JP6141664B2 - めっき浴および方法 - Google Patents
めっき浴および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6141664B2 JP6141664B2 JP2013067757A JP2013067757A JP6141664B2 JP 6141664 B2 JP6141664 B2 JP 6141664B2 JP 2013067757 A JP2013067757 A JP 2013067757A JP 2013067757 A JP2013067757 A JP 2013067757A JP 6141664 B2 JP6141664 B2 JP 6141664B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silver
- alkyl
- tin
- acid
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/64—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of silver
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/11—Manufacturing methods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/42—Coating with noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/03—Manufacturing methods
- H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
- H01L2224/03444—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in gaseous form
- H01L2224/0345—Physical vapour deposition [PVD], e.g. evaporation, or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/0401—Bonding areas specifically adapted for bump connectors, e.g. under bump metallisation [UBM]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05075—Plural internal layers
- H01L2224/0508—Plural internal layers being stacked
- H01L2224/05082—Two-layer arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/05099—Material
- H01L2224/051—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/05171—Chromium [Cr] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/05611—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/114—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bump connector
- H01L2224/1146—Plating
- H01L2224/11462—Electroplating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/1147—Manufacturing methods using a lift-off mask
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
- H01L2224/118—Post-treatment of the bump connector
- H01L2224/11848—Thermal treatments, e.g. annealing, controlled cooling
- H01L2224/11849—Reflowing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13005—Structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13139—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/13001—Core members of the bump connector
- H01L2224/13099—Material
- H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13147—Copper [Cu] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/1357—Single coating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13575—Plural coating layers
- H01L2224/1358—Plural coating layers being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13601—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/13611—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/1354—Coating
- H01L2224/13599—Material
- H01L2224/136—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/13638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/13639—Silver [Ag] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/94—Batch processes at wafer-level, i.e. with connecting carried out on a wafer comprising a plurality of undiced individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
Description
Y1−(CR1R2)m−S−(CR3R4)x−S−(CR5R6)n−Y2
(式中、Y1およびY2は独立してCO2H、SO3H、PO3H2、CONR7R8およびOHから選択され;各R1、R2、R5およびR6は独立してH、(C1−C6)アルキル、CO2Hおよびヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルから選択され;各R3およびR4は独立してHおよび(C1−C6)アルキルから選択され;m=1〜6;n=1〜6;R7およびR8は独立してHおよび(C1−C3)アルキルから選択され;並びに、x=1〜6であり;ただし、Y1=OHである場合にはm=3であり;ただし、Y2=OHである場合にはn=3であり;ただし、R1、R2、R5およびR6のいずれかがヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルである場合には、このヒドロキシ基は硫黄原子に対して少なくともガンマである炭素原子に結合されている)のスルフィド化合物を含む電気めっき組成物を提供する。この電気めっき組成物は1種以上の合金形成金属および1種以上のアジュバントをさらに含むことができる。
Y1−(CR1R2)m−S−(CR3R4)x−S−(CR5R6)n−Y2
(式中、Y1およびY2は独立してCO2H、SO3H、PO3H2、CONR7R8およびOHから選択され;各R1、R2、R5およびR6は独立してH、(C1−C6)アルキル、CO2Hおよびヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルから選択され;各R3およびR4は独立してHおよび(C1−C6)アルキルから選択され;m=1〜6;n=1〜6;R7およびR8は独立してHおよび(C1−C3)アルキルから選択され;並びに、x=1〜6であり;ただし、Y1=OHである場合にはm=3であり;ただし、Y2=OHである場合にはn=3であり;ただし、R1、R2、R5およびR6のいずれかがヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルである場合には、このヒドロキシ基は硫黄原子に対して少なくともガンマである炭素原子に結合されている)のスルフィド化合物を含む電気めっき組成物を基体と接触させ:並びに一定期間にわたって電位を適用して、前記基体上にスズ−銀含有層を析出させることを含む、基体上に銀または銀合金層を析出させる方法も提供される。
Y1−(CR1R2)m−S−(CR3R4)x−S−(CR5R6)n−Y2
(式中、Y1およびY2は独立してCO2H、SO3H、PO3H2、CONR7R8およびOHから選択され;各R1、R2、R5およびR6は独立してH、(C1−C6)アルキル、CO2Hおよびヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルから選択され;各R3およびR4は独立してHおよび(C1−C6)アルキルから選択され;m=1〜6;n=1〜6;R7およびR8は独立してHおよび(C1−C3)アルキルから選択され;並びに、x=1〜6であり;ただし、Y1=OHである場合にはm=3であり;ただし、Y2=OHである場合にはn=3であり;ただし、R1、R2、R5およびR6のいずれかがヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルである場合には、このヒドロキシ基は硫黄原子に対して少なくともガンマである炭素原子に結合されている)のスルフィド化合物の使用が電気めっき浴の安定性を向上させることが驚くべきことに認められた。このスルフィド化合物は銀電気めっき浴中で錯化剤(complexer)として機能する。
Y1−(CR1R2)m−S−(CR3R4)x−S−(CR5R6)n−Y2
(式中、Y1およびY2は独立してCO2H、SO3H、PO3H2、CONR7R8およびOHから選択され;各R1、R2、R5およびR6は独立してH、(C1−C6)アルキル、CO2Hおよびヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルから選択され;各R3およびR4は独立してHおよび(C1−C6)アルキルから選択され;m=1〜6;n=1〜6;R7およびR8は独立してHおよび(C1−C3)アルキルから選択され;並びに、x=1〜6であり;ただし、Y1=OHである場合にはm=3であり;ただし、Y2=OHである場合にはn=3であり;ただし、R1、R2、R5およびR6のいずれかがヒドロキシ置換(C1−C6)アルキルである場合には、このヒドロキシ基は硫黄原子に対して少なくともガンマである炭素原子に結合されている)の1種以上のスルフィド化合物を含む。語句「このヒドロキシ基は硫黄原子に対して少なくともガンマで炭素原子に結合されている」とは、硫黄原子から3炭素以上離れているヒドロキシル基をいう。すなわち、このヒドロキシル基は硫黄原子から3、4、5、6、7、8、9または10炭素離れていてよく、好ましくは硫黄原子から3、4、5、6、7または8炭素離れていてよく、より好ましくは硫黄原子から3、4、5または6炭素離れていてよく、並びに最も好ましくは硫黄原子から3炭素離れていてよい。好ましくは、各R1、R2、R5およびR6は独立してH、(C1−C4)アルキル、CO2Hおよびヒドロキシ置換(C1−C4)アルキルから選択され、より好ましくはH、(C1−C4)アルキル、およびヒドロキシ置換(C1−C2)アルキルから選択され、さらにより好ましくはH、(C1−C2)アルキル、およびヒドロキシ置換(C1−C2)アルキルから選択され、並びにさらにより好ましくはH、およびヒドロキシ置換(C1−C2)アルキルから選択される。R7およびR8は独立して好ましくはH、メチルおよびエチルから選択され、より好ましくはHおよびメチルから選択される。好ましくはR7=R8であり、より好ましくはR7=R8=Hである。Y1およびY2は独立してCO2H、SO3H、PO3H2、およびOHから選択されるのが好ましく、CO2H、SO3H、およびPO3H2から選択されるのがより好ましく、CO2H、およびSO3Hから選択されるのがさらにより好ましい。あるいは、Y1およびY2は独立してCO2H、SO3H、およびOHから選択される。m=1〜4であるのが好ましく、1〜3がより好ましい。好ましくはn=1〜4であり、より好ましくはn=1〜3である。x=1〜4であるのが好ましく、1〜3であるのがより好ましく、1〜2であるのがさらにより好ましい。Y1とY2とは好ましくは同じであり、すなわち、好ましくはY1=Y2である。Y1およびY2は独立してCO2H、SO3H、およびOHから選択され;各R1、R2、R5およびR6は独立してH、(C1−C3)アルキル、およびヒドロキシ置換(C1−C3)アルキルから選択され;各R3およびR4は独立してHおよび(C1−C3)アルキルから選択され;m=1〜4;n=1〜4;並びに、x=1〜4であるのがさらに好ましい。典型的なヒドロキシ置換(C1−C6)アルキル基には、2−ヒドロキシ−1−エチル、2−ヒドロキシ−1−プロピル、3−ヒドロキシ−2−ブチル、2−ヒドロキシ−2−プロピル、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−プロピル、2−ヒドロキシ−1−ブチル、2−ヒドロキシ−2−メチル−2−ブチル、1−ヒドロキシ−2−ブチル、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−プロピル、3−ヒドロキシ−2−ブチル、および2−ヒドロキシメチル−2−ブチルが挙げられる。
3,3’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ジプロパンアミド(化合物1):
四ホウ酸ナトリウム(1.20g、5.95mmol)がDI水(150mL)に溶解させられた。1,2−エタンジチオール(5.00mL、59.4mmol)が添加され、次いでアクリルアミド(9.31g、130mmol)が添加され、そして室温で2時間にわたって攪拌されて白色スラリーを得た。固体は濾別され、水で洗浄され、そして真空下で乾燥させられて、13.1g(93.2%)の化合物1を白色固体として得た。1H NMR(500MHz、d6−DMSO)δ7.33(s,2H)、6.82(s,2H)、3.37(s,4H)、2.69(t,J=7.2Hz4H)、2.32(t,J=7.3Hz,4H)。13C NMR(126MHz,d6−DMSO)δ172.68、35.69、31.35、26.92。
3,3’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ジプロパン酸(化合物2):
アクリルアミドがアクリル酸メチルに変えられてジエステル化合物である3,3’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ジプロパン酸ジメチルを形成したこと以外は実施例1の手順が概して繰り返された。このジエステル(5.00g、18.8mmol)は2NのHCl(50mL)中で2時間にわたって還流加熱され、次いで一晩室温で冷却され、白色沈殿を得た。この固体は濾別され、水で洗浄され、そして真空下で乾燥させられて、4.26g(95.2%)の化合物2を白色固体として得た。1H NMR(500MHz、d6−DMSO)δ12.10(s,2H)、2.61(t,J=7.1Hz,4H)、2.60(s,4H)、2.40(t,J=7.1Hz,4H)。13C NMR(126MHz,d6−DMSO)δ172.98、31.70、31.47、26.44。
2,2’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ジ酢酸(化合物3):
1,2−エタンジチオール(5.00mL、59.4mmol)がCH2Cl2(100mL)に溶解させられ、そしてEt3N(15.0g、149mmol)が添加された。次いで、この混合物は0℃まで冷却され、ブロモメチルアセタート(19.1g、125mmol)のCH2Cl2(25mL)中の溶液がゆっくりと滴下添加された。この添加が完了した後で、この反応混合物は周囲温度まで暖められ、そして2時間にわたって攪拌された。有機層が0.5MのHCl(100mL)、NaHCO3飽和水溶液、ブラインで洗浄され、そしてNa2SO4で乾燥させられ、次いで濃縮されて、12.9g(90.8%)のジエステル化合物である2,2’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ジ酢酸ジメチルを透明オイルとして得た。1H NMR(500MHz、CDCl3)δ3.74(s,6H)、3.28(s,4H)、2.89(s,4H)。13C NMR(126MHz,CDCl3)δ170.53、52.31、33.15、31.87。
2,2’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ジ酢酸ジメチル(7.00g、29.4mmol)が2時間にわたって2NのHCl(50mL)中で還流加熱された。この混合物を室温まで冷却して透明溶液を得て、この透明溶液は真空下で濃縮乾固させられて、白色固体として5.98g(96.8%)の化合物3を得た。1H NMR(400MHz、D2O)δ3.47(s,4H)、2.95(s,4H)。13C NMR(101MHz,D2O)δ174.61、33.28、31.39。
2,2’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ジエタンスルホン酸(化合物4):
2−ブロモエチルスルホン酸ナトリウム塩(25.6g、125mmol)およびナトリウムメトキシド(8.03g、149mmol)のEtOH(350mL)中の溶液に、0℃で、EtOH(25mL)中の1,2−エタンジチオール(5.00mL、59.4mmol)の溶液が滴下添加された。この反応混合物が室温まで暖められ、次いで48時間にわたって還流加熱された。次いで、この混合物は室温まで冷却され、次いで2NのHClでpH1〜2まで酸性化された。得られた懸濁物は75℃まで加熱され、そして透明な溶液が得られるまで水が小分けにしてゆっくりと添加された。次いで、この反応混合物は室温まで冷却され、次いで5℃まで冷却された。得られた白色沈殿は濾別され、冷EtOHで洗浄され、そして乾燥させられて、11.9g(64.6%)の化合物4を白色粉体として得た。1H NMR(500MHz、D2O)δ3.27(t,J=9.3,6.4Hz,4H)、3.06−2.99(m,4H)、2.98(s,4H)。13C NMR(126MHz,D2O)δ51.11、31.09、25.58。
3,3’−(エタン−1,2−ジイルビス(スルファンジイル))ビス(プロパン−1−スルホン酸)(化合物5):
3−ブロモプロパンスルホン酸ナトリウム塩(24.7g、110mmol)およびナトリウムメトキシド(7.06g、131mmol)のEtOH(300mL)中の溶液に、周囲温度で、エタノール(25mL)中の1,2−エタンジチオール(4.4mL、52.3mmol)が滴下添加された。室温で1時間攪拌し、次いで一晩還流加熱された。室温まで冷却され、2NのHClでpH1〜2まで酸性化された。得られた懸濁物は75℃まで加熱され、そして透明な溶液が得られるまで水が小分けにしてゆっくりと添加された。室温まで冷却され、次いで5℃まで冷却された。得られた白色沈殿は濾別され、冷EtOHで洗浄され、そして乾燥させられて、11.9g(67.4%)を白色粉体として得た。1H NMR(400MHz、D2O)δ3.10(t,J=7.2Hz,4H)、2.92(s,4H)、2.82(t,J=7.2Hz,4H)、2.11(m,4H)。13C NMR(101MHz,D2O)δ52.26、33.38、32.27、26.80。
3,3’−[1,2−エタンジイルビス(チオ)]ビス−1−プロパノール(化合物6):
3−クロロプロパノール(56.5g、0.569mol)のアセトニトリル(50mL)中の溶液が、1,2−ジチオエタン(25.0g、0.265mol)および炭酸ナトリウム(70.3g、0.663mol)のアセトニトリル(100mL)中の溶液にゆっくりと滴下添加された。この添加が完了した後で、この反応混合物は3時間にわたって還流加熱され、次いで周囲温度まで冷却された。DI水(100mL)が添加されてこの固体を溶解させ、そして得られた溶液がEtOAc(200mL)で抽出された。有機層が水(100mL)およびブライン(50mL)で洗浄され、次いでNa2SO4で乾燥させられた。濃縮乾固させられ、次いでEtOAcから再結晶化させることによって、18.2gの化合物6(33%)を白色固体として得た。1H NMR(CDCl3)δ3.76(t,J=6.0Hz,4H)、2.76(s,1H)、2.68(t,J=7.1Hz,4H),1.97bs,2H)、1.86(dd,J=9.6,3.6Hz,4H)。13C NMR(CDCl3)δ61.50、32.01、32.05、28.79。
3,3’−(メチレンビス(スルファンジイル))ジプロパノール(化合物7):
凝縮器および添加漏斗を備えた丸底フラスコに、3−メルカプトプロパノール(5.20mL、60.5mmol)および粉砕された水酸化ナトリウム(2.42g、60.5mmol)が入れられた。このフラスコは氷浴中に配置され、そしてフラスコ内容物は攪拌させられた。反応混合物を20℃未満に維持しつつ、ジブロモメタン(20.8mL、30.2mmol)が添加漏斗によって滴下添加された。添加完了後に、この反応混合物は室温まで暖められ、次いで一晩還流加熱された。この時間中に、色が黄色に変わった。固体残留物に、この粗生成物を溶解しない幾分かのジクロロメタンが添加された。DI水が添加され、そしてこの内容物の全てが溶液になった。この反応混合物は水およびジブロモメタンを除去するように減圧下で濃縮させられた。この粗生成物は再びDI水に溶解させられ、そしてシリンジフィルタを通して濾過され、そして濃縮された。この生成物は出発3−メルカプトプロパノールを除去するために80℃で高真空下に置かれた。これは除去されず、よって追加の2ペレットのNaOHが粉砕されそして攪拌して粗生成物に入れられた。約300μLのジブロモメタンが入れられて攪拌された。この反応容器は手作業で攪拌させられ、かつ全てのものを一緒に溶融させるために80℃で一晩油浴中に配置された。この反応混合物は濃縮され、そしてジブロモメタンが除去された。この生成物は高真空下に配置され、6.21グラムの化合物7を薄黄色固体として提供した。1H NMR(500MHz,D2O)δ4.14(d,J=19.4Hz,2H)、4.01(t,J=6.4Hz,4H)、3.07(t,J=7.3Hz,4H)、2.24−2.12(m,4H)。13C NMR(126MHz,D2O)δ60.92、34.75、31.42、27.79。
2,2’−(メチレンビス(スルファンジイル))ジ酢酸(化合物8):
丸底フラスコに、ホルムアルデヒド(10.0mL、124mmol)およびチオグリコール酸(18.9g、206mmol)が入れられた。この混合物は攪拌され、そして濃塩酸(7mL)が滴下添加された。この反応混合物は50℃で1時間にわたって、次いで110℃で一晩攪拌された。この反応混合物は室温まで冷却され、次いで3日間冷蔵庫に貯蔵された。この時間中に、白色固体が生じた。この固体は濾過によって分離され、次いで水から再結晶させられて、8.16g(26.22mmol、32.0%)の9を白色固体として得た。1H NMR(500MHz,d6−DMSO)δ3.39(s,4H)、3.94(s,2H)。13C NMR(126MHz,d6−DMSO)δ32.65、37.01、137.76。
2,2’−(メチレンビス(スルファンジイル))ジコハク酸(化合物9):
丸底フラスコに、ホルムアルデヒド(7.95mL、98.3mmol)およびメルカプトコハク酸(24.6g、163.8mmol)が入れられた。この混合物は攪拌され、そして濃塩酸(7mL)が滴下添加された。この反応混合物は50℃で1時間にわたって、次いで110℃で一晩攪拌された。この反応混合物は室温まで冷却され、次いで3日間冷蔵庫に貯蔵された。この時間中に、白色固体が生じた。この固体は濾過によって分離され、次いで水から再結晶させられて、8.16g(26.22mmol、32.0%)の9を白色固体として得た。1H NMR(500MHz,d6−DMSO)δ4.01−3.97(m,2H)、3.71(ddd,J=12.4、6.2、3.5Hz,2H)、2.81−2.71(m,2H)、2.64−2.55(m,2H)。13C NMR(126MHz,d6−DMSO)δ172.73、172.04、40.77、36.12、34.84。
2,2’−(プロパン−1,3−ジイルビス(スルファンジイル))ジ酢酸(化合物10):
1,3−プロパンジチオール(5.00mL、49.9mmol)がCH2Cl2(100mL)に溶解させられ、そしてトリエチルアミン(17.4mL、125mmol)が添加された。この反応混合物は0℃に冷却され、そしてブロモ酢酸メチル(9.85mL、105mmol)の塩化メチレン(50mL)中の溶液が滴下添加された。この添加が完了した後で、この反応混合物は室温まで暖められそして2時間にわたって攪拌された。有機相は0.5MのHCl(100mL)、飽和NaHCO3水溶液、ブラインで洗浄させられ、そしてNa2SO4で乾燥させられた。溝付きろ紙を用いてこの有機相が濾過され、そして減圧下で濃縮されて、11.3g(44.9mmol、90.0%)の2,2’−(プロパン−1,3−ジイルビス(スルファンジイル))ジ酢酸ジメチルである薄黄色オイルを得た。1H NMR(400MHz,CD2Cl2)δ3.65(s,6H)、3.18(s,4H)、2.67(t,J=7.2Hz,4H)、1.83(p,J=7.1Hz,2H)。13C NMR(101MHz,CD2Cl2)δ171.09、52.58、33.73、31.68、28.62。
2,2’−(プロパン−1,3−ジイルビス(スルファンジイル))ジ酢酸ジメチル(11.3g、44.9mmol)が2時間にわたって2NのHCl(50mL)中で還流加熱された。完了後に、この反応混合物は室温まで冷却された。この反応混合物は減圧下で濃縮乾固させられて、灰白色固体(32.5mmol、72.4%)として7.29gの化合物10を得た。1H NMR(400MHz、CD2Cl2)δ11.45(s,2H)、3.28(s,4H)、2.82−2.69(m,4H)、1.92(p,J=7.2Hz,2H)。13C NMR(101MHz,CD2Cl2)δ177.36、33.93、31.90、28.63。
2,2’−(プロパン−1,3−ジイルビス(スルファンジイル))ジエチルスルホナート(化合物11):
2−ブロモエチルスルホン酸ナトリウム塩(21.0g、100mmol)およびナトリウムメトキシド(5.40g、100mmol)のエタノール(350mL)中の溶液に、0℃で、1,3−プロパンジチオール(5.00mL、50.0mmol)のEtOH(25.0mL)中の溶液が滴下添加された。この反応混合物は周囲温度まで暖められ、次いで48時間にわたって還流加熱された。この反応混合物は室温まで冷却され、次いで2NのHClを用いてpH1〜2まで酸性化された。得られた懸濁物は75℃まで加熱され、そして透明な薄黄色溶液が得られるまで水が少しづつに分けてゆっくりと添加された。この溶液は室温に平衡化され、次いで5℃に冷却された。得られた白色沈殿は濾別され、冷EtOHで洗浄させられ、乾燥させられた。エタノールからの再結晶化によって白色固体として(3.99g、24.8%)化合物11を得た。1H NMR(400MHz,D2O)δ3.34−3.13(m,4H)、3.07−2.91(m,4H)、2.85−2.71(m,4H)、2.07−1.90(m,2H)。13C NMR(126MHz,D2O)δ51.08、29.95、28.16、25.50。
3,3’−(プロパン−1,3−ジイルビス(スルファンジイル))ジプロピルスルホナート(化合物12):
3−ブロモプロピルスルホン酸ナトリウム塩(22.4g、100mmol)およびナトリウムメトキシド(5.40g、100mmol)のエタノール(350mL)中の溶液に、室温で、1,3−プロパンジチオール(5mL、50.0mmol)のEtOH(25.0mL)中の溶液が滴下添加された。この反応混合物は一晩還流加熱された。この反応混合物は室温まで冷却され、次いで2NのHClを用いてpH1〜2まで酸性化された。得られた懸濁物は75℃まで加熱され、そして透明な薄黄色溶液が得られるまで水が少しづつに分けてゆっくりと添加された。この溶液は室温に平衡化され、次いで5℃に冷却された。得られた白色沈殿は濾別され、冷EtOHで洗浄させられ、乾燥させられた。粗生成物はエタノールから再結晶化されて、白色固体として10.4gの化合物12(26.69mol、59.4%)を得た。1H NMR(500MHz,D2O)δ3.17−3.07(m,4H)、2.88−2.73(m,8H)、2.18−2.09(m,4H)、2.06−1.92(m,2H)。13C NMR(126MHz,D2O)δ49.88、29.78、28.55、24.26。
2,2’−[1,2−エタンジイルビス(チオ)]ビス−エタノール(比較例1):
2−クロロエタノール(48.1g、0.597mol)のアセトニトリル(50mL)中の溶液が、1,2−ジチオエタン(25.0g、0.265mol)および炭酸ナトリウム(70.3g、0.663mol)のアセトニトリル(100mL)の溶液にゆっくりと滴下添加された。この添加が完了した後で、この反応混合物は3時間にわたって還流加熱され、次いで周囲温度まで冷却された。固体を溶解させるためにDI水(100mL)が添加され、そして得られた溶液はEtOAc(200mL)で抽出された。有機相は水(100mL)およびブライン(50mL)で洗浄され、次いでNa2SO4で乾燥させられた。濃縮乾固し、次いでEtOAcから再結晶化させることによって、4.60g(9.5%)の比較例1を白色固体として得た。1H NMR(CDCl3)δ3.76(t,J=5.9Hz,4H)、2.78(s,4H)、2.77(t,J=5.9Hz,4H)。13C NMR(CDCl3)δ60.75、35.41、32.08。
2,2’−(メチレンビス(スルファンジイル))ジエタノール(比較例2):
凝縮器、攪拌棒および添加漏斗を備えた丸底フラスコに、2−メルカプトエタノール(6.00mL、85.4mmol)および粉砕された水酸化ナトリウム(3.41g、85.4mmol)が入れられた。このフラスコは氷浴中に配置され、そしてフラスコ内容物は攪拌させられた。反応混合物を20℃未満に維持しつつ、ジブロモメタン(2.93mL、42.7mmol)が添加漏斗によって滴下添加された。添加完了後に、この反応混合物は室温に平衡化され、次いで80℃で約2時間にわたって還流された。室温まで冷却した後で、この混合物は濃縮乾固され、次いで最小限の量の水に溶解させられ、濾過され、そして濃縮乾固された。得られた固体の酢酸エチルでの抽出、次いで濃縮乾固によって、無色の低融点固体として比較例2の化合物(7.05g、98%)を得た。1H NMR(500MHz,D2O)δ3.99(s,2H)、3.94(t,J=6.3Hz,4H),3.00(t,J=6.3Hz,4H)。13C NMR(126MHz,D2O)δ60.43、34.65、33.14。
化合物1〜12並びに比較例1および2の溶解度が以下のように評価された:25mgの各化合物がバイアルに秤量され、そして5mLの17%メタンスルホン酸(MSA)/DI水溶液が添加された。化合物が溶解した場合には、さらに25mg(増分で)づつ、それ以上溶解しなくなるまでまたはこの5mLに250mgが溶解するまで、その化合物が添加された。結果は表1に示される。
以下のスルフィド化合物を製造するために実施例1〜10の一般的な手順が繰り返される。
メタンスルホン酸スズからの75g/Lのスズ、メタンスルホン酸銀からの0.4g/Lの銀、275mL/Lの70%メタンスルホン酸、界面活性剤として4g/Lのエトキシ化ビスフェノールA(13エチレンオキシド単位)、1g/Lのエチルマルトール、50mg/Lのペンタヒドロキシフラボン、1g/Lのヒドロキノンモノスルホン酸カリウム塩、錯化剤としてのスルフィド化合物、およびDI水(残部)を一緒にすることによって、スズ−銀(Sn−Ag)電気めっき浴が調製された。表3は使用される錯化剤およびその量を示す。Sn−Ag浴13−Cは米国特許第6,998,036号および第7,628,903号からの従来の錯化剤を使用する。
NeXXめっきツールにおいて、上記Sn−Ag電気めっき浴のそれぞれを用いて、200mmのパターン形成されたシリコンウェハ上にSn−Agはんだバンプが電気めっきされた。このパターン形成されたウェハは75μm直径のバイアおよび3つの異なるピッチサイズ(150、225および375μm)、3〜20%のめっき可能面積、75μmのネガティブドライフィルムレジスト高さ、および1kÅ Ti/3kÅ Cuのシードを有していた。5μmの高さの銅スタッドがUBM層として使用され、Sn−Agはんだバンプとウェハとの間の接着を増強させた。このウェハは素早い振動を伴って垂直めっきされた。白金めっきチタンが不溶性アノードとして使用され、12〜20Å/dm2の電流密度が使用された。
によって、ダイ内(within−die;WID)均一性(または、共平面性(coplanarity))を得た。共平面性の値(すなわち、ダイ内均一性)が小さくなるほど、Sn−Agはんだバンプがより均一になる。はんだバンプの均一性はウェハへの部品の適切な取り付けを確実にするのに重要である。
以下の界面活性剤およびスルフィド化合物錯化剤が使用される以外は、実施例15の手順が繰り返される。界面活性剤Aは式
Claims (9)
- 浴可溶性銀イオン源、水、酸電解質、および式
Y1−(CR1R2)m−S−(CR3R4)x−S−(CR5R6)n−Y2 、
- 浴可溶性スズイオン源をさらに含む請求項1の組成物。
- 各R1、R2、R5およびR6 における前記(C 1 −C 6 )アルキルおよび前記ヒドロキシ置換(C 1 −C 6 )アルキルがそれぞれ(C1−C4)アルキルおよびヒドロキシ置換(C1−C4)アルキルに限定される請求項1の組成物。
- m=1〜4である請求項1の組成物。
- n=1〜4である請求項1の組成物。
- Y1とY2とが同じである請求項1の組成物。
- xは1、3、4、5または6であり、Y1およびY2が独立してCO2HおよびSO3Hから選択され;各R1、R2、R5およびR6が独立してHおよび(C1−C3)アルキルから選択され;各R3およびR4が独立してHおよび(C1−C3)アルキルから選択され;m=1〜4;n=1〜4;並びに、x=1〜4である請求項1の組成物。
- 請求項1の組成物を基体と接触させ:
一定期間にわたって電位を適用して、前記基体上に銀含有層を析出させる;
ことを含む、スズ−銀層を析出させる方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US13/435,683 US8980077B2 (en) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | Plating bath and method |
US13/435,683 | 2012-03-30 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013216975A JP2013216975A (ja) | 2013-10-24 |
JP2013216975A5 JP2013216975A5 (ja) | 2017-04-13 |
JP6141664B2 true JP6141664B2 (ja) | 2017-06-07 |
Family
ID=49154843
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013067757A Active JP6141664B2 (ja) | 2012-03-30 | 2013-03-28 | めっき浴および方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8980077B2 (ja) |
JP (1) | JP6141664B2 (ja) |
KR (1) | KR102055598B1 (ja) |
CN (1) | CN103361683B (ja) |
DE (1) | DE102013005499B4 (ja) |
SG (1) | SG193763A1 (ja) |
TW (1) | TWI525223B (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10056636B1 (en) * | 2013-10-03 | 2018-08-21 | Primus Power Corporation | Electrolyte compositions for use in a metal-halogen flow battery |
US8877630B1 (en) * | 2013-11-12 | 2014-11-04 | Chipmos Technologies Inc. | Semiconductor structure having a silver alloy bump body and manufacturing method thereof |
US10889907B2 (en) * | 2014-02-21 | 2021-01-12 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Cyanide-free acidic matte silver electroplating compositions and methods |
US9368340B2 (en) * | 2014-06-02 | 2016-06-14 | Lam Research Corporation | Metallization of the wafer edge for optimized electroplating performance on resistive substrates |
US10154598B2 (en) * | 2014-10-13 | 2018-12-11 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Filling through-holes |
WO2016149019A1 (en) * | 2015-03-19 | 2016-09-22 | Primus Power Corporation | Flow battery electrolyte compositions containing a chelating agent and a metal plating enhancer |
US9850588B2 (en) * | 2015-09-09 | 2017-12-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Bismuth electroplating baths and methods of electroplating bismuth on a substrate |
JP6834070B2 (ja) * | 2016-06-13 | 2021-02-24 | 石原ケミカル株式会社 | 電気スズ及びスズ合金メッキ浴、当該メッキ浴を用いて電着物を形成した電子部品の製造方法 |
US10428436B2 (en) * | 2016-07-18 | 2019-10-01 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Indium electroplating compositions containing amine compounds and methods of electroplating indium |
CN106098420B (zh) * | 2016-07-25 | 2018-05-25 | 桂林电子科技大学 | 一种电触头表面镀层添加材料及电触头制造方法 |
CN115182004A (zh) | 2016-12-20 | 2022-10-14 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含用于无空隙填充的抑制试剂的用于金属电镀的组合物 |
US11535946B2 (en) | 2017-06-01 | 2022-12-27 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising leveling agent |
US10329681B2 (en) * | 2017-11-02 | 2019-06-25 | National Chung Shan Institute Of Science And Technology | Copper-silver dual-component metal electroplating solution and electroplating method for semiconductor wire |
EP3728702B1 (en) | 2017-12-20 | 2021-09-22 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising suppressing agent |
JP7383632B2 (ja) | 2018-03-29 | 2023-11-20 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 錯化剤を含むスズ-銀合金電気メッキ用組成物 |
JP2021522410A (ja) | 2018-04-20 | 2021-08-30 | ビーエイエスエフ・ソシエタス・エウロパエアBasf Se | 抑制剤を含むスズ又はスズ合金電気メッキのための組成物 |
JP6645609B2 (ja) * | 2018-07-27 | 2020-02-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 錫合金めっき液 |
CN109837572A (zh) * | 2019-04-03 | 2019-06-04 | 浙江亚通焊材有限公司 | 一种Sn-Bi系无铅低温焊料的电沉积方法 |
KR20220062087A (ko) | 2019-09-16 | 2022-05-13 | 바스프 에스이 | 착화제를 포함하는 주석-은 합금 전기도금용 조성물 |
US20210172082A1 (en) * | 2019-12-10 | 2021-06-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Acidic aqueous binary silver-bismuth alloy electroplating compositions and methods |
CN115279949A (zh) * | 2020-02-25 | 2022-11-01 | 同和金属技术有限公司 | 镀银材料及其制造方法 |
CN116745467A (zh) | 2020-12-18 | 2023-09-12 | 巴斯夫欧洲公司 | 用于锡或锡合金电镀的包含流平剂的组合物 |
US11578418B2 (en) | 2021-03-29 | 2023-02-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc (Rhem) | Silver electroplating compositions and methods for electroplating silver with low coefficients of friction |
JP2023005513A (ja) * | 2021-06-29 | 2023-01-18 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
WO2023088795A1 (en) | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising a pyrazole-type antioxidant |
WO2024022979A1 (en) | 2022-07-26 | 2024-02-01 | Basf Se | Composition for tin or tin alloy electroplating comprising leveling agent |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4246077A (en) | 1975-03-12 | 1981-01-20 | Technic, Inc. | Non-cyanide bright silver electroplating bath therefor, silver compounds and method of making silver compounds |
US4871429A (en) | 1981-09-11 | 1989-10-03 | Learonal, Inc | Limiting tin sludge formation in tin or tin/lead electroplating solutions |
US4582576A (en) | 1985-03-26 | 1986-04-15 | Mcgean-Rohco, Inc. | Plating bath and method for electroplating tin and/or lead |
US5256275A (en) | 1992-04-15 | 1993-10-26 | Learonal, Inc. | Electroplated gold-copper-silver alloys |
JP3012182B2 (ja) | 1995-11-15 | 2000-02-21 | 荏原ユージライト株式会社 | 銀および銀合金めっき浴 |
US6099713A (en) | 1996-11-25 | 2000-08-08 | C. Uyemura & Co., Ltd. | Tin-silver alloy electroplating bath and tin-silver alloy electroplating process |
JP3301707B2 (ja) | 1997-01-20 | 2002-07-15 | ディップソール株式会社 | 錫−銀合金酸性電気めっき浴 |
US5972875A (en) * | 1997-04-23 | 1999-10-26 | Crutcher; Terry | Low-foaming amine oxide surfactant concentrate and method of manufacture |
JP4296358B2 (ja) * | 1998-01-21 | 2009-07-15 | 石原薬品株式会社 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
US6210556B1 (en) | 1998-02-12 | 2001-04-03 | Learonal, Inc. | Electrolyte and tin-silver electroplating process |
JP2000006657A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-11 | Nissan Motor Co Ltd | 自動車のウインドガラス取付構造およびウインドガラス分離・回収方法 |
JP3718790B2 (ja) | 1998-12-24 | 2005-11-24 | 石原薬品株式会社 | 銀及び銀合金メッキ浴 |
JP3433291B2 (ja) | 1999-09-27 | 2003-08-04 | 石原薬品株式会社 | スズ−銅含有合金メッキ浴、スズ−銅含有合金メッキ方法及びスズ−銅含有合金メッキ皮膜が形成された物品 |
US7628903B1 (en) * | 2000-05-02 | 2009-12-08 | Ishihara Chemical Co., Ltd. | Silver and silver alloy plating bath |
DE10026680C1 (de) | 2000-05-30 | 2002-02-21 | Schloetter Fa Dr Ing Max | Elektrolyt und Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Silber-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten |
US7122108B2 (en) | 2001-10-24 | 2006-10-17 | Shipley Company, L.L.C. | Tin-silver electrolyte |
JP4142312B2 (ja) | 2002-02-28 | 2008-09-03 | ハリマ化成株式会社 | 析出型はんだ組成物及びはんだ析出方法 |
JP4756886B2 (ja) | 2005-03-22 | 2011-08-24 | 石原薬品株式会社 | 非シアン系のスズ−銀合金メッキ浴 |
SG127854A1 (en) | 2005-06-02 | 2006-12-29 | Rohm & Haas Elect Mat | Improved gold electrolytes |
JP4162246B2 (ja) | 2005-08-12 | 2008-10-08 | 石原薬品株式会社 | シアン化物非含有銀系メッキ浴、メッキ体及びメッキ方法 |
EP2221396A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-08-25 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Lead-Free Tin Alloy Electroplating Compositions and Methods |
-
2012
- 2012-03-30 US US13/435,683 patent/US8980077B2/en active Active
-
2013
- 2013-03-28 SG SG2013023551A patent/SG193763A1/en unknown
- 2013-03-28 JP JP2013067757A patent/JP6141664B2/ja active Active
- 2013-03-28 DE DE102013005499.0A patent/DE102013005499B4/de active Active
- 2013-03-29 KR KR1020130034610A patent/KR102055598B1/ko active IP Right Grant
- 2013-03-29 TW TW102111360A patent/TWI525223B/zh active
- 2013-04-01 CN CN201310192257.7A patent/CN103361683B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130256145A1 (en) | 2013-10-03 |
CN103361683A (zh) | 2013-10-23 |
TW201400646A (zh) | 2014-01-01 |
US8980077B2 (en) | 2015-03-17 |
DE102013005499A1 (de) | 2013-10-02 |
SG193763A1 (en) | 2013-10-30 |
CN103361683B (zh) | 2016-08-10 |
DE102013005499B4 (de) | 2016-10-06 |
JP2013216975A (ja) | 2013-10-24 |
KR20130111454A (ko) | 2013-10-10 |
TWI525223B (zh) | 2016-03-11 |
KR102055598B1 (ko) | 2019-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6141664B2 (ja) | めっき浴および方法 | |
JP6175245B2 (ja) | めっき浴および方法 | |
JP6482822B2 (ja) | めっき浴および方法 | |
JP6169211B2 (ja) | 鉛を含まないスズ合金電気めっき組成物および方法 | |
JP2015092021A (ja) | めっき浴および方法 | |
JP2024500793A (ja) | スズ又はスズ合金電気めっきするための、平滑化剤を含む組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160310 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170306 |
|
A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A524 Effective date: 20170306 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170501 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170508 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6141664 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |