JP6219332B2 - 熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置及びその方法 - Google Patents
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Description
、熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で熱アシス
ト磁気ヘッド素子の表面を走査するカンチレバーと、カンチレバーに光を照射してカンチ
レバーからの反射光を検出する変位検出系と、熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を走査す
るカンチレバーからの散乱光を検出する光検出器と、変位検出系からの出力信号と光検出
器からの出力信号を受けて信号を処理する信号処理部と全体を制御する制御部とを備えて
構成し、更に、熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から発生する近接場光とほぼ
同じ近接場光を発生させる近接場光発生サンプルを載置する載置部と、レーザを発射する
レーザ光源と、レーザ光源から発射されたレーザを載置部に載置された近接場光発生サン
プルに照射して近接場光発生サンプルから近接場光を発生させるレーザ照射光学系と、近
接場光発生サンプルを載置する載置部とレーザ照射光学系とを載置して近接場光発生サン
プルをカンチレバーの直下とカンチレバーから離れた場所との間を移動させるテーブル部
とを備えるようにした。
Yステージ105の上方にはローバー40と発光サンプル100の位置ずれ量測定用のカメラ103が設けられている。Zステージ104は検査ステージ101のカラムに固定されており、カンチレバー1をZ方向に移動させるものである。検査ステージ101のXステージ106、Yステージ105、Zステージ104は、それぞれ図示していないピエゾ素子で駆動されるピエゾステージで構成されている。
発光サンプル100には、表面のAu膜1003に近接場光発生用の開口部1004が形成されており、発光サンプル100のSiO2基板1001の側からこの開口部1004に励起光308が照射されると、Au膜1003の表面の開口部1004の極近傍に近接場光502が発生する。カンチレバー1の探針11が発光サンプル100のAu膜1003に形成された開口部1004の発光表面との距離を10nm以下にして(または、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)モードのように試料表面に沿ってスキャンすることにして)、探針11の先端部分12が近接場光502の発光領域内に入って近接場光502と接触することにより、探針11の先端部分12の表面から散乱光503が発生する。光検出器3は探針11の先端部分12の表面から発生した散乱光503を検出し、制御部PC130に検出信号を出力する。
まず、探針11の先端部分12の径が所定の値の基準となるカンチレバー1を選定し(S101)、この基準となるカンチレバー1を加振部122に取り付けて(S102)、Xステージ106を駆動して発光サンプル100に形成した開口部1004をカンチレバー1の探針11の直下に位置させる(S103)。次に、レーザ光源301からレーザを発射して発光サンプル100の開口部1004の近傍に近接場光を発生させた状態で、加振部122で基準となるカンチレバー1を加振しながらYステージ105を駆動して探針11を発光サンプル100の開口部1004近傍の近接場光発生領域を走査させて、探針11の先端部分12から発生した散乱光を光検出器3で検出する(S104)。この検出した値を、基準値として、制御部PC130に記憶する(S105)。
本発明の実施例2に係る測定方法に利用する発光サンプルを搭載する熱アシスト磁気ヘッド検査装置は、実施例1で説明した発光サンプルを搭載する熱アシスト磁気ヘッド素子検査装置と基本的には同じ構造を有している。ここでの重複の説明を省略する。
まず、複数のカンチレバー1について、探針11の先端部分12の径をSEMを用いて測定する(S201)、このうちの1つのカンチレバー1を加振部122に取り付けて(S202)、Xステージ106を駆動して発光サンプル100に形成した開口部1004をカンチレバー1の探針11の直下に位置させる(S203)。次に、レーザ光源301からレーザを発射して発光サンプル100の開口部1004の近傍に近接場光を発生させた状態で、加振部122で基準となるカンチレバー1を加振しながらYステージ105を駆動して探針11を発光サンプル100の開口部1004近傍の近接場光発生領域を走査させて、探針11の先端部分12から発生した散乱光を光検出器3で検出する(S204)。この検出した値を、制御部PC130に記憶する(S205)。
本実施例3に係る測定方法を利用する発光サンプルを搭載する熱アシスト磁気ヘッド検査装置は、実施例1で説明した発光サンプルを搭載する熱アシスト磁気ヘッド素子検査装置と基本的には同じ構造を有しているので、重複の説明を省略する。
40・・・ローバー 101・・・測定ステージ 102・・・発信機 103・・・カメラ 104・・・Zステージ 105・・・Yステージ 106・・・Xステージ 107・・・ピエゾドライバ 109・・・半導体レーザ素子 100・・・発光サンプル 110・・・変位センサ 111・・・差動アンプ 112・・・DCコンバータ 113・・・フィードバックコントローラ 114・・・載置部 122・・・加振部 130・・・制御部PC 301・・・レーザ光源 302・・・偏波保持ファイバ 303・・・コリメータレンズ 304・・・十字動ステージ 305・・・集光レンズ 306・・・偏光ビームスプリッタ 307・・・レンズ固定パイプ 401・・・発光サンプル載置部 402・・・照明系 1004・・・近接場光発光の開口部。
Claims (12)
- 熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記熱ア
シスト磁気ヘッド素子の表面を走査するカンチレバーと、
前記カンチレバーに光を照射して前記カンチレバーからの反射光を検出する変位検出系
と、
前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を走査する前記カンチレバーからの散乱光を検出
する光検出器と、
前記変位検出系からの出力信号と前記光検出器からの出力信号を受けて信号を処理する
信号処理部と
全体を制御する制御部と
を備えた熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置であって、
更に、前記熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から発生する近接場光とほぼ同じ
近接場光を発生させる近接場光発生サンプルを載置する載置部と、
レーザを発射するレーザ光源と、
前記レーザ光源から発射されたレーザを前記載置部に載置された前記近接場光発生サン
プルに照射して前記近接場光発生サンプルから前記近接場光を発生させるレーザ照射光学
系と、
前記近接場光発生サンプルを載置する前記載置部と前記レーザ照射光学系とを載置して前記近接場光発生サンプルを前記カンチレバーの直下と前記カンチレバーから離れた場所との間を移動させるテーブル部と
を備えたことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 請求項1記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置であって、前記制御部は、前記レ
ーザ照射光学系で前記載置部に載置された前記近接場光発生サンプルに前記レーザ光源か
ら発射されたレーザを照射した状態で前記カンチレバーを作動させて前記光検出器で検出
した信号に基づいて、前記光検出器のゲインを調整することを特徴とする熱アシスト磁気
ヘッド素子の検査装置。 - 請求項2記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置であって、前記制御部は、前記ゲ
インを調整した前記光検出器の出力を受けて前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光の発光領域の長さのばらつきを管理することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 請求項1記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置であって、前記制御部は、前記レ
ーザ照射光学系で前記載置部に載置された前記近接場光発生サンプルに前記レーザ光源か
ら発射されたレーザを照射して前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記
カンチレバーを作動させて前記光検出器で検出した信号から、予め求めておいた前記カンチレバーの探針の径と前記光検出器の出力との関係に基づいて前記カンチレバーの探針の径を算出することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 請求項4記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置であって、前記制御部は、前記熱
アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を前記カンチレバーで走査したときに前記光検出器で検出した信号から前記近接場光の発光領域に関連する寸法を検出し、前記検出した前記近接場光の発光領域に関連する寸法から前記算出した前記カンチレバーの探針の径の値を差し引いた値を前記近接場光の発光領域の長さとすることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 請求項1記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置であって、前記制御部は、前記近
接場光発生サンプルに形成された前記近接場光発光部の寸法情報を用いて、前記レーザ照
射光学系で前記載置部に載置された前記近接場光発生サンプルに前記レーザ光源から発射
されたレーザを照射して前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記カンチ
レバーを作動させて前記光検出器で検出した信号の波形から前記カンチレバーの探針の径
を求める測定基準を設定し、前記設定した基準に基づいて前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を前記カンチレバーで走査したときに前記光検出器で検出した信号から前記近接場光の発光領域の長さを求めることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から近接場光を発生させた状態でカンチレ
バーで前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を走査し、
前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を走査している前記カンチレバーに光を照射して
前記カンチレバーからの反射光を検出し、
前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を走査する前記カンチレバーからの散乱光を光検
出器で検出し、
前記カンチレバーからの反射光を検出した信号と前記光検出器からの出力信号を受けて
信号を処理して前記熱アシスト磁気ヘッド素子を検査する熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法であって、
予め、前記熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から発生する近接場光とほぼ同
じ近接場光を発生させる近接場光発生サンプルにレーザ光源から発射されたレーザを照射
して前記近接場光発生サンプルから前記近接場光を発生させた状態で前記近接場光発生サ
ンプルの表面を前記カンチレバーで走査して前記カンチレバーの探針からの散乱光を前記
光検出器で検出して得た信号の情報を用いて前記熱アシスト磁気ヘッド素子を検査するこ
とを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 請求項7記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法であって、前記近接場光発生サン
プルの表面を前記カンチレバーで走査して前記カンチレバーの探針からの散乱光を前記光
検出器で検出して得た信号の情報を用いて、前記散乱光を検出した信号のレベルが予め設
定したレベルとなるように前記光検出器のゲインを調整し、このゲインを調整した前記光検出器を用いて前記熱アシスト磁気ヘッド素子を検査することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 請求項8記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法であって、前記ゲインを調整した
前記光検出器の出力を受けて前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光の発光領域の長さのばらつきを管理することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 請求項7記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法であって、前記近接場光発生サンプルに前記レーザ光源から発射されたレーザを照射して前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記カンチレバーを作動させて前記光検出器で検出した信号から、予め求めておいた前記カンチレバーの探針の径と前記光検出器の出力との関係に基づいて前記カンチレバーの探針の径を算出することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。
- 請求項10記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法であって、前記熱アシスト磁気
ヘッド素子の前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を前記カンチレバーで走査したときに前記光検出器で検出した信号から前記近接場光の発光領域に関連する寸法を検出し、前記検出した前記近接場光の発光領域に関連する寸法から前記算出した前記カンチレバーの探針の径の値を差し引いた値を前記近接場光の発光領域の長さとすることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 請求項7記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法であって、前記近接場光発生サン
プルに形成された前記近接場光発光部の寸法情報を用いて、前記近接場光発生サンプルに前記レーザ光源から発射されたレーザを照射して前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記カンチレバーを作動させて前記光検出器で検出した信号の波形から前記カンチレバーの探針の径を求める測定基準を設定し、前記設定した基準に基づいて前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光発光部から近接場光を発生させた状態で前記熱アシスト磁気ヘッド素子の表面を前記カンチレバーで走査したときに前記光検出器で検出した信号から前記近接場光の発光領域の長さを求めることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。
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