JP6191437B2 - 溶銑の精錬方法 - Google Patents
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Description
本発明は、上吹きランスを備えた上底吹き型の転炉に溶銑を装入して、前記上吹きランスから酸素と共に粉状生石灰を吹付けて脱りん処理する溶銑の精錬方法であって、前記上吹きランスは、同一円周上に等間隔で配置された3孔以上のノズルを備え、ランス中心軸がZ軸、ノズルの出口位置がX軸上となるように定めたXYZ直交座標系において、YZ平面およびXZ平面への前記ノズルの軸の投影がZ軸となす角度をそれぞれα、βとしたとき、αとβが下記(1)式を満足し、かつ、該上吹きランスからの酸素吹付け流量FO2(Nm3/min/t)を2.0〜3.0の範囲で、前記粉状生石灰の吹付け速度WCaO(kg/min/t)と当該酸素の吹付け流量FO2(Nm3/min/t)との比WCaO/FO2を2.0≦WCaO/FO2<3.0とすることを特徴とする、溶銑の精錬方法である。
本発明は、上吹きランスを備えた上底吹き型転炉に、一般的には質量濃度でC:4.3〜4.6%、Si:0.30〜0.80%およびP:0.090〜0.120%を含有する溶銑を装入し、上吹きランスから酸素と共に粉状生石灰を吹付けて脱りん処理を行う。
0<tanα/tanβ<2.75・・・(1)
ここで、(2)式で、DがH0に比べて十分に小さいとすると、ねじれ度δは近似的に(3)式で与えられる。
このねじれランス1に関し、本発明では、各ノズルに対応する火点の重なりが生じないようにしてスピッティングを低減するため、前記(1)式を規定している。
本発明者らは、溶銑78t〜85t(組成:[C]4.3〜4.6質量%、[Si]0.30〜0.73質量%、[P]0.090〜0.120質量%)を上底吹転炉へ装入し、装入塩基度:(装入CaO質量)/(溶銑中Si質量×2.14)を1.2〜2.6の範囲で、上吹き酸素流量FO2:2.0〜3.0Nm3/min/tにて脱珪脱りん処理を行った。
まず吹錬中のスピッティング発生量を評価するため、吹錬開始直後から1分毎に集塵水を採取しダスト濃度の推移を計測した。結果を図4に示す。
次に脱りん能および脱りん処理効率についての評価結果を整理する。使用ランスおよび吹錬条件は、上述の条件と同一である。図5に処理後[C]−処理後[P]の関係を示すが、《ケース1》は《ケース3》と比較し同一処理後[C]でも処理後[P]が安定して下がっている。また、スラグ中のりん濃度(%P)と溶銑中のりん濃度[P]%との比であるりん分配比(Lp=(%P)/[P]%)を計算値と分析値とを対比して評価した図6を見ても、《ケース1》の方が《ケース3》よりも高いりん分配比を得ていることが確認される。一方《ケース2》は《ケース3》とほぼ同等の結果であった。この結果から、《ケース2》ではWCaO/FO2が増大しすぎたことで粉状生石灰の滓化が追い付かず、また一部はスピッティングダストとともに炉外へ排出されたと考えられる。
そこで、《ケース1》〜《ケース3》の滓化率を比較した。結果を図7に示すが、推定通り《ケース2》は滓化率が低下していること確認される。なお、滓化率は《ケース1》≒《ケース3》>《ケース2》だが、脱りん率は《ケース1》>《ケース2》≒《ケース3》となった。この理由は、《ケース2》が《ケース3》よりもねじれランスの効果で反応効率がアップしたためと考えられる。
2 ノズル
2i ノズルの入側
2j ノズルの出側
3 小径ノズル
4 浴面
5 火点
D ノズル出口とランス中心間距離
H0 ランスと湯面間距離
R 浴面上の火点中心とランス中心軸位置間距離
Claims (1)
- 上吹きランスを備えた上底吹き型の転炉に溶銑を装入して、前記上吹きランスから酸素と共に粉状生石灰を吹付けて脱りん処理する溶銑の精錬方法であって、
前記上吹きランスは、同一円周上に等間隔で配置された3孔以上のノズルを備え、ランス中心軸がZ軸、ノズルの出口位置がX軸上となるように定めたXYZ直交座標系において、YZ平面およびXZ平面への前記ノズルの軸の投影がZ軸となす角度をそれぞれα、βとしたとき、αとβが下記(1)式を満足し、かつ、
該上吹きランスからの酸素吹付け流量FO2(Nm3/min/t)を2.0〜3.0の範囲で、
前記粉状生石灰の吹付け速度WCaO(kg/min/t)と当該酸素の吹付け流量FO2(Nm3/min/t)との比WCaO/FO2を2.0≦WCaO/FO2<3.0とすること
を特徴とする、溶銑の精錬方法。
0<tanα/tanβ<2.75・・・(1)
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