JP5533313B2 - レベルシフト回路及びスイッチング電源装置 - Google Patents
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Description
2 制御回路
3 エラーアンプ
4,5 抵抗
6,7,11 インバータ回路
8,9,D1〜D6 ダイオード
10 パルス発生回路
12 フリップフロップ
14 バッファ部
16 インバータ部
17,17a ハイサイド側スイッチング素子
18,18a ローサイド側スイッチング素子
19 ハーフブリッジ型パワーデバイス
20,30 MOSFET
21 負荷
22,23 抵抗
24,25,C3,C4 コンデンサ
31 高電位側電源
C1,C2 寄生容量
Ci 共振コンデンサ
HD1 ハイサイドドライバ回路
L1 ライン
Lr 共振リアクトル
MN1,MN2,MN3,MN4,MP1,MP2,MP3,MP4 トランジスタ
P 一次巻線
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R8,R9,R10 抵抗
S1,S2 二次巻線
32 フィルタ部
Claims (5)
- 一端がレベルシフト電源に接続された所定値以上の抵抗値を有する第1抵抗と、
前記第1抵抗の他端にドレインが接続され、ソースがグランドに接続された第1のN型MOSFETと、
前記第1抵抗と同じ抵抗値を有し、一端が前記レベルシフト電源に接続された第2抵抗と、
前記第2抵抗の他端にドレインが接続され、ソースがグランドに接続された第2のN型MOSFETと、
入力信号に基づいて前記第1のN型MOSFETと前記第2のN型MOSFETとのオン/オフを制御するパルス発生回路と、
dv/dt過渡信号が印加され且つ前記入力信号が入力されないとき前記第1抵抗を含むセット側負荷抵抗及び前記第2抵抗を含むリセット側負荷抵抗を前記第1抵抗及び前記第2抵抗よりも小さくし、前記第1のN型MOSFETがオンである場合にセット信号を生成し且つ前記セット側負荷抵抗を前記リセット側負荷抵抗よりも大きくし、前記第2のN型MOSFETがオンである場合にリセット信号を生成し且つ前記リセット側負荷抵抗を前記セット側負荷抵抗よりも大きくする制御部と、
前記制御部により生成されたセット信号とリセット信号とに基づいて前記入力信号をレベルシフトした出力信号を出力するフリップフロップと、
を備え、
前記制御部は、
一端がレベルシフト電源に接続された第3抵抗と、
前記第3抵抗の他端にソースが接続され、ドレインが前記第1のN型MOSFETのドレインに接続され、ゲートが前記第2のN型MOSFETのドレインに接続された第1のP型MOSFETと、
前記第3抵抗と同じ抵抗値を有し、一端がレベルシフト電源に接続された第4抵抗と、
前記第4抵抗の他端にソースが接続され、ドレインが前記第2のN型MOSFETのドレインに接続され、ゲートが前記第1のN型MOSFETのドレインに接続された第2のP型MOSFETと、
一端がレベルシフト電源に接続された第5抵抗と、
前記第5抵抗の他端と前記フリップフロップのセット端子とにドレインが接続され、ソースが前記第1のN型MOSFETのドレインに接続され、ゲートが前記第2のN型MOSFETのドレインに接続された第3のN型MOSFETと、
前記第5抵抗と同じ抵抗値を有し、一端がレベルシフト電源に接続された第6抵抗と、
前記第6抵抗の他端と前記フリップフロップのリセット端子とにドレインが接続され、ソースが前記第2のN型MOSFETのドレインに接続され、ゲートが前記第1のN型MOSFETのドレインに接続された第4のN型MOSFETと、
を有することを特徴とするレベルシフト回路。 - 前記制御部と前記フリップフロップとの間に設けられ、前記制御部により生成されたセット信号を前記フリップフロップで検出される程度に増幅する第1信号増幅部と、
前記制御部と前記フリップフロップとの間に設けられ、前記制御部により生成されたリセット信号を前記フリップフロップで検出される程度に増幅する第2信号増幅部と、
を備えることを特徴とする請求項1記載のレベルシフト回路。 - 前記第1信号増幅部は、前記レベルシフト電源と前記レベルシフト電源に対して所定の電圧差を有するレベルシフト基準電位との間に直列に接続された第3のP型MOSFETと第7抵抗とからなり、
前記第2信号増幅部は、前記レベルシフト電源と前記レベルシフト基準電位との間に直列に接続された第4のP型MOSFETと第8抵抗とからなり、
前記第3のP型MOSFETは、前記制御部により生成されたセット信号に基づいてオン/オフ動作を行い、
前記第4のP型MOSFETは、前記制御部により生成されたリセット信号に基づいてオン/オフ動作を行うことを特徴とする請求項2記載のレベルシフト回路。 - 前記第1のN型MOSFETのソースとグランドとの間に接続された第9抵抗と、
前記第2のN型MOSFETのソースとグランドとの間に接続された第10抵抗と、
を備えることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項記載のレベルシフト回路。 - ハイサイド側スイッチング素子とローサイド側スイッチング素子とを有するスイッチング電源装置において、
前記ハイサイド側スイッチング素子を制御するための回路として、請求項1乃至請求項4のいずれか1項記載のレベルシフト回路を用いることを特徴とするスイッチング電源装置。
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