JP6211001B2 - 新規スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 - Google Patents
新規スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6211001B2 JP6211001B2 JP2014549869A JP2014549869A JP6211001B2 JP 6211001 B2 JP6211001 B2 JP 6211001B2 JP 2014549869 A JP2014549869 A JP 2014549869A JP 2014549869 A JP2014549869 A JP 2014549869A JP 6211001 B2 JP6211001 B2 JP 6211001B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- carbon atoms
- compound
- ether
- ethyl
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D221/00—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00
- C07D221/02—Heterocyclic compounds containing six-membered rings having one nitrogen atom as the only ring hetero atom, not provided for by groups C07D211/00 - C07D219/00 condensed with carbocyclic rings or ring systems
- C07D221/04—Ortho- or peri-condensed ring systems
- C07D221/06—Ring systems of three rings
- C07D221/14—Aza-phenalenes, e.g. 1,8-naphthalimide
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0385—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable using epoxidised novolak resin
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
Description
(式(I)中、Xは炭素数3〜8の直鎖または分岐鎖アルキル基を表し、Rは、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアリールアルキル基、アシル基で置換された炭素数7〜20のアリール基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、10−カンファーイル基または下記一般式(II)で表される基を表し、当該脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、脂環式炭化水素基は、置換基を有しないか、ハロゲン原子、炭素原子数1〜4のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1〜18のアルコキシ基および炭素数1〜18のアルキルチオ基から選ばれる基で置換される。)
(式(II)中、Y1は、単結合または炭素数1〜4のアルカンジイル基を表し、R1およびR2はそれぞれ独立に、炭素数2〜6のアルカンジイル基、炭素数2〜6のハロゲン化アルカンジイル基、炭素数6〜20のアリーレン基または炭素数6〜20のハロゲン化アリーレン基を表し、R3は、炭素数1〜18の直鎖または分岐鎖アルキル基、炭素数1〜18のハロゲン化直鎖または分岐鎖アルキル基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数6〜20のハロゲン化アリール基、炭素数7〜20のアリールアルキル基または炭素数7〜20のハロゲン化アリールアルキル基を表し、a、bは、0又は1を表し、a、bのどちらか一方は1である。)
先ず、上記一般式(I)で表される本発明のスルホン酸誘導体化合物について説明する。
本発明の化合物の構造的な特徴は、感光基のナフタルイミド骨格の特定の位置(ナフタレン構造の4位)に炭素数1〜14の直鎖または分岐鎖アルキル基を有することにある。この構造が365nmにおける吸収(モル吸光係数、ε)を大きくし、良好な酸発生率を付与し、有機溶剤への溶解性を向上させる。Xが水素原子であるとこのような効果は得られない。例えば、Xの炭素数が14を超えると溶解性は向上しても分子量が大きくなり、使用量に対して充分な酸発生率を維持できない。また、アルキル基がナフタレン構造の3位の位置に存在すると365nmに充分な光吸収を示さなくなることが分かっている。
炭素数1〜18のアルコキシ基としては、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、第3ブトキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、ヘプチルオキシ、オクチルオキシ、ノニルオキシ、デシルオキシ、ウンデシルオキシ、ドデシルオキシ、トリデシルオキシ、テトラデシルオキシ、ペンタデシルオキシ、ヘキサデシルオキシ、ヘプタデシルオキシ、オクタデシルオキシ等が挙げられる。
炭素数1〜18のアルキルチオ基としては、メチルチオ、エチルチオ、プロピルチオ、イソプロピルチオ、ブチルチオ、第2ブチルチオ、第3ブチルチオ、イソブチルチオ、アミルチオ、イソアミルチオ、第3アミルチオ、ヘキシルチオ、ヘプチルチオ、イソヘプチルチオ、第3ヘプチルチオ、オクチルチオ、イソオクチルチオ、第3オクチルチオ、2−エチルヘキシルチオ、ノニルチオ、デシルチオ、ウンデシルチオ、ドデシルチオ、トリデシルチオ、テトラデシルチオ、ペンタデシルチオ、ヘキサデシルチオ、へプタデシルチオ、オクタデシルチオ等が挙げられる。
アルキルチオ基で置換された炭素数1〜18の脂肪族炭化水素としては、2−メチルチオエチル、4−メチルチオブチル、4−ブチルチオエチル等が挙げられ、ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換された炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基としては、1,1,2,2−テトラフルオロ−3−メチルチオプロピル等が挙げられる。
炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換された炭素数6〜20のアリール基としては、4−メチルチオフェニル、4−ブチルチオフェニル、4−オクチルチオフェニル、4−ドデシルチオフェニルが挙げられる。ハロゲン原子及び炭素数1〜18のアルキルチオ基で置換された炭素数6〜20のアリール基としては、1,2,5,6−テトラフルオロ−4−メチルチオフェニル、1,2,5,6−テトラフルオロ−4−ブチルチオフェニル、1,2,5,6−テトラフルオロ−4−ドデシルチオフェニル等が挙げられる。
窒素雰囲気下で、−70℃に冷却したテトラヒドロフラン500ml、1−ブチルリチウム74.3mmolの溶液を撹拌しながら、臭化亜鉛750mmolとテトラヒドロフラン600mlとの懸濁液を反応系が−55℃より上昇しない速度で滴下した。その後反応系を15℃まで戻し、1時間撹拌し、ブチル亜鉛試薬を調製した。
窒素雰囲気下で、4−ブロモナフタル酸無水物300mmol、PdCl2(dppf)2;ビス(ジフェニルホスフィノ)パラジウムジクロライド6.00mmolとテトラヒドロフラン500mlの混合液に、上記のブチル亜鉛試薬を滴下し、室温で1時間撹拌した。これに水1000mlを加えて油水分離して得られ有機相を濃縮して得た固相にトルエン500ml、シリカゲル90.0gを加え、撹拌した後、固相を濾別した。濾液を濃縮して得られた固相にメタノール350mlを加え、加温して得た溶液を濾過して得た濾液を冷却して晶析を行った。得られた結晶を濾取し、イソプロピルアルコールで洗浄後、45℃で真空乾燥させて、淡黄色結晶26.5g(4−ブチルナフタル酸無水物)を得た。
上記で得た4−ブチルナフタル酸無水物20.0mmolをジメチルホルムアミド30gに懸濁させ、室温でNH2OH−HCl24.0mmolを加え、48%水酸化ナトリウム水溶液2.00gを滴下し、3時間撹拌した。これに水20.0g、35%塩酸0.30gを加え、更に1時間撹拌した。析出物を濾取し、メタノールと水の混合物で洗浄した後、45℃で真空乾燥させて、ヒドロキシイミド体5.06gを得た。
上記で得たヒドロキシイミド体10.0mmolとクロロホルム18.9gとの混合物にピリジン15.9mmolを加え、2℃以下の温度を保ちながら、トリフルオロメタンスルホン酸無水物13.2mmolを加え、室温で1時間撹拌した。反応液に水20gを加え、油水分離をして得た油相を0.5%水酸化ナトリウム水溶液で2回、3%塩酸で1回洗浄し、ついで水で5回の洗浄を行った。有機相を濃縮して得られた固相をクロロホルムに加温溶解させ、濾過した得た濾液にメタノールを加えて晶析を行った。得られた結晶を濾取し、45℃で真空乾燥させて、淡黄色結晶を3.06g得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.4であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
トリフルオロメタンスルホン酸無水物の代わりに、ノナフルオロブタンスルホン酸無水物を用いた以外は、上記実施例1と同様の処方、手順で白色結晶3.00gを得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.5であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
上実施例1で得たヒドロキシイミド体10mmolとクロロホルム22.0gとの混合液にトリエチルアミン13.6mmolを加え、2℃以下の温度を保ちながら、2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸クロライド12.0mmolとクロロホルム7.3gとの溶液を滴下した。室温で5時間撹拌後、反応液に水13.0gを加え、油水分離をして得た油相を0.5%水酸化ナトリウム水溶液で2回、3%塩酸で1回洗浄し、ついで水で5回の洗浄を行った。有機相を濃縮して得られた固相をメタノールに加温溶解させ、冷却後析出した結晶を濾取し、これをクロロホルムに加温溶解させ、濾過して得られた濾液にメタノールを加えて晶析を行った。得られた結晶を濾取し、45℃で真空乾燥させて、白色結晶を4.37g得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.7であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸クロライドの代わりにd−カンファースルホン酸クロライドを使用した以外は、上記実施例2と同様の処方、手順で白色結晶3.00gを得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.10であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
1−ブチルリチウムの代わりにエチルリチウムを使用して、上記実施例1と同様の処方、操作により、淡黄色2.74gを得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.20であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸クロライドの代わりにパラトルエンスルホン酸クロリドを使用して、上記実施例3と同様の処方、操作により、淡黄色3.56gを得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.6であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
2,4,6−トリイソプロピルベンゼンスルホン酸クロライドの代わりに4−トリフルオロメチルベンゼンスルホン酸クロリドを使用して、上記実施例3と同様の処方、操作により、白色固体3.70gを得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.35であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
1−ブチルリチウムの代わりに2−エチルヘキシルリチウムを使用して、上記実施例1と実施例3と同様の処方、操作により、淡黄色固体3.05gを得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.38であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
1−ブチルリチウムの代わりにテトラデシル臭化亜鉛を使用して、上記実施例1と実施例3と同様の処方、操作により、淡黄色固体2.12gを得た。得られた結晶について、各種分析を行い、化合物No.40であることを確認した。分析の結果を表1〜3に示す。
化合物No.5について六フッ化アンチモン塩を別途合成した。日本化薬製EPPN−201の100gをメチルエチルケトン(MEK)100gに溶解させ樹脂溶液を調製し、上記六フッ化アンチモン塩について、0.05gをこの樹脂溶液8.00gに溶解させレジスト液を調製した。これをアルミ板上に#9のバーコーターで塗布し、80℃で10分乾燥した後、超高圧水銀ランプと照射分光器を用いて露光した。80℃で10分間ベークし、MEKに30秒間浸漬することにより現像し、キシレンで洗浄した。波長405nmの光を照射して硬化させた。
硬化後24時間室温に放置後、メチルエチルケトンを付けた綿棒で塗膜を擦った結果200往復しても塗膜は侵されず、硬化が十分に進行していることが確認された。
3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート80g及び1,4−ブタンジオールジグリシジルエーテル20gを混合したものに、化合物No.5を4mmol添加し、よく撹拌し均一にした。これをアルミコート紙上に#3のバーコーターで塗布した。これに、ベルトコンベア付き光照射装置を使用して80W/cmの高圧水銀灯の光を照射した。ランプからベルトコンベアまでの距離は10cm、ベルトコンベアのラインスピードは8m/分とした。
硬化後24時間室温に放置後、メチルエチルケトンを付けた綿棒で塗膜を擦った結果200往復しても塗膜は侵されず、硬化が十分に進行していることが確認された。
化合物No.4、No.5、No.7、No.10、No.20、No.6、No.35、No.38、No.40および、下記化学式で表す比較化合物1をアセトニトリルに溶解し、日光光度計U−3010で吸収スペクトルを測定し、300nm〜400nmの範囲の吸収における付近のλmaxとε(モル吸光係数)及び365nmにおけるεの値を示した。また、25℃におけるプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートに対する溶解性の評価を行った。溶解性は1%質量結果刻みで濃度を上昇させ、溶け残りの発生しなかった濃度で表した、結果を表4に示す。
化合物No.4、化合物No.7、化合物No.10、化合物No.20、比較化合物1について0.5質量%のアセトニトリル/水の混合溶液(アセトニトリル/水=9/1:容積比)を調製し、内径50mm のシャーレに5.0g入れ、HOYACANDEOOPTRONICS社製UVランプと365nm付近の波長のみを透過するカットフィルターを用いて100mW/cm2のUVを照射した。照射時間はそれぞれについて10秒、30秒、60秒の3点とした。露光後、45gのアセトニトリル/水の混合溶液(アセトニトリル/水=9/1:容積比)で希釈し、平沼社製自動滴定装置(COM-1600)を用いて0.1規定の水酸化カリウム水溶液で滴定を行い、用いた容量より酸濃度を測定し、これから発生率(mol%)を計算した。結果を表5に示す。
Claims (7)
- 下記一般式(I)で表されることを特徴とするスルホン酸誘導体化合物。
(式(I)中、Xは炭素数3〜8の直鎖または分岐鎖アルキル基を表し、Rは、炭素数1〜18の脂肪族炭化水素基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数7〜20のアリールアルキル基、アシル基で置換された炭素数7〜20のアリール基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、10−カンファーイル基または下記一般式(II)で表される基を表し、当該脂肪族炭化水素基、アリール基、アリールアルキル基、脂環式炭化水素基は、置換基を有しないか、ハロゲン原子、炭素原子数1〜4のハロゲン化アルキル基、炭素原子数1〜18のアルコキシ基および炭素数1〜18のアルキルチオ基から選ばれる基で置換される。)
(式(II)中、Y1は、単結合または炭素数1〜4のアルカンジイル基を表し、R1およびR2はそれぞれ独立に、炭素数2〜6のアルカンジイル基、炭素数2〜6のハロゲン化アルカンジイル基、炭素数6〜20のアリーレン基または炭素数6〜20のハロゲン化アリーレン基を表し、R3は、炭素数1〜18の直鎖または分岐鎖アルキル基、炭素数1〜18のハロゲン化直鎖または分岐鎖アルキル基、炭素数3〜12の脂環式炭化水素基、炭素数6〜20のアリール基、炭素数6〜20のハロゲン化アリール基、炭素数7〜20のアリールアルキル基または炭素数7〜20のハロゲン化アリールアルキル基を表し、a、bは、0又は1を表し、a、bのどちらか一方は1である。) - Xが炭素数4のアルキル基である請求項1記載の化合物。
- Rが炭素数1〜8のパーフルオロアルキル基である請求項1記載の化合物。
- 請求項1〜3のいずれか一項記載の化合物からなることを特徴とする光酸発生剤。
- 請求項1〜3のいずれか一項記載の化合物からなることを特徴とするカチオン重合開始剤。
- 請求項4記載の光酸発生剤を含有してなることを特徴とするレジスト組成物。
- 請求項5記載のカチオン重合開始剤を含有してなることを特徴とするカチオン重合性組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012259874 | 2012-11-28 | ||
JP2012259874 | 2012-11-28 | ||
PCT/JP2013/081939 WO2014084269A1 (ja) | 2012-11-28 | 2013-11-27 | 新規スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014084269A1 JPWO2014084269A1 (ja) | 2017-01-05 |
JP6211001B2 true JP6211001B2 (ja) | 2017-10-11 |
Family
ID=50827901
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014549869A Active JP6211001B2 (ja) | 2012-11-28 | 2013-11-27 | 新規スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20150315153A1 (ja) |
EP (1) | EP2927216B1 (ja) |
JP (1) | JP6211001B2 (ja) |
KR (1) | KR102191331B1 (ja) |
CN (1) | CN104822662B (ja) |
TW (1) | TWI586652B (ja) |
WO (1) | WO2014084269A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160030210A (ko) * | 2013-07-05 | 2016-03-16 | 산아프로 가부시키가이샤 | 광산 발생제 및 포토리소그래피용 수지 조성물 |
JP2015152669A (ja) * | 2014-02-12 | 2015-08-24 | サンアプロ株式会社 | 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物 |
US9383644B2 (en) | 2014-09-18 | 2016-07-05 | Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC | Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications |
US9477150B2 (en) | 2015-03-13 | 2016-10-25 | Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC | Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications |
CN107250114B (zh) * | 2015-03-18 | 2020-11-06 | 株式会社Adeka | 磺酸衍生物化合物、光产酸剂、抗蚀剂组合物、阳离子聚合引发剂和阳离子聚合性组合物 |
WO2017034814A1 (en) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC | Sulfonic acid derivative compounds as photoacid generators in resist applications |
EP3182203A1 (en) * | 2015-12-18 | 2017-06-21 | Heraeus Precious Metals North America Daychem LLC | A combination of nit derivatives with sensitizers |
KR20180101564A (ko) | 2016-01-26 | 2018-09-12 | 가부시키가이샤 아데카 | 열산 발생제 및 이것을 사용한 레지스트 조성물 |
KR102384001B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2022-04-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 착색 감광성 수지 조성물 및 이를 포함하는 컬러필터 |
JP6584362B2 (ja) * | 2016-04-27 | 2019-10-02 | サンアプロ株式会社 | 光酸発生剤及びフォトリソグラフィー用樹脂組成物 |
TWI743132B (zh) * | 2016-07-20 | 2021-10-21 | 日商東京應化工業股份有限公司 | 微透鏡圖型製造用正型感光性樹脂組成物及其之用途 |
JP6894749B2 (ja) * | 2016-07-20 | 2021-06-30 | 東京応化工業株式会社 | マイクロレンズパターン製造用ポジ型感光性樹脂組成物及びその用途 |
JP2018091938A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社Adeka | ポジ型感光性組成物、それを用いたパターンおよびパターンの製造方法 |
JP2018091939A (ja) * | 2016-11-30 | 2018-06-14 | 株式会社Adeka | ネガ型感光性組成物、その硬化物およびその硬化方法 |
KR102128536B1 (ko) * | 2017-07-04 | 2020-06-30 | 주식회사 엘지화학 | 포지티브형 포토레지스트 조성물, 이로부터 제조되는 패턴, 및 패턴 제조방법 |
CN110412829A (zh) * | 2018-04-26 | 2019-11-05 | 东友精细化工有限公司 | 负型感光性树脂组合物、光固化图案及图像显示装置 |
CN109400530B (zh) * | 2018-12-05 | 2022-04-12 | 安庆北化大科技园有限公司 | 适用于uv-led光固化的萘二甲酰亚胺芳硫醚型光引发剂及制备方法与应用 |
KR102504819B1 (ko) * | 2020-12-28 | 2023-03-02 | 주식회사 삼양사 | 신규한 나프탈이미드의 술폰산 유도체, 및 이를 포함하는 광산 발생제 및 포토레지스트 조성물 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0058638B1 (de) | 1981-02-13 | 1985-08-28 | Ciba-Geigy Ag | Härtbare Zusammensetzung auf Basis eines säurehärtbaren Harzes und Verfahren zu dessen Härtung |
JPH0519505A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-01-29 | Kao Corp | 両極性電子写真感光体 |
JPH0525136A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Kao Corp | 新規ナフタレンジカルボン酸イミド化合物 |
JP2839172B2 (ja) | 1992-10-29 | 1998-12-16 | インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン | 非金属感光性酸生成剤を含む化学的に増幅されたフォトレジスト |
JPH0867827A (ja) * | 1994-06-23 | 1996-03-12 | Ricoh Co Ltd | ナフタルイミド化合物及びそれを含有する電子写真感光体 |
DE19505941A1 (de) * | 1995-02-21 | 1996-08-22 | Bayer Ag | 1,8-Naphthalimid-Derivate, Verfahren zur Herstellung und ihre Verwendung als Zwischenprodukte |
US6410505B1 (en) * | 1999-06-28 | 2002-06-25 | Microbiomed Corp. | Dimeric non-azo naphthalimides and uses for the same |
JP3780569B2 (ja) | 1996-06-20 | 2006-05-31 | Jsr株式会社 | KrFエキシマレーザー照射用化学増幅型ネガ型レジスト |
JP3991214B2 (ja) | 2001-09-28 | 2007-10-17 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニルジアゾメタン化合物、光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4590821B2 (ja) | 2003-01-14 | 2010-12-01 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 活性光線硬化型インク組成物、及びそれを用いた画像形成方法 |
JP2004323704A (ja) | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Daicel Chem Ind Ltd | フォトレジスト用重合体合成用(メタ)アクリル酸エステルとその製造法 |
US7255970B2 (en) * | 2005-07-12 | 2007-08-14 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoresist composition for imaging thick films |
US20070105040A1 (en) | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Toukhy Medhat A | Developable undercoating composition for thick photoresist layers |
TWI490203B (zh) * | 2008-07-30 | 2015-07-01 | Sumitomo Chemical Co | 醯亞胺化合物及含有其之化學增幅型抗蝕劑組合物 |
US20110217512A1 (en) * | 2008-09-01 | 2011-09-08 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Laminated body and method for producing laminated body |
FR2935977B1 (fr) * | 2008-09-15 | 2010-12-17 | Centre Nat Rech Scient | Procede d'hydrolyse-polycondensation photochimique de chromophores reticulables a encombrement sterique, catalyse par un acide photogenere et ses applications. |
KR101725471B1 (ko) * | 2010-01-13 | 2017-04-10 | 가부시키가이샤 아데카 | 신규 설폰산 유도체 화합물 및 신규 나프탈산 유도체 화합물 |
JP2011206933A (ja) * | 2010-03-29 | 2011-10-20 | Jx Nippon Oil & Energy Corp | 複合容器の製造方法、及び、複合容器 |
KR101426236B1 (ko) * | 2011-11-30 | 2014-08-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기절연막 조성물 및 그를 이용한 박막 트랜지스터 기판 및 디스플레이 장치 |
-
2013
- 2013-11-27 EP EP13859004.7A patent/EP2927216B1/en active Active
- 2013-11-27 US US14/647,683 patent/US20150315153A1/en not_active Abandoned
- 2013-11-27 WO PCT/JP2013/081939 patent/WO2014084269A1/ja active Application Filing
- 2013-11-27 KR KR1020157016496A patent/KR102191331B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-27 CN CN201380062293.XA patent/CN104822662B/zh active Active
- 2013-11-27 JP JP2014549869A patent/JP6211001B2/ja active Active
- 2013-11-28 TW TW102143549A patent/TWI586652B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102191331B1 (ko) | 2020-12-15 |
CN104822662B (zh) | 2018-04-03 |
EP2927216B1 (en) | 2018-10-24 |
CN104822662A (zh) | 2015-08-05 |
TWI586652B (zh) | 2017-06-11 |
KR20150087391A (ko) | 2015-07-29 |
TW201439068A (zh) | 2014-10-16 |
US20150315153A1 (en) | 2015-11-05 |
EP2927216A4 (en) | 2016-04-20 |
JPWO2014084269A1 (ja) | 2017-01-05 |
WO2014084269A1 (ja) | 2014-06-05 |
EP2927216A1 (en) | 2015-10-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6211001B2 (ja) | 新規スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、カチオン重合開始剤、レジスト組成物およびカチオン重合性組成物 | |
JP5781947B2 (ja) | 新規スルホン酸誘導体化合物及び新規ナフタル酸誘導体化合物 | |
JP5367572B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
JP5717959B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
US11754920B2 (en) | Thermal acid generator and resist composition using same | |
JP6605820B2 (ja) | オキシムスルホネート化合物、光酸発生剤、レジスト組成物、カチオン重合開始剤、およびカチオン重合性組成物 | |
JP6274655B2 (ja) | スルホン酸誘導体化合物、光酸発生剤、レジスト組成物、カチオン重合開始剤、およびカチオン重合性組成物 | |
JP5448157B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
JP5547790B2 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物 | |
CN107250114B (zh) | 磺酸衍生物化合物、光产酸剂、抗蚀剂组合物、阳离子聚合引发剂和阳离子聚合性组合物 | |
WO2016147356A1 (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物、光酸発生剤、レジスト組成物、カチオン重合開始剤、およびカチオン重合性組成物 | |
TWI640511B (zh) | Sulfonic acid derivative compound, photoacid generator, photoresist composition, cationic polymerization initiator, and cationic polymerizable composition | |
JP2015168617A (ja) | 芳香族スルホニウム塩化合物、光酸発生剤、レジスト組成物、カチオン重合開始剤、およびカチオン重合性組成物 | |
TW201634455A (zh) | 芳香族鋶鹽化合物、光酸產生劑、光阻組成物、陽離子聚合起始劑、及陽離子聚合性組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170912 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170912 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6211001 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |