JP6143967B2 - 電力変換装置 - Google Patents
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Description
図1は、実施の形態1の電力変換装置における主回路の構成を示す図である。主回路100は、図1に示すように、半導体素子モジュール101〜106を備えて構成される。半導体素子モジュール101〜106に搭載されるスイッチング素子は、例えばSiC素子である。なお、SiCは、珪素(Si)よりもバンドギャップが大きいという特性を捉えて、ワイドバンドギャップ半導体と称される半導体の一例である。このSiC以外にも、例えば窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いて形成される半導体もワイドバンドギャップ半導体に属しており、ワイドバンドギャップ半導体を素材として作成された素子を用いる構成も、本発明の要旨を成すものである。
図5は、実施の形態2に係る電力変換装置の図2とは異なる一構成例を示す図(上面図)であり、図2に示した電力変換装置の構成から、遮蔽板18を取り外し、その空いた空間を熱のあおりの影響を小さくするための離間空間28として構成したものである。なお、その他の構成については、図2に示した実施の形態1の構成と同一または同等であり、それら共通の構成部には同一の符号を付して示し、重複する説明は省略する。
図6は、実施の形態3に係る電力変換装置の図2および図5とは異なる一構成例を示す図(上面図)であり、図5に示した電力変換装置の構成において、熱のあおりの影響を小さくするための離間空間28を耐熱コンデンサ11の筐体で埋めたものである。なお、図2の構成との比較であれば、耐熱コンデンサ11の筐体を遮蔽板(遮蔽物)として機能させると言うこともできる。
Claims (8)
- 直流電力を蓄積するフィルタコンデンサと、当該フィルタコンデンサに蓄積される直流電力を交流電力に変換するためのスイッチング動作を行う半導体素子モジュールとが同一の筐体内に配置される構成の電力変換装置において、
前記フィルタコンデンサは、第1のコンデンサと、前記第1のコンデンサよりも耐熱性が高い第2のコンデンサと、に区分され、
前記第2のコンデンサは、接続導体を用いて前記半導体素子モジュールに接続されると共に、前記接続導体とは異なるブスバーに電気的に接続され、
前記第1のコンデンサは、前記ブスバーに接続されることにより、前記第2のコンデンサおよび前記接続導体を介して前記半導体素子モジュールとの電気的接続がとられ、
前記第2のコンデンサのサイズを前記第1のコンデンサのサイズよりも小さく形成し、
前記第1および第2のコンデンサのサイズの差異により前記第2のコンデンサの前記ブスバーと接続される側とは反対側に生じた空間に遮蔽板を設けたことを特徴とする電力変換装置。 - 直流電力を蓄積するフィルタコンデンサと、当該フィルタコンデンサに蓄積される直流電力を交流電力に変換するためのスイッチング動作を行う半導体素子モジュールとが同一の筐体内に配置される構成の電力変換装置において、
前記フィルタコンデンサは、第1のコンデンサと、前記第1のコンデンサよりも耐熱性が高い第2のコンデンサと、に区分され、
前記第2のコンデンサは、接続導体を用いて前記半導体素子モジュールに接続されると共に、前記接続導体とは異なるブスバーに電気的に接続され、
前記第1のコンデンサは、前記ブスバーに接続されることにより、前記第2のコンデンサおよび前記接続導体を介して前記半導体素子モジュールとの電気的接続がとられ、
前記第2のコンデンサのサイズを前記第1のコンデンサのサイズよりも小さく形成し、
前記第1および第2のコンデンサのサイズの差異により前記第2のコンデンサの前記ブスバーと接続される側とは反対側に生じた空間を、前記半導体素子モジュールから伝わる熱のあおりの影響を小さくするための離間空間としたことを特徴とする電力変換装置。 - 前記第1のコンデンサおよび前記第2のコンデンサは、それぞれ前記ブスバーに接続される側の端部が揃えられて配置されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電力変換装置。
- 前記第2のコンデンサは、前記半導体素子モジュールから見て前記第1のコンデンサを遮蔽するように配置されていることを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記第2のコンデンサの筐体における第1の面には前記接続導体と接続するための第1の端子が設けられ、
前記第2のコンデンサの筐体における前記第1の面とは異なる第2の面には前記ブスバーと接続するための第2の端子が設けられている
ことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。 - 前記接続導体はL字形状、クランク形状または直線状であることを特徴とする請求項1または2に記載の電力変換装置。
- 前記半導体素子モジュールに搭載されるスイッチング素子は、ワイドバンドギャップ半導体にて形成されることを特徴とする請求項1、2または6に記載の電力変換装置。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料または、ダイヤモンドを用いた半導体であることを特徴とする請求項7に記載の電力変換装置。
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