JP5745460B2 - 熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法及びその装置 - Google Patents
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Description
更にその変形例も含めて、以下に、本発明の実施例を図面を参照しながら詳細に説明する。
先ず複数設置されたローバーを1本ずつ取り出し、検査ステージ上に搬送し(S901)、カメラによるアライメントを行い(S902)、ローバーに形成された熱アシスト磁気ヘッド素子部4(測定ヘッド)を測定位置に移動させて測定ヘッドの位置決めを行う(S903)。次に、測定ヘッドに記録信号(発光用信号)又は励起用レーザ光を供給し(S904)、ピエゾドライバ107でZテージ104を制御することによって、カンチレバー部100の探針120を測定ヘッドの記録表面にアプローチさせる(S905)。次に、発信機102からの発振信号に基づいてピエゾドライバ107で加振部122を駆動してカンチレバー部100を所定の周波数で振動させる。この状態でピエゾドライバ107でYステージ105とXステージ106を駆動してローバー1をXY平面内で移動させることにより、カンチレバー部100はヘッドの記録面に平行する平面に数百nm〜数μmの範囲内でスキャンし(S906)、記録ヘッドの発生する近接場光による探針120から発生する散乱光を検出して強度分布を計測し、(S907)。
図3は、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッド検査装置の第2実施形態の基本的な構成を示すブロック図である。図3の熱アシスト磁気ヘッド検査装置3000は、実施例1と同様に、スライダ単体(チップ)を切り出す前のローバー1の状態で熱アシスト磁気ヘッド素子4の近接場光発光部の物理形状を測定する。
先ず複数設置されたローバーを1本ずつ取り出し、検査ステージ上に搬送し(S1001)、カメラによるアライメントを行い(S1002)、ローバーに形成された熱アシスト磁気ヘッド素子部4(測定ヘッド)を測定位置に移動させて測定ヘッドの位置決めを行う(S1003)。次に、半導体レーザ素子301からレーザを発射してカンチレバー部100の先端部分に形成した探針120にレーザを照射し、探針120の先端部分に近接場光を発生させ(S1004)、ピエゾドライバ107でZテージ104を制御することによって、カンチレバー部100の探針120を測定ヘッドの記録表面にアプローチさせる(S1005)。次に、発信機102からの発振信号に基づいてピエゾドライバ107で加振部122を駆動してカンチレバー部100を所定の周波数で振動させる。
図5は、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッド検査装置の第3実施形態の基本的な構成を示すブロック図である。図5の熱アシスト磁気ヘッド検査装置5000は、実施例1及び実施例2と同様に、スライダ単体(チップ)を切り出す前のローバー1の状態で熱アシスト磁気ヘッド素子4の発生する近接場光の強度分布を測定する。
図7は、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッド検査装置の第4実施形態の基本的な構成を示すブロック図である。図7の熱アシスト磁気ヘッド検査装置7000は、実施例1乃至3と同様に、スライダ単体(チップ)を切り出す前工程のローバーの状態で熱アシスト磁気ヘッド素子4の近接場光発光部の物理形状を測定することが可能なものである。
図11は、本発明に係る熱アシスト磁気ヘッド検査装置の第5実施形態の基本的な構成を示すブロック図である。図11の熱アシスト磁気ヘッド検査装置1100は、実施例1乃至4と同様に、スライダ単体(チップ)を切り出す前工程のローバー(ヘッドスライダが配列されたブロック)の状態で熱アシスト磁気ヘッドの発生する近接場光の強度分布を測定することが可能なものである。
Claims (12)
- 熱アシスト磁気ヘッド素子を検査する検査装置であって、
試料である熱アシスト磁気ヘッド素子を載置して平面内で移動可能なテーブル手段と、
該テーブル手段に載置された試料の表面を走査する探針を備えたカンチレバーと、
該カンチレバーを前記試料の表面に対して上下方向に振動させる振動駆動手段と、
該振動駆動手段により振動させられている前記カンチレバーの前記探針が形成されてい
る側と反対側の面に光を照射して前記カンチレバーからの反射光を検出することにより前
記カンチレバーの振動を検出する変位検出手段と、
前記熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から近接場光を発生させるための信号
を出力する信号出力手段と、
該信号出力手段から出力された信号により前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場
光発光部から発生した近接場光の発生領域内に前記カンチレバーの探針が入ったときに前
記カンチレバーの探針の表面から発生する散乱光を検出する散乱光検出手段と、
前記試料を載置したテーブル手段の位置情報と前記散乱光検出手段で前記散乱光を検出
して得た信号とを用いて前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光発光部から発生す
る近接場光の発生の状態の良否を判定する処理手段と
を備えたことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 前記カンチレバーの探針の表面には貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜が形
成されており、前記近接場光の発生領域内に前記カンチレバーの探針が入ったときに前記
探針の表面に形成した前記貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜から発生した散
乱光を前記散乱光検出手段で検出することを特徴とする請求項1記載の熱アシスト磁気ヘ
ッド素子の検査装置。 - 前記カンチレバーの探針の表面には入射した光の波長を変換して出射させる材料の微粒
子又は薄膜が形成されており、前記近接場光の発生領域内に前記カンチレバーの探針が入
ったときに前記探針の表面から発生した散乱光を前記入射した光の波長を変換して出射さ
せる材料の微粒子又は薄膜を介して前記近接場光の波長とは異なる波長の散乱光を出射し
、該出射された前記近接場光の波長とは異なる波長の散乱光を前記散乱光検出手段で検出
することを特徴とする請求項1記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 前記カンチレバーの探針の表面には貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜が形
成されており、該貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜の上には入射した光の波
長を変換して出射させる材料の微粒子又は薄膜が形成されており、前記近接場光の発生領
域内に前記カンチレバーの探針が入ったときに前記探針に形成した貴金属又は貴金属を含
む合金の微粒子又は薄膜から発生した散乱光の波長を前記入射した光の波長を変換して出
射させる材料の微粒子又は薄膜を介して前記近接場光と異なる波長の散乱光を出射し、該
発生した散乱光を前記散乱光検出手段で検出することを特徴とする請求項1記載の熱アシ
スト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 熱アシスト磁気ヘッド素子を検査する検査装置であって、
試料である熱アシスト磁気ヘッド素子を載置して平面内で移動可能なテーブル手段と、
該テーブル手段に載置された試料の表面を走査する探針を備えたカンチレバーと、
該カンチレバーを前記試料の表面に対して上下方向に振動させる振動駆動手段と、
該振動駆動手段により振動させられている前記カンチレバーの前記探針が形成されてい
る側と反対側の面に光を照射して前記カンチレバーからの反射光を検出することにより前
記カンチレバーの振動を検出する変位検出手段と、
前記熱アシスト磁気ヘッド素子の近接場光発光部から近接場光を発生させるための信号
を出力する信号出力手段と、
該信号出力手段から出力された信号により前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場
光発光部から発生した熱のうち前記カンチレバーの探針に入射して前記カンチレバーに伝
達された熱を検出する熱検出手段と、
前記変位検出手段で検出して得た信号と前記熱検出手段で検出して得た信号とを処理し
て前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光発光部から発生する近接場光の発生の状
態を検査する処理手段と
を備えたことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 前記カンチレバーの探針は、シリコン(Si)チップ、酸化シリコン(SiO2)チップ、
窒化シリコン(Si3N4)チップの何れかで形成したもの、またはカンチレバーのチップ先端
部に高密度カーボン(HDC:DLC)、カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノファイバ(
CNF)、タングステン(W)の何れかを材料とする細線で形成したものであることを特徴と
する請求項1又は5に記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査装置。 - 熱アシスト磁気ヘッド素子を検査する方法であって、
試料である熱アシスト磁気ヘッド素子を走査プローブ顕微鏡装置の平面内で移動可能な
テーブルに載置し、
前記試料の近接場光発光部から近接場光を発生させ、
探針を有する走査プローブ顕微鏡のカンチレバーを前記試料の表面の近傍で上下に振動
させた状態で前記テーブルを平面内で移動させることにより熱アシスト磁気ヘッド素子か
ら発生させた前記近接場光による散乱光を検出し、
該検出した散乱光に基づく前記近接場光の発生位置情報を用いて前記ローバーに形成さ
れた熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光発光部から発光する近接場光の強度分布又
は前記近接場光発光部の表面形状を検査する
ことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 前記カンチレバーの探針の表面には貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜が形
成されており、前記近接場光の発生領域内に前記カンチレバーの探針が入ったときに前記
探針の表面に形成した前記貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜から発生した散
乱光を検出することにより、前記近接場光の強度分布又は前記近接場光発光部の表面形状
の情報を得ることを特徴とする請求項7記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 前記カンチレバーの探針の表面には入射した光の波長を変換して出射させる材料の微粒
子又は薄膜が形成されており、前記近接場光の発生領域内に前記カンチレバーの探針が入
ったときに前記探針の表面から発生した散乱光を前記入射した光の波長を変換して出射さ
せる材料の微粒子又は薄膜を介して出射した前記近接場光の波長とは異なる波長の散乱光
を検出することにより、前記近接場光の強度分布又は前記近接場光発光部の表面形状の情
報を得ることを特徴とする請求項7記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 前記カンチレバーの探針の表面には貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜が形
成されており、該貴金属又は貴金属を含む合金の微粒子又は薄膜の上には入射した光の波
長を変換して出射させる材料の微粒子又は薄膜が形成されており、前記近接場光の発生領
域内に前記カンチレバーの探針が入ったときに前記探針に形成した貴金属又は貴金属を含
む合金の微粒子又は薄膜から発生した散乱光の波長を前記入射した光の波長を変換して出
射させる材料の微粒子又は薄膜を介して出射した前記近接場光と異なる波長の散乱光を検
出することにより、前記近接場光の強度分布又は前記近接場光発光部の表面形状の情報を
得ることを特徴とする請求項7記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 熱アシスト磁気ヘッド素子を検査する方法であって、
試料である熱アシスト磁気ヘッド素子を走査プローブ顕微鏡装置の平面内で移動可能な
テーブルに載置し、
探針を有する走査プローブ顕微鏡のカンチレバーを前記試料の表面の近傍で上下に振動
させた状態で前記テーブルを平面内で移動させると共に前記熱アシスト磁気ヘッド素子の
近接場光発光部から近接場光を発生させ、
該近接場光を発生させている前記熱アシスト磁気ヘッド素子の前記近接場光発光部から発
生した熱のうち前記カンチレバーの探針に入射して前記カンチレバーに伝達された熱を検
出し、
該検出した熱の情報と前記テーブルの位置情報とを用いて、前記熱アシスト磁気ヘッド
素子の前記近接場光発光部から発光する散乱光の強度分布又は前記近接場光発光部の表面
形状を検査する
ことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。 - 前記カンチレバーの探針は、シリコン(Si)チップ、酸化シリコン(SiO2)チップ、
窒化シリコン(Si3N4)チップの何れかで形成したもの、またはカンチレバーのチップ先端
部に高密度カーボン(HDC:DLC)、カーボンナノチューブ(CNT)、カーボンナノファイバ(
CNF)、タングステン(W)の何れかを材料とする細線で形成したものであることを特徴と
する請求項7又は11に記載の熱アシスト磁気ヘッド素子の検査方法。
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