JP6227774B2 - Dramサブアレイレベルリフレッシュ - Google Patents
Dramサブアレイレベルリフレッシュ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6227774B2 JP6227774B2 JP2016523745A JP2016523745A JP6227774B2 JP 6227774 B2 JP6227774 B2 JP 6227774B2 JP 2016523745 A JP2016523745 A JP 2016523745A JP 2016523745 A JP2016523745 A JP 2016523745A JP 6227774 B2 JP6227774 B2 JP 6227774B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dram
- row
- refresh
- subarray
- bank
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40618—Refresh operations over multiple banks or interleaving
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1605—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration
- G06F13/161—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement
- G06F13/1636—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus based on arbitration with latency improvement using refresh
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40611—External triggering or timing of internal or partially internal refresh operations, e.g. auto-refresh or CAS-before-RAS triggered refresh
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dram (AREA)
Description
本出願は、その開示全体が参照により本明細書に明確に組み込まれる、2013年7月5日に出願された「DRAM Sub-Array Level Refresh」と題する米国仮特許出願第61/843,110号の利益を主張する。
102 DRAMバンク、バンク
104 DRAMサブアレイ、サブアレイ
106 ローカルセンス増幅器
110 I/Oセンス増幅器バス
112 DRAM出力バス
114 行
116 オープンページ、ページ
200 従来のDRAMアーキテクチャ
202 グローバル行デコーダ
203 列デコーダ
204 サブアレイ
206 DRAMバンク、バンク
208 マルチプレクサ回路
210 行アドレスラッチ
212 リフレッシュカウンタ
300 DRAMアーキテクチャ
302 ローカル行デコーダ
303 列デコーダ
304 サブアレイ
305 ローカル行アドレスラッチ
306 DRAMバンク
307 サブアレイセレクタ
308 マルチプレクサ回路
310 行アドレスラッチ
312 リフレッシュカウンタ
314 モードレジスタ
500 ワイヤレス通信システム
520 リモートユニット
525A、525B、525C ICデバイス
530 リモートユニット
540 基地局
550 リモートユニット
580 順方向リンク信号
590 逆方向リンク信号
600 設計用ワークステーション
601 ハードディスク
602 ディスプレイ
603 駆動装置
604 記憶媒体
610 回路設計
612 半導体構成要素
Claims (15)
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)をリフレッシュする方法であって、
外部コマンドに従って、前記DRAMの第1のDRAMバンクの第1の行において前記DRAMのページをオープンするステップと、
前記外部コマンドとリフレッシュ動作との間でサブアレイレベル競合が検出されるかどうかを判断するために前記DRAMのサブアレイ構成を読み取るステップであって、前記第1のDRAMバンクの前記第1の行が前記第1のDRAMバンクの第1のサブアレイにある、ステップと、
前記サブアレイレベル競合が検出されなかったときに、前記リフレッシュ動作に従って、前記第1のDRAMバンクの前記第1の行をクローズする前に前記第1のDRAMバンクの第2の行をリフレッシュするステップであって、前記第1のDRAMバンクの前記第2の行が前記第1のDRAMバンクの第2のサブアレイにある、ステップと
を含む方法。 - 前記サブアレイレベル競合が検出されたときのみ、前記第1のDRAMバンクの第3の行をリフレッシュする前に前記第1のDRAMバンクのすべての行をクローズするステップであって、前記第1のDRAMバンクの前記第3の行が前記第1のDRAMバンクの前記第1のサブアレイにある、ステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- DRAMバンクのセット中の前記第3の行をリフレッシュするステップであって、DRAMバンクの前記セットが前記第1のDRAMバンクを含む、ステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- ローカルリフレッシュカウンタをリセットするステップと、
前記ローカルリフレッシュカウンタに基づいて、リフレッシュ期間が満了したかどうかを判断するステップと、
前記リフレッシュ期間が満了したと判断したことに応答して、オープンされた行が前記ローカルリフレッシュカウンタと競合するかどうかを判断するステップと
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記オープンされた行が前記ローカルリフレッシュカウンタと競合すると判断したことに応答して、プリチャージコマンドを、前記オープンされた行を含むバンクに送るステップと、
前記プリチャージコマンドを送った後にリフレッシュコマンドを送るステップと
をさらに含む、請求項4に記載の方法。 - 前記オープンされた行が前記ローカルリフレッシュカウンタと競合しないと判断したことに応答して、前記プリチャージコマンドを、前記オープンされた行を含む前記バンクに送ることなく、リフレッシュコマンドを送るステップをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記DRAMを携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定ロケーションデータユニットに組み込むステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)システムであって、
メモリチップであって、
メモリセルの複数のサブアレイであって、各々が割り振られたセンス増幅器を有するサブアレイと、
前記メモリチップのサブアレイ構成を記憶するように構成されたモードレジスタと、
グローバル行アドレスラッチと、
リフレッシュカウンタと、
前記グローバル行アドレスラッチおよび前記リフレッシュカウンタに結合されたサブアレイセレクタと、
前記サブアレイセレクタに結合されたローカル行アドレスラッチと
を備えるメモリチップと、
前記メモリチップに結合されたメモリコントローラであって、前記メモリチップの前記サブアレイ構成を読み取り、外部コマンドとリフレッシュ動作との間のサブアレイレベル競合を検出し、前記リフレッシュ動作の間に少なくとも1つの競合しないページをオープンにしておくように構成されたメモリコントローラと
を備えるシステム。 - 前記メモリコントローラが、前記サブアレイレベル競合を検出するように構成された複製のリフレッシュカウンタを含む、請求項8に記載のシステム。
- 前記メモリコントローラが、前記外部コマンドが進行中のリフレッシュ動作と競合するときに、前記外部コマンドを遅延させるように構成される、請求項8に記載のシステム。
- 前記メモリコントローラが、リフレッシュコマンドが進行中の外部コマンドと競合するときに、前記リフレッシュコマンドを遅延させるように構成される、請求項8に記載のシステム。
- 前記グローバル行アドレスラッチが、DRAMバンクの第1の行にアクセスするために第1の行アドレスを前記サブアレイセレクタに与えるように構成され、前記リフレッシュカウンタが、前記DRAMバンクの第2の行をリフレッシュするために第2の行アドレスを前記サブアレイセレクタに与えるように構成される、請求項8に記載のシステム。
- 前記サブアレイセレクタが、前記第1の行アドレスに基づいて、前記DRAMバンクの前記第1の行にアクセスするために第1のワード線をオンにし、前記第2の行アドレスに少なくとも部分的に基づいて、前記DRAMバンクの前記第2の行をリフレッシュするために第2のワード線をオンにするように構成される、請求項12に記載のシステム。
- 前記サブアレイセレクタに結合されたマルチプレクサ回路であって、前記第1のワード線および前記第2のワード線が前記DRAMバンクの異なるサブアレイにあるときのみ、前記サブアレイセレクタが前記第1のワード線および前記第2のワード線を同時にオンにすることを可能にするように構成されたマルチプレクサ回路をさらに備える、請求項13に記載のシステム。
- 携帯電話、セットトップボックス、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、コンピュータ、ハンドヘルドパーソナル通信システム(PCS)ユニット、ポータブルデータユニット、および/または固定ロケーションデータユニットに組み込まれる、請求項8に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361843110P | 2013-07-05 | 2013-07-05 | |
US61/843,110 | 2013-07-05 | ||
US14/088,098 | 2013-11-22 | ||
US14/088,098 US8982654B2 (en) | 2013-07-05 | 2013-11-22 | DRAM sub-array level refresh |
PCT/US2014/039385 WO2015002704A1 (en) | 2013-07-05 | 2014-05-23 | Dram sub-array level refresh |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016526749A JP2016526749A (ja) | 2016-09-05 |
JP2016526749A5 JP2016526749A5 (ja) | 2017-06-15 |
JP6227774B2 true JP6227774B2 (ja) | 2017-11-08 |
Family
ID=52132725
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016523745A Expired - Fee Related JP6227774B2 (ja) | 2013-07-05 | 2014-05-23 | Dramサブアレイレベルリフレッシュ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8982654B2 (ja) |
EP (1) | EP3017452B1 (ja) |
JP (1) | JP6227774B2 (ja) |
KR (1) | KR101799357B1 (ja) |
CN (1) | CN105378846B (ja) |
WO (1) | WO2015002704A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9524771B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-12-20 | Qualcomm Incorporated | DRAM sub-array level autonomic refresh memory controller optimization |
US9721640B2 (en) | 2015-12-09 | 2017-08-01 | Intel Corporation | Performance of additional refresh operations during self-refresh mode |
US9659626B1 (en) * | 2015-12-26 | 2017-05-23 | Intel Corporation | Memory refresh operation with page open |
US9514800B1 (en) | 2016-03-26 | 2016-12-06 | Bo Liu | DRAM and self-refresh method |
US9824742B1 (en) | 2016-04-28 | 2017-11-21 | Qualcomm Incorporated | DRAM access in self-refresh state |
CN110556139B (zh) * | 2018-05-31 | 2021-06-18 | 联发科技股份有限公司 | 用以控制存储器的电路及相关的方法 |
US10535393B1 (en) * | 2018-07-21 | 2020-01-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Configuring dynamic random access memory refreshes for systems having multiple ranks of memory |
US10991414B2 (en) * | 2019-04-12 | 2021-04-27 | Western Digital Technologies, Inc. | Granular refresh rate control for memory devices based on bit position |
US20210064368A1 (en) * | 2019-08-28 | 2021-03-04 | Micron Technology, Inc. | Command tracking |
CN111158585B (zh) * | 2019-11-27 | 2023-08-01 | 核芯互联科技(青岛)有限公司 | 一种内存控制器刷新优化方法、装置、设备和存储介质 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4344157A (en) * | 1978-06-26 | 1982-08-10 | Texas Instruments Incorporated | On-chip refresh address generator for dynamic memory |
US5313428A (en) * | 1987-11-12 | 1994-05-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Field memory self-refreshing device utilizing a refresh clock signal selected from two separate clock signals |
US5307320A (en) | 1992-09-23 | 1994-04-26 | Intel Corporation | High integration DRAM controller |
KR950014089B1 (ko) * | 1993-11-08 | 1995-11-21 | 현대전자산업주식회사 | 동기식 디램의 히든 셀프 리프레쉬 방법 및 장치 |
JPH09306165A (ja) * | 1996-05-16 | 1997-11-28 | Hitachi Commun Syst Inc | Dramリフレッシュ制御回路 |
US5818777A (en) * | 1997-03-07 | 1998-10-06 | Micron Technology, Inc. | Circuit for implementing and method for initiating a self-refresh mode |
US6697909B1 (en) | 2000-09-12 | 2004-02-24 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for performing data access and refresh operations in different sub-arrays of a DRAM cache memory |
JP2002216473A (ja) | 2001-01-16 | 2002-08-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体メモリ装置 |
US6560155B1 (en) * | 2001-10-24 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | System and method for power saving memory refresh for dynamic random access memory devices after an extended interval |
US6721224B2 (en) * | 2002-08-26 | 2004-04-13 | Mosel Vitelic, Inc. | Memory refresh methods and circuits |
US7088632B2 (en) | 2004-05-26 | 2006-08-08 | Freescale Semiconductor, Inc. | Automatic hidden refresh in a dram and method therefor |
JP2006107245A (ja) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Canon Inc | メモリコントローラ |
US7313047B2 (en) | 2006-02-23 | 2007-12-25 | Hynix Semiconductor Inc. | Dynamic semiconductor memory with improved refresh mechanism |
JP4117323B2 (ja) * | 2006-04-18 | 2008-07-16 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP5428687B2 (ja) * | 2009-09-14 | 2014-02-26 | 株式会社リコー | メモリ制御装置 |
US8310893B2 (en) * | 2009-12-16 | 2012-11-13 | Micron Technology, Inc. | Techniques for reducing impact of array disturbs in a semiconductor memory device |
JP2011192343A (ja) * | 2010-03-12 | 2011-09-29 | Elpida Memory Inc | 半導体装置及びそのリフレッシュ制御方法並びにコンピュータシステム |
KR101861647B1 (ko) * | 2011-05-24 | 2018-05-28 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그 리프레시 제어 방법 |
-
2013
- 2013-11-22 US US14/088,098 patent/US8982654B2/en active Active
-
2014
- 2014-05-23 CN CN201480038159.0A patent/CN105378846B/zh active Active
- 2014-05-23 KR KR1020167002714A patent/KR101799357B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-23 JP JP2016523745A patent/JP6227774B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-05-23 WO PCT/US2014/039385 patent/WO2015002704A1/en active Application Filing
- 2014-05-23 EP EP14733440.3A patent/EP3017452B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105378846A (zh) | 2016-03-02 |
EP3017452A1 (en) | 2016-05-11 |
WO2015002704A1 (en) | 2015-01-08 |
EP3017452B1 (en) | 2017-08-16 |
US20150009769A1 (en) | 2015-01-08 |
KR101799357B1 (ko) | 2017-11-20 |
JP2016526749A (ja) | 2016-09-05 |
US8982654B2 (en) | 2015-03-17 |
KR20160030212A (ko) | 2016-03-16 |
CN105378846B (zh) | 2018-08-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6227774B2 (ja) | Dramサブアレイレベルリフレッシュ | |
JP6211186B2 (ja) | Dramサブアレイレベル自律リフレッシュメモリコントローラの最適化 | |
TWI691958B (zh) | 用於節省記憶體刷新功率的部分刷新技術 | |
KR102329673B1 (ko) | 해머 리프레쉬 동작을 수행하는 메모리 장치 및 이를 포함하는 메모리 시스템 | |
JP5952771B2 (ja) | メモリ装置及びメモリコントローラ並びにメモリシステム | |
CN109219850B (zh) | 存储器中的延迟回写 | |
JP2016526749A5 (ja) | ||
US11881251B2 (en) | Row clear features for memory devices and associated methods and systems | |
CN114582387A (zh) | 存储器装置的刷新期间的条件行激活和存取以及相关联方法和系统 | |
WO2005050662A1 (en) | Method and apparatus for partial refreshing of dram | |
US10740188B2 (en) | Volatile memory device and method for efficient bulk data movement, backup operation in the volatile memory device | |
US11942137B2 (en) | Memory controller and memory system including the same | |
JP4407972B2 (ja) | 非同期式半導体記憶装置 | |
KR100429348B1 (ko) | 용이하게 특성을 평가할 수 있는 반도체 기억 장치 | |
TWI727896B (zh) | 用於在記憶體模組中累積並且儲存字線之各自的存取次數的方法以及設備 | |
KR20170093053A (ko) | 리프레시 정보 생성기를 포함하는 휘발성 메모리 장치 및 전자 장치, 그것의 정보 제공 방법, 그리고 그것의 리프레시 제어 방법 | |
JP3998539B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20240127901A1 (en) | Temperature-based error masking during mbist operation | |
JP2009176343A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR20140134515A (ko) | 디지털 신호처리 프로세서 및 데이터 입출력 방법 | |
TW202044248A (zh) | 記憶體儲存裝置及其運作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170501 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170501 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20170906 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20170913 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170915 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171011 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6227774 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |