JP6198434B2 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
本発明の一態様は、画素部と、前記画素部の外側に設けられる駆動回路部と、を有し、前記画素部は、画素トランジスタと、前記画素トランジスタを覆う無機材料で形成される第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層上に設けられ、且つ有機材料で形成される第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層上に設けられ、且つ無機材料で形成される第3の絶縁層と、を有し、前記駆動回路部は、前記画素トランジスタに信号を供給する駆動トランジスタと、前記駆動トランジスタを覆う前記第1の絶縁層と、を有し、前記駆動回路部において、前記第2の絶縁層は形成されていないことを特徴とする表示装置である。
本実施の形態では、半導体装置の一形態を、図1を用いて説明する。
別言すれば、ゲートドライバ回路部106は、第1の絶縁層122上に第2の絶縁層124が形成されていない、または第1の絶縁層122が第2の絶縁層124によって覆われていない。
本実施の形態では、表示装置の一形態を、図2(A)を用いて説明する。
図2(A)は、図1(A)におけるX1−Y1の断面に相当する図であり、図1(B)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態では、表示装置の一形態を、図2(B)を用いて説明する。
図2(B)は、図1(A)におけるX1−Y1の断面に相当する図であり、図1(B)と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本変形例による表示装置は、実施の形態1〜3における画素トランジスタ及び駆動トランジスタを図3(A)、(B)に示すトランジスタに変更したものである。
104 画素部
106 ゲートドライバ回路部
108 ソースドライバ回路部
110 ゲート電極層
112 ゲート絶縁層
114 半導体層
116 ソース電極層
117 層
118 ドレイン電極層
120 絶縁層
122 第1の絶縁層
124 第2の絶縁層
126 共通電極層
128 第3の無機絶縁層
130 画素電極層
132 第1の配向膜
140 チャネル保護層
152 第2の基板(対向基板)
154 有色層(CF)
156 遮光層(BM)
158 有機絶縁層(OC)
160 対向電極層
162 第2の配向膜
164 液晶層
Claims (18)
- 画素部と、前記画素部の外側に設けられる駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、
画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを覆う無機材料で形成される第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられ、且つ有機材料で形成される第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に設けられ、且つ無機材料で形成される第3の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部は、
前記画素トランジスタに信号を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタを覆う前記第1の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部において、
前記第2の絶縁層は形成されていなく、
前記画素トランジスタ及び前記駆動トランジスタそれぞれは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート電極上に形成された、前記ゲート絶縁層上に位置する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記画素部は、前記第1の絶縁層下に形成され、前記ゲート絶縁層上に形成された層を有し、当該層は、前記駆動回路部と前記画素部との境界近傍に沿って形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記駆動回路部は、
前記第1の絶縁層上に形成される前記第3の絶縁層を有する
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項2において、
前記駆動回路部において、
前記第1の絶縁層は前記第3の絶縁層と接する
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1において、
前記駆動回路部の外側に設けられる非表示領域を有し、
前記非表示領域は、前記第1の絶縁層を有し、
前記非表示領域において、
前記第2の絶縁層は形成されていない
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一において、
前記画素トランジスタ及び前記駆動トランジスタそれぞれは、酸化物半導体層にチャネルが形成される
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一において、
前記層は、前記ソース電極と同一層によって形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5または請求項6において、
前記酸化物半導体層は、酸化インジウム、酸化スズ、及び酸化亜鉛の群から選択された少なくとも一つの酸化物を含む層である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5乃至請求項7のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、In−Ga−Zn系酸化物半導体層である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項5乃至8のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、結晶部を含み、
前記結晶部は、c軸が前記酸化物半導体層の被形成面の法線ベクトルに平行な方向に揃う
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項9のいずれか一において、
前記第1の絶縁層は、酸素または窒素を含むシリコン膜である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項10において、
前記第1の絶縁層は、
酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜との積層構造である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項10において、
前記第1の絶縁層は、酸化窒化シリコン膜と、窒化シリコン膜との積層構造である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項12において、
前記窒化シリコン膜は、前記酸化窒化シリコン膜に形成された鬆を覆う
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項13のいずれか一において、
前記第2の絶縁層はアクリル系樹脂材料である
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項14のいずれか一において、
前記第3の絶縁層は、窒素を含むシリコン膜である
ことを特徴とする表示装置。 - 画素部と、前記画素部の外側に設けられる駆動回路部と、を有し、
前記画素部は、
画素トランジスタと、
前記画素トランジスタを覆う酸素を含むシリコン膜からなる第1の絶縁層と、
前記第1の絶縁層上に設けられ、且つアクリル系樹脂材料からなる第2の絶縁層と、
前記第2の絶縁層上に設けられ、且つ窒素を含むシリコン膜からなる第3の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部は、
前記画素トランジスタに信号を供給する駆動トランジスタと、
前記駆動トランジスタを覆う前記第1の絶縁層と、
を有し、
前記駆動回路部において、
前記第2の絶縁層は形成されていなく、
前記画素トランジスタ及び前記駆動トランジスタそれぞれは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁層と、
前記ゲート電極上に形成された、前記ゲート絶縁層上に位置する酸化物半導体層と、
前記酸化物半導体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、を有し、
前記画素部は、前記第1の絶縁層下に形成され、前記ゲート絶縁層上に形成された層を有し、当該層は、前記駆動回路部と前記画素部との境界近傍に沿って形成されている
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項16のいずれか一において、
前記画素部において、
前記第2の絶縁層上に形成された第1の電極と、
前記第1の電極上に形成された前記第3の絶縁層と、
前記第3の絶縁層上に形成された第2の電極と、
を有する
ことを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至請求項17のいずれか一に記載する表示装置を有する電子機器。
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US20230034080A1 (en) * | 2021-07-27 | 2023-02-02 | Hannstouch Solution Incorporated | Light sensing unit of light sensing device |
Family Cites Families (115)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPS60198861A (ja) | 1984-03-23 | 1985-10-08 | Fujitsu Ltd | 薄膜トランジスタ |
JPH0244256B2 (ja) | 1987-01-28 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn2o5deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPS63210023A (ja) | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Natl Inst For Res In Inorg Mater | InGaZn↓4O↓7で示される六方晶系の層状構造を有する化合物およびその製造法 |
JPH0244260B2 (ja) | 1987-02-24 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn5o8deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
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JPH0244263B2 (ja) | 1987-04-22 | 1990-10-03 | Kagaku Gijutsucho Mukizaishitsu Kenkyushocho | Ingazn7o10deshimesarerurotsuhoshokeinosojokozoojusurukagobutsuoyobisonoseizoho |
JPH05251705A (ja) | 1992-03-04 | 1993-09-28 | Fuji Xerox Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP3479375B2 (ja) | 1995-03-27 | 2003-12-15 | 科学技術振興事業団 | 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法 |
DE69635107D1 (de) | 1995-08-03 | 2005-09-29 | Koninkl Philips Electronics Nv | Halbleiteranordnung mit einem transparenten schaltungselement |
JP3625598B2 (ja) | 1995-12-30 | 2005-03-02 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP4170454B2 (ja) | 1998-07-24 | 2008-10-22 | Hoya株式会社 | 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法 |
JP2000150861A (ja) | 1998-11-16 | 2000-05-30 | Tdk Corp | 酸化物薄膜 |
JP3276930B2 (ja) | 1998-11-17 | 2002-04-22 | 科学技術振興事業団 | トランジスタ及び半導体装置 |
TW460731B (en) | 1999-09-03 | 2001-10-21 | Ind Tech Res Inst | Electrode structure and production method of wide viewing angle LCD |
JP4089858B2 (ja) | 2000-09-01 | 2008-05-28 | 国立大学法人東北大学 | 半導体デバイス |
KR20020038482A (ko) | 2000-11-15 | 2002-05-23 | 모리시타 요이찌 | 박막 트랜지스터 어레이, 그 제조방법 및 그것을 이용한표시패널 |
JP3997731B2 (ja) | 2001-03-19 | 2007-10-24 | 富士ゼロックス株式会社 | 基材上に結晶性半導体薄膜を形成する方法 |
JP2002289859A (ja) | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Minolta Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP4090716B2 (ja) | 2001-09-10 | 2008-05-28 | 雅司 川崎 | 薄膜トランジスタおよびマトリクス表示装置 |
JP3925839B2 (ja) | 2001-09-10 | 2007-06-06 | シャープ株式会社 | 半導体記憶装置およびその試験方法 |
JP4164562B2 (ja) | 2002-09-11 | 2008-10-15 | 独立行政法人科学技術振興機構 | ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ |
US7061014B2 (en) | 2001-11-05 | 2006-06-13 | Japan Science And Technology Agency | Natural-superlattice homologous single crystal thin film, method for preparation thereof, and device using said single crystal thin film |
JP4083486B2 (ja) | 2002-02-21 | 2008-04-30 | 独立行政法人科学技術振興機構 | LnCuO(S,Se,Te)単結晶薄膜の製造方法 |
CN1445821A (zh) | 2002-03-15 | 2003-10-01 | 三洋电机株式会社 | ZnO膜和ZnO半导体层的形成方法、半导体元件及其制造方法 |
JP3933591B2 (ja) | 2002-03-26 | 2007-06-20 | 淳二 城戸 | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
US7038239B2 (en) | 2002-04-09 | 2006-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor element and display device using the same |
JP3989761B2 (ja) | 2002-04-09 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
JP3989763B2 (ja) | 2002-04-15 | 2007-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体表示装置 |
US7339187B2 (en) | 2002-05-21 | 2008-03-04 | State Of Oregon Acting By And Through The Oregon State Board Of Higher Education On Behalf Of Oregon State University | Transistor structures |
JP2004022625A (ja) | 2002-06-13 | 2004-01-22 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体デバイス及び該半導体デバイスの製造方法 |
US7105868B2 (en) | 2002-06-24 | 2006-09-12 | Cermet, Inc. | High-electron mobility transistor with zinc oxide |
US7067843B2 (en) | 2002-10-11 | 2006-06-27 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Transparent oxide semiconductor thin film transistors |
JP4166105B2 (ja) | 2003-03-06 | 2008-10-15 | シャープ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004273732A (ja) | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
JP4108633B2 (ja) | 2003-06-20 | 2008-06-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法ならびに電子デバイス |
US7262463B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-08-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Transistor including a deposited channel region having a doped portion |
KR101019337B1 (ko) | 2004-03-12 | 2011-03-07 | 도꾸리쯔교세이호징 가가꾸 기쥬쯔 신꼬 기꼬 | 아몰퍼스 산화물 및 박막 트랜지스터 |
US7297977B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-11-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Semiconductor device |
US7145174B2 (en) | 2004-03-12 | 2006-12-05 | Hewlett-Packard Development Company, Lp. | Semiconductor device |
US7282782B2 (en) | 2004-03-12 | 2007-10-16 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Combined binary oxide semiconductor device |
US7211825B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-05-01 | Yi-Chi Shih | Indium oxide-based thin film transistors and circuits |
US20060011356A1 (en) | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Temple Gregory L | Fire-resistant tent for building structures |
JP2006100760A (ja) | 2004-09-02 | 2006-04-13 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
US7285501B2 (en) | 2004-09-17 | 2007-10-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method of forming a solution processed device |
US8772783B2 (en) * | 2004-10-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US7298084B2 (en) | 2004-11-02 | 2007-11-20 | 3M Innovative Properties Company | Methods and displays utilizing integrated zinc oxide row and column drivers in conjunction with organic light emitting diodes |
US7791072B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-09-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Display |
US7829444B2 (en) | 2004-11-10 | 2010-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor manufacturing method |
CA2585063C (en) | 2004-11-10 | 2013-01-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Light-emitting device |
CA2585071A1 (en) | 2004-11-10 | 2006-05-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor employing an amorphous oxide |
EP1812969B1 (en) | 2004-11-10 | 2015-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Field effect transistor comprising an amorphous oxide |
US7453065B2 (en) | 2004-11-10 | 2008-11-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Sensor and image pickup device |
US7579224B2 (en) | 2005-01-21 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a thin film semiconductor device |
TWI505473B (zh) | 2005-01-28 | 2015-10-21 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
TWI445178B (zh) | 2005-01-28 | 2014-07-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法 |
US7858451B2 (en) | 2005-02-03 | 2010-12-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electronic device, semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7948171B2 (en) | 2005-02-18 | 2011-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US20060197092A1 (en) | 2005-03-03 | 2006-09-07 | Randy Hoffman | System and method for forming conductive material on a substrate |
US8681077B2 (en) | 2005-03-18 | 2014-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and display device, driving method and electronic apparatus thereof |
WO2006105077A2 (en) | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Massachusetts Institute Of Technology | Low voltage thin film transistor with high-k dielectric material |
US7645478B2 (en) | 2005-03-31 | 2010-01-12 | 3M Innovative Properties Company | Methods of making displays |
US8300031B2 (en) | 2005-04-20 | 2012-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device comprising transistor having gate and drain connected through a current-voltage conversion element |
JP2006344849A (ja) | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
US7402506B2 (en) | 2005-06-16 | 2008-07-22 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7691666B2 (en) | 2005-06-16 | 2010-04-06 | Eastman Kodak Company | Methods of making thin film transistors comprising zinc-oxide-based semiconductor materials and transistors made thereby |
US7507618B2 (en) | 2005-06-27 | 2009-03-24 | 3M Innovative Properties Company | Method for making electronic devices using metal oxide nanoparticles |
KR100711890B1 (ko) | 2005-07-28 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광표시장치 및 그의 제조방법 |
JP2007059128A (ja) | 2005-08-23 | 2007-03-08 | Canon Inc | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP4850457B2 (ja) | 2005-09-06 | 2012-01-11 | キヤノン株式会社 | 薄膜トランジスタ及び薄膜ダイオード |
JP4280736B2 (ja) | 2005-09-06 | 2009-06-17 | キヤノン株式会社 | 半導体素子 |
JP5116225B2 (ja) | 2005-09-06 | 2013-01-09 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体デバイスの製造方法 |
JP2007073705A (ja) | 2005-09-06 | 2007-03-22 | Canon Inc | 酸化物半導体チャネル薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5078246B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-11-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
EP1770788A3 (en) | 2005-09-29 | 2011-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method thereof |
JP5064747B2 (ja) | 2005-09-29 | 2012-10-31 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、電気泳動表示装置、表示モジュール、電子機器、及び半導体装置の作製方法 |
JP5037808B2 (ja) | 2005-10-20 | 2012-10-03 | キヤノン株式会社 | アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置 |
CN101577231B (zh) | 2005-11-15 | 2013-01-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
TWI292281B (en) | 2005-12-29 | 2008-01-01 | Ind Tech Res Inst | Pixel structure of active organic light emitting diode and method of fabricating the same |
US7867636B2 (en) | 2006-01-11 | 2011-01-11 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Transparent conductive film and method for manufacturing the same |
JP4977478B2 (ja) | 2006-01-21 | 2012-07-18 | 三星電子株式会社 | ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法 |
US7576394B2 (en) | 2006-02-02 | 2009-08-18 | Kochi Industrial Promotion Center | Thin film transistor including low resistance conductive thin films and manufacturing method thereof |
US7977169B2 (en) | 2006-02-15 | 2011-07-12 | Kochi Industrial Promotion Center | Semiconductor device including active layer made of zinc oxide with controlled orientations and manufacturing method thereof |
KR20070101595A (ko) | 2006-04-11 | 2007-10-17 | 삼성전자주식회사 | ZnO TFT |
US20070252928A1 (en) | 2006-04-28 | 2007-11-01 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure, transmission type liquid crystal display, reflection type display and manufacturing method thereof |
JP5028033B2 (ja) | 2006-06-13 | 2012-09-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4999400B2 (ja) | 2006-08-09 | 2012-08-15 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体膜のドライエッチング方法 |
JP4609797B2 (ja) | 2006-08-09 | 2011-01-12 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | 薄膜デバイス及びその製造方法 |
JP4332545B2 (ja) | 2006-09-15 | 2009-09-16 | キヤノン株式会社 | 電界効果型トランジスタ及びその製造方法 |
JP5164357B2 (ja) | 2006-09-27 | 2013-03-21 | キヤノン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP4274219B2 (ja) | 2006-09-27 | 2009-06-03 | セイコーエプソン株式会社 | 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置 |
US7622371B2 (en) | 2006-10-10 | 2009-11-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fused nanocrystal thin film semiconductor and method |
US7772021B2 (en) | 2006-11-29 | 2010-08-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flat panel displays comprising a thin-film transistor having a semiconductive oxide in its channel and methods of fabricating the same for use in flat panel displays |
JP2008140684A (ja) | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | カラーelディスプレイおよびその製造方法 |
KR101303578B1 (ko) | 2007-01-05 | 2013-09-09 | 삼성전자주식회사 | 박막 식각 방법 |
US8207063B2 (en) | 2007-01-26 | 2012-06-26 | Eastman Kodak Company | Process for atomic layer deposition |
KR100851215B1 (ko) | 2007-03-14 | 2008-08-07 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 이를 이용한 유기 전계 발광표시장치 |
US7795613B2 (en) | 2007-04-17 | 2010-09-14 | Toppan Printing Co., Ltd. | Structure with transistor |
KR101325053B1 (ko) | 2007-04-18 | 2013-11-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법 |
KR20080094300A (ko) | 2007-04-19 | 2008-10-23 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법과 박막 트랜지스터를포함하는 평판 디스플레이 |
KR101334181B1 (ko) | 2007-04-20 | 2013-11-28 | 삼성전자주식회사 | 선택적으로 결정화된 채널층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그제조 방법 |
WO2008133345A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Oxynitride semiconductor |
KR101345376B1 (ko) | 2007-05-29 | 2013-12-24 | 삼성전자주식회사 | ZnO 계 박막 트랜지스터 및 그 제조방법 |
JP5215158B2 (ja) | 2007-12-17 | 2013-06-19 | 富士フイルム株式会社 | 無機結晶性配向膜及びその製造方法、半導体デバイス |
JP4623179B2 (ja) | 2008-09-18 | 2011-02-02 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
JP5451280B2 (ja) | 2008-10-09 | 2014-03-26 | キヤノン株式会社 | ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置 |
TWI654689B (zh) * | 2008-12-26 | 2019-03-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置及其製造方法 |
US8115883B2 (en) | 2009-08-27 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
KR102113064B1 (ko) * | 2009-09-16 | 2020-05-20 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
JP5624628B2 (ja) * | 2010-11-10 | 2014-11-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
KR101519916B1 (ko) * | 2011-04-07 | 2015-05-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2012248743A (ja) | 2011-05-30 | 2012-12-13 | Japan Display West Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法、表示装置ならびに電子機器 |
JP6128775B2 (ja) | 2011-08-19 | 2017-05-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
DE112013007837B3 (de) | 2012-07-20 | 2023-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung |
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