JP6183553B2 - 伝送線路部材 - Google Patents

Description

本発明は、それぞれに異なる高周波信号を伝送する信号導体が近接して配置される伝送線路部材に関する。

従来、高周波信号を伝送する各種の伝送線路部材が考案されている。例えば、特許文献１に記載の伝送線路部材は、ストリップライン構造を有している。特許文献１に記載の伝送線路部材は、長尺状の誘電体素体、信号導体、および、第１、第２グランド導体を備える。信号導体は、誘電体素体の厚み方向の途中位置に配置されている。第１グランド導体と第２グランド導体とは、誘電体素体の厚み方向において信号導体を挟むように配置されている。また、第１グランド導体と第２グランド導体とは、信号導体に沿って配列された複数のビアホール導体（層間接続導体）によって接続されている。この構成により、信号導体を第１、第２グランド導体で挟むストリップライン構造の伝送線路になる。

特許文献１に記載のような構成からなる伝送線路を、通信機器内等に近接させて複数個配置する場合、例えば、１つの誘電体素体に複数の信号導体を配列する態様が考えられる。この態様では、複数の信号導体は、誘電体素体の厚み方向に対して直交する方向に間隔を空けて配置することが考えられる。

すなわち、特許文献１に示す構造の伝送線路を、誘電体素体の厚み方向に対して直交する方向に沿って並べた構成が考えられる。

特許第４９６２６６０号明細書

しかしながら、この伝送線路部材が装着される電子機器の小型化に伴って、伝送線路部材の小型化が要求されている。一方で、隣り合う信号導体が近接すると、これら信号導体同士が結合する。例えば、上述の構成を用いた場合、伝送線路部材の幅を狭くすると信号導体間の距離が短くなって、これらの信号導体が結合し易くなる。このため、これらの信号導体を有する伝送線路間のアイソレーションが低下してしまう。

したがって、本発明の目的は、複数の伝送線路間の結合を抑制した小型の伝送線路部材を提供することにある。

この発明の伝送線路部材は、複数の誘電体層を積層してなる平板状の誘電体素体と、第１信号導体および第２信号導体と、第１グランド導体とを備える。第１信号導体および第２信号導体は、誘電体素体の内部に配置され、高周波信号の伝送方向に沿って延びる形状からなる。第１信号導体および第２信号導体は、伝送方向に直交する誘電体素体の幅方向において離間して配置されている。第１グランド導体は、誘電体素体の内部に配置され、第１信号導体と第２信号導体とに共通のグランド導体である。

第１グランド導体は、第１信号導体用グランド部、第２信号導体用グランド部、および、中間部を備える。第１信号導体用グランド部は、第１信号導体に対して誘電体素体の厚み方向の一方側に配置され、第１信号導体の主表面に対向する導体部である。第２信号導体用グランド部は、第２信号導体に対して厚み方向の他方側に配置され、第２信号導体の主表面に対向する導体部である。中間部は、第１信号導体用グランド部と第２信号導体用グランド部とをつなぐ導体部である。

誘電体素体の厚み方向に沿って、第１信号導体と第１信号導体用グランド部との間の領域を第１領域とし、第２信号導体と第２信号導体用グランド部との間の領域を第２領域とし、第２領域の厚み方向の他方端側の端部は、第１領域の厚み方向の一方端側の端部に対して、誘電体素体の厚み方向の他方側に配置されている。

この構成では、少なくとも第１信号導体と第１信号導体用グランド部とによって形成される第１伝送線路と、少なくとも第２信号導体と第２信号導体用グランド部とによって形成される第２伝送線路とが、誘電体素体内に幅方向に隣り合う。そして、第１信号導体と第２信号導体との間に、これら第１信号導体と第２信号導体とを結ぶ方向（幅方向）に対して略直交する方向（厚み方向）に所定の長さを有する第１グランド導体の中間部が配置される。これにより、第１信号導体と第２信号導体の間隔が狭くても、第１信号導体と第２信号導体との結合が抑制される。

また、この発明の伝送線路部材は、次の構成であることが好ましい。伝送線路部材は、第２グランド導体と第３グランド導体とをさらに備える。第２グランド導体は、第１領域の厚み方向において、第１信号導体を基準に第１信号導体用グランド部と反対側に配置される。第３グランド導体は、第２領域の前記厚み方向において、第２信号導体を基準にして第２信号導体用グランド部と反対側に配置されている。

この構成では、第１信号導体が、第１グランド導体の第１信号導体用グランド部と第２グランド導体に挟まれる。第２信号導体が、第１グランド導体の第２信号導体用グランド部と第３グランド導体に挟まれる。これにより、２つのストリップライン型の伝送線路が誘電体素体内に形成される。そして、この構成により、各伝送線路から外部への電磁波の放射を抑制することができ、外部環境から各伝送線路に与えられる影響を抑制することができる。

また、この発明の伝送線路部材は、次の構成であってもよい。伝送線路部材は、第４グランド導体と第３信号導体とをさらに備える。第４グランド導体は、誘電体素体の厚み方向において、第２信号導体を基準にして第１グランド導体と反対側に一部が配置され、誘電体素体の幅方向の略全域に形成されている。第３信号導体は、誘電体素体の厚み方向において、第１グランド導体と第４グランド導体を基準にして第１信号導体と反対側に配置されている。第４グランド導体における第３信号導体に対向する部分は、第２信号導体に対向する部分よりも、第１信号導体側に配置されている。

この構成では、誘電体素体内に３つの伝送線路を構成することができる。

また、この発明の伝送線路部材は、次の構成であってもよい。伝送線路部材は、第６グランド導体と第４信号導体とをさらに備える。第６グランド導体は、誘電体素体の厚み方向において、第３信号導体を基準にして第４グランド導体と反対側に一部が配置され、誘電体素体の幅方向の略全域に形成されている。第４信号導体は、誘電体素体の厚み方向において、第４グランド導体と第６グランド導体を基準にして第２信号導体と反対側に配置されている。第６グランド導体における第４信号導体に対向する部分は、第３信号導体に対向する部分よりも、第２信号導体側に配置されている。

この構成では、誘電体素体内に４つの伝送線路を構成することができる。

また、この発明の伝送線路部材の製造方法は、積層工程、および加熱圧着工程を有する。積層工程では、誘電体素体の幅よりも狭い幅からなり第１信号導体が形成された第１誘電体層と、誘電体素体の幅よりも狭い幅からなり第２信号導体が形成された第２誘電体層と、誘電体素体の幅と略同じ幅からなり第１グランド導体が形成された第３誘電体層とを、積層方向に沿って、第１誘電体層、第３誘電体層、第２誘電体層の順で積層する。加熱圧着工程は、積層された第１誘電体層、第３誘電体層、第２誘電体層を加熱圧着することで、第１誘電体層、第３誘電体層、第２誘電体層を含む誘電体素体を形成する。

そして、積層工程は、第１誘電体層、第３誘電体層、第２誘電体層が積層された状態にて積層方向に視て、第１誘電体層と第２誘電体層とが重ならないように配置されている。

この製造方法では、上記構成の伝送線路部材を容易に製造することができる。

この発明によれば、複数の伝送線路間の結合を抑制した小型の伝送線路部材を実現できる。

本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の主要部の外観斜視図である。 本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の主要部断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の各誘電体層の構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の各誘電体層の構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の加熱圧着前の状態を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る伝送線路部材の主要部の外観斜視図である。 本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の主要部断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の加熱圧着前の状態を示す断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材の主要部断面図である。 本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材の加熱圧着前の状態を示す断面図である。

本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材および伝送線路部材の製造方法について、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の主要部の外観斜視図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の主要部断面図である。図２は図１におけるＡ−Ａ断面を示す図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の各誘電体層の構成を示す平面図である。図４は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の各誘電体層の構成を示す平面図である。図３は、第５層から第７層を示し、図４は第１層から第４層を示す。

図１に示すように、伝送線路部材１０は、平板状で且つ長尺状の誘電体素体９０を備える。誘電体素体９０において、長さ方向が高周波信号の伝送方向に相当する。誘電体素体９０において、平板面に平行で長さ方向に直交する方向が幅方向である。そして、誘電体素体９０において、長さ方向および幅方向に直交する方向が厚み方向である。なお、図１に示す誘電体素体９０は、伝送線路部材１０の主要部であり、誘電体素体９０の長さ方向の両端には、図示しない引き出し部および当該引き出し部に設けられた外部接続端子が備えられている。

誘電体素体９０には、第１信号導体２１１、第２信号導体２１２、第１グランド導体３００、第２グランド導体４１０、第３グランド導体４２０、および層間接続導体５１０，５２０が配置されている。

第１信号導体２１１および第２信号導体２１２は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第１信号導体２１１および第２信号導体２１２は、誘電体素体９０の厚み方向の途中位置に配置されている。第１信号導体２１１と第２信号導体２１２は、誘電体素体９０の幅方向において、間隔を空けて配置されている。

第１グランド導体３００は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第１グランド導体３００は、自身の幅方向において、第１信号導体用グランド部３１１、第２信号導体用グランド部３１２、および、中間部３２０の３つの部分からなる。第１信号導体用グランド部３１１、第２信号導体用グランド部３１２、および、中間部３２０は、一体形成されている。これらの各部は、誘電体素体９０の幅方向に沿って第１信号導体２１１側の側面から第２信号導体２１２側の側面に向かって、第１信号導体用グランド部３１１、中間部３２０、および、第２信号導体用グランド部３１２の順に配置される。

第１グランド導体３００の第１信号導体用グランド部３１１は、第１信号導体２１１よりも幅広である。第１信号導体用グランド部３１１は、第１信号導体２１１に対して、誘電体素体９０の厚み方向の一方側（図２における上面側）に配置されている。より具体的には、第１信号導体用グランド部３１１は、誘電体素体９０の厚み方向における一方端側の平膜面の近傍に配置されている。第１信号導体用グランド部３１１は、第１信号導体２１１に対して、誘電体素体９０の厚み方向に間隔を空けて配置されている。第１信号導体用グランド部３１１は、第１信号導体２１１に対して、互いの膜面が略平行になるように配置されている。

第２信号導体用グランド部３１２は、第２信号導体２１２よりも幅広である。第２信号導体用グランド部３１２は、第２信号導体２１２に対して、誘電体素体９０の厚み方向の他方側（図２における下面側）に配置されている。より具体的には、第２信号導体用グランド部３１２は、誘電体素体９０の厚み方向における他方端側の平膜面の近傍に配置されている。第２信号導体用グランド部３１２は、第２信号導体２１２に対して、誘電体素体９０の厚み方向に間隔を空けて配置されている。第２信号導体用グランド部３１２は、第２信号導体２１２に対して、互いの膜面が略平行になるように配置されている。

中間部３２０は、誘電体素体９０の幅方向において、第１信号導体２１１と第２信号導体２１２との間に配置されている。中間部３２０の膜面は、誘電体素体９０の厚み方向に対して略平行な構成になっているほど好ましい。言い換えれば、中間部３２０の膜面は、第１信号導体２１１と第２信号導体２１２とが並ぶ方向に対して略直交する構成になっているほど好ましい。

第２グランド導体４１０は、第１信号導体２１１よりも幅広である。第２グランド導体４１０は、第１信号導体２１１に対して、誘電体素体９０の厚み方向の他方側（図２における下面側）に配置されている。より具体的には、第２グランド導体４１０は、誘電体素体９０の厚み方向における他方端側の平膜面の近傍に配置されている。第２グランド導体４１０は、第１信号導体２１１に対して、誘電体素体９０の厚み方向に間隔を空けて配置されている。第２グランド導体４１０は、第１信号導体２１１に対して、互いの膜面が略平行になるように配置されている。

第２グランド導体４１０は、長尺導体４１１，４１２およびブリッジ導体４１３を備える。長尺導体４１１，４１２は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って延びる形状からなる。長尺導体４１１，４１２は、誘電体素体９０の幅方向において、第１信号導体２１１を挟むように配置されている。この際、長尺導体４１１，４１２は、誘電体素体９０を厚み方向に視て、第１信号導体２１１と重ならないことが好ましい。ブリッジ導体４１３は、図４に示すように、複数備えられており、長尺導体４１１，４１２を延びる方向に沿って、所定の間隔を空けて接続している。長尺導体４１１，４１２は、複数の層間接続導体５１０によって、第１グランド導体３００の第１信号導体用グランド部３１１に接続されている。

第３グランド導体４２０は、第２信号導体２１２よりも幅広である。第３グランド導体４２０は、第２信号導体２１２に対して、誘電体素体９０の厚み方向の一方側（図２における上面側）に配置されている。より具体的には、第３グランド導体４２０は、誘電体素体９０の厚み方向における一方端側の平膜面の近傍に配置されている。第３グランド導体４２０は、第２信号導体２１２に対して、誘電体素体９０の厚み方向に間隔を空けて配置されている。第３グランド導体４２０は、第２信号導体２１２に対して、互いの膜面が略平行になるように配置されている。

第３グランド導体４２０は、長尺導体４２１，４２２およびブリッジ導体４２３を備える。長尺導体４２１，４２２は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って延びる形状からなる。長尺導体４２１，４２２は、誘電体素体９０の幅方向において、第２信号導体２１２を挟むように配置されている。この際、長尺導体４２１，４２２は、誘電体素体９０を厚み方向に視て、第２信号導体２１２と重ならないことが好ましい。ブリッジ導体４２３は、図３に示すように、複数備えられており、長尺導体４２１，４２２を延びる方向に沿って、所定の間隔を空けて接続している。長尺導体４２１，４２２は、複数の層間接続導体５２０によって、第１グランド導体３００の第２信号導体用グランド部３１２に接続されている。

このような構成により、図２に示すように、誘電体素体９０内には、次の第１、第２伝送線路１０１，１０２が構成される。第１伝送線路１０１は、第１信号導体２１１を誘電体素体９０の厚み方向に沿って、第１グランド導体３００の第１信号導体用グランド部３１１と、第２グランド導体４１０で挟み込んだストリップライン型の伝送線路である。第２伝送線路１０２は、第２信号導体２１２を誘電体素体９０の厚み方向に沿って、第１グランド導体３００の第２信号導体用グランド部３１２と、第３グランド導体４２０で挟み込んだストリップライン型の伝送線路である。

第１伝送線路１０１と第２伝送線路１０２は、誘電体素体９０の長さ方向に沿って延びる伝送線路であり、誘電体素体９０の幅方向に沿って配列されている。第１伝送線路１０１と第２伝送線路１０２との間には、第１グランド導体３００の中間部３２０が配置されている。中間部３２０は、第１信号導体２１１と第２信号導体２１２との並ぶ方向に対して、略直交する膜面を備えている。これにより、第１信号導体２１１と第２信号導体２１２との電磁界結合を抑制することができる。

さらに、本実施形態の構成では、第１信号導体２１１から第２信号導体２１２方向に向かって、第２信号導体２１２が、第１グランド導体３００の中間部３２０および第２信号導体用グランド部３１２によって囲まれるように配置されている。逆に、第２信号導体２１２から第１信号導体２１１方向に向かって、第１信号導体２１１が、第１グランド導体３００の中間部３２０および第１信号導体用グランド部３１１によって囲まれるように配置されている。これにより、第１信号導体２１１と第２信号導体２１２との電磁界結合をさらに抑制することができる。

したがって、第１信号導体２１１と第２信号導体２１２とが誘電体素体９０の幅方向に近接しても、第１信号導体２１１と第２信号導体２１２との電磁界結合を抑制でき、第１伝送線路１０１と第２伝送線路１０２との間のアイソレーションを高く確保することができる。

また、誘電体素体９０の幅は、第１伝送線路１０１が形成される幅と、第２伝送線路１０２が形成される幅と、第１グランド導体３００の中間部３２０の膜厚と、当該中間部３２０を中間部３２０の厚さ方向に沿って挟む両側の誘電体層の厚みとからなる。したがって、誘電体素体９０の幅方向に沿って第１信号導体２１１と第２信号導体２１２とを配列し、その間に層間接続導体を形成したり、アイソレーション用のグランド導体を配置したりする態様と比較して、誘電体素体９０の幅を狭くすることができる。これにより、第１伝送線路１０１と第２伝送線路１０２とのアイソレーションを高く確保した小型の伝送線路部材１０を実現することができる。

また、本実施形態の構成では、厚み方向に沿った第１伝送線路１０１の第１信号導体２１１と第１信号導体用グランド部３１１との間の第１領域Ｒｅ１と、厚み方向に沿った第２伝送線路１０２の第２信号導体２１２と第２信号導体用グランド部３１２との間の第２領域Ｒｅ２とが、誘電体素体９０の厚み方向において重なっている。これにより、誘電体素体９０を低背化でき、伝送線路部材１０を小型に形成することができる。

なお、図２からも分かるように、第１領域Ｒｅ１の誘電体素体９０の厚み方向における一方端側の端部Ｅｄ１に対して、第２領域Ｒｅ２の誘電体素体９０の厚み方向における他方端側の端部Ｅｄ２は、誘電体素体９０の厚み方向の他方側に配置されていれば、伝送線路部材１０を小型にすることが可能である。

このような伝送線路部材１０における第１伝送線路１０１のインピーダンスは、次のように決定される。第１信号導体２１１と第１グランド導体３００の第１信号導体用グランド部３１１によって第１伝送線路１０１のインピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ω程度となるように形状が決定される。そして、第２グランド導体４１０によって、第１伝送線路１０１の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、第２グランド導体４１０の形状が決定される。この際、第１信号導体２１１と第１信号導体用グランド部３１１との間隔を、第１信号導体２１１と第２グランド導体４１０との間隔よりも広くすることが好ましい。これにより、導体の対向面積が広い第１信号導体２１１と第１信号導体用グランド部３１１との容量性結合を抑制でき、第１伝送線路１０１に対して所望のインピーダンスを実現し易い。

また、第２伝送線路１０２のインピーダンスは、次のように決定される。第２信号導体２１２と第１グランド導体３００の第２信号導体用グランド部３１２によって第２伝送線路１０２のインピーダンスが５０Ωよりもやや高めの５５Ω程度となるように形状が決定される。そして、第３グランド導体４２０によって、第２伝送線路１０２の特性インピーダンスが５０Ωとなるように、第３グランド導体４２０の形状が決定される。この際、第２信号導体２１２と第２信号導体用グランド部３１２との間隔を、第２信号導体２１２と第３グランド導体４２０との間隔よりも広くすることが好ましい。これにより、導体の対向面積が広い第２信号導体２１２と第２信号導体用グランド部３１２との容量性結合を抑制でき、第２伝送線路１０２に対して所望のインピーダンスを実現し易い。

このような構造の伝送線路部材１０は、例えば次に示すように製造される。

図３、図４に示すように、誘電体層９０１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０６，９０７を用意する。各誘電体層９０１−９０７は、例えば、液晶ポリマを主成分とする材料からなる誘電体フィルムに対して、必要に応じて所定の導体パターンを形成することで得られる。

図４に示すように、誘電体層９０１は、導体が形成されていない誘電体フィルムからなる。誘電体層９０１の幅Ｗ１は、誘電体素体９０の幅と略同じである。

誘電体層９０２は、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図４に示すように、誘電体層９０２の表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０２の表面には、第２グランド導体４１０が形成される。誘電体層９０２の幅Ｗ２は、誘電体素体９０の幅（誘電体層９０１の幅Ｗ１）の略１／２である。

誘電体層９０３は、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図４に示すように、誘電体層９０３の表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０３の表面には、第１信号導体２１１が形成される。誘電体層９０３の幅Ｗ３は、誘電体素体９０の幅（誘電体層９０１の幅Ｗ１）の略１／２であり、誘電体層９０２の幅Ｗ２と略同じである。誘電体層９０３には、誘電体層９０２と重ねあわせたときに第２グランド導体４１０と重なる領域に、厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられている。誘電体層９０３における第１信号導体２１１が形成される面には、貫通孔の形成位置にビア用補助導体５１１が形成されている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１−９０７の加熱圧着によって、層間接続導体５１０の一部を構成する。

誘電体層９０４は、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図４に示すように、誘電体層９０４の表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０４の表面には、第１グランド導体３００が形成される。誘電体層９０４の幅Ｗ４は、誘電体素体９０の幅（誘電体層９０１の幅Ｗ１）と略同じである。第１グランド導体３００は、誘電体層９０４の略全面に形成されている。第１グランド導体３００は、誘電体層９０４の幅方向の両端面に達しない方が好ましい。これにより、第１グランド導体３００が外部回路に対して不要に短絡することを抑制できる。

誘電体層９０４には、第１グランド導体３００の形成領域に、当該第１グランド導体３００を除いて厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられており、各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１−９０７の加熱圧着によって、層間接続導体５１０の一部を構成する。

誘電体層９０５は、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図３に示すように、誘電体層９０５の表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０５の表面には、第２信号導体２１２が形成される。誘電体層９０５の幅Ｗ５は、誘電体素体９０の幅（誘電体層９０１の幅Ｗ１）の略１／２である。誘電体層９０５には、厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられている。誘電体層９０５における第２信号導体２１２が形成される面には、貫通孔の形成位置にビア用補助導体５２１が形成されている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１−９０７の加熱圧着によって、層間接続導体５２０の一部を構成する。

誘電体層９０６は、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図３に示すように、誘電体層９０６の表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０６の表面には、第３グランド導体４２０が形成される。誘電体層９０６の幅Ｗ６は、誘電体素体９０の幅（誘電体層９０１の幅Ｗ１）の略１／２であり、誘電体層９０５の幅Ｗ５と略同じである。誘電体層９０６には、第３グランド導体４２０の形成領域に、当該第３グランド導体４２０を除いて厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられており、各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１−９０７の加熱圧着によって、層間接続導体５２０の一部を構成する。

図３に示すように、誘電体層９０７は、導体が形成されていない誘電体フィルムからなる。誘電体層９０７の幅Ｗ７は、誘電体素体９０の幅と略同じである。

このような構成からなる誘電体層９０１−９０７を、図５に示すように、誘電体層９０１、誘電体層９０２、誘電体層９０３、誘電体層９０４、誘電体層９０５、誘電体層９０６、および誘電体層９０７の順に積層する。図５は、本発明の第１の実施形態に係る伝送線路部材の加熱圧着前の状態を示す断面図である。

すなわち、誘電体素体９０と略同じ幅の誘電体層９０１と誘電体層９０４との間に、誘電体素体９０の幅の略１／２の幅からなる誘電体層９０２，９０３が積層される。また、誘電体素体９０と略同じ幅の誘電体層９０４と誘電体層９０７との間に、誘電体素体９０の幅の略１／２の幅からなる誘電体層９０５，９０６が積層される。

誘電体層９０２と誘電体層９０３は重なるように積層される。誘電体層９０５と誘電体層９０６は重なるように配置される。誘電体層９０２，９０３と、誘電体層９０５，９０６は重ならないように配置される。

誘電体層９０１−９０７が積層されると、この積層体は、積層方向の両端から金型で挟み込まれ、所定の条件で加熱圧着される。これにより、第１グランド導体３００が形成された誘電体層９０４は幅方向の途中位置（より具体的には積層体を積層方向に視たときの誘電体層９０２，９０３の領域と誘電体層９０５，９０６の領域との境界）で曲がる。これにより、第１グランド導体３００は、平膜面が積層方向（厚み方向）と略平行な中間部３２０と、該中間部３２０でつなげられたそれぞれ平膜面が積層方向に直交する第１信号導体用グランド部３１１および第２信号導体用グランド部３１２とに形づけられる。

このように、本実施形態の製造方法を用いることで、上述の伝送線路部材１０を容易に製造することができる。

なお、本実施形態の製造方法では、誘電体層９０２，９０３の幅と、誘電体層９０５，９０６の幅とを、誘電体素体９０の幅の略１／２にする例を示した。しかしながら、誘電体層９０２，９０３の幅と誘電体層９０５，９０６の幅とを合計した幅が、誘電体素体９０の幅以下になるように、誘電体層９０２，９０３の幅と誘電体層９０５，９０６の幅を決定すればよい。また、本実施形態の製造方法では、誘電体層９０２の幅と誘電体層９０３の幅は同じであるが、異なっていてもよい。同様に、誘電体層９０５の幅と誘電体層９０６の幅も異なっていてもよい。

また、上述の実施形態では、ストリップライン型の伝送線路によって第１、第２伝送線路を構成する例を示したが、マイクロストリップ型の伝送線路によって第１、第２伝送線路を構成してもよい。この場合、第２グランド導体４１０、第３グランド導体４２０、および層間接続導体５１０，５２０を省略すればよい。但し、ストリップライン型の伝送線路を用いることで、第１、第２伝送線路１０１，１０２から外部への電磁波の放射を抑制することができ、外部環境から第１、第２伝送線路１０１，１０２に与えられる影響を抑制することができる。

また、上述の製造方法では、伝送線路部材１０単位で誘電体層９０１−９０７を積層する態様を示した。しかしながら、複数の伝送線路部材１０を同時に形成することも可能である。この場合、誘電体層の種類毎に誘電体フィルムを用意する。各誘電体フィルムには、それぞれの誘電体フィルムに対応した誘電体層が配列して複数個設けられている。そして、各誘電体層に対応する誘電体フィルムを積層して、加熱圧着する。複数の誘電体フィルムの加熱圧着後に、個別の伝送線路部材に分離する。なお、この製造方法を用いる場合には、誘電体層９０２が複数形成された誘電体フィルム、および、誘電体層９０３が複数形成された誘電体フィルムには、誘電体フィルムを積層した状態において、積層方向に視て誘電体層９０５，９０６が配置される領域に貫通穴や凹部を設けておけばよい。同様に、誘電体層９０５が複数形成された誘電体フィルム、および、誘電体層９０６が複数形成された誘電体フィルムには、誘電体フィルムを積層した状態において、積層方向に視て誘電体層９０２，９０３が配置される領域に貫通穴や凹部を設けておけばよい。また、誘電体フィルムを積層した状態において、積層方向に視て第１グランド導体３００の中間部３２０となる部分にも、貫通穴や凹部を設けてもよい。

次に、本発明の第２の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図６は、本発明の第２の実施形態に係る伝送線路部材の主要部の外観斜視図である。

本実施形態に係る伝送線路部材１０Ａは、第１の実施形態に係る伝送線路部材１０に対して、層間接続導体５１０Ａ，５２０Ａの構造が異なる。

誘電体素体９０における長さ方向に平行な側面には、所定の間隔を置いて、複数の凹部９９０が形成されている。凹部９９０は、誘電体素体９０における長さ方向に平行な側面から幅方向の中央に向かって凹む形状である。

第１信号導体２１１に近い第１側面に形成された凹部９９０の壁面には、層間接続導体５１０Ａが形成されている。層間接続導体５１０Ａは、第１グランド導体３００と第２グランド導体４１０とを接続している。

第２信号導体２１２に近い第２側面に形成された凹部９９０の壁面には、層間接続導体５２０Ａが形成されている。層間接続導体５２０Ａは、第１グランド導体３００と第３グランド導体４２０とを接続している。

この構成では、層間接続導体５１０Ａが誘電体素体９０の側面に形成されているので、第１信号導体２１１と層間接続導体５１０Ａとの距離を、第１の実施形態に示した第１信号導体２１１と層間接続導体５１０との距離よりも長くすることができる。これにより、第１信号導体２１１の幅を広くすることができ、第１信号導体２１１による導体損を低減することができる。

また、この構成では、層間接続導体５２０Ａが誘電体素体９０の側面に形成されているので、第２信号導体２１２と層間接続導体５２０Ａとの距離を、第１の実施形態に示した第２信号導体２１２と層間接続導体５２０との距離よりも長く設計しやすくすることができる。第２信号導体２１２と層間接続導体５２０Ａとの距離が大きいので、第２信号導体２１２の幅を広くすることも可能になり、その場合、第２信号導体２１２による導体損を低減することができる。

また、本実施形態の構成では、層間接続導体５１０Ａ，５２０Ａは、誘電体素体９０の側面に形成された凹部９９０内に形成されている。したがって、層間接続導体５１０Ａ，５２０Ａが誘電体素体９０の側面よりも突出することを防止できる。これにより、伝送線路部材１０Ａの幅を誘電体素体９０の幅にすることができ、例えば、層間接続導体５１０Ａ，５２０Ａが不所望な外部の導体に接続してしまう等の不具合を抑制することができる。

次に、本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図７は、本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の主要部断面図である。図８は、本発明の第３の実施形態に係る伝送線路部材の加熱圧着前の状態を示す断面図である。

第１の実施形態に係る伝送線路部材１０が２つの伝送線路（第１伝送線路１０１、第２伝送線路１０２）を備えているのに対して、本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｂは、３つの伝送線路（第１伝送線路１０１Ｂ、第２伝送線路１０２Ｂ、第３伝送線路１０３Ｂ）を備える。

伝送線路部材１０Ｂは、平板状で且つ長尺状の誘電体素体９０Ｂを備える。

誘電体素体９０Ｂには、第１信号導体２１１Ｂ、第２信号導体２１２Ｂ、第３信号導体２１３Ｂ、第１グランド導体３０１Ｂ、第２グランド導体４１０Ｂ、第４グランド導体３０２Ｂ、第５グランド導体４３０Ｂ、および層間接続導体５１０Ｂ，５２０Ｂ，５３０Ｂが配置されている。

第１信号導体２１１Ｂ、第２信号導体２１２Ｂおよび第３信号導体２１３Ｂは、誘電体素体９０Ｂの長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第１信号導体２１１Ｂ、第２信号導体２１２Ｂおよび第３信号導体２１３Ｂは、誘電体素体９０Ｂの厚み方向の途中位置に配置されている。第１信号導体２１１Ｂと第３信号導体２１３Ｂは、誘電体素体９０Ｂの幅方向において略同じ位置に配置されている。第１信号導体２１１Ｂと第３信号導体２１３Ｂは、誘電体素体９０Ｂの厚み方向において間隔を空けて配置されている。第１信号導体２１１Ｂおよび第３信号導体２１３Ｂと第２信号導体２１２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの幅方向において、間隔を空けて配置されている。

第１グランド導体３０１Ｂは、誘電体素体９０Ｂの長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第１グランド導体３０１Ｂは、自身の幅方向において、第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１、第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２、および、中間部３０１Ｂ３の３つの部分からなる。第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１、第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２、および、中間部３０１Ｂ３は、一体形成されている。これらの各部は、誘電体素体９０Ｂの幅方向に沿って第１信号導体２１１Ｂ側の側面から第２信号導体２１２Ｂ側の側面に向かって、第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１、中間部３０１Ｂ３、および、第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２の順に配置される。

第１グランド導体３０１Ｂの第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１は、第１信号導体２１１Ｂよりも幅広である。第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１は、第１信号導体２１１Ｂに対して、誘電体素体９０Ｂの厚み方向の一方側（図７における上面側）に配置されている。

第１グランド導体３０１Ｂの第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２は、第２信号導体２１２Ｂよりも幅広である。第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２は、第２信号導体２１２Ｂに対して、誘電体素体９０Ｂの厚み方向の他方側（図７における下面側）に配置されている。

第１グランド導体３０１Ｂの中間部３０１Ｂ３は、誘電体素体９０Ｂの幅方向において、第１信号導体２１１Ｂと第２信号導体２１２Ｂとの間に配置されている。中間部３０１Ｂ３の膜面は、誘電体素体９０Ｂの厚み方向に対して略平行な構成になっているほど好ましい。言い換えれば、中間部３０１Ｂ３の膜面は、第１信号導体２１１Ｂと第２信号導体２１２Ｂとが並ぶ方向に対して略直交する構成になっているほど好ましい。

第２グランド導体４１０Ｂは、第１信号導体２１１Ｂよりも幅広である。第２グランド導体４１０Ｂは、第１信号導体２１１Ｂに対して、誘電体素体９０Ｂの厚み方向の他方側（図７における下面側）に配置されている。

第２グランド導体４１０Ｂは、長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂおよびブリッジ導体４１３Ｂを備える。長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの長さ方向に沿って延びる形状からなる。長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの幅方向において、第１信号導体２１１Ｂを挟むように配置されている。この際、長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂは、誘電体素体９０Ｂを厚み方向に視て、第１信号導体２１１Ｂと重ならないことが好ましい。ブリッジ導体４１３Ｂは、複数備えられており、長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂを延びる方向に沿って間隔を空けて接続している。長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂは、複数の層間接続導体５１０Ｂによって、第１グランド導体３０１Ｂの第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１に接続されている。

第４グランド導体３０２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第４グランド導体３０２Ｂは、自身の幅方向において、第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１、第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２、および、中間部３０２Ｂ３の３つの部分からなる。第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１、第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２、および、中間部３０２Ｂ３は、一体形成されている。これらの各部は、誘電体素体９０Ｂの幅方向に沿って第１信号導体２１１Ｂ側の側面から第２信号導体２１２Ｂ側の側面に向かって、第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１、中間部３０２Ｂ３、および、第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２の順に配置される。

第４グランド導体３０２Ｂの第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１は、第３信号導体２１３Ｂよりも幅広である。第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１は、第３信号導体２１３Ｂに対して、誘電体素体９０Ｂの厚み方向の他方側（図７における下面側）に配置されている。

第４グランド導体３０２Ｂの第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２は、第２信号導体２１２Ｂよりも幅広である。第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２は、第２信号導体２１２Ｂに対して、誘電体素体９０Ｂの厚み方向の一方側（図７における上面側）に配置されている。第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２と、第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２とは、層間接続導体５２０Ｂによって接続されている。

第４グランド導体３０２Ｂの中間部３０２Ｂ３は、誘電体素体９０Ｂの幅方向において、第３信号導体２１３Ｂと第２信号導体２１２とＢの間に配置されている。中間部３０２Ｂ３の膜面は、誘電体素体９０Ｂの厚み方向に対して略平行な構成になっているほど好ましい。言い換えれば、中間部３０２Ｂ３の膜面は、第３信号導体２１３Ｂと第２信号導体２１２Ｂとが並ぶ方向に対して略直交する構成になっているほど好ましい。

第５グランド導体４３０Ｂは、第３信号導体２１３Ｂよりも幅広である。第５グランド導体４３０Ｂは、第３信号導体２１３Ｂに対して、誘電体素体９０Ｂの厚み方向の一方側（図７における上面側）に配置されている。

第５グランド導体４３０Ｂは、長尺導体４３１Ｂ，４３２Ｂおよびブリッジ導体４３３Ｂを備える。長尺導体４３１Ｂ，４３２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの長さ方向に沿って延びる形状からなる。長尺導体４３１Ｂ，４３２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの幅方向において、第３信号導体２１３Ｂを挟むように配置されている。この際、長尺導体４３１Ｂ，４３２Ｂは、誘電体素体９０Ｂを厚み方向に視て、第３信号導体２１３Ｂと重ならないことが好ましい。ブリッジ導体４３３Ｂは、複数備えられており、長尺導体４３１Ｂ，４３２Ｂを延びる方向に沿って間隔を空けて接続している。長尺導体４３１Ｂ，４３２Ｂは、複数の層間接続導体５３０Ｂによって、第４グランド導体３０２Ｂの第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１に接続されている。

このような構成により、図７に示すように、誘電体素体９０Ｂ内には、次の第１、第２、第３伝送線路１０１Ｂ，１０２Ｂ，１０３Ｂが構成される。第１伝送線路１０１Ｂは、誘電体素体９０Ｂの厚み方向に沿って、第１信号導体２１１Ｂを第１グランド導体３０１Ｂの第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１と、第２グランド導体４１０Ｂで挟み込んだストリップライン型の伝送線路である。第２伝送線路１０２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの厚み方向に沿って、第２信号導体２１２Ｂを第１グランド導体３０１Ｂの第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２と、第４グランド導体３０２Ｂの第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２で挟み込んだストリップライン型の伝送線路である。第３伝送線路１０３Ｂは、誘電体素体９０Ｂの厚み方向に沿って、第３信号導体２１３Ｂを第４グランド導体３０２Ｂの第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１と、第５グランド導体４３０Ｂで挟みこんだストリップライン型の伝送線路である。

第１、第２、第３伝送線路１０１Ｂ，１０２Ｂ，１０３Ｂは、誘電体素体９０Ｂの長さ方向に沿って延びる伝送線路である。第１伝送線路１０１Ｂと第２伝送線路１０２Ｂは、誘電体素体９０Ｂの幅方向に沿って配列されている。第１伝送線路１０１Ｂと第３伝送線路１０３Ｂは、誘電体素体９０Ｂの厚み方向に沿って配列されている。誘電体素体９０Ｂを平面視して、第１伝送線路１０１Ｂと第３伝送線路１０３Ｂは重なっている。

第１伝送線路１０１Ｂと第２伝送線路１０２Ｂとの間には、第１グランド導体３０１Ｂの中間部３０１Ｂ３が配置されている。中間部３０１Ｂ３は、第１信号導体２１１Ｂと第２信号導体２１２Ｂとの並ぶ方向に対して、略直交する膜面を備えている。これにより、第１信号導体２１１Ｂと第２信号導体２１２Ｂとの電磁界結合を抑制することができる。

第３伝送線路１０３Ｂと第２伝送線路１０２Ｂとの間には、第４グランド導体３０２Ｂの中間部３０２Ｂ３が配置されている。中間部３０２Ｂ３は、第３信号導体２１３Ｂと第２信号導体２１２Ｂとの並ぶ方向に対して、略直交する膜面を備えている。これにより、第３信号導体２１３Ｂと第２信号導体２１２Ｂとの電磁界結合を抑制することができる。

第１信号導体２１１Ｂと第３信号導体２１３Ｂとの間には、第１グランド導体３０１Ｂの第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１と、第４グランド導体３０２Ｂの第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１とが配置されている。これにより、第１信号導体２１１Ｂと第３信号導体２１３Ｂとの電磁界結合を抑制することができる。

このような構成によって、第１信号導体２１１Ｂと第２信号導体２１２Ｂとが誘電体素体９０Ｂの幅方向に近接し、第１信号導体２１１Ｂと第３信号導体２１３Ｂとが誘電体素体９０Ｂの厚み方向に近接していても、第１信号導体２１１Ｂ、第２信号導体２１２Ｂ、および第３信号導体２１３Ｂの相互の電磁界結合を抑制できる。したがって、第１伝送線路１０１Ｂ、第２伝送線路１０２Ｂ、および第３伝送線路１０３Ｂの相互のアイソレーションを高く確保することができる。

また、第１の実施形態と同様に、誘電体素体９０Ｂの幅を狭くすることができる。これにより、第１伝送線路１０１Ｂ、第２伝送線路１０２Ｂ、および第３伝送線路１０３Ｂの相互のアイソレーションを高く確保した小型の伝送線路部材１０Ｂを実現することができる。

また、本実施形態の構成では、厚み方向に沿った第１伝送線路１０１Ｂの第１信号導体２１１Ｂと第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１との間の領域と、厚み方向に沿った第２伝送線路１０２Ｂの第２信号導体２１２Ｂと第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２との間の領域とが、誘電体素体９０Ｂの厚み方向において重なっている。これにより、誘電体素体９０Ｂを低背化でき、伝送線路部材１０Ｂを小型に形成することができる。

また、本実施形態の構成では、厚み方向に沿った第３伝送線路１０３Ｂの第３信号導体２１３Ｂと第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１との間の領域と、厚み方向に沿った第２伝送線路１０２Ｂの第２信号導体２１２Ｂと第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２との間の領域とが、誘電体素体９０Ｂの厚み方向において重なっている。これにより、誘電体素体９０Ｂを低背化でき、伝送線路部材１０Ｂを小型に形成することができる。

このように、誘電体素体９０Ｂに３つの伝送線路を内蔵しても、狭幅で低背な伝送線路部材１０Ｂを実現することができる。

なお、伝送線路部材１０Ｂにおける第１伝送線路１０１Ｂおよび第３伝送線路１０３Ｂのインピーダンスは、第１の実施形態に示した第１、第２伝送線路１０１，１０２のインピーダンスと同様に決定することができる。

伝送線路部材１０Ｂでは、第２信号導体２１２Ｂを挟む第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２，３０２Ｂ２は、ともにベタ導体（開口が無い導体または開口が殆ど無い導体）である。したがって、第２伝送線路１０２Ｂのインピーダンスは、一般的なストリップライン型の伝送線路のインピーダンスと同様に決定することができる。この際、第２信号導体２１２Ｂと第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２との距離、第２信号導体２１２Ｂと第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２との距離は、第１伝送線路１０１Ｂおよび第３伝送線路１０３Ｂにおける信号導体とグランド導体との距離よりも長くすることが好ましい。これにより、第２信号導体２１２Ｂと第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２との間の容量性結合を抑えることができ、所望とするインピーダンスを実現し易い。

また、伝送線路部材１０Ｂでは、第１グランド導体３０１Ｂの第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１と、第４グランド導体３０２Ｂの第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１とは、誘電体素体９０Ｂの厚み方向において、近接している。また、第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１と第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１は複数の層間接続導体５９０によって接続されている。これにより、グランド導体間の電位差を抑制できる。

誘電体素体９０Ｂを平面視して、層間接続導体５９０は、層間接続導体５１０，５３０に重なる位置に配置されている。これにより、第１グランド導体３０１Ｂの第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１と、第４グランド導体３０２Ｂの第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１が、誘電体素体９０Ｂの成型時に変形することを抑制できる。これにより、成型によって信号導体とグランド導体との位置関係が変化することを抑制でき、所望とするインピーダンスを実現することができる。

このような構造の伝送線路部材１０Ｂは、例えば次に示すように製造される。

図８に示すように、誘電体層９０１Ｂ，９０２Ｂ，９０３Ｂ，９０４Ｂ，９０５Ｂ，９０６Ｂ，９０７Ｂ，９０８Ｂ，９０９Ｂを用意する。各誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂは、例えば、液晶ポリマを主成分とする材料からなる誘電体フィルムに対して、必要に応じて所定の導体パターンを形成することで得られる。

誘電体層９０１Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０１Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０１Ｂの表面には第２グランド導体４１０Ｂが形成されている。誘電体層９０１Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅と同じである。第２グランド導体４１０Ｂは、誘電体層９０１Ｂの幅方向における一方端側の半面に形成されている。

誘電体層９０２Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０２Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０２Ｂの表面には第１信号導体２１１Ｂおよびビア用補助導体５１１が形成されている。誘電体層９０２Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅の略半分（１／２）である。誘電体層９０２Ｂは、誘電体素体９０Ｂにおける幅方向の一方端側の半分の位置に配置されている。

ビア用補助導体５１１は、誘電体層９０２Ｂを誘電体層９０１Ｂに重ねあわせたとき、第２グランド導体４１０Ｂの長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂと重なる領域に設けられている。誘電体層９０２Ｂには、誘電体層９０１Ｂと重ねあわせたときに第２グランド導体４１０Ｂの長尺導体４１１Ｂ，４１２Ｂと重なる領域（ビア用補助導体５１１と重なる領域）に、厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂの加熱圧着によって、ビア用補助導体５１１とともに層間接続導体５１０Ｂの一部を構成する。

誘電体層９０３Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０３Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０３Ｂの表面には、第１グランド導体３０１Ｂが形成される。誘電体層９０３Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅と略同じである。第１グランド導体３０１Ｂは、誘電体層９０３Ｂの略全面に形成されている。第１グランド導体３０１Ｂは、誘電体層９０３Ｂの幅方向の両端面に達しない方が好ましい。これにより、第１グランド導体３０１Ｂが外部回路に対して不要に短絡することを抑制できる。

誘電体層９０３Ｂには、第１グランド導体３０１Ｂの形成領域に、当該第１グランド導体３０１Ｂを除いて厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられており、各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂの加熱圧着によって、層間接続導体５１０Ｂの一部を構成する。

誘電体層９０４Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０４Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０４Ｂの表面には、第２信号導体２１２Ｂおよびビア用補助導体５２１が形成されている。誘電体層９０４Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅の略１／２である。誘電体層９０４Ｂは、誘電体素体９０Ｂにおける幅方向の他方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５２１は、誘電体層９０４Ｂの幅方向において第２信号導体２１２Ｂを挟むように設けられている。誘電体層９０４Ｂには、ビア用補助導体５２１と重なる領域に、厚み方向に貫通する貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂの加熱圧着によって、ビア用補助導体５２１とともに層間接続導体５２０Ｂの一部を構成する。

誘電体層９０５Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０５Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０５Ｂの表面には、ビア用補助導体５２１が形成されている。誘電体層９０５Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅の略１／２である。誘電体層９０５Ｂは、誘電体素体９０Ｂにおける幅方向の他方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５２１は、誘電体層９０５Ｂを誘電体層９０４Ｂに重ねあわせた状態において、誘電体層９０４Ｂのビア用補助導体５２１と重なる位置に設けられている。誘電体層９０５Ｂには、ビア用補助導体５２１と重なる領域に、厚み方向に貫通する貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂの加熱圧着によって、ビア用補助導体５２１とともに層間接続導体５２０Ｂの一部を構成する。誘電体層９０５Ｂは、第２信号導体２１２Ｂと第４グランド導体３０２Ｂとの距離を所定値にして第２伝送線路１０２Ｂのインピーダンスを調整するための誘電体層である。

誘電体層９０６Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０６Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０６Ｂの表面には、第４グランド導体３０２Ｂが形成される。誘電体層９０６Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅と略同じである。第４グランド導体３０２Ｂは、誘電体層９０６Ｂの略全面に形成されている。第４グランド導体３０２Ｂは、誘電体層９０６Ｂの幅方向の両端面に達しない方が好ましい。これにより、第４グランド導体３０２Ｂが外部回路に対して不要に短絡することを抑制できる。

誘電体層９０６Ｂには、第４グランド導体３０２Ｂの形成領域に、当該第４グランド導体３０２Ｂを除いて厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられており、各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。誘電体層９０６Ｂにおける幅方向の他方端側の半分の領域に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂの加熱圧着によって、層間接続導体５２０Ｂの一部を構成する。誘電体層９０６Ｂにおける幅方向の一方端側の半分の領域に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂの加熱圧着によって、層間接続導体５９０の一部を構成する。

誘電体層９０７Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０７Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０７Ｂの表面には、第３信号導体２１３Ｂおよびビア用補助導体５３１が形成されている。誘電体層９０７Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅の略１／２である。誘電体層９０７Ｂは、誘電体素体９０Ｂにおける幅方向の一方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５３１は、誘電体層９０７Ｂの幅方向において第３信号導体２１３Ｂを挟むように設けられている。誘電体層９０７Ｂには、ビア用補助導体５３１と重なる領域に、厚み方向に貫通する貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂの加熱圧着によって、ビア用補助導体５３１とともに層間接続導体５３０Ｂの一部を構成する。

誘電体層９０８Ｂは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図８に示すように、誘電体層９０８Ｂの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０８Ｂの表面には第５グランド導体４３０Ｂが形成されている。誘電体層９０８Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅と同じである。第５グランド導体４３０Ｂは、誘電体層９０８Ｂの幅方向における一方端側の半面に形成されている。誘電体層９０８Ｂの幅方向における他方端側の半分の部分は導体が形成されていない。しかしながら、この部分を設けることによって、誘電体素体９０Ｂの厚みを均一にすることができる。

誘電体層９０９Ｂは、導体が形成されていない誘電体フィルムからなる。誘電体層９０９Ｂの幅は、誘電体素体９０Ｂの幅と略同じである。

このような構成からなる誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂを、図８に示すように、誘電体層９０１Ｂ、誘電体層９０２Ｂ、誘電体層９０３Ｂ、誘電体層９０４Ｂ、誘電体層９０５Ｂ、誘電体層９０６Ｂ、誘電体層９０７Ｂ、誘電体層９０８Ｂ、および誘電体層９０９Ｂの順に積層する。

誘電体層９０１Ｂ−９０９Ｂが積層されると、この積層体は、積層方向の両端から金型で挟み込まれ、所定の条件で加熱圧着される。これにより、第１グランド導体３０１Ｂが形成された誘電体層９０３Ｂは幅方向の途中位置（より具体的には積層体を積層方向に視たときの誘電体層９０２Ｂの領域と誘電体層９０４Ｂ，９０５Ｂの領域との境界）で曲がる。これにより、第１グランド導体３０１Ｂは、平膜面が積層方向（厚み方向）と略平行な中間部３０１Ｂ３と、該中間部３０１Ｂ３でつなげられたそれぞれ平膜面が積層方向に直交する第１信号導体用グランド部３０１Ｂ１および第２信号導体用グランド部３０１Ｂ２とに形づけられる。また、第４グランド導体３０２Ｂが形成された誘電体層９０６Ｂは幅方向の途中位置（より具体的には積層体を積層方向に視たときの誘電体層９０４Ｂ，９０５Ｂの領域と誘電体層９０８Ｂの領域との境界）で曲がる。これにより、第４グランド導体３０２Ｂは、平膜面が積層方向（厚み方向）と略平行な中間部３０２Ｂ３と、該中間部３０２Ｂ３でつなげられたそれぞれ平膜面が積層方向に直交する第３信号導体用グランド部３０２Ｂ１および第２信号導体用グランド部３０２Ｂ２とに形づけられる。

このように、本実施形態の製造方法を用いることで、上述の伝送線路部材１０Ｂを容易に製造することができる。

次に、本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材について、図を参照して説明する。図９は、本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材の主要部断面図である。図１０は、本発明の第４の実施形態に係る伝送線路部材の加熱圧着前の状態を示す断面図である。

第１の実施形態に係る伝送線路部材１０が２つの伝送線路（第１伝送線路１０１、第２伝送線路１０２）を備えているのに対して、本実施形態に係る伝送線路部材１０Ｃは、４つの伝送線路（第１伝送線路１０１Ｃ、第２伝送線路１０２Ｃ、第３伝送線路１０３Ｃ、第４伝送線路１０４Ｃ）を備える。

伝送線路部材１０Ｃは、平板状で且つ長尺状の誘電体素体９０Ｃを備える。

誘電体素体９０Ｃには、第１信号導体２１１Ｃ、第２信号導体２１２Ｃ、第３信号導体２１３Ｃ、第４信号導体２１４Ｃ、第１グランド導体３０１Ｃ、第２グランド導体４１０Ｃ、第４グランド導体３０２Ｃ、第６グランド導体３０３Ｃ、第７グランド導体４４０Ｃおよび層間接続導体５１０Ｃ，５２０Ｃ，５３０Ｃ，５４０Ｃが配置されている。

第１信号導体２１１Ｃ、第２信号導体２１２Ｃ、第３信号導体２１３Ｃおよび第４信号導体２１４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第１信号導体２１１Ｃ、第２信号導体２１２Ｃ、第３信号導体２１３Ｃおよび第４信号導体２１４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の途中位置に配置されている。第１信号導体２１１Ｃと第３信号導体２１３Ｃは、誘電体素体９０Ｃの幅方向において略同じ位置に配置されている。第１信号導体２１１Ｃと第３信号導体２１３Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向において間隔を空けて配置されている。第２信号導体２１２Ｃと第４信号導体２１４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの幅方向において略同じ位置に配置されている。第２信号導体２１２Ｃと第４信号導体２１４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向において間隔を空けて配置されている。第１信号導体２１１Ｃおよび第３信号導体２１３Ｃと第２信号導体２１２Ｃおよび第４信号導体２１４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの幅方向において、間隔を空けて配置されている。

第１グランド導体３０１Ｃは、誘電体素体９０Ｃの長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第１グランド導体３０１Ｃは、自身の幅方向において、第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１、第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２、および、中間部３０１Ｃ３の３つの部分からなる。第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１、第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２、および、中間部３０１Ｃ３は、一体形成されている。これらの各部は、誘電体素体９０Ｃの幅方向に沿って第１信号導体２１１Ｃ側の側面から第２信号導体２１２Ｃ側の側面に向かって、第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１、中間部３０１Ｃ３、および、第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２の順に配置される。

第１グランド導体３０１Ｃの第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１は、第１信号導体２１１Ｃよりも幅広である。第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１は、第１信号導体２１１Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の一方側（図９における上面側）に配置されている。

第１グランド導体３０１Ｃの第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２は、第２信号導体２１２Ｃよりも幅広である。第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２は、第２信号導体２１２Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の他方側（図９における下面側）に配置されている。

第１グランド導体３０１Ｃの中間部３０１Ｃ３は、誘電体素体９０Ｃの幅方向において、第１信号導体２１１Ｃと第２信号導体２１２Ｃとの間に配置されている。中間部３０１Ｃ３の膜面は、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に対して略平行な構成になっているほど好ましい。言い換えれば、中間部３０１Ｃ３の膜面は、第１信号導体２１１Ｃと第２信号導体２１２Ｃとが並ぶ方向に対して略直交する構成になっているほど好ましい。

第２グランド導体４１０Ｃは、第１信号導体２１１Ｃよりも幅広である。第２グランド導体４１０Ｃは、第１信号導体２１１Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の他方側（図９における下面側）に配置されている。

第２グランド導体４１０Ｃは、長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃおよびブリッジ導体４１３Ｃを備える。長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃは、誘電体素体９０Ｃの長さ方向に沿って延びる形状からなる。長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃは、誘電体素体９０Ｃの幅方向において、第１信号導体２１１Ｃを挟むように配置されている。この際、長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃは、誘電体素体９０Ｃを厚み方向に視て、第１信号導体２１１Ｃと重ならないことが好ましい。ブリッジ導体４１３Ｃは、複数備えられており、長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃを延びる方向に沿って間隔を空けて接続している。長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃは、複数の層間接続導体５１０Ｃによって、第１グランド導体３０１Ｃの第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１に接続されている。

第４グランド導体３０２Ｃは、誘電体素体９０Ｃの長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第４グランド導体３０２Ｃは、自身の幅方向において、第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１、第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２、および、中間部３０２Ｃ３の３つの部分からなる。第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１、第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２、および、中間部３０２Ｃ３は、一体形成されている。これらの各部は、誘電体素体９０Ｃの幅方向に沿って第３信号導体２１３Ｃ側の側面から第２信号導体２１２Ｃ側の側面に向かって、第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１、中間部３０２Ｃ３、および、第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２の順に配置される。

第４グランド導体３０２Ｃの第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１は、第３信号導体２１３Ｃよりも幅広である。第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１は、第３信号導体２１３Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の他方側（図９における下面側）に配置されている。

第４グランド導体３０２Ｃの第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２は、第２信号導体２１２Ｃよりも幅広である。第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２は、第２信号導体２１２Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の一方側（図９における上面側）に配置されている。

第４グランド導体３０２Ｃの中間部３０２Ｃ３は、誘電体素体９０Ｃの幅方向において、第３信号導体２１３Ｃと第２信号導体２１２とＣの間に配置されている。第４グランド導体３０２Ｃは、全体として誘電体素体９０Ｃの厚み方向に直交する方向に平坦な形状である。すなわち、第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１、中間部３０２Ｃ３、および、第２信号導体用グランド部３０２Ｃ３は、誘電体素体９０Ｃの厚み方向において同じ位置に配置されている。

第６グランド導体３０３Ｃは、誘電体素体９０Ｃの長さ方向に沿って延びる長尺状で膜状の導体である。第６グランド導体３０３Ｃは、自身の幅方向において、第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１、第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２、および、中間部３０３Ｃ３の３つの部分からなる。第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１、第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２、および、中間部３０３Ｃ３は、一体形成されている。これらの各部は、誘電体素体９０Ｃの幅方向に沿って第３信号導体２１３Ｃ側の側面から第４信号導体２１４Ｃ側の側面に向かって、第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１、中間部３０３Ｃ３、および、第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２の順に配置される。

第６グランド導体３０３Ｃの第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１は、第３信号導体２１３Ｃよりも幅広である。第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１は、第３信号導体２１３Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の一方側（図９における上面側）に配置されている。

第６グランド導体３０３Ｃの第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２は、第４信号導体２１４Ｃよりも幅広である。第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２は、第４信号導体２１４Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の他方側（図９における下面側）に配置されている。

第６グランド導体３０３Ｃの中間部３０３Ｃ３は、誘電体素体９０Ｃの幅方向において、第３信号導体２１３Ｃと第４信号導体２１４Ｃとの間に配置されている。中間部３０３Ｃ３の膜面は、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に対して略平行な構成になっているほど好ましい。言い換えれば、中間部３０３Ｃ３の膜面は、第３信号導体２１３Ｃと第４信号導体２１４Ｃとが並ぶ方向に対して略直交する構成になっているほど好ましい。

第７グランド導体４４０Ｃは、第４信号導体２１４Ｃよりも幅広である。第７グランド導体４４０Ｃは、第４信号導体２１４Ｃに対して、誘電体素体９０Ｃの厚み方向の一方側（図９における上面側）に配置されている。

第７グランド導体４４０Ｃは、長尺導体４４１Ｃ，４４２Ｃおよびブリッジ導体４４３Ｃを備える。長尺導体４４１Ｃ，４４２Ｃは、誘電体素体９０Ｃの長さ方向に沿って延びる形状からなる。長尺導体４４１Ｃ，４４２Ｃは、誘電体素体９０Ｃの幅方向において、第４信号導体２１４Ｃを挟むように配置されている。この際、長尺導体４４１Ｃ，４４２Ｃは、誘電体素体９０Ｃを厚み方向に視て、第４信号導体２１４Ｃと重ならないことが好ましい。ブリッジ導体４４３Ｃは、複数備えられており、長尺導体４４１Ｃ，４４２Ｃを延びる方向に沿って間隔を空けて接続している。長尺導体４４１Ｃ，４４２Ｃは、複数の層間接続導体５４０Ｃによって、第６グランド導体３０３Ｃの第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２に接続されている。

このような構成により、図９に示すように、誘電体素体９０Ｃ内には、第１、第２、第３、第４伝送線路１０１Ｃ，１０２Ｃ，１０３Ｃ，１０４Ｃが構成される。第１伝送線路１０１Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に沿って、第１信号導体２１１Ｃを、第１グランド導体３０１Ｃの第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１と、第２グランド導体４１０Ｃで挟み込んだストリップライン型の伝送線路である。第２伝送線路１０２Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に沿って、第２信号導体２１２Ｃを、第１グランド導体３０１Ｃの第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２と、第４グランド導体３０２Ｃの第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２で挟み込んだストリップライン型の伝送線路である。第３伝送線路１０３Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に沿って、第３信号導体２１３Ｃを、第４グランド導体３０２Ｃの第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１と、第６グランド導体３０３Ｃの第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１で挟み込んだストリップライン型の伝送線路である。第４伝送線路１０４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に沿って、第４信号導体２１４Ｃを第６グランド導体３０３Ｃの第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２と、第７グランド導体４４０Ｃで挟みこんだストリップライン型の伝送線路である。

第１、第２、第３、第４伝送線路１０１Ｃ，１０２Ｃ，１０３Ｃ，１０４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの長さ方向に沿って延びる伝送線路である。第１伝送線路１０１Ｃと第２伝送線路１０２Ｃは、誘電体素体９０Ｃの幅方向に沿って配列されている。第１伝送線路１０１Ｃと第３伝送線路１０３Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に沿って配列されている。誘電体素体９０Ｃを平面視して、第１伝送線路１０１Ｃと第３伝送線路１０３Ｃは重なっている。第２伝送線路１０２Ｃと第４伝送線路１０４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向に沿って配列されている。誘電体素体９０Ｃを平面視して、第２伝送線路１０２Ｃと第４伝送線路１０４Ｃは重なっている。第３伝送線路１０３Ｃと第４伝送線路１０４Ｃは、誘電体素体９０Ｃの幅方向に沿って配列されている。

第１伝送線路１０１Ｃと第２伝送線路１０２Ｃとの間には、第１グランド導体３０１Ｃの中間部３０１Ｃ３が配置されている。中間部３０１Ｃ３は、第１信号導体２１１Ｃと第２信号導体２１２Ｃとの並ぶ方向に対して、略直交する膜面を備えている。これにより、第１信号導体２１１Ｃと第２信号導体２１２Ｃとの電磁界結合を抑制することができる。

第３伝送線路１０３Ｃと第４伝送線路１０４Ｃとの間には、第６グランド導体３０３Ｃの中間部３０３Ｃ３が配置されている。中間部３０３Ｃ３は、第３信号導体２１３Ｃと第４信号導体２１４Ｃとの並ぶ方向に対して、略直交する膜面を備えている。これにより、第３信号導体２１３Ｃと第４信号導体２１４Ｃとの電磁界結合を抑制することができる。

第１信号導体２１１Ｃと第３信号導体２１３Ｃとの間には、第１グランド導体３０１Ｃの第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１と、第４グランド導体３０２Ｃの第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１とが配置されている。これにより、第１信号導体２１１Ｃと第３信号導体２１３Ｃとの電磁界結合を抑制することができる。

第２信号導体２１２Ｃと第４信号導体２１４Ｃとの間には、第４グランド導体３０２Ｃの第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２と、第６グランド導体３０３Ｃの第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２とが配置されている。これにより、第２信号導体２１２Ｃと第４信号導体２１４Ｃとの電磁界結合を抑制することができる。

このような構成によって、第１信号導体２１１Ｃと第２信号導体２１２Ｃとが誘電体素体９０Ｃの幅方向に近接し、第３信号導体２１３Ｃと第４信号導体２１４Ｃとが誘電体素体９０Ｃの幅方向に近接し、第１信号導体２１１Ｃと第３信号導体２１３Ｃとが誘電体素体９０Ｃの厚み方向に近接し、第２信号導体２１２Ｃと第４信号導体２１４Ｃとが誘電体素体９０Ｃの厚み方向に近接していても、第１信号導体２１１Ｃ、第２信号導体２１２Ｃ、第３信号導体２１３Ｃ、および第４信号導体２１４Ｃの相互の電磁界結合を抑制できる。したがって、第１伝送線路１０１Ｃ、第２伝送線路１０２Ｃ、第３伝送線路１０３Ｃ、および第４伝送線路１０４Ｃの相互のアイソレーションを高く確保することができる。

また、上述の各実施形態と同様に、誘電体素体９０Ｃの幅を狭くすることができる。これにより、第１伝送線路１０１Ｃ、第２伝送線路１０２Ｃ、第３伝送線路１０３Ｃ、および第４伝送線路１０４Ｃの相互のアイソレーションを高く確保した小型の伝送線路部材１０Ｃを実現することができる。

また、本実施形態の構成では、厚み方向に沿った第１伝送線路１０１Ｃの第１信号導体２１１Ｃと第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１との間の領域と、厚み方向に沿った第２伝送線路１０２Ｃの第２信号導体２１２Ｃと第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２との間の領域とが、誘電体素体９０Ｃの厚み方向において重なっている。厚み方向に沿った第３伝送線路１０３Ｃの第３信号導体２１３Ｃと第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１との間の領域と、厚み方向に沿った第４伝送線路１０４Ｃの第４信号導体２１４Ｃと第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２との間の領域とが、誘電体素体９０Ｃの厚み方向において重なっている。これにより、誘電体素体９０Ｃを低背化でき、伝送線路部材１０Ｃを小型に形成することができる。

このように、誘電体素体９０Ｃに４つの伝送線路を内蔵しても、狭幅で低背な伝送線路部材１０Ｃを実現することができる。

なお、伝送線路部材１０Ｃにおける第１伝送線路１０１Ｃおよび第３伝送線路１０３Ｃのインピーダンスは、第１の実施形態に示した第１、第２伝送線路１０１，１０２のインピーダンスと同様に決定することができる。伝送線路部材１０Ｃにおける第２伝送線路１０２Ｃおよび第４伝送線路１０４Ｃのインピーダンスは、第２の実施形態に係る第２伝送線路１０２Ｂと同様に決定することができる。

また、伝送線路部材１０Ｃでは、第１グランド導体３０１Ｃの第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１と、第４グランド導体３０２Ｃの第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１とは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向において、近接している。また、第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１と第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１は複数の層間接続導体５９１によって接続されている。第４グランド導体３０２Ｃの第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２と、第６グランド導体３０３Ｃの第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２とは、誘電体素体９０Ｃの厚み方向において、近接している。また、第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２と第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２は複数の層間接続導体５９２によって接続されている。これにより、グランド導体間の電位差を抑制できる。

誘電体素体９０Ｂを平面視して、層間接続導体５９１は、層間接続導体５１０，５３０に重なる位置に配置されている。これにより、第１グランド導体３０１Ｃの第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１と、第４グランド導体３０２Ｃの第３信号導体用グランド部３０２Ｃ１が、誘電体素体９０Ｃの成型時に変形することを抑制できる。層間接続導体５９２は、層間接続導体５２０，５４０に重なる位置に配置されている。これにより、第４グランド導体３０２Ｃの第２信号導体用グランド部３０２Ｃ２と、第６グランド導体３０３Ｃの第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２が、誘電体素体９０Ｃの成型時に変形することを抑制できる。これにより、成型によって信号導体とグランド導体との位置関係が変化することを抑制でき、所望とするインピーダンスを実現することができる。

このような構造の伝送線路部材１０Ｃは、例えば次に示すように製造される。

図１０に示すように、誘電体層９０１Ｃ，９０２Ｃ，９０３Ｃ，９０４Ｃ，９０５Ｃ，９０６Ｃ，９０７Ｃ，９０８Ｃ，９０９Ｃ，９１０Ｃ，９１１Ｃ，９１２Ｃ，９１３Ｃを用意する。各誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃは、例えば、液晶ポリマを主成分とする材料からなる誘電体フィルムに対して、必要に応じて所定の導体パターンを形成することで得られる。

誘電体層９０１Ｃは、導体が形成されていない誘電体フィルムからなる。誘電体層９０１Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅と略同じである。

誘電体層９０２Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０２Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０２Ｃの表面には第２グランド導体４１０Ｃが形成されている。誘電体層９０２Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略半分（１／２）である。誘電体層９０２Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の一方端側の半分の位置に配置されている。

誘電体層９０３Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０３Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０３Ｃの表面には第１信号導体２１１Ｃおよびビア用補助導体５１１が形成されている。誘電体層９０３Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略半分（１／２）である。誘電体層９０２Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の一方端側の半分の位置に、誘電体層９０２Ｃに重なるように配置されている。

ビア用補助導体５１１は、誘電体層９０２Ｃを誘電体層９０３Ｃに重ねあわせたとき、第２グランド導体４１０Ｃの長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃと重なる領域に設けられている。誘電体層９０３Ｃには、誘電体層９０２Ｃと重ねあわせたときに第２グランド導体４１０Ｃの長尺導体４１１Ｃ，４１２Ｃと重なる領域（ビア用補助導体５１１と重なる領域）に、厚み方向に貫通する複数の貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、ビア用補助導体５１１とともに層間接続導体５１０Ｃの一部を構成する。

誘電体層９０４Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０４Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０４Ｃの表面には、第１グランド導体３０１Ｃが形成される。誘電体層９０４Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅と略同じである。第１グランド導体３０１Ｃは、誘電体層９０４Ｃの略全面に形成されている。第１グランド導体３０１Ｃは、誘電体層９０４Ｃの幅方向の両端面に達しない方が好ましい。これにより、第１グランド導体３０１Ｃが外部回路に対して不要に短絡することを抑制できる。

誘電体層９０４Ｃには、誘電体層９０３Ｃと重ね合わせた状態で誘電体層９０３Ｃのビア用補助導体５１１と重なり合う位置に複数の貫通孔が設けられており、各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、層間接続導体５１０の一部を構成する。

誘電体層９０５Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０５Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０５Ｃの表面には、第２信号導体２１２Ｃおよびビア用補助導体５２１が形成されている。誘電体層９０５Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略１／２である。誘電体層９０５Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の他方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５２１は、誘電体層９０５Ｃの幅方向において第２信号導体２１２Ｃを挟むように設けられている。誘電体層９０５Ｃには、ビア用補助導体５２１と重なる領域に貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、ビア用補助導体５２１とともに層間接続導体５２０Ｃの一部を構成する。

誘電体層９０６Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０６Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０６Ｃの表面には、ビア用補助導体５２１が形成されている。誘電体層９０６Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略１／２である。誘電体層９０６Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の他方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５２１は、誘電体層９０６Ｃを誘電体層９０５Ｃに重ねあわせた状態において、誘電体層９０５Ｃのビア用補助導体５２１と重なる位置に設けられている。誘電体層９０６Ｃには、ビア用補助導体５２１と重なる領域に貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、ビア用補助導体５２１とともに層間接続導体５２０の一部を構成する。誘電体層９０６Ｃは、第２信号導体２１２Ｃと第４グランド導体３０２Ｃとの距離を所定値にして第２伝送線路１０２Ｃのインピーダンスを調整するための誘電体層である。

誘電体層９０７Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０７Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０７Ｃの表面には、第４グランド導体３０２Ｃが形成される。誘電体層９０７Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅と略同じである。第４グランド導体３０２Ｃは、誘電体層９０７Ｃの略全面に形成されている。第４グランド導体３０２Ｃは、誘電体層９０７Ｃの幅方向の両端面に達しない方が好ましい。これにより、第４グランド導体３０２Ｃが外部回路に対して不要に短絡することを抑制できる。

誘電体層９０７Ｃには、幅方向の一方端側の半分の領域に、複数の貫通孔が設けられており、各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。幅方向の一方端側の半分の領域に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、層間接続導体５９１を構成する。

誘電体層９０８Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０８Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０８Ｃの表面には、第３信号導体２１３Ｃおよびビア用補助導体５３１が形成されている。誘電体層９０８Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略１／２である。誘電体層９０８Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の一方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５３１は、誘電体層９０８Ｃの幅方向において第３信号導体２１３Ｃを挟むように設けられている。誘電体層９０８Ｃには、ビア用補助導体５３１と重なる領域に貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、ビア用補助導体５３１とともに層間接続導体５３０Ｃの一部を構成する。

誘電体層９０９Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９０９Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９０９Ｃの表面には、ビア用補助導体５３１が形成されている。誘電体層９０９Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略１／２である。誘電体層９０９Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の一方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５３１は、誘電体層９０９Ｃを誘電体層９０８Ｃに重ねあわせた状態において、誘電体層９０８Ｃのビア用補助導体５３１と重なる位置に設けられている。誘電体層９０８Ｃには、ビア用補助導体５３１と重なる領域に貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、ビア用補助導体５３１とともに層間接続導体５３０Ｃの一部を構成する。誘電体層９０９Ｃは、第３信号導体２１３Ｃと第６グランド導体３０３Ｃとの距離を所定値にして第３伝送線路１０３Ｃのインピーダンスを調整するための誘電体層である。

誘電体層９１０Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９１０Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９１０Ｃの表面には、第６グランド導体３０３Ｃが形成される。誘電体層９１０Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅と略同じである。第６グランド導体３０３Ｃは、誘電体層９１０Ｃの略全面に形成されている。第６グランド導体３０３Ｃは、誘電体層９１０Ｃの幅方向の両端面に達しない方が好ましい。これにより、第６グランド導体３０３Ｃが外部回路に対して不要に短絡することを抑制できる。

誘電体層９１０Ｃには、幅方向の他方端側の半分の領域に、複数の貫通孔が設けられており、各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。幅方向の一方端側の半分の領域に形成された貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、層間接続導体５９２を構成する。

誘電体層９１１Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９１１Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９１１Ｃの表面には、第４信号導体２１４Ｃおよびビア用補助導体５４１が形成されている。誘電体層９１１Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略１／２である。誘電体層９１１Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の他方端側の半分の位置に配置されている。ビア用補助導体５４１は、誘電体層９１１Ｃの幅方向において第４信号導体２１４Ｃを挟むように設けられている。誘電体層９１１Ｃには、ビア用補助導体５４１と重なる領域に貫通孔が設けられている。各貫通孔には導電性ペーストが充填されている。この貫通孔に充填された導電性ペーストが、誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃの加熱圧着によって、ビア用補助導体５４１とともに層間接続導体５４０Ｃの一部を構成する。

誘電体層９１２Ｃは、片面に導体（例えば、銅（Ｃｕ））が貼り付けられた誘電体フィルムからなる。図１０に示すように、誘電体層９１２Ｃの表面の導体に対してパターニング処理等を施すことによって、誘電体層９１２Ｃの表面には第７グランド導体４４０Ｃが形成されている。誘電体層９１２Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅の略半分（１／２）である。誘電体層９１２Ｃは、誘電体素体９０Ｃにおける幅方向の他方端側の半分の位置に配置されている。

誘電体層９１３Ｃは、導体が形成されていない誘電体フィルムからなる。誘電体層９１３Ｃの幅は、誘電体素体９０Ｃの幅と略同じである。

このような構成からなる誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃを、図１０に示すように、誘電体層９０１Ｃ、誘電体層９０２Ｃ、誘電体層９０３Ｃ、誘電体層９０４Ｃ、誘電体層９０５Ｃ、誘電体層９０６Ｃ、誘電体層９０７Ｃ、誘電体層９０８Ｃ、誘電体層９０９Ｃ、誘電体層９１０Ｃ、誘電体層９１１Ｃ、誘電体層９１２Ｃ、および誘電体層９１３Ｃの順に積層する。

誘電体層９０１Ｃ−９１３Ｃが積層されると、この積層体は、積層方向の両端から金型で挟み込まれ、所定の条件で加熱圧着される。これにより、第１グランド導体３０１Ｃが形成された誘電体層９０４Ｃは幅方向の途中位置（より具体的には積層体を積層方向に視たときの誘電体層９０３Ｃの領域と誘電体層９０５Ｃの領域との境界）で曲がる。これにより、第１グランド導体３０１Ｃは、平膜面が積層方向（厚み方向）と略平行な中間部３０１Ｃ３と、該中間部３０１Ｃ３でつなげられたそれぞれ平膜面が積層方向に直交する第１信号導体用グランド部３０１Ｃ１および第２信号導体用グランド部３０１Ｃ２とに形づけられる。第６グランド導体３０３Ｃが形成された誘電体層９１０Ｃは幅方向の途中位置（より具体的には積層体を積層方向に視たときの誘電体層９０９Ｃの領域と誘電体層９１１Ｃの領域との境界）で曲がる。これにより、第６グランド導体３０３Ｃは、平膜面が積層方向（厚み方向）と略平行な中間部３０３Ｃ３と、該中間部３０３Ｃ３でつなげられたそれぞれ平膜面が積層方向に直交する第３信号導体用グランド部３０３Ｃ１および第４信号導体用グランド部３０３Ｃ２とに形づけられる。なお、第４グランド導体３０２Ｃは、幅方向の一方端側の半分に積層される誘電体層の厚みと他方端側の半分に積層される誘電体層の厚みが同じであるので、平坦である。

このように、本実施形態の製造方法を用いることで、上述の伝送線路部材１０Ｃを容易に製造することができる。

なお、第３、第４の実施形態に係る構成の層間接続導体に対して、第２の実施形態に係る構成の層間接続導体を適用することも可能である。

１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ：伝送線路部材
９０，９０Ｂ，９０Ｃ：誘電体素体
１０１，１０１Ｂ，１０１Ｃ：第１伝送線路
１０２，１０２Ｂ，１０２Ｃ：第２伝送線路
１０３Ｂ，１０３Ｃ：第３伝送線路
１０４Ｃ：第４伝送線路
２１１，２１１Ｂ，２１１Ｃ：第１信号導体
２１２，２１２Ｂ，２１２Ｃ：第２信号導体
２１３Ｂ，２１３Ｃ：第３信号導体
２１４Ｃ：第４信号導体
３００，３０１Ｂ，３０１Ｃ：第１グランド導体
３０１Ｂ１，３０１Ｃ１：第１信号導体用グランド部
３０１Ｂ２，３０１Ｃ２：第２信号導体用グランド部
３０１Ｂ３，３０１Ｃ３：中間部
３０２Ｂ，３０２Ｃ：第４グランド導体
３０２Ｂ１，３０２Ｃ１：第３信号導体用グランド部
３０２Ｂ２，３０２Ｃ２：第２信号導体用グランド部
３０２Ｂ３，３０２Ｃ３：中間部
３０３Ｃ：第６グランド導体
３０３Ｃ１：第３信号導体用グランド部
３０３Ｃ２：第４信号導体用グランド部
３０３Ｃ３：中間部
３１１：第１信号導体用グランド部
３１２：第２信号導体用グランド部
３２０：中間部
４１０，４１０Ｂ，４１０Ｃ：第２グランド導体
４１１，４１２，４１１Ｂ，４１２Ｂ，４１１Ｃ，４１２Ｃ：長尺導体
４１３，４１３Ｂ，４１３Ｃ：ブリッジ導体
４２０：第３グランド導体
４２１，４２２：長尺導体
４２３：ブリッジ導体
４３０Ｂ：第５グランド導体
４３１Ｂ，４３２Ｂ：長尺導体
４３３Ｂ：ブリッジ導体
４４０Ｃ：第７グランド導体
４４１Ｃ，４４２Ｃ：長尺導体
４４３Ｃ：ブリッジ導体
５１０，５２０，５３０，５４０，５９０，５９１，５９２，５１０Ａ，５２０Ａ，５１０Ｂ，５２０Ｂ，５３０Ｂ，５１０Ｃ，５２０Ｃ，５３０Ｃ，５４０Ｃ：層間接続導体
５１１，５２１，５３１，５４１：ビア用補助導体
９０１，９０２，９０３，９０４，９０５，９０６，９０７，９０１Ｂ，９０２Ｂ，９０３Ｂ，９０４Ｂ，９０５Ｂ，９０６Ｂ，９０７Ｂ，９０８Ｂ，９０９Ｂ，９０１Ｃ，９０２Ｃ，９０３Ｃ，９０４Ｃ，９０５Ｃ，９０６Ｃ，９０７Ｃ，９０８Ｃ，９０９Ｃ，９１０Ｃ，９１１Ｃ，９１２Ｃ，９１３Ｃ：誘電体層
９９０：凹部

Claims (5)

1. 複数の誘電体層を積層してなる平板状の誘電体素体と、
   前記誘電体素体の内部に配置され、高周波信号の伝送方向に沿って延びる形状からなり、前記伝送方向に直交する前記誘電体素体の幅方向において離間して配置されている第１信号導体および第２信号導体と、
   前記誘電体素体の内部に配置され、前記第１信号導体と前記第２信号導体とに共通の第１グランド導体と、
   を備え、
   前記第１グランド導体は、
   １つの前記誘電体層上に膜状に形成されており、
   前記第１信号導体に対して前記誘電体素体の厚み方向の一方側に配置され、前記第１信号導体の主表面に対向する第１信号導体用グランド部と、
   前記第２信号導体に対して前記厚み方向の他方側に配置され、前記第２信号導体の主表面に対向する第２信号導体用グランド部と、
   前記第１信号導体用グランド部と前記第２信号導体用グランド部とをつなぐ中間部と、を備え、
   前記誘電体素体の厚み方向に沿って、前記第１信号導体と前記第１信号導体用グランド部との間の領域を第１領域とし、前記第２信号導体と前記第２信号導体用グランド部との間の領域を第２領域とし、
   前記第２領域の前記厚み方向の他方端側の端部は、前記第１領域の前記厚み方向の一方端側の端部に対して、前記誘電体素体の厚み方向の他方側に配置されている、
   伝送線路部材。
2. 前記厚み方向において、前記第１信号導体を基準に前記第１信号導体用グランド部と反対側に配置された第２グランド導体と、
   前記厚み方向において、前記第２信号導体を基準にして前記第２信号導体用グランド部と反対側に配置された第３グランド導体と、
   をさらに備える、
   請求項１に記載の伝送線路部材。
3. 前記誘電体素体の厚み方向において、前記第２信号導体を基準にして前記第１グランド導体と反対側に一部が配置され、前記誘電体素体の幅方向の略全域に形成された第４グランド導体と、
   前記誘電体素体の厚み方向において、前記第１グランド導体と前記第４グランド導体を基準にして前記第１信号導体と反対側に配置された第３信号導体と、
   をさらに備え、
   前記第４グランド導体における前記第３信号導体に対向する部分は、前記第２信号導体に対向する部分よりも、前記第１信号導体側に配置されている、
   請求項１に記載の伝送線路部材。
4. 前記誘電体素体の厚み方向において、前記第３信号導体を基準にして前記第４グランド導体と反対側に一部が配置され、前記誘電体素体の幅方向の略全域に形成された第６グランド導体と、
   前記誘電体素体の厚み方向において、前記第４グランド導体と前記第６グランド導体を基準にして前記第２信号導体と反対側に配置された第４信号導体と、
   をさらに備え、
   前記第６グランド導体における前記第４信号導体に対向する部分は、前記第３信号導体に対向する部分よりも、前記第２信号導体側に配置されている、
   請求項３に記載の伝送線路部材。
5. 複数の誘電体層を積層してなる平板状の誘電体素体と、
   前記誘電体素体の内部に配置され、高周波信号の伝送方向に沿って延びる形状からなり、前記伝送方向に直交する前記誘電体素体の幅方向において離間して配置されている第１信号導体および第２信号導体と、
   前記誘電体素体の内部に配置され、前記第１信号導体と前記第２信号導体とに共有の第１グランド導体と、
   を備えた伝送線路部材の製造方法であって、
   前記誘電体素体の幅よりも狭い幅からなり前記第１信号導体が形成された第１誘電体層と、前記誘電体素体の幅よりも狭い幅からなり前記第２信号導体が形成された第２誘電体層と、前記誘電体素体の幅と略同じ幅からなり前記第１グランド導体が形成された第３誘電体層とを、積層方向に沿って、前記第１誘電体層、前記第３誘電体層、前記第２誘電体層の順で積層する積層工程と、
   積層された前記第１誘電体層、前記第３誘電体層、前記第２誘電体層を加熱圧着することで、前記第１誘電体層、前記第３誘電体層、前記第２誘電体層を含む誘電体素体を形成する加熱圧着工程と、を有し、
   前記積層工程は、
   前記第１誘電体層、前記第３誘電体層、前記第２誘電体層が積層された状態にて積層方向に視て、前記第１誘電体層と前記第２誘電体層とが重ならないように配置されている、
   伝送線路部材の製造方法。

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