変性処理用溶液(処理液)の溶媒としてエタノールを使用しているが、トルエンを使用している他の実施例1〜4と比べると、変性処理による透過速度及び透過速度比の向上がやや低くなる傾向が見られた。従って、変性処理用溶液(処理液)の溶媒には、エタノールよりもトルエンの方が好ましいと考えられる。
(6)一方、比較例1の分離膜は、変性処理を行うと、窒素、二酸化炭素、及びメタンガスの透過速度がやや低下し、透過速度比も小さくなった。つまり、分離膜をテトラエトキシシランの単独配合によって構成したものは、変性処理を行ってもポリシロキサン網目構造体の変性が効率よく行われないだけでなく、むしろ変性処理によって分離性能に悪影響を及ぼす可能性があることが示唆された。
Claims (9)
- 表面に残留未反応基が存在する炭化水素基が導入されたポリシロキサン網目構造体に、炭化水素基含有モノアルコキシシラン、炭化水素基含有ジアルコキシシラン、炭化水素基含有モノクロロシラン、炭化水素基含有ジクロロシラン、及び炭化水素基含有トリクロロシランからなる群から選択される少なくとも一種の変性用シラン化合物を反応させ、前記残留未反応基を消滅又は低減させた酸性ガス含有ガス処理用分離膜であって、
前記酸性ガス含有ガスとして、二酸化炭素及びメタンガスを含有する混合ガスを処理対象とするものであり、
前記炭化水素基が導入された前記ポリシロキサン網目構造体は、テトラアルコキシシランと、前記炭化水素基を含有する炭化水素基含有トリアルコキシシランとの反応物である複合ポリシロキサン網目構造体であり、
前記テトラアルコキシシラン及び前記炭化水素基を含有する炭化水素基含有トリアルコキシシランの合計量に対する前記変性用シラン化合物の反応量が、モル比で1〜2倍に設定されている、前記混合ガスから二酸化炭素又はメタンガスを分離する酸性ガス含有ガス処理用分離膜。 - 前記テトラアルコキシシランは、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシラン(これを、Aとする)であり、
前記炭化水素基含有トリアルコキシシランは、トリメトキシシラン又はトリエトキシシランのSi原子に炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したもの(これを、Bとする)である請求項1に記載の酸性ガス含有ガス処理用分離膜。 - 前記Aと前記Bとの配合比率(A/B)が、モル比で1/9〜9/1に設定されている請求項2に記載の酸性ガス含有ガス処理用分離膜。
- 前記炭化水素基含有モノアルコキシシランは、モノメトキシシラン又はモノエトキシシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであり、
前記炭化水素基含有ジアルコキシシランは、ジメトキシシラン又はジエトキシシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものである請求項1〜3の何れか一項に記載の酸性ガス含有ガス処理用分離膜。 - 前記炭化水素基含有モノクロロシランは、モノクロロシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであり、
前記炭化水素基含有ジクロロシランは、ジクロロシランのSi原子に、同一又は異なる炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものであり、
前記炭化水素基含有トリクロロシランは、トリクロロシランのSi原子に、炭化水素基として、炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したものである請求項1〜4の何れか一項に記載の酸性ガス含有ガス処理用分離膜。 - 二酸化炭素及びメタンガスを含有する混合ガスを処理対象とし、前記混合ガスから二酸化炭素又はメタンガスを分離する酸性ガス含有ガス処理用分離膜の製造方法であって、
(a)酸触媒、水、及び有機溶媒を混合した準備液、並びに、酸触媒、有機溶媒、並びに炭化水素基含有モノアルコキシシラン、炭化水素基含有ジアルコキシシラン、炭化水素基含有モノクロロシラン、炭化水素基含有ジクロロシラン、及び炭化水素基含有トリクロロシランからなる群から選択される少なくとも一種の変性用シラン化合物を混合した処理液を調製する準備工程と、
(b)前記準備液にテトラアルコキシシランを混合する第一混合工程と、
(c)前記第一混合工程で得られた混合液に炭化水素基含有トリアルコキシシランを混合する第二混合工程と、
(d)前記第二混合工程で得られた混合液を無機多孔質支持体に塗布する第一塗布工程と、
(e)前記第一塗布工程が完了した無機多孔質支持体を熱処理し、当該無機多孔質支持体の表面に、炭化水素基が導入されたポリシロキサン網目構造体を形成する形成工程と、
(f)前記ポリシロキサン網目構造体の表面に前記処理液を塗布する第二塗布工程と、
(g)前記第二塗布工程が完了したポリシロキサン網目構造体を熱処理し、前記ポリシロキサン網目構造体の表面に存在する残留未反応基と前記処理液に含まれる前記変性用シラン化合物とを反応させ、前記残留未反応基を消滅又は低減させる反応工程と、
を包含し、
前記反応工程において、前記テトラアルコキシシラン及び前記炭化水素基を含有する炭化水素基含有トリアルコキシシランの合計量に対して、前記変性用シラン化合物が、モル比で1〜2倍反応するように、前記準備工程、前記第一混合工程、及び前記第二混合工程が行われる酸性ガス含有ガス処理用分離膜の製造方法。 - 前記準備工程において、前記準備液に酸性ガスと親和性を有する金属塩を添加する請求項6に記載の酸性ガス含有ガス処理用分離膜の製造方法。
- 前記第一混合工程において、前記テトラアルコキシシランは、テトラメトキシシラン又はテトラエトキシシラン(これを、Aとする)であり、
前記第二混合工程において、前記炭化水素基含有トリアルコキシシランは、トリメトキシシラン又はトリエトキシシランのSi原子に炭素数1〜6のアルキル基又はフェニル基が結合したもの(これを、Bとする)である請求項6又は7に記載の酸性ガス含有ガス処理用分離膜の製造方法。 - 前記Aと前記Bとの配合比率(A/B)が、モル比で1/9〜9/1に設定されている請求項8に記載の酸性ガス含有ガス処理用分離膜の製造方法。
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