JP6163141B2 - 硬質皮膜 - Google Patents
硬質皮膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6163141B2 JP6163141B2 JP2014136030A JP2014136030A JP6163141B2 JP 6163141 B2 JP6163141 B2 JP 6163141B2 JP 2014136030 A JP2014136030 A JP 2014136030A JP 2014136030 A JP2014136030 A JP 2014136030A JP 6163141 B2 JP6163141 B2 JP 6163141B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- adhesion
- thickness
- film
- hardness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B37/00—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating
- C04B37/003—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts
- C04B37/005—Joining burned ceramic articles with other burned ceramic articles or other articles by heating by means of an interlayer consisting of a combination of materials selected from glass, or ceramic material with metals, metal oxides or metal salts consisting of glass or ceramic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/042—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material including a refractory ceramic layer, e.g. refractory metal oxides, ZrO2, rare earth oxides
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
- B23B27/14—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B27/00—Tools for turning or boring machines; Tools of a similar kind in general; Accessories therefor
- B23B27/14—Cutting tools of which the bits or tips or cutting inserts are of special material
- B23B27/148—Composition of the cutting inserts
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B51/00—Tools for drilling machines
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23C—MILLING
- B23C5/00—Milling-cutters
- B23C5/16—Milling-cutters characterised by physical features other than shape
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
- C04B41/87—Ceramics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C14/024—Deposition of sublayers, e.g. to promote adhesion of the coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0635—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0664—Carbonitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3435—Applying energy to the substrate during sputtering
- C23C14/345—Applying energy to the substrate during sputtering using substrate bias
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/543—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on the vapor source
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/04—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material
- C23C28/044—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings of inorganic non-metallic material coatings specially adapted for cutting tools or wear applications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
- C23C28/42—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by the composition of the alternating layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C30/00—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process
- C23C30/005—Coating with metallic material characterised only by the composition of the metallic material, i.e. not characterised by the coating process on hard metal substrates
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B2226/00—Materials of tools or workpieces not comprising a metal
- B23B2226/27—Composites
- B23B2226/275—Carbon fibre reinforced carbon composites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23B—TURNING; BORING
- B23B2228/00—Properties of materials of tools or workpieces, materials of tools or workpieces applied in a specific manner
- B23B2228/10—Coatings
- B23B2228/105—Coatings with specified thickness
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/02—Aspects relating to interlayers, e.g. used to join ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/04—Ceramic interlayers
- C04B2237/08—Non-oxidic interlayers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
- C04B2237/32—Ceramic
- C04B2237/36—Non-oxidic
- C04B2237/365—Silicon carbide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
- C04B2237/72—Forming laminates or joined articles comprising at least two interlayers directly next to each other
Description
本発明は、切削工具や金型等の治工具類、特に、Carbon Fiber Reinforced Plastic(炭素繊維強化樹脂:以下、適宜「CFRP」という)等の難切削材を対象とする治工具類の基材表面に形成される硬質皮膜に関する。
治工具類の基材表面には、切削加工等における耐摩耗性を向上させるために、硬質皮膜を形成することが一般的に行われている。そして、このような硬質皮膜を形成する技術が特許文献1〜5に開示されている。
特許文献1には、SiCを含む硬質皮膜が開示されている。また、特許文献2には、スパッタリング法によって被覆した硬質皮膜を表面に有する被覆部材であって、硬質皮膜がSiC皮膜である被覆部材が開示されている。
特許文献3および特許文献4には、基材表面に中間皮膜を介して硬質皮膜を被覆した被覆工具であって、中間皮膜は、AlxMyからなる窒化物又は炭窒化物であり、硬質皮膜はSiC皮膜である被覆工具が開示されている。
特許文献5には、(Ti1−x−yAlxMy)(BaCbN1−a−b−cOc)の組成からなる層Aと、B1−x−yCxNy、Si1−x−yCxNy、C1−xNx、Cu1−y(CxN1−x)yのいずれかの組成からなる層Bと、を積層した硬質積層皮膜が開示されている。
しかしながら、特許文献1および特許文献2に開示されている技術は、基材の表面にSiC皮膜を形成する構成になっているが、基材の表面とSiC皮膜とは密着性が不十分である。
また、特許文献3および特許文献4に開示されている技術は、AlxMyからなる中間皮膜にSiCからなる硬質皮膜を形成する構成になっているが、AlxMyとSiCとの界面の密着性が不十分である。
よって、特許文献1〜4に開示されている技術は、基材や各皮膜の密着性が低いことから、治工具類に用いる硬質皮膜として実用的であるとは言い難い。
また、特許文献3および特許文献4に開示されている技術は、AlxMyからなる中間皮膜にSiCからなる硬質皮膜を形成する構成になっているが、AlxMyとSiCとの界面の密着性が不十分である。
よって、特許文献1〜4に開示されている技術は、基材や各皮膜の密着性が低いことから、治工具類に用いる硬質皮膜として実用的であるとは言い難い。
また、特許文献5に開示されている技術は、耐摩耗性や耐酸化性の向上という効果を発揮するために硬質積層皮膜の組成等を規定しているものの、硬質積層皮膜と基材との密着性の向上という点で、改良の余地が存在する。
さらに、難切削材、特に、CFPRを切削加工の対象とする際、CFPR内の炭素繊維は加工性が悪いため、切削加工時において治工具類の摩耗が顕著となる。よって、CFPRの切削加工に用いる治工具類の硬質皮膜には、高い硬度と優れた耐摩耗性が要求される。
そこで、本発明は、前記状況に鑑みてなされたものであり、治工具類等の基材表面に形成され、硬度が高く、密着性および耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供することを課題とする。
前記課題を解決するため、本発明に係る硬質皮膜は、基材の上に形成される硬質皮膜であって、組成が、Siw(CxN1−x)1−wであり、0.30≦w≦0.65、0.3≦x≦0.7を満たすA層と、組成が、Ti1−aAla(C1−kNk)、AlbCr1−b(C1−kNk)、Ti1−c−d−eCrcAldSie(C1−kNk)、およびTi1−fSif(C1−kNk)のいずれかであり、0.3≦a≦0.7、0.3≦b≦0.8、c≦0.3、0.3≦d≦0.7、0≦e≦0.3、1−c−d−e≦0.3、0.05≦f≦0.3、0.5≦k≦1を満たすB層とを備え、前記基材の上には前記B層からなる下地層が形成され、前記下地層の上には、前記A層および前記B層が交互に繰り返し積層された密着強化層が形成され、前記密着強化層内においてB層を介して隣り合う少なくとも1組のA層が、前記下地層に近い側に形成されたA層の厚さよりも前記下地層に遠い側に形成されたA層の厚さの方が厚いという関係を満たし、前記密着強化層内のA層の最大厚さが15nm以上であることを特徴とする。
このように、本発明に係る硬質皮膜は、所定の組成を有するA層およびB層を交互に積層して備えることによって、硬質皮膜の硬度が高くなるとともに、硬質皮膜の耐摩耗性が向上する。また、前記の硬質皮膜は、B層からなる下地層を備えることによって、皮膜と基材との密着性が向上する。また、前記の硬質皮膜は、A層とB層とが交互に繰り返し積層された密着強化層を備え、かつ、少なくとも1組のA層が所定の関係を満たすとともに、A層の最大厚さが所定の厚さ以上となることによって、硬質皮膜の密着性および耐摩耗性が向上する。
なお、本発明が切削加工の対象とするCFPRは熱伝導率が低いことから、CFRPの切削加工時において治工具類に熱が蓄積し易く、高温になり易い。よって、CFRPの切削加工に用いる治工具類の硬質皮膜には、耐熱性や耐酸化性が要求される。
ここで、本発明に係る硬質皮膜の密着強化層のA層は、耐熱性、高硬度で耐摩耗性に優れる。また、密着強化層のB層は、耐酸化性および靱性に優れる。よって、本発明に係る硬質皮膜によると、耐熱性に優れるA層、耐酸化性に優れるB層を備えることから、CFPRのような難切削材を切削加工の対象とした場合であっても、好適に切削加工することができる。
ここで、本発明に係る硬質皮膜の密着強化層のA層は、耐熱性、高硬度で耐摩耗性に優れる。また、密着強化層のB層は、耐酸化性および靱性に優れる。よって、本発明に係る硬質皮膜によると、耐熱性に優れるA層、耐酸化性に優れるB層を備えることから、CFPRのような難切削材を切削加工の対象とした場合であっても、好適に切削加工することができる。
本発明に係る硬質皮膜は、前記密着強化層の上にC層がさらに形成され、前記C層の組成がSiCであり、前記C層の厚みが0.2μm以上5.5μm以下であることが好ましい。
このように、本発明に係る硬質皮膜は、密着強化層の上にC層がさらに形成され、C層の組成がSiCであるとともに所定の厚さであることから、硬質皮膜の耐摩耗性をさらに向上させることができる。
このように、本発明に係る硬質皮膜は、密着強化層の上にC層がさらに形成され、C層の組成がSiCであるとともに所定の厚さであることから、硬質皮膜の耐摩耗性をさらに向上させることができる。
本発明に係る硬質皮膜によれば、A層とB層とが所定の組成であるとともに、B層からなる下地層、A層とB層とを積層した密着強化層を備え、かつ、A層の厚さが所定の規定を満たすことから、硬度が高く、密着性および耐摩耗性が優れたものとなる。
本発明に係る硬質皮膜の第1の実施形態について、図面を参照して説明する。
図1に示すように、硬質皮膜1は、密着性、硬度および耐摩耗性の向上のために基材10の上に形成される皮膜であって、下地層2と、下地層2の上に形成される密着強化層3とを備える。
図1に示すように、硬質皮膜1は、密着性、硬度および耐摩耗性の向上のために基材10の上に形成される皮膜であって、下地層2と、下地層2の上に形成される密着強化層3とを備える。
<基材>
基材10としては、超硬合金、金属炭化物を有する鉄基合金、サーメット、高速度工具鋼等が挙げられる。しかし、基材10としては、これらに限定されるものではなく、チップ、ドリル、エンドミル等の切削工具、プレス用金型、鍛造用金型、成型用金型、打ち抜きパンチ等の治工具類であってもよい。
基材10としては、超硬合金、金属炭化物を有する鉄基合金、サーメット、高速度工具鋼等が挙げられる。しかし、基材10としては、これらに限定されるものではなく、チップ、ドリル、エンドミル等の切削工具、プレス用金型、鍛造用金型、成型用金型、打ち抜きパンチ等の治工具類であってもよい。
<下地層>
下地層2は、基材10の上に形成される皮膜であって、所定の組成を有するB層からなる。下地層2が形成されていることによって、基材10と硬質皮膜1との密着性が向上する。そのため、下地層2の厚さは、0.1〜5μmであることが好ましい。なお、B層の組成の詳細については、後記する。
下地層2は、基材10の上に形成される皮膜であって、所定の組成を有するB層からなる。下地層2が形成されていることによって、基材10と硬質皮膜1との密着性が向上する。そのため、下地層2の厚さは、0.1〜5μmであることが好ましい。なお、B層の組成の詳細については、後記する。
<密着強化層>
密着強化層3は、下地層2の上に形成される皮膜であって、所定の組成を有するA層4と所定の組成を有するB層5とを交互に繰り返し積層することによって形成される。
密着強化層3は、下地層2の上に形成される皮膜であって、所定の組成を有するA層4と所定の組成を有するB層5とを交互に繰り返し積層することによって形成される。
まず、本発明者らが密着強化層3の構成を規定した経緯について、図1、2を用いて説明する。
密着強化層3のA層4は、耐熱性、高硬度で耐摩耗性に優れる皮膜であるが、単層で用いた場合には基材10との密着性の問題により、さらなる耐摩耗性の向上に問題がある。一方、密着強化層3のB層5は、耐酸化性に優れるとともに、高靱性のために変形に強い皮膜であるが、単独で用いた場合には耐摩耗性がA層4より劣るという問題がある。
さらに、図2に示すように、B層からなる下地層2内では、長径0.1〜2.0μmの粗大な柱状の結晶粒20が、基材10表面に対して垂直方向に、言い換えると、基材10表面から遠ざかる方向に向けて一方向に成長する。したがって、下地層2の表面にSiC等の層を形成しようと試みても、結晶方位の整合性が悪く、両層の密着性が悪いという問題がある。
密着強化層3のA層4は、耐熱性、高硬度で耐摩耗性に優れる皮膜であるが、単層で用いた場合には基材10との密着性の問題により、さらなる耐摩耗性の向上に問題がある。一方、密着強化層3のB層5は、耐酸化性に優れるとともに、高靱性のために変形に強い皮膜であるが、単独で用いた場合には耐摩耗性がA層4より劣るという問題がある。
さらに、図2に示すように、B層からなる下地層2内では、長径0.1〜2.0μmの粗大な柱状の結晶粒20が、基材10表面に対して垂直方向に、言い換えると、基材10表面から遠ざかる方向に向けて一方向に成長する。したがって、下地層2の表面にSiC等の層を形成しようと試みても、結晶方位の整合性が悪く、両層の密着性が悪いという問題がある。
本発明者らは、このような問題を解決するため、鋭意検討した結果、密着強化層3として、下地層2の上にA層4とB層5とを交互に繰り返し積層するとともに、厚さが所定の規定を満たすようにA層4を形成することにより、前記した下地層2内および密着強化層3内の下地層2側のB層5での一方向かつ粗大な結晶粒20の成長を抑制できることを見出した。そして、密着強化層3内においてB層5を介して隣り合う少なくとも1組のA層4、4が、下地層2に近い側に形成されたA層4の厚さよりも下地層2に遠い側に形成されたA層4の厚さの方が厚いという関係を満たすことで、硬質皮膜1の表面側に向かうに従い、一方向かつ粗大な結晶粒20の成長と影響を徐々に弱め、B層5の結晶粒20を微細化できることも見出した。
その結果、硬質皮膜1の表面側に向かうに従い、密着強化層3内でB層5の結晶粒20は徐々に微細化し、A層4とB層5との界面での不整合も起こり難くなるため密着性が向上する。加えて、最表面のB層5の結晶粒20が十分に微細化することになり、後記するC層を密着強化層3の上に形成する際の両層の密着性も向上する。そして、密着強化層3としてA層4とB層5とを積層することにより、当然、A層4、B層5が有する前記した効果も発揮することができる。
その結果、硬質皮膜1の表面側に向かうに従い、密着強化層3内でB層5の結晶粒20は徐々に微細化し、A層4とB層5との界面での不整合も起こり難くなるため密着性が向上する。加えて、最表面のB層5の結晶粒20が十分に微細化することになり、後記するC層を密着強化層3の上に形成する際の両層の密着性も向上する。そして、密着強化層3としてA層4とB層5とを積層することにより、当然、A層4、B層5が有する前記した効果も発揮することができる。
(密着強化層を構成する各層の厚さ)
前記した密着性向上の効果を発現するためには、密着強化層3内においてB層5を介して隣り合う少なくとも1組のA層4、4(以下、単に「少なくとも1組のA層」という)が、下地層2に近い側に形成されたA層4の厚さよりも下地層2に遠い側に形成されたA層4の厚さの方が厚いという関係を満たす必要がある。つまり、少なくとも1組のA層4、4が、「下地層2に近い側に形成されたA層4の厚さ」<「下地層2に遠い側に形成されたA層4の厚さ」との関係を満たす必要がある。
そして、少なくとも1組のA層4、4が前記した関係を満たせばよいので、他のA層4の厚さは一定であってもよく、下地層2に近い側のA層4の厚さが下地層2に遠い側のA層4より厚くなる箇所があってもよい。
ただし、密着性向上の効果を確実なものとするために、A層4の厚さは、下地層2から遠ざかるに従い(硬質皮膜1の表面に近づくに従い)、段階的に厚さが増加する構成であるのが好ましい。例えば、A層4の厚さは、積層する毎(1層毎、または、2層以上毎)に0.1〜20nmずつ増加する構成であるのが好ましい。
前記した密着性向上の効果を発現するためには、密着強化層3内においてB層5を介して隣り合う少なくとも1組のA層4、4(以下、単に「少なくとも1組のA層」という)が、下地層2に近い側に形成されたA層4の厚さよりも下地層2に遠い側に形成されたA層4の厚さの方が厚いという関係を満たす必要がある。つまり、少なくとも1組のA層4、4が、「下地層2に近い側に形成されたA層4の厚さ」<「下地層2に遠い側に形成されたA層4の厚さ」との関係を満たす必要がある。
そして、少なくとも1組のA層4、4が前記した関係を満たせばよいので、他のA層4の厚さは一定であってもよく、下地層2に近い側のA層4の厚さが下地層2に遠い側のA層4より厚くなる箇所があってもよい。
ただし、密着性向上の効果を確実なものとするために、A層4の厚さは、下地層2から遠ざかるに従い(硬質皮膜1の表面に近づくに従い)、段階的に厚さが増加する構成であるのが好ましい。例えば、A層4の厚さは、積層する毎(1層毎、または、2層以上毎)に0.1〜20nmずつ増加する構成であるのが好ましい。
また、前記した密着性向上の効果を発現するためには、密着強化層3内におけるB層5の結晶粒20の粗大化防止機能をA層4に持たせる必要があるため、密着強化層3内のA層4の最大厚さを15nm以上とする必要がある。言い換えると、密着強化層3内の最も厚いA層4の厚さを、15nm以上とする必要がある。
最大厚さが15nm以上のA層4を形成することにより、当該A層4が下地層2および密着強化層3内のB層5における結晶粒20の粗大化を防止し、密着性を向上させることができる。そして、密着性の向上という効果をより確実なものとするため、A層4の最大厚さは、20nm以上であることが好ましい。一方、A層4の最大厚さの上限については、特に制限されないが、成膜の実施のし易さ、およびコストの観点から、60nm以下が好ましく、55nm以下がさらに好ましい。
最大厚さが15nm以上のA層4を形成することにより、当該A層4が下地層2および密着強化層3内のB層5における結晶粒20の粗大化を防止し、密着性を向上させることができる。そして、密着性の向上という効果をより確実なものとするため、A層4の最大厚さは、20nm以上であることが好ましい。一方、A層4の最大厚さの上限については、特に制限されないが、成膜の実施のし易さ、およびコストの観点から、60nm以下が好ましく、55nm以下がさらに好ましい。
最大厚さを有するA層4については、成膜時間の短縮化等の経済性の観点から、密着強化層3の最表面(下地層2から遠い側の表面)を基準として、密着強化層3全体の厚さの50%までの領域に形成されているのが好ましく、密着強化層3全体の厚さの30%までの領域に形成されているのがさらに好ましい。
なお、A層4の最小厚さは、特に限定されないが、0.1〜20nmが好ましい。
なお、A層4の最小厚さは、特に限定されないが、0.1〜20nmが好ましい。
密着強化層3内のB層5は、各B層5の厚さが一定であることが好ましい。また、各B層の厚さは、5〜100nmが好ましく、10〜60nmがさらに好ましい。
密着強化層3の厚さ、すなわち、積層されたA層4とB層5との合計厚さは、0.5〜10μmであることが好ましい。
そして、密着強化層3は、基材10側がA層4となるようにA層4とB層5とを積層して、最表面側がA層4となることが好ましい。しかしながら、図示しないが、密着強化層3の最表面層側がB層5となってもよい。
また、密着強化層3を構成するA層4、B層5の層数については、特に限定されないが、各々、10〜200層であるのが好ましい。
なお、前記した下地層2、密着強化層3(A層4、B層5)の各層の厚さは、後記する硬質皮膜1の製造の際のターゲットの蒸発量等によって制御することができる。
そして、密着強化層3は、基材10側がA層4となるようにA層4とB層5とを積層して、最表面側がA層4となることが好ましい。しかしながら、図示しないが、密着強化層3の最表面層側がB層5となってもよい。
また、密着強化層3を構成するA層4、B層5の層数については、特に限定されないが、各々、10〜200層であるのが好ましい。
なお、前記した下地層2、密着強化層3(A層4、B層5)の各層の厚さは、後記する硬質皮膜1の製造の際のターゲットの蒸発量等によって制御することができる。
(A層の組成)
A層4は、組成が金属成分(Si)と非金属成分(C、N)とからなる。
そして、A層4は、組成が、Siw(C、N)1−wであり、0.30≦w≦0.65を満たす皮膜である。
金属成分であるSiは、A層に高硬度、耐摩耗性を付与するために添加する元素である。そして、これらの効果を発揮するためには、Siの原子比(w)は、0.30〜0.65である必要があり、0.35〜0.65が好ましい。
A層4は、組成が金属成分(Si)と非金属成分(C、N)とからなる。
そして、A層4は、組成が、Siw(C、N)1−wであり、0.30≦w≦0.65を満たす皮膜である。
金属成分であるSiは、A層に高硬度、耐摩耗性を付与するために添加する元素である。そして、これらの効果を発揮するためには、Siの原子比(w)は、0.30〜0.65である必要があり、0.35〜0.65が好ましい。
A層4は、非金属成分の原子比が(CxN1−x)であり、0.3≦x≦0.7、(0.3≦1−x≦0.7)を満たす皮膜である。
非金属成分であるCは、A層のさらなる高硬度化に寄与する元素である。ただし、Cが多すぎることによる密着性の低下を回避するため、Cの原子比(x)は、0.3〜0.7である必要があり、0.35〜0.65が好ましい。
なお、Nの原子比(1−x)については、耐摩耗性と密着性を確保するために、0.3〜0.7である必要があり、好ましくは0.35〜0.65である。
非金属成分であるCは、A層のさらなる高硬度化に寄与する元素である。ただし、Cが多すぎることによる密着性の低下を回避するため、Cの原子比(x)は、0.3〜0.7である必要があり、0.35〜0.65が好ましい。
なお、Nの原子比(1−x)については、耐摩耗性と密着性を確保するために、0.3〜0.7である必要があり、好ましくは0.35〜0.65である。
(B層の組成)
B層5は、組成が金属成分(Ti、Al、Cr、Si)と非金属成分(C、N)とからなり、以下の4種のいずれかである皮膜である。
B層5は、組成が金属成分(Ti、Al、Cr、Si)と非金属成分(C、N)とからなり、以下の4種のいずれかである皮膜である。
(1)組成がTi1−aAla(C1−kNk)であり、0.3≦a≦0.7、0.5≦k≦1を満たす皮膜
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、金属成分であるTiの原子比(1−a)は0.3〜0.7、Alの原子比(a)は0.3〜0.7でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、金属成分であるTiの原子比(1−a)は0.3〜0.7、Alの原子比(a)は0.3〜0.7でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
(2)組成がAlbCr1−b(C1−kNk)であり、0.3≦b≦0.8、0.5≦k≦1を満たす皮膜
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、金属成分であるAlの原子比(b)は0.3〜0.8、Crの原子比(1−b)は0.2〜0.7でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、金属成分であるAlの原子比(b)は0.3〜0.8、Crの原子比(1−b)は0.2〜0.7でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
(3)組成がTi1−c−d−eCrcAldSie(C1−kNk)であり、c≦0.3、0.3≦d≦0.7、0≦e≦0.3、1−c−d−e≦0.3、0.5≦k≦1を満たす皮膜
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも金属成分であるTiの原子比(1−c−d−e)は0.3以下、Crの原子比(c)は0.3以下、Alの原子比(d)は0.3〜0.7、Siの原子比(e)は0.3以下でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも金属成分であるTiの原子比(1−c−d−e)は0.3以下、Crの原子比(c)は0.3以下、Alの原子比(d)は0.3〜0.7、Siの原子比(e)は0.3以下でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
(4)組成がTi1−fSif(C1−kNk)であり、0.05≦f≦0.3、0.5≦k≦1を満たす皮膜
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、金属成分であるTiの原子比(1−f)は0.7〜0.95、Siの原子比(f)は0.05〜0.3でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、金属成分であるTiの原子比(1−f)は0.7〜0.95、Siの原子比(f)は0.05〜0.3でなければならない。また、B層5に高硬度かつ耐摩耗性を付与するとともに密着性を優れたものとするためには、少なくとも非金属成分であるNの原子比(k)は0.5〜1でなければならない。また、B層5のさらなる高硬度化のために、非金属成分であるCの原子比(1−k)を0.5以下としてもよい。
前記した下地層2、A層4、B層5においてSi、C、N、Ti、Al、Cr、Siの原子比(w、x、a、b、c、d、e、f、k)は、後記する硬質皮膜1の製造の際(皮膜形成工程)、成膜装置100(図3参照)にセットされるターゲットの組成によって制御する。また、C、Nの原子比(x、k)については、成膜装置100内に導入される窒素、炭化水素等の不活性ガスの導入量によって制御してもよい。そして、下地層2、A層4、B層5の厚さは、皮膜形成時のターゲットの蒸発量等によって制御する。
本発明に係る硬質皮膜の第2の実施形態について、図面を参照して説明する。
図3に示すように、硬質皮膜1Aは、下地層2と、A層4およびB層5からなる密着強化層3と、密着強化層3の上に形成されるC層6とを備える。硬質皮膜1Aは、C層6を備えることによって、耐摩耗性がさらに向上する。
なお、下地層2、A層4およびB層5からなる密着強化層3については、前記した第1の実施形態の硬質皮膜1と同様であるので、説明を省略する。
図3に示すように、硬質皮膜1Aは、下地層2と、A層4およびB層5からなる密着強化層3と、密着強化層3の上に形成されるC層6とを備える。硬質皮膜1Aは、C層6を備えることによって、耐摩耗性がさらに向上する。
なお、下地層2、A層4およびB層5からなる密着強化層3については、前記した第1の実施形態の硬質皮膜1と同様であるので、説明を省略する。
(C層の組成)
C層6は、組成がSiCからなる。
ここで、C層6の組成はSiC、密着強化層3のA層4の組成はSiw(CxN1−x)1−wであり、同種元素を含む関係であることから、両層の親和性は高い。また、C層6と密着強化層3のB層5とは、B層5の結晶粒20が微細化されているため、B層5とC層6のSiCとの結晶方位の整合がとり易くなる。
したがって、C層6は、密着強化層3のA層4およびB層5のいずれに対しても、密着性が良好な状態で形成することができる。
C層6は、組成がSiCからなる。
ここで、C層6の組成はSiC、密着強化層3のA層4の組成はSiw(CxN1−x)1−wであり、同種元素を含む関係であることから、両層の親和性は高い。また、C層6と密着強化層3のB層5とは、B層5の結晶粒20が微細化されているため、B層5とC層6のSiCとの結晶方位の整合がとり易くなる。
したがって、C層6は、密着強化層3のA層4およびB層5のいずれに対しても、密着性が良好な状態で形成することができる。
最表面に形成されるC層は、厚すぎると内部応力により層の破壊(チッピング)が発生し易く、硬質皮膜1Aの密着性が低下することから、C層の厚さは5.5μm以下であり、好ましくは4.0μm以下、より好ましくは4.0μm未満である。また、C層は、耐摩耗性を確保するため、0.2μm以上であり、好ましくは0.25μm以上、より好ましくは0.5μm以上である。
なお、C層6の厚さは、後記する硬質皮膜1Aの製造の際のターゲットの蒸発量等によって制御することができる。
なお、C層6の厚さは、後記する硬質皮膜1Aの製造の際のターゲットの蒸発量等によって制御することができる。
次に、本発明に係る硬質皮膜の第1の形成方法、すなわち、第1の実施形態の硬質皮膜の形成方法について、説明する。なお、硬質皮膜1の構成については、図1を参照する。
硬質皮膜1の形成方法は、基材準備工程と、基材加熱工程と、皮膜形成工程とを含む。
硬質皮膜1の形成方法は、基材準備工程と、基材加熱工程と、皮膜形成工程とを含む。
(基材準備工程)
基材準備工程は、所定サイズの基材10を必要に応じて超音波等で洗浄して、準備する工程である。
(基材加熱工程)
基材加熱工程は、図4に示すような成膜装置100に導入した後、基材10を加熱する工程で、基材10が所定温度、例えば、500〜550℃に保持されるように加熱することが好ましい。基材10を加熱することによって、次工程において、基材10の上に硬質皮膜1を形成しやすくなる。
基材準備工程は、所定サイズの基材10を必要に応じて超音波等で洗浄して、準備する工程である。
(基材加熱工程)
基材加熱工程は、図4に示すような成膜装置100に導入した後、基材10を加熱する工程で、基材10が所定温度、例えば、500〜550℃に保持されるように加熱することが好ましい。基材10を加熱することによって、次工程において、基材10の上に硬質皮膜1を形成しやすくなる。
(皮膜形成工程)
皮膜形成工程は、アークイオンプレーティング法(AIP法)およびスパッタリング法(SP法)の少なくとも一方を用いて硬質皮膜1を基材10の上に形成する工程である。具体的には、AIP法またはSP法で下地層2を基材10の上に形成し、SP法、または、AIP法とSP法の両方法を用いて密着強化層3を下地層2の上に形成する。そして、密着強化層3のA層4はSP法で形成し、密着強化層3のB層5はAIP法またはSP法で形成する。また、A層4をSP法で形成するときに、基材10に−200V以上0V未満のバイアス電圧を印加することが好ましい。
皮膜形成工程は、アークイオンプレーティング法(AIP法)およびスパッタリング法(SP法)の少なくとも一方を用いて硬質皮膜1を基材10の上に形成する工程である。具体的には、AIP法またはSP法で下地層2を基材10の上に形成し、SP法、または、AIP法とSP法の両方法を用いて密着強化層3を下地層2の上に形成する。そして、密着強化層3のA層4はSP法で形成し、密着強化層3のB層5はAIP法またはSP法で形成する。また、A層4をSP法で形成するときに、基材10に−200V以上0V未満のバイアス電圧を印加することが好ましい。
また、本発明の硬質皮膜1の形成方法は、前記工程に加えて、基材エッチング工程を基材加熱工程と皮膜形成工程との間に含んでもよい。基材エッチング工程は、基材10の表面をAr等の希ガスのイオンによってエッチングする工程である。
次に、硬質皮膜1の形成方法の一例として、図4に示す成膜装置100を使用した場合について、説明する。なお、成膜装置としては、これに限定されるものではない。
図4に示すように、成膜装置100は、真空排気する排気口と、成膜ガスおよび希ガスを供給するガス供給口104とを有するチャンバー103と、アーク蒸発源101に接続されたアーク電源109と、スパッタ蒸発源102に接続されたスパッタ電源108と、成膜対象である基材10を支持する基材ステージ105と、この基材ステージ105と前記チャンバー103との間で基材ステージ105を通して基材10に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源107とを備えている。また、その他、ヒータ106、放電用直流電源112、フィラメント加熱用交流電源111等を備えている。
図4に示すように、成膜装置100は、真空排気する排気口と、成膜ガスおよび希ガスを供給するガス供給口104とを有するチャンバー103と、アーク蒸発源101に接続されたアーク電源109と、スパッタ蒸発源102に接続されたスパッタ電源108と、成膜対象である基材10を支持する基材ステージ105と、この基材ステージ105と前記チャンバー103との間で基材ステージ105を通して基材10に負のバイアス電圧を印加するバイアス電源107とを備えている。また、その他、ヒータ106、放電用直流電源112、フィラメント加熱用交流電源111等を備えている。
まず、成膜装置100のアーク蒸発源101またはスパッタ蒸発源102に、各種の金属、合金または金属化合物からなる下地層用ターゲット(図示省略)を取り付け、さらに、基材ステージ105の上に基材10を取り付け、チャンバー103内を真空引き(例えば、5×10−3Pa以下に排気)し、真空状態にする。その後、希ガスとしてArをチャンバー103内に導入し、チャンバー103内のヒータ106で基材10を所定温度に加熱し、フィラメント110からの熱電子放出によるイオン源により、Arイオンによるエッチングを所定時間実施する。
次に、必要に応じてチャンバー103内に成膜ガス(N2、炭化水素等)を導入しながら、アーク電源109またはスパッタ電源108により下地層用ターゲットを蒸発させると共に、基材10を支持する基材ステージ105を回転させて、基材10の上に所定厚さの下地層2を形成させる。なお、下地層2の厚さは、アーク蒸発源101またはスパッタ蒸発源102への投入電力(下地層用ターゲットの蒸発量)や、基材ステージ105の回転速度、回転数によって制御する。なお、基材ステージ105の回転速度が速いほうが下地層2の厚さが薄くなる。
次に、各種の金属、合金または金属化合物からなるA層用ターゲット(図示省略)をスパッタ蒸発源102に、各種の金属、合金または金属化合物からなるB層用ターゲット(図示省略)をスパッタ蒸発源102またはアーク蒸発源101に取り付ける。また、必要に応じて、成膜ガスをチャンバー103内に導入しながら、スパッタ電源108、または、スパッタ電源108とアーク電源109とによりA層用ターゲットとB層用ターゲットを同時に蒸発させる。このとき、下地層2が形成された基材10(被処理体)を支持する基材ステージ105を回転させることによって、A層4とB層5とが交互に積層した密着強化層3が下地層の上に形成される。そして、密着強化層3内のA層4は、積層される毎に厚さが増加するように形成する。
被処理体は、基材ステージ105の回転に伴い、異なる組成のターゲットを取り付けた蒸発源の前を交互に通過する。そのときに、各々の蒸発源のターゲット組成に対応した皮膜が交互に形成されることで、A層4とB層5とが交互に積層した密着強化層3を形成することが可能である。また、A層4、B層5の各々の厚さ、および、A層4の厚さ増加量は、各蒸発源への投入電力(ターゲット蒸発量)や、基材ステージ105の回転速度、回転数にて制御する。なお、基材ステージ105の回転速度が速いほうが1層あたりの厚さは薄くなる。なお、A層用ターゲットとB層用ターゲットの蒸発は、同時に限定されず、A層形成後にB層用ターゲットの蒸発を行ってもよい。
A層形成時においては、基材10(下地層2が形成された基材10)に、−200V以上0V未満、好ましくは−150V以上−10V以下のバイアス電圧をバイアス電源107から基材ステージ105を通じて印加することが好ましい。基材10に所定範囲のバイアス電圧を印加することによって、硬質皮膜の切削性能が向上して、耐摩耗性が向上する。バイアス電圧の負電圧が大きくなると、成膜中の基材10の加熱や成膜レートの低下が生じることから、A層が均一に成膜されず、切削時に硬質皮膜1に破壊(チッピング)が起こりやすくなり、耐摩耗性が低下しやすくなる。
また、A層形成時に使用されるスパッタ電源108としては、神戸製鋼所製UBMS202等のUBMS電源(通常電源)、DMS電源等が使用できる。スパッタ電源108としてはDMS電源が好ましい。スパッタ電源108としてDMS電源を使用することで、通常電源(UBMS電源)よりも硬度および耐摩耗性を向上させることができる。DMS電源を使用すると硬度が上昇するのは、DMS電源によりA層用ターゲットのイオン照射が高くなるためと考えられる。
本発明に係る硬質皮膜の第2の形成方法、すなわち、第2の実施形態の硬質皮膜の形成方法について、説明する。なお、硬質皮膜1Aの構成については、図2を参照する。
硬質皮膜1Aの形成方法は、基材準備工程と、基材加熱工程と、皮膜形成工程とを含む。基材準備工程と基材加熱工程は、前記した第1の形成方法(図1に記載された硬質皮膜1の形成方法)と同様であるので、説明を省略する。また、硬質皮膜1Aの形成方法は、前記した基材エッチング工程を基材加熱工程と皮膜形成工程との間に含んでもよい。
硬質皮膜1Aの形成方法は、基材準備工程と、基材加熱工程と、皮膜形成工程とを含む。基材準備工程と基材加熱工程は、前記した第1の形成方法(図1に記載された硬質皮膜1の形成方法)と同様であるので、説明を省略する。また、硬質皮膜1Aの形成方法は、前記した基材エッチング工程を基材加熱工程と皮膜形成工程との間に含んでもよい。
(皮膜形成工程)
皮膜形成工程は、基材10の上に下地層2とA層4およびB層5の密着強化層3とを前記した第1の形成方法と同様にして形成し、その後、密着強化層3の上にSP法またはAIP法でC層6を形成する工程である。そして、C層6をSP法で形成するときには、スパッタ電源としてUBMS電源、DMS電源等を用い、DMS電源を用いることが好ましい。そして、C層形成時においては、基材10にバイアス電圧を印加することが好ましい。C層6をSP法で形成するときに、DMS電源を用いる場合には基材10に−100V以上0V未満のバイアス電圧を印加し、UBMS電源を用いる場合には基材10に−150V以上0V未満のバイアス電圧を印加することが好ましい。
皮膜形成工程は、基材10の上に下地層2とA層4およびB層5の密着強化層3とを前記した第1の形成方法と同様にして形成し、その後、密着強化層3の上にSP法またはAIP法でC層6を形成する工程である。そして、C層6をSP法で形成するときには、スパッタ電源としてUBMS電源、DMS電源等を用い、DMS電源を用いることが好ましい。そして、C層形成時においては、基材10にバイアス電圧を印加することが好ましい。C層6をSP法で形成するときに、DMS電源を用いる場合には基材10に−100V以上0V未満のバイアス電圧を印加し、UBMS電源を用いる場合には基材10に−150V以上0V未満のバイアス電圧を印加することが好ましい。
図4の成膜装置100におけるC層6の形成方法は、スパッタ蒸発源102にSiCからなるC層用ターゲットを取り付け、スパッタ電源108によりC層用ターゲットを蒸発させると共に、下地層2および密着強化層3が形成された基材10(被処理体)を支持する基材ステージ105を回転させて、被処理体の密着強化層3の上に所定厚さのC層6を形成させる。なお、C層6の厚さは、スパッタ電源108への投入電力(C層用ターゲットの蒸発量)や、基材ステージ105の回転速度、回転数によって制御する。なお、基材ステージ105の回転速度が速いほうがC層6の厚さが薄くなる。
C層形成時においては、基材10(下地層2および密着強化層3が形成された基材10)に、DMS電源時には−100V以上0V未満、好ましくは−100V以上−10V未満、より好ましくは−90V以上−20V未満のバイアス電圧、UBMS電源時には−150V以上0V未満、好ましくは−120V以上−20V未満のバイアス電圧をバイアス電源107から基材ステージ105を通じて印加することが好ましい。
基材10に所定範囲のバイアス電圧を印加することによって、硬質皮膜1Aの硬度および耐摩耗性が向上する。バイアス電圧の負電圧が大きくなると、C層6の硬度が増加するが、成膜中の基材10の加熱や成膜レートの低下が生じることから、C層6が均一に成膜されず、切削時に硬質皮膜1Aに破壊(チッピング)が起こりやすくなり、耐摩耗性が低下する。また、バイアス電圧を印加すると硬度が上昇するのは、C層用ターゲットと基材10の電位差が大きくなりC層用ターゲットのイオン照射が高くなるためと考えられる。
以下、本発明に係る実施例について説明する。実施例においては、図4に示す成膜装置を用いて、硬質皮膜を形成した。なお、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
<第1実施例>
第1実施例では、A層、B層とも種々の組成で成膜を実施した。B層からなる下地層を厚さ0.5μmで成膜した後に、密着強化層を厚さ1.5μmで成膜した。密着強化層内のA層の成膜には、UBMS電源またはDMS電源を用いた。A層成膜時のバイアス電圧は−75Vに固定して成膜した。各々組成の異なるA、B層を形成し、密着強化層内のA層の厚さを変化させ、硬度、密着性および耐摩耗性に及ぼす影響を検討した。
また、比較例として、A層または下地層(B層)単層の膜を厚さ2.0μmで形成したもの(No.8、24、35、43)を用意した。加えて、下地層(B層)を厚さ0.5μmで形成した後に、A層のみの密着強化層を厚さ1.5μmで形成したもの(No.25)を用意した。
<第1実施例>
第1実施例では、A層、B層とも種々の組成で成膜を実施した。B層からなる下地層を厚さ0.5μmで成膜した後に、密着強化層を厚さ1.5μmで成膜した。密着強化層内のA層の成膜には、UBMS電源またはDMS電源を用いた。A層成膜時のバイアス電圧は−75Vに固定して成膜した。各々組成の異なるA、B層を形成し、密着強化層内のA層の厚さを変化させ、硬度、密着性および耐摩耗性に及ぼす影響を検討した。
また、比較例として、A層または下地層(B層)単層の膜を厚さ2.0μmで形成したもの(No.8、24、35、43)を用意した。加えて、下地層(B層)を厚さ0.5μmで形成した後に、A層のみの密着強化層を厚さ1.5μmで形成したもの(No.25)を用意した。
具体的には、基材としての切削工具(ドリル)および鏡面の超硬試験片(13mm□×5mm厚)をエタノール中にて超音波洗浄し、基材を基材ステージに取り付けた。成膜装置内を5×10−3Paまで排気後、基材を500℃まで加熱後、Arイオンによるエッチングを5分間実施した。その後、窒素ガスや、必要に応じて炭素を含有するガスを窒素ガスに加えた混合ガスを4Paまで導入し、B層ターゲット(ターゲット径100mmφ)をアーク蒸発源に取り付け、アーク蒸発源を放電電流150Aで運転し、基材ステージを回転速度5rpmで回転させて下地層を形成した。
次に、A層ターゲット(ターゲット径152.4mmφ)をスパッタ蒸発源に取り付け、B層ターゲット(下地層ターゲットと同様)をアーク蒸発源に取り付け、基材ステージを回転速度5rpmで回転させる。まずはA層ターゲットのみ、前記した窒素ガス等の所定の雰囲気中で単独で短時間蒸発させ、基材にバイアス電圧−75V印加し、所定厚さのA層(最下層)を形成した。その後、Arガスを導入し、B層ターゲットを蒸発させ、A層ターゲットおよびB層ターゲットを同時に蒸発させ、基材にバイアス電圧を−75V印加しながら基材ステージを回転速度5rpmで回転させることで、A層とB層とが交互に積層した密着強化層を下地層の上に合計厚さ1.5μmとなるように形成した。また、A層の最小厚さ(最下層の厚さ)、厚さの増加量(最下層から最上層に向かうに従い1層毎に増加するA層の厚さの増加量)および最大厚さ(最上層の厚さ)、ならびにB層の厚さ(1層の厚さ)は、表1〜4に示すとおりとした。
成膜後、硬質皮膜中の成分組成を測定すると共に、硬度、密着性および耐摩耗性について評価を行った。その結果を表1〜4に示す。
なお、表中の「所定の関係のA層(組)の有無」とは、B層を介して隣り合うA層の組のうち、下地層に近い側に形成されたA層の厚さよりも下地層に遠い側に形成されたA層の厚さの方が厚いという関係を満たす組(2つのA層)が1組以上存在するか否かを表し、「○」の場合、1組以上存在することを示す。
なお、表中の「所定の関係のA層(組)の有無」とは、B層を介して隣り合うA層の組のうち、下地層に近い側に形成されたA層の厚さよりも下地層に遠い側に形成されたA層の厚さの方が厚いという関係を満たす組(2つのA層)が1組以上存在するか否かを表し、「○」の場合、1組以上存在することを示す。
(成分組成)
下地層、A層とB層とからなる密着強化層の成分組成を、EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)により測定した。
下地層、A層とB層とからなる密着強化層の成分組成を、EPMA(Electron Probe Micro Analyzer)により測定した。
(A層の最大厚さの測定)
A層の最大厚さについては、硬質皮膜が形成された超硬試験片を以下の「試料作製装置」で加工した後、以下の「観察装置」により厚さを測定した。
A層の最大厚さについては、硬質皮膜が形成された超硬試験片を以下の「試料作製装置」で加工した後、以下の「観察装置」により厚さを測定した。
[試料の加工]
試料作製装置 :日立製作所製 集束イオンビーム加工観察装置 FB2000A
:エスアイアイ・ナノテクノロジ−製 SMI9200
高性能イオン顕微鏡
加速電圧 :30kV (FIB通常加工)
イオン源 :Ga
作製方法 :FIB法(集束イオンビーム加工法)で超硬試験片を加工した。試験片 最表面保護のため、高真空蒸着装置およびFIBにてカーボン膜を コーティングした後、FIBマイクロサンプリングにて試験小片を摘 出した。その後、摘出した小片をFIB加工により透過電子顕微鏡 (TEM)による観察が可能な厚さまで薄片化を行った。
試料作製装置 :日立製作所製 集束イオンビーム加工観察装置 FB2000A
:エスアイアイ・ナノテクノロジ−製 SMI9200
高性能イオン顕微鏡
加速電圧 :30kV (FIB通常加工)
イオン源 :Ga
作製方法 :FIB法(集束イオンビーム加工法)で超硬試験片を加工した。試験片 最表面保護のため、高真空蒸着装置およびFIBにてカーボン膜を コーティングした後、FIBマイクロサンプリングにて試験小片を摘 出した。その後、摘出した小片をFIB加工により透過電子顕微鏡 (TEM)による観察が可能な厚さまで薄片化を行った。
[厚さの測定]
観察使用装置 :日立製作所製 透過電子顕微鏡 H−800
加速電圧 :200kV
撮影倍率 :200,000倍
総合倍率 :300,000倍
評価条件 :任意の1視野(断面)をアンダーフォーカス像で撮影し、撮影画像よ り当該一層を等間隔に10点測定し、最小値と最大値を除く8点の平 均値を当該一層の膜厚とする。この方法で、密着強化層中のA層の最 大厚さを計測した。B層の厚さも同様の方法で測定した。
A層の厚さの増加量については任意の1視野(断面)の下部にある A層の厚さと、上部にあるA層の厚さを測定(測定方法は上記に準じ る)し、その差を下部と上部にあるA層の層数で割ることで、1層あ たりの増加分を算出した。
A層の最小厚さについては、測定可能なA層の最小測定限界厚さか ら推定した。推定方法は下地B層の成膜レートから算出される下地層 の上部の位置と、A層の最小測定限界厚さ位置の差を求める。この差 の間にA層とB層が交互に形成されていると仮定して、上記で算出し たA層の増加分を考慮してA層の最小厚さを推測した。
これらの方法で求めたA層厚さの増加量およびA層の最小厚さが 0.1nm以下のときは0.1nmと記載した。
観察使用装置 :日立製作所製 透過電子顕微鏡 H−800
加速電圧 :200kV
撮影倍率 :200,000倍
総合倍率 :300,000倍
評価条件 :任意の1視野(断面)をアンダーフォーカス像で撮影し、撮影画像よ り当該一層を等間隔に10点測定し、最小値と最大値を除く8点の平 均値を当該一層の膜厚とする。この方法で、密着強化層中のA層の最 大厚さを計測した。B層の厚さも同様の方法で測定した。
A層の厚さの増加量については任意の1視野(断面)の下部にある A層の厚さと、上部にあるA層の厚さを測定(測定方法は上記に準じ る)し、その差を下部と上部にあるA層の層数で割ることで、1層あ たりの増加分を算出した。
A層の最小厚さについては、測定可能なA層の最小測定限界厚さか ら推定した。推定方法は下地B層の成膜レートから算出される下地層 の上部の位置と、A層の最小測定限界厚さ位置の差を求める。この差 の間にA層とB層が交互に形成されていると仮定して、上記で算出し たA層の増加分を考慮してA層の最小厚さを推測した。
これらの方法で求めたA層厚さの増加量およびA層の最小厚さが 0.1nm以下のときは0.1nmと記載した。
(硬度)
硬度は、硬質皮膜が形成された超硬試験片を用いてナノインデンター試験によって測定した。ナノインデンターによる測定は、装置として「株式会社 エリオニクス製 ENT−1100」を用い、インデンターにはベルコビッチ型の三角錐圧子を使用した。まず、荷重2、5、7、10および20mNの5荷重で各々5点の荷重負荷曲線を測定した。そして、SAWAらにより提案された装置のコンプライアンスと圧子先端形状を補正する方法(J.Mater.Res.Vol.16,No.11,2001,3084)によりデータの補正を行った。硬度が30GPa以上のものを良好、硬度が30GPa未満のものを不良と評価した。
硬度は、硬質皮膜が形成された超硬試験片を用いてナノインデンター試験によって測定した。ナノインデンターによる測定は、装置として「株式会社 エリオニクス製 ENT−1100」を用い、インデンターにはベルコビッチ型の三角錐圧子を使用した。まず、荷重2、5、7、10および20mNの5荷重で各々5点の荷重負荷曲線を測定した。そして、SAWAらにより提案された装置のコンプライアンスと圧子先端形状を補正する方法(J.Mater.Res.Vol.16,No.11,2001,3084)によりデータの補正を行った。硬度が30GPa以上のものを良好、硬度が30GPa未満のものを不良と評価した。
(密着性)
密着性は、硬質皮膜が形成された超硬試験片を用いてスクラッチ試験によって評価した。スクラッチ試験は、硬質皮膜に対し、200μmRのダイヤモンド圧子を荷重増加速度100N/分、圧子移動速度10mm/分という条件で移動させて行った。臨界荷重値としては、スクラッチ試験後に、光学顕微鏡にてスクラッチ部分の観察を行い、皮膜に損傷が起こった部分を臨界荷重として採用した。表1〜5ではこれを密着力(N)として記載し、密着力が75N以上のものを密着性が良好、密着力が75N未満のものを密着性が不良とした。
密着性は、硬質皮膜が形成された超硬試験片を用いてスクラッチ試験によって評価した。スクラッチ試験は、硬質皮膜に対し、200μmRのダイヤモンド圧子を荷重増加速度100N/分、圧子移動速度10mm/分という条件で移動させて行った。臨界荷重値としては、スクラッチ試験後に、光学顕微鏡にてスクラッチ部分の観察を行い、皮膜に損傷が起こった部分を臨界荷重として採用した。表1〜5ではこれを密着力(N)として記載し、密着力が75N以上のものを密着性が良好、密着力が75N未満のものを密着性が不良とした。
(耐摩耗性)
耐摩耗性は、硬質皮膜が形成された切削工具(ドリル)を用いて以下の条件で切削試験を実施し、160穴切削後のマージン部(刃先付近)における基材(超硬)が露出している最大摩耗幅を測定した。最大摩耗幅が35μm以下のものを耐摩耗性が良好、最大摩耗幅が35μmを超えるものを耐摩耗性が不良とした。
耐摩耗性は、硬質皮膜が形成された切削工具(ドリル)を用いて以下の条件で切削試験を実施し、160穴切削後のマージン部(刃先付近)における基材(超硬)が露出している最大摩耗幅を測定した。最大摩耗幅が35μm以下のものを耐摩耗性が良好、最大摩耗幅が35μmを超えるものを耐摩耗性が不良とした。
[切削試験条件]
被削材 :CFRP
厚さ :5mm
ドリル :MAPAL製 MEGA−DRILL−COMPOSITE−MD
M2925−0600AU(ドリルの径:φ6.00mm)
切削速度 :45m/min
テーブル送り速度 :478mm/min
回転速度 :2389rpm
一回転当りの送り量:0.2mm/rev
穴あけ深さ :5mm
評価条件 :160穴切削後のマージン部の最大摩耗幅
被削材 :CFRP
厚さ :5mm
ドリル :MAPAL製 MEGA−DRILL−COMPOSITE−MD
M2925−0600AU(ドリルの径:φ6.00mm)
切削速度 :45m/min
テーブル送り速度 :478mm/min
回転速度 :2389rpm
一回転当りの送り量:0.2mm/rev
穴あけ深さ :5mm
評価条件 :160穴切削後のマージン部の最大摩耗幅
表1に示すように、No.2〜5(実施例)は、硬質皮膜が本発明の要件を満足するため、硬度、密着性および耐摩耗性が良好であった。
一方、No.1(比較例)は、下地層およびB層のTiが下限値未満、Alが上限値を超えるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.6(比較例)は、下地層およびB層のTiが上限値を超え、Alが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.7(比較例)は、下地層およびB層のCが上限値を超え、Nが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.8(比較例)は、下地層のみで構成されていることから、硬度および耐摩耗性が不良であった。
一方、No.1(比較例)は、下地層およびB層のTiが下限値未満、Alが上限値を超えるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.6(比較例)は、下地層およびB層のTiが上限値を超え、Alが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.7(比較例)は、下地層およびB層のCが上限値を超え、Nが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.8(比較例)は、下地層のみで構成されていることから、硬度および耐摩耗性が不良であった。
表2に示すように、No.10〜15、17、18、21(実施例)は、硬質皮膜が本発明の要件を満足するため、硬度、密着性および耐摩耗性が良好であった。
一方、No.9(比較例)は、下地層およびB層のAlが下限値未満、Crが上限値を超えるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.16(比較例)は、A層の最大厚さが下限値未満であるため、硬度および密着性が不良であった。No.19(比較例)は、A層のSiが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.20(比較例)は、A層のCが上限値を超え、Nが下限値未満であるため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.22(比較例)は、下地層およびB層のAlが上限値を超え、Crが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.23(比較例)は、下地層およびB層のCが上限値を超え、Nが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.24(比較例)は、下地層のみで構成されていることから、硬度が不良であった。No.25(比較例)は、密着強化層がA層のみで構成されているため、密着性および耐摩耗性が不良であった。
一方、No.9(比較例)は、下地層およびB層のAlが下限値未満、Crが上限値を超えるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.16(比較例)は、A層の最大厚さが下限値未満であるため、硬度および密着性が不良であった。No.19(比較例)は、A層のSiが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.20(比較例)は、A層のCが上限値を超え、Nが下限値未満であるため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.22(比較例)は、下地層およびB層のAlが上限値を超え、Crが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.23(比較例)は、下地層およびB層のCが上限値を超え、Nが下限値未満であるため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.24(比較例)は、下地層のみで構成されていることから、硬度が不良であった。No.25(比較例)は、密着強化層がA層のみで構成されているため、密着性および耐摩耗性が不良であった。
表3に示すように、No.27〜32(実施例)は、硬質皮膜が本発明の要件を満足するため、硬度、密着性および耐摩耗性が良好であった。
一方、No.26(比較例)は、下地層およびB層のCrが上限値を超えているため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.33(比較例)は、下地層およびB層のSiが上限値を超えているため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.34(比較例)は、下地層およびB層のAlが上限値を超えているため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.35(比較例)は、下地層のみで構成されていることから、硬度が不良であった。
一方、No.26(比較例)は、下地層およびB層のCrが上限値を超えているため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.33(比較例)は、下地層およびB層のSiが上限値を超えているため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.34(比較例)は、下地層およびB層のAlが上限値を超えているため、硬度、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.35(比較例)は、下地層のみで構成されていることから、硬度が不良であった。
表4に示すように、No.37〜40(実施例)は、硬質皮膜が本発明の要件を満足するため、硬度、密着性および耐摩耗性が良好であった。
一方、No.36(比較例)は、下地層およびB層のTiが上限値を超え、Siが下限値未満であるため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.41(比較例)は、下地層およびB層のTiが下限値未満、Siが上限値を超えているため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.42(比較例)は、密着強化層を備えていないことから、硬度および耐摩耗性が不良であった。No.43(比較例)は、A層のみで構成されていることから、密着性および耐摩耗性が不良であった。
一方、No.36(比較例)は、下地層およびB層のTiが上限値を超え、Siが下限値未満であるため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.41(比較例)は、下地層およびB層のTiが下限値未満、Siが上限値を超えているため、密着性および耐摩耗性が不良であった。No.42(比較例)は、密着強化層を備えていないことから、硬度および耐摩耗性が不良であった。No.43(比較例)は、A層のみで構成されていることから、密着性および耐摩耗性が不良であった。
<第2実施例>
第2実施例では、密着強化層の上にC層を形成し、C層の厚さを変化させた実験を行った。なお、下地層および密着強化層の皮膜組成および厚さを固定した。下地層を0.5μm成膜した後に、密着強化層の内、A層をB層20nmと交互に積層し、A層を0.1nm(最下層の厚さ)から最大厚さ30nm(最上層の厚さ)まで増加させ、密着強化層として1.5μmになるように成膜した。その後、C層を表5に示す厚さで成膜した。そして、C層の厚さが、硬度、密着性および耐摩耗性に及ぼす影響を検討した。
第2実施例では、密着強化層の上にC層を形成し、C層の厚さを変化させた実験を行った。なお、下地層および密着強化層の皮膜組成および厚さを固定した。下地層を0.5μm成膜した後に、密着強化層の内、A層をB層20nmと交互に積層し、A層を0.1nm(最下層の厚さ)から最大厚さ30nm(最上層の厚さ)まで増加させ、密着強化層として1.5μmになるように成膜した。その後、C層を表5に示す厚さで成膜した。そして、C層の厚さが、硬度、密着性および耐摩耗性に及ぼす影響を検討した。
具体的には、前記第1実施例と同様にして、基材の上に下地層および密着強化層を形成した。次に、C層ターゲットであるSiCターゲット(ターゲット径152.4mmφ)をスパッタ蒸発源に取り付けた。基材ステージを回転速度5rpmで回転させると共に、基材にバイアス電圧−75V印加し、SiCターゲットを蒸発させ、所定厚さのC層を形成した。なお、A層成膜およびC層成膜には、UBMS電源またはDMS電源を使用した。
成膜終了後、硬質皮膜中の成分組成を測定すると共に、硬度、密着性および耐摩耗性について評価を行った。その結果を表5に示す。
成分組成の測定方法、硬度、密着性および耐摩耗性の評価方法は、前記第1実施例と同様である。なお、硬質皮膜中の成分組成のうち、下地層およびB層は「Al0.65Cr0.35N」、A層は「Si0.5(C0.5N0.5)0.5」、C層は「SiC」であった。
成分組成の測定方法、硬度、密着性および耐摩耗性の評価方法は、前記第1実施例と同様である。なお、硬質皮膜中の成分組成のうち、下地層およびB層は「Al0.65Cr0.35N」、A層は「Si0.5(C0.5N0.5)0.5」、C層は「SiC」であった。
表5に示すように、No.45〜54(実施例)は、硬質皮膜が本発明の要件を満足するため、硬度、密着性および耐摩耗性が良好であった。一方でNo.44(比較例)はC層の厚さが下限未満であるため十分な耐摩耗性を確保できず、摩耗幅が大きくなり不良であった。No.55はC層の厚さが上限値を超えたため内部応力が高くなり、密着性が不良であった。
1、1A 硬質皮膜
2 下地層
3 密着強化層
4 A層
5 B層
6 C層
10 基材
20 結晶粒
2 下地層
3 密着強化層
4 A層
5 B層
6 C層
10 基材
20 結晶粒
Claims (2)
- 基材の上に形成される硬質皮膜であって、
組成が、Siw(CxN1−x)1−wであり、
0.30≦w≦0.65
0.3≦x≦0.7
を満たすA層と、
組成が、Ti1−aAla(C1−kNk)、AlbCr1−b(C1−kNk)、Ti1−c−d−eCrcAldSie(C1−kNk)、およびTi1−fSif(C1−kNk)のいずれかであり、
0.3≦a≦0.7
0.3≦b≦0.8
c≦0.3
0.3≦d≦0.7
0≦e≦0.3
1−c−d−e≦0.3
0.05≦f≦0.3
0.5≦k≦1
を満たすB層とを備え、
前記基材の上には前記B層からなる下地層が形成され、前記下地層の上には、前記A層および前記B層が交互に繰り返し積層された密着強化層が形成され、
前記密着強化層内においてB層を介して隣り合う少なくとも1組のA層が、前記下地層に近い側に形成されたA層の厚さよりも前記下地層に遠い側に形成されたA層の厚さの方が厚いという関係を満たし、
前記密着強化層内のA層の最大厚さが15nm以上であることを特徴とする硬質皮膜。 - 前記密着強化層の上にC層がさらに形成され、前記C層の組成がSiCであり、前記C層の厚みが0.2μm以上5.5μm以下であることを特徴とする請求項1に記載の硬質皮膜。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014136030A JP6163141B2 (ja) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | 硬質皮膜 |
BR112016029576A BR112016029576A2 (pt) | 2014-07-01 | 2015-07-01 | película de revestimento duro |
CA2953908A CA2953908A1 (en) | 2014-07-01 | 2015-07-01 | Hard coating film |
US15/320,930 US20170129818A1 (en) | 2014-07-01 | 2015-07-01 | Hard coating film |
EP15815260.3A EP3165630A4 (en) | 2014-07-01 | 2015-07-01 | Hard coating film |
PCT/JP2015/069068 WO2016002861A1 (ja) | 2014-07-01 | 2015-07-01 | 硬質皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014136030A JP6163141B2 (ja) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | 硬質皮膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016014166A JP2016014166A (ja) | 2016-01-28 |
JP6163141B2 true JP6163141B2 (ja) | 2017-07-12 |
Family
ID=55019390
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014136030A Expired - Fee Related JP6163141B2 (ja) | 2014-07-01 | 2014-07-01 | 硬質皮膜 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170129818A1 (ja) |
EP (1) | EP3165630A4 (ja) |
JP (1) | JP6163141B2 (ja) |
BR (1) | BR112016029576A2 (ja) |
CA (1) | CA2953908A1 (ja) |
WO (1) | WO2016002861A1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111032260B (zh) * | 2017-08-29 | 2021-03-26 | 京瓷株式会社 | 涂层刀具以及具备该涂层刀具的切削刀具 |
JPWO2019044715A1 (ja) * | 2017-08-29 | 2020-09-17 | 京セラ株式会社 | 被覆工具及びこれを備えた切削工具 |
CN108866491A (zh) * | 2018-07-24 | 2018-11-23 | 山东大学 | TiAlN/CrAlSiN纳米复合多层涂层及其制备方法 |
KR102520304B1 (ko) * | 2018-08-01 | 2023-04-10 | 오에스지 가부시키가이샤 | 경질 피막 및 경질 피막 피복 부재 |
KR102519786B1 (ko) | 2018-08-01 | 2023-04-10 | 오에스지 가부시키가이샤 | 경질 피막 및 경질 피막 피복 부재 |
JP7256947B2 (ja) * | 2018-10-11 | 2023-04-13 | 株式会社不二越 | 硬質皮膜被覆ドリル |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02159374A (ja) * | 1988-12-13 | 1990-06-19 | Ube Ind Ltd | イオンビームスパッタリング方法 |
JP4408230B2 (ja) * | 2004-03-11 | 2010-02-03 | 株式会社神戸製鋼所 | 硬質積層皮膜および硬質積層皮膜の形成方法 |
JP4738974B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2011-08-03 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 表面被覆切削工具 |
JP5483067B2 (ja) * | 2009-10-19 | 2014-05-07 | 住友電工ハードメタル株式会社 | 表面被覆切削工具 |
JP5681093B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2015-03-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 多層硬質皮膜 |
EP2792765B1 (en) * | 2011-12-15 | 2018-09-12 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel, Ltd.) | Multilayer hard film and method for producing same |
JP5681094B2 (ja) * | 2011-12-15 | 2015-03-04 | 株式会社神戸製鋼所 | 積層硬質皮膜 |
-
2014
- 2014-07-01 JP JP2014136030A patent/JP6163141B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-07-01 EP EP15815260.3A patent/EP3165630A4/en not_active Withdrawn
- 2015-07-01 CA CA2953908A patent/CA2953908A1/en not_active Abandoned
- 2015-07-01 BR BR112016029576A patent/BR112016029576A2/pt not_active Application Discontinuation
- 2015-07-01 WO PCT/JP2015/069068 patent/WO2016002861A1/ja active Application Filing
- 2015-07-01 US US15/320,930 patent/US20170129818A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA2953908A1 (en) | 2016-01-07 |
EP3165630A4 (en) | 2018-01-03 |
EP3165630A1 (en) | 2017-05-10 |
BR112016029576A2 (pt) | 2017-08-22 |
JP2016014166A (ja) | 2016-01-28 |
WO2016002861A1 (ja) | 2016-01-07 |
US20170129818A1 (en) | 2017-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6163141B2 (ja) | 硬質皮膜 | |
JP4707541B2 (ja) | 硬質皮膜被覆部材 | |
JP2006137982A (ja) | 硬質皮膜被覆部材及びその被覆方法 | |
JP6525310B2 (ja) | 被覆工具 | |
CN111511490B (zh) | 包覆切削工具 | |
JP2006152321A (ja) | 硬質皮膜被覆部材及びその被覆方法 | |
JP2012045650A (ja) | 硬質皮膜被覆切削工具 | |
JP2017001147A (ja) | 被覆切削工具 | |
JP6155204B2 (ja) | 硬質皮膜およびその形成方法 | |
WO2016167032A1 (ja) | 硬質皮膜 | |
JP6529262B2 (ja) | 被覆工具 | |
WO2015076220A1 (ja) | 硬質皮膜および硬質皮膜形成用ターゲット | |
JP2014152345A (ja) | 硬質皮膜被覆wc基超硬合金部材及びその製造方法 | |
JP5065758B2 (ja) | 被覆切削工具 | |
JP6385243B2 (ja) | 被覆切削工具 | |
KR20210118217A (ko) | 피복 절삭 공구 | |
JP5065757B2 (ja) | 被覆切削工具 | |
WO2016111288A1 (ja) | ダイヤモンドライクカーボン層積層体およびその製造方法 | |
KR102623142B1 (ko) | 피복 절삭 공구 | |
JP4761556B2 (ja) | 窒化物含有ターゲット材 | |
JP2013049119A (ja) | 高速断続切削加工で硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性を発揮する表面被覆切削工具 | |
WO2019188967A1 (ja) | 表面被覆切削工具 | |
JP4304179B2 (ja) | 硬質皮膜及びその製造方法 | |
KR102646471B1 (ko) | 피복 절삭 공구 | |
JP6311353B2 (ja) | 超硬工具およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160901 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170606 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6163141 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |