JP6186392B2 - 電流共振型dc−dcコンバータ - Google Patents
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- Dc-Dc Converters (AREA)
Description
図2には、電流共振型DC−DCコンバータの基本回路が例示される。図2の基本回路は、ハーフブリッジ型のDC−DCコンバータに相当し、かつ、共振はずれへの対策が施されていないので、図1に示されるフルブリッジ型のDC−DCコンバータとは一部の構成において異なるものの基本的な動作原理では共通する。図2の電流共振型DC−DCコンバータは、スイッチング回路と、LCR共振回路とを含む。
論理回路U1は、端子1および端子2の入力信号の論理積の論理反転を演算し、演算結果を端子4を介して出力する。論理回路U1は、例えばNANDゲートを用いて実装されてもよい。LCR共振回路の入力電流の位相がFET Q102のゲート電圧の位相に対して遅れ位相であるならば、FET Q102のゲート電圧の立ち上がり時には端子1および端子2の入力信号はいずれもHighレベルとなるので、演算結果はLowレベルとなる。他方、LCR共振回路の入力電流の位相がFET Q102のゲート電圧の位相に対して進み位相であるならば、FET Q102のゲート電圧の立ち上がり時には端子1の入力信号がHighレベルとなり端子2の入力信号はLowレベルとなるので、演算結果はHighレベルとなる。
110・・・コントローラ
120・・・発振回路
130・・・位相検出回路
131・・・微分回路
132,U1,U2・・・論理回路
140・・・電圧検出回路
C1,C2,C3・・・共振キャパシタ
C4,C5,C6,C7,C8,C9・・・キャパシタ
D1・・・整流回路
D2,D3,D4・・・ダイオード
CT,T2・・・カレントトランス
Q101,Q102,Q103,Q104,Q201,Q202・・・FET
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R101・・・抵抗器
T1・・・トランス
QNPN・・・トランジスタ
Claims (4)
- 複数のトランジスタを含み、当該複数のトランジスタが複数の制御信号に応じてON/OFF動作することで、入力直流電圧に基づく交流電圧を生成するスイッチング回路と、
前記交流電圧を出力直流電圧へと変換する共振回路と、
前記出力直流電圧または前記共振回路の出力電流に基づいて前記複数の制御信号の周波数を制御する制御回路と、
前記共振回路の入力電流を検出する電流検出素子と、
前記複数のトランジスタのうちの1つである第1のトランジスタに与えられる第1の制御信号の電圧と前記入力電流との関係を示す情報を検出し、検出信号を生成する検出回路と
を具備し、
前記制御回路は、前記検出信号が前記共振回路のインピーダンスがキャパシティブな状態にあることを示す場合には、前記周波数の下限値を引き上げ、
前記検出回路は、
前記第1の制御信号の電圧を微分する微分回路と、
前記微分回路の出力信号および前記電流検出素子の出力信号を論理演算することで前記第1の制御信号の電圧の第1の位相と前記入力電流の第2の位相との関係を示す情報を検出し、前記検出信号を生成する論理回路と
を含む、
電流共振型DC−DCコンバータ。 - 前記電流検出素子は、カレントトランスを含む、請求項1に記載の電流共振型DC−DCコンバータ。
- 前記制御回路は、前記検出信号が前記第2の位相が前記第1の位相に対して進み位相であることを示すならば、前記周波数の下限値を引き上げる、請求項1または請求項2に記載の電流共振型DC−DCコンバータ。
- 前記制御回路および前記検出回路はマイクロコントローラとして実装される、請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載の電流共振型DC−DCコンバータ。
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