JP6461871B2 - 変換器 - Google Patents

Description

実施形態は、ストリップ線路と同軸コネクタとを接続する変換器に関する。

平面アンテナ等のアンテナ基板は、積層構造を有する。積層構造は導体板および誘電体基板からなるストリップ線路を含み、ストリップ線路はその内部に信号線を含む。ストリップ線路内の信号線に高周波信号を給電するために、同軸−ストリップ線路変換器が提案されている。この変換器は、ストリップ線路内の信号線と同軸コネクタの内部導体とを接続する。具体的には、ストリップ線路の積層構造に、これを貫通するスルーホールが設けられる。そして、スルーホール内に導電体のビアが設けられる。このビアを介して、ストリップ線路内の信号線と同軸コネクタの内部導体とが電気的に接続される。

このとき、ビアの中央部付近（一端と他端の間）が信号線に接続され、ビアの一端が同軸コネクタの内部導体に接続される。一方、ビアの他端は、いずれにも接続されない。すなわち、ビアの他端はオープンスタブになる。オープンスタブが存在することで、不整合損失が増加してしまう。

また、誘電体基板の熱膨張係数とビア材料の熱膨張係数との差が大きいと、これらの温度変化による体積膨張が異なる。このため、長期間の使用によってビアが断線し、変換器の伝送損失が増加してしまう。すなわち、ビアの信頼性が劣化する。この問題は、ストリップ線路の積層構造の積層数（誘電体基板数）が多くなり、スルーホール（ビア）のアスペクト比が大きくなると、顕著になる。

一方、ビルドアップ法によって多層基板が生成され、基板内の一部にビアが設けられる方法がある。これにより、オープンスタブの問題を回避することができる。しかし、ビルドアップ法において、例えば誘電体基板としてＰＴＦＥ（ポリテトラフルエチレン）が用いられる場合、製造が困難であり、製造コストが増加してしまう。

特開２００５−１８３８９０号公報 特開２０１１−１８７６８３号公報 実開平０２−０７９６０３号公報

以上のように、従来の同軸−ストリップ線路変換器では、不整合損失の増加、信頼性の劣化、および製造コストの増加といった問題が生じていた。

実施形態では、不整合損失の増加を回避しつつ、信頼性の劣化の抑制および製造コストの増加の抑制を図る変換器を提供する。

実施形態による変換器は、第１誘電体基板と、前記第１誘電体基板の上方に、第１接着層を介して設けられる第２誘電体基板と、前記第１誘電体基板と前記第２誘電体基板との間に設けられる第１信号線と、前記第１誘電体基板を貫通し、上方側で前記第１信号線に接続される第１ビアと、前記第１誘電体基板の下方および前記第２誘電体基板の上方の少なくともいずれか一方に設けられた第１導体板と、前記第１誘電体基板を貫通し、前記第１ビアの周囲に設けられた複数の第２ビアと、前記第１誘電体基板の上面に形成され、前記複数の第２ビアと接続される複数の第１ランドと、前記第２誘電体基板を貫通し、前記複数の第２ビアと対応する位置に設けられた複数の第３ビアと、前記第２誘電体基板の下面に形成され、前記複数の第３ビアと接続される複数の第２ランドと、を具備する。

第１実施形態に係る変換器を示す平面図。 第１実施形態に係る変換器を示す断面図。 第１実施形態に係る変換器の製造工程を示す図。 図３に続く、第１実施形態に係る変換器の製造工程を示す図。 図４に続く、第１実施形態に係る変換器の製造工程を示す図。 図５に続く、第１実施形態に係る変換器の製造工程を示す図。 第２実施形態に係る変換器を示す断面図。 第２実施形態に係る変換器の変形例を示す断面図。 第３実施形態に係る変換器を示す平面図。 第３実施形態に係る変換器を示す断面図。

本実施形態を以下に図面を参照して説明する。図面において、同一部分には同一の参照符号を付す。

＜第１実施形態＞
以下に図１乃至図６を用いて、第１実施形態に係る変換器について説明する。以下の説明において、変換器は、同軸−ストリップ線路変換器であり、同軸線路（同軸コネクタ）とストリップ線路との接続部分を示す。

（第１実施形態における構成）
図１は、第１実施形態に係る変換器を示す平面図である。図２は、第１実施形態に係る変換器を示す断面図であり、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。

以下の説明において、上方とはＺ方向の上方側を示し、下方とはＺ方向の下方側を示す。また、上面とはＺ方向の上方側の面を示し、下面とはＺ方向の下方側の面を示す。また、これらの上下関係は入れ替えてもよい。

図１および図２に示すように、第１実施形態における変換器は、積層構造１００および同軸コネクタ２００を備える。

同軸コネクタ２００は、図示せぬ内部導体、外部導体、およびこれらの間の誘電体を含む。内部導体はＺ方向に延びる円柱状である。外部導体は、Ｚ方向に延びる円筒状であり、内部導体および誘電体の周囲を覆う。外部導体は、グランドに接続され、内部導体から外部への高周波信号の漏洩を防ぐ。

積層構造１００は、例えば平面アンテナであり、ストリップ線路を備える。積層構造１００は、誘電体基板１０，２０を含む。誘電体基板１０，２０はそれぞれ、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平板である。また、誘電体基板１０，２０は、Ｚ方向に積層される。

誘電体基板１０の下面上には、導体板１１が設けられる。導体板１１は、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平板である。導体板１１は、グランドに接続され、信号線１３から外部への無線信号（高周波信号、高周波電流）の漏洩を防止する。誘電体基板１０の上面上には、信号線１３が設けられる。信号線１３は、Ｘ方向に延びる線状である。信号線１３は、例えば図示せぬ放射素子に接続される。信号線１３は、導電体を含み、高周波信号を伝搬する。

誘電体基板１０内には、これを貫通するビア１０Ｖが設けられる。ビア１０Ｖは、円柱状の導電体である。ビア１０Ｖは、一端（上方側）で信号線１３に接続され、他端（下方側）でランド１２に接続される。ランド１２は、導体板１１の開口部に設けられる。ランド１２は、導体板１１と同一の層であり、導体板１１から絶縁分離される。ビア１０Ｖは、ランド１２を介して、同軸コネクタ２００の内部導体に接続される。すなわち、同軸コネクタ２００の内部導体からランド１２およびビア１０Ｖを介して信号線１３に高周波信号が給電される。

誘電体基板２０の上面上には、導体板２１が設けられる。導体板２１は、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平板である。導体板２１は、グランドに接続され、信号線１３から外部への高周波信号の漏洩を防止する。

誘電体層１０の上方側（上面側）と誘電体層２０の下方側（下面側）とは、接着層３０によって接着される。接着層３０は、絶縁体である。

なお、信号線１３に対応する導体板１１，２１は、少なくともいずれか一方が設けられればよい。

（第１実施形態における製造方法）
図３乃至図６は、第１実施形態に係る変換器の製造工程を示す図である。第１実施形態では、誘電体基板１０，２０ごとに、ビアが形成される。

まず、図３に示すように、両面に銅の導体板が設けられた誘電体基板１０，２０が用いられる。より具体的には、誘電体基板１０の下面上には導体板１１が設けられ、上面上には導体板１３が設けられる。また、誘電体基板２０の下面上には導体板２６が設けられ、上面上には導体板基板２１が設けられる。

次に、図４に示すように、誘電体基板１０および導体板１１，１３に、これを貫通するホール１０Ｈが形成される。ホール１０Ｈは、例えば円柱状である。ホール１０Ｈは、例えばドリル加工により形成されるが、これに限らず、レーザ加工によって形成されてもよい。

次に、図５に示すように、誘電体基板１０のホール１０Ｈ内に、例えば銅等の導電体のビア１０Ｖが形成される。ビア１０Ｖは、例えばめっきによって形成される。なお、図面において、ビア１０Ｖがホール１０Ｈ内に充填されているが、これに限らない。ビア１０Ｖは、ホール１０Ｈ内の内面のみに形成されてもよい。この場合、ホール１０Ｈ内のビア１０Ｖの内側には、例えば導電性樹脂または非導電性樹脂等が充填される。また、ホール１０Ｈ内は、充填されず、空洞であってもよい。その後、ビア１０Ｖの両面に後にランドとなる導電体が設けられる。この導電体は、図面において、導体板１１，１３の一部として示している。

次に、図６に示すように、誘電体基板１０の上面上の導体板１３がエッチングによりパターニングされることで、信号線１３が形成される。また、誘電体基板１０の下面上の導体板１１がエッチングによりパターニングされることで、導体板１１とランド１２とが絶縁分離される。このとき、必要に応じて、導体板１１の不要箇所もエッチングにより除去されてもよい。

一方、誘電体基板２０の下面上の導体板２６は、エッチングにより除去される。このとき、必要に応じて、誘電体基板２０の上面上の導体板２１の不要箇所もエッチングにより除去されてもよい。

なお、導体板１１，１３，２１，２６のエッチング順は、特に限定されない。

その後、誘電体基板１０の上方側と誘電体基板２０の下方側とが、接着層３０によって接着される。これらは、例えば加熱プレスによって接着される。このとき、ホール１０Ｈ内が充填されていない場合、ホール１０Ｈ内の一部に接着層３０が形成されてもよい。

このようにして、第１実施形態における変換器が形成される。

（第１実施形態における効果）
上記第１実施形態によれば、積層構造１００は、誘電体基板１０，２０を含む。誘電体基板１０と誘電体基板２０との間に、信号線１３が設けられる。そして、誘電体基板１０を貫通するビア１０Ｖが設けられ、ビア１０Ｖは信号線１３と同軸コネクタ２００との間に位置する。すなわち、ビア１０Ｖの一端が信号線１３に接続され、他端がランド１２を介して同軸コネクタに接続される。このため、ビア１０Ｖの一端および他端がショートスタブとなり、オープンスタブが存在しない。これにより、オープンスタブに伴う不整合損失の問題を回避することができる。

また、上記第１実施形態によれば、積層構造１００のうち誘電体基板１０のみに、ビア１０Ｖが設けられる。すなわち、ビア１０ＶのＺ方向の寸法は、積層構造１００のＺ方向の寸法の半分程度である。このため、第１実施形態では、ビア１０Ｖが積層構造１００のＺ方向のすべてを貫通する場合と比べて、ビア１０Ｖのアスペクト比が小さくなる。したがって、誘電体基板材料の熱膨張係数とビア材料の熱膨張係数とが異なる場合のビアのアスペクト比の増加に伴うビアの信頼性の劣化を抑制することができる。

さらに、上記第１実施形態によれば、誘電体基板１０にビア１０Ｖが形成された後に、誘電体１０と誘電体基板２０とが接着層３０によって接着される。このため、製造工程が容易であり、製造コストの増加を抑制することができる。

＜第２実施形態＞
以下に図７および図８を用いて、第２実施形態に係る変換器について説明する。第２実施形態において、上記第１実施形態と異なる点は、３層以上の誘電体基板１０，２０，４０，５０が積層される（多層基板が形成される）点である。

なお、第２実施形態では、上記第１実施形態と同様の点については説明を省略し、主に異なる点について説明する。

（第２実施形態における構造）
図７は、第２実施形態に係る変換器を示す断面図である。

図７に示すように、第１実施形態における変換器は、積層構造１００および同軸コネクタ２００を備える。

積層構造１００は、誘電体基板１０，２０，４０，５０を含む。誘電体基板１０，２０，４０，５０はそれぞれ、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平板である。また、誘電体基板１０，２０，４０，５０は、Ｚ方向に積層される。

誘電体基板１０の下面上には、導体板１１が設けられる。導体板１１は、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平板である。導体板１１は、グランドに接続される。誘電体基板１０内には、これを貫通するビア１０Ｖが設けられる。ビア１０Ｖは、一端（上方側）でランド１４に接続され、他端（下方側）でランド１２に接続される。ランド１２は、導体板１１の開口部に設けられる。ランド１２は、導体板１１と同一の層であり、導体板１１から絶縁分離される。ビア１０Ｖは、ランド１２を介して、同軸コネクタ２００の内部導体に接続される。

誘電体基板２０内には、これを貫通するビア２０Ｖが設けられる。ビア２０Ｖは、一端（上方側）でランド２２に接続され、他端（下方側）でランド２７に接続される。ビア２０Ｖは、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平面においてビア１０Ｖに対応する位置に設けられる。言い換えると、ビア２０Ｖは、ビア１０ＶをＺ方向に投影した位置に設けられる。

誘電体層１０の上方側と誘電体層２０の下方側とは、接着層３０Ａによって接着される。接着層３０Ａは、絶縁体である。

誘電体基板４０の下面上には、導体板４１が設けられる。導体板４１は、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平板である。導体板４１は、グランドに接続され、信号線４３から外部への高周波信号の漏洩を防止する。誘電体基板４０の上面上には、信号線４３が設けられる。信号線４３は、Ｘ方向に延びる線状である。信号線４３は、例えば図示せぬ放射素子に接続される。信号線４３は、導電体を含み、高周波信号を伝搬する。

誘電体基板４０内には、これを貫通するビア４０Ｖが設けられる。ビア４０Ｖは、一端（上方側）で信号線４３に接続され、他端（下方側）でランド４２に接続される。ランド４２は、導体板４１の開口部に設けられる。導体板４１と同一の層であり、導体板４１から絶縁分離される。ビア４０Ｖは、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平面においてビア１０Ｖ，２０Ｖに対応する位置に設けられる。言い換えると、ビア４０Ｖは、ビア１０Ｖ，２０ＶをＺ方向に投影した位置に設けられる。

誘電体層２０の上方側と誘電体層４０の下方側とは、接着層３０Ｂによって接着される。接着層３０Ｂは、絶縁体である。

誘電体基板５０の上面上には、導体板５１が設けられる。導体板５１は、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平板である。導体板５１は、グランドに接続され、信号線４３から外部への高周波信号の漏洩を防止する。

誘電体層４０の上方側と誘電体層５０の下方側とは、接着層３０Ｃによって接着される。接着層３０Ｃは、絶縁体である。

上述したように、第２実施形態では、ビア１０Ｖ，２０Ｖ，４０Ｖ、およびランド１２，１４，２２，２７，４２がＸ方向およびＹ方向に拡がる平面において対応する位置に設けられる。

このとき、ランド１４とランド２７との間には接着層３０Ａが設けられる。すなわち、ランド１４とランド２７とは、直接接していない。このため、ランド１４とランド２７との間には、直流電流は流れない。しかしながら、発明者らは、ランド１４とランド２７との間に交流電流である高周波信号が流れることを見出した。これは、ランド１４、ランド２７、およびこれらの間の接着層３０Ａによってコンデンサが構成され、このコンデンサの容量結合によって高周波信号が流れるためである。ランド２２、ランド４２、およびこれらの間の接着層３０Ｂにおいても、同様の現象が生じる。これにより、同軸コネクタ２００の内部導体からビア１０Ｖ，２０Ｖ，４０Ｖ、およびランド１２，１４，２２，２７，４２を介して信号線４３に高周波信号が給電される。

ここで、高周波信号とは、周波数１ＧＨｚ以上程度の信号を示す。

なお、加熱プレスの積層工程においてランド１４とランド２７との間の接着層３０Ａが破断し、ランド１４とランド２７とが直接接してもよい。この場合であっても、ランド１４とランド２７との間に、高周波信号は流れる。ランド２２とランド４２との間についても同様である。

また、誘電体基板１０の上面上には、信号線１７が設けられる。信号線１７は、Ｘ方向に延びる線状である。信号線１７は、例えば図示せぬ放射素子に接続される。信号線１７は、導電体を含み、高周波信号を伝搬する。誘電体基板１０内には、これを貫通するビア１０Ｖ＿２が設けられる。ビア１０Ｖ＿２は、一端（上方側）で信号線１７に接続され、他端（下方側）でランド１６に接続される。

ランド１６は、導体板１１の開口部に設けられる。ランド１６は、導体板１１と同一の層であり、導体板１１から絶縁分離される。ビア１０Ｖ＿２は、ランド１６を介して、同軸コネクタ２００とは別の図示せぬ同軸コネクタの内部導体に接続される。すなわち、図示せぬ同軸コネクタの内部導体からランド１６およびビア１０Ｖ＿２を介して信号線１７に高周波信号が給電される。

なお、信号線４３に対応する導体板４１，５１は、少なくともいずれか一方が設けられればよい。同様に、信号線２３に対応する導体板１１，４１は、少なくともいずれか一方が設けられればよい。

（第２実施形態における効果）
上記第２実施形態によれば、積層構造１００は、誘電体基板１０，２０，４０，５０を含む。誘電体基板４０と誘電体基板５０との間に、信号線４３が設けられる。そして、誘電体基板１０を貫通するビア１０Ｖ、誘電体基板２０を貫通する２０Ｖ、および誘電体基板４０を貫通するビア４０Ｖが設けられる。ビア１０Ｖ，２０Ｖ，４０Ｖは、信号線４３と同軸コネクタ２００との間に位置する。ビア１０Ｖの一端はランド１２に接続され、ビア１０Ｖの他端はランド１４に接続される。また、ビア２０Ｖの一端はランド２７に接続され、ビア２０Ｖの他端はランド２２に接続される。ビア４０Ｖの一端はランド４２に接続される。

このとき、ランド１４とランド２７との間に、接着層３０Ａ（絶縁体）が設けられる。これらランド１４、ランド２７、および接着層３０Ａによってコンデンサが構成されるため、ランド１４とランド２７との間に高周波信号を流すことができる。ランド２２とランド４２との間についても同様である。これにより、積層構造１００の積層数が多くなった場合であっても、信号線４３と同軸コネクタ２００との間にビア１０Ｖ，２０Ｖ，４０Ｖおよびランド１２，１４，２１，２２，４２を介して高周波信号を流すことができる。これにより、積層構造１００の積層数が多くなった場合であっても、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

（第２実施形態における変形例）
図８は、第２実施形態に係る変換器の変形例を示す断面図である。

図８に示すように、変形例では、導体板５１に開口部が設けられ、誘電体基板５０にホール５０Ｈが設けられる。ホール５０Ｈは、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平面においてビア１０Ｖ，２０Ｖ，４０Ｖに対応する位置に設けられる。ホール５０Ｈ内の一部には、接着層３０Ｃが充填される。

ホール５０Ｈは、製造工程において、ビア１０Ｖ，２０Ｖ，４０Ｖが設けられるホールとともに形成される。すなわち、誘電体基板１０，２０，４０，５０の共通位置に、例えばドリルにより一括してホールが形成される。そして、誘電体基板１０，２０，４０，５０のホール内にビアが形成される。このとき、ホール５０Ｈには、ビアが不要である。このため、次に、エッチングにより導体板５１に開口部が形成され、ホール５０Ｈ内のビアが除去される。その後、各誘電体基板間が接着層を介して接着される際、ホール５０Ｈ内の一部に接着層３０Ｃが充填される。このとき、誘電体基板１０，２０，４０のホールがビアによって充填されていない場合、誘電体基板１０，２０，４０のホール内の一部にも接着層が形成されてもよい。

上述したように、誘電体基板１０，２０，４０，５０の共通位置に例えばドリルにより一括してホールが形成されることで、製造プロセスを容易にし、製造コストを低減することができる。

＜第３実施形態＞
以下に図９および図１０を用いて、第３実施形態に係る変換器について説明する。第３実施形態において、上記第１実施形態と異なる点は、ビア１０ＶＡ，２０ＶＡがさらに設けられる点である。

なお、第３実施形態では、上記第１実施形態と同様の点については説明を省略し、主に異なる点について説明する。

（第３実施形態における構成）
図９は、第３実施形態に係る変換器を示す平面図である。図１０は、第３実施形態に係る変換器を示す断面図であり、図９のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

図９および図１０に示すように、誘電体基板１０内にこれを貫通する複数のビア１０ＶＡが設けられる。複数のビア１０ＶＡはそれぞれ、円柱状の導電体である。複数のビア１０ＶＡはそれぞれ、一端（上方側）でランド１５に接続され、他端（下方側）で導体板１１を介して同軸コネクタの外部導体に接続される。複数のビア１０ＶＡは、Ｘ方向およびＹ方向において、ビア１０Ｖの周囲を囲うように設けられる。

誘電体基板２０内にこれを貫通する複数のビア２０ＶＡが設けられる。複数のビア２０ＶＡはそれぞれ、円柱状の導電体である。複数のビア２０ＶＡはそれぞれ、一端（上方側）で導体板２１に接続され、他端（下方側）でランド２７に接続される。複数のビア２０ＶＡはそれぞれ、Ｘ方向およびＹ方向に拡がる平面において複数のビア１０ＶＡのそれぞれに対応する位置に設けられる。

このとき、ランド１５とランド２７との間には接着層３０が設けられる。すなわち、ランド１５とランド２７とは、直接接していないが。これらの間に高周波信号が流れる。これにより、同軸コネクタ２００の外部導体（グランド）から複数のビア１０ＶＡおよび複数のビア２０ＶＡに高周波信号が給電される。これら複数のビア１０ＶＡおよび複数のビア２０ＶＡは、ビア１０Ｖから外部への高周波信号の漏洩を防ぐ。すなわち、ビア１０Ｖに対して、疑似的な同軸コネクタ２００の外部導体が設けられる。

（第３実施形態における効果）
上記第３実施形態によれば、ビア１０Ｖの周囲に、複数のビア１０ＶＡおよび複数のビア１２０ＶＡが設けられる。複数のビア１０ＶＡおよび複数のビア１２０ＶＡは、同軸コネクタ２００の外部導体（グランド）に接続される。これにより、ビア１０Ｖのビア１０Ｖから外部への高周波信号の漏洩を防ぐことができる。

上記各実施形態は、適宜組み合わせてもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０，２０，４０，５０…誘電体基板、３０，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ…接着層、１１，２１，２６，４１，５１…導体板、１０Ｖ，２０Ｖ，１０Ｖ＿２，４０Ｖ，１０ＶＡ，２０ＶＡ…ビア、１２，１４，１５，１６，２２，２５，２７，４２…ランド，１０Ｈ，５０Ｈ…ホール、１３…信号線、１００…積層構造、２００…同軸コネクタ。

Claims (9)

1. 第１誘電体基板と、
   前記第１誘電体基板の上方に、第１接着層を介して設けられる第２誘電体基板と、
   前記第１誘電体基板と前記第２誘電体基板との間に設けられる第１信号線と、
   前記第１誘電体基板を貫通し、上方側で前記第１信号線に接続される第１ビアと、
   前記第１誘電体基板の下方および前記第２誘電体基板の上方の少なくともいずれか一方に設けられた第１導体板と、
   前記第１誘電体基板を貫通し、前記第１ビアの周囲に設けられた複数の第２ビアと、
   前記第１誘電体基板の上面に形成され、前記複数の第２ビアと接続される複数の第１ランドと、
   前記第２誘電体基板を貫通し、前記複数の第２ビアと対応する位置に設けられた複数の第３ビアと、
   前記第２誘電体基板の下面に形成され、前記複数の第３ビアと接続される複数の第２ランドと、
   を具備する変換器。
2. 前記第１導体板は、前記第１誘電体基板の下方に設けられ、
   前記複数の第２ビアは、下方側で前記第１導体板を介して同軸コネクタの外部導体に接続される請求項１の変換器。
3. 第１誘電体基板と、
   前記第１誘電体基板の上方に、第１接着層を介して設けられる第２誘電体基板と、
   前記第２誘電体基板の上方に、第２接着層を介して設けられる第３誘電体基板と、
   前記第２誘電体基板と前記第３誘電体基板との間に設けられる第１信号線と、
   前記第１誘電体基板を貫通する第１ビアと、
   前記第２誘電体基板を貫通し、前記第１ビアと対応する位置に設けられ、上方側で前記第１信号線に接続される第２ビアと、
   前記第１誘電体基板の下方、前記第１誘電体基板と前記第２誘電体基板との間、および前記第３誘電体基板の上方の少なくともいずれか１つに設けられた第１導体板と、
   を具備し、
   前記第３誘電体基板を貫通し、前記第２ビアと対応する位置にホールが設けられ、
   前記第２接着層は、前記ホールの一部に充填される、変換器。
4. 第１誘電体基板と、
   前記第１誘電体基板の上方に、第１接着層を介して設けられる第２誘電体基板と、
   前記第２誘電体基板の上方に、第２接着層を介して設けられる第３誘電体基板と、
   前記第２誘電体基板と前記第３誘電体基板との間に設けられる第１信号線と、
   前記第１誘電体基板を貫通する第１ビアと、
   前記第２誘電体基板を貫通し、前記第１ビアと対応する位置に設けられ、上方側で前記第１信号線に接続される第２ビアと、
   前記第１誘電体基板の下方、前記第１誘電体基板と前記第２誘電体基板との間、および前記第３誘電体基板の上方の少なくともいずれか１つに設けられた第１導体板と、
   前記第１誘電体基板の上面に形成され、前記第１ビアと接続される第１ランドと、
   前記第２誘電体基板の下面に形成され、前記第２ビアと接続される第２ランドと、
   を具備する変換器。
5. 前記第１ビアは、下方側で同軸コネクタの内部導体に接続される請求項４の変換器。
6. 前記第１誘電体基板を貫通し、前記第１ビアの周囲に設けられた複数の第３ビアと、
   前記第２誘電体基板を貫通し、前記複数の第３ビアと対応する位置に設けられた複数の第４ビアと、
   前記第３誘電体基板を貫通し、前記複数の第４ビアと対応する位置に設けられた複数の第５ビアと、
   をさらに具備する請求項４または請求項５の変換器。
7. 前記第１誘電体基板の上面に形成され、前記複数の第３ビアと接続される複数の第３ランドと、
   前記第２誘電体基板の下面に形成され、前記複数の第４ビアと接続される複数の第４ランドと、
   前記第２誘電体基板の上面に形成され、前記複数の第４ビアと接続される複数の第５ランドと、
   前記第３誘電体基板の下面に形成され、前記複数の第５ビアと接続される複数の第６ランドと、
   をさらに具備する請求項６の変換器。
8. 前記第１導体板は、前記第１誘電体基板の下方に設けられ、
   前記複数の第３ビアは、下方側で前記第１導体板を介して同軸コネクタの外部導体に接続される請求項６または請求項７の変換器。
9. 前記第１接着層は、前記第１ビアと前記第２ビアとの間に設けられる請求項４乃至請求項８のいずれか１項の変換器。