JP6131775B2 - ニッケル粉の製造方法 - Google Patents
ニッケル粉の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6131775B2 JP6131775B2 JP2013172807A JP2013172807A JP6131775B2 JP 6131775 B2 JP6131775 B2 JP 6131775B2 JP 2013172807 A JP2013172807 A JP 2013172807A JP 2013172807 A JP2013172807 A JP 2013172807A JP 6131775 B2 JP6131775 B2 JP 6131775B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nickel
- nickel powder
- sulfuric acid
- producing
- washing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Description
積層セラミックコンデンサは、内部に誘電体と内部電極が交互に重なった積層体が配置され、該積層体の外側に対向して外部電極が該積層セラミックコンデンサの両端部に取り付けられた構造をしている。その積層体は、誘電体層となるセラミック誘電体グリーンシート上に内部電極材料である金属粉をペースト化した導電性ペーストを印刷し、この誘電体層と内部電極層を多層積層して加熱圧着したものを、還元雰囲気中、高温で焼成して作製されている。
この方法によれば、平均粒径(D50)が0.2〜0.4μmの微細なニッケル粉を得ることができるが、不純物の低減については考慮されておらず、ニッケル粉中に不純物が多量に残留するという問題がある。
また、本発明の第3の発明によれば、第1または2の発明において、前記硫酸水溶液による洗浄が、10〜50℃の温度で行われることを特徴とするニッケル粉の製造方法が提供される。
また、本発明の第4の発明によれば、第1の発明において、前記デカンテーション後に、沈降物に純水を加えて洗浄しデカンテーションする操作を少なくとも1回以上行うことを特徴とするニッケル粉の製造方法が提供される。
また、本発明の第6の発明によれば、第1〜5のいずれかの発明において、塩素含有量が200質量ppm以下であることを特徴とするニッケル粉の製造方法が提供される。
また、本発明の第7の発明によれば、第1〜6のいずれかの発明において、酸素含有量が2.0質量%以下であることを特徴とするニッケル粉の製造方法が提供される。
また、本発明は、均一な粒子径のニッケル粉を低コストで製造する方法であり、工業的価値が極めて大きい。得られたニッケル粉は、塩素や酸素含有量が低減されており、電子部材用の材料として好適である。
以下に水酸化ニッケルの沈殿を生成させる工程(A)から酸化ニッケルを還元してニッケル粉とする工程(C)までと、その後に行われるニッケル粉を洗浄する工程(D)に分けて、工程毎に詳しく説明する。
まず、工程(A)で、ニッケル塩水溶液をアルカリ水溶液で中和して水酸化ニッケルを生成する。この工程では、ニッケル塩として塩化ニッケル、硫酸ニッケル、硝酸ニッケル、酢酸ニッケル等を用いることができるが、入手の容易さ、中和後の廃液処理コスト等の点から塩化ニッケルが好適である。
反応槽内にあらかじめ入れておく液として純水を用いることができるが、中和生成に一度使用したろ液を所定のpHにアルカリで調整した液を用いることが好ましい。アルカリとしては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウムが用いられるが、コストを考慮すると水酸化ナトリウムを用いることが好ましい。
本発明の工程(D)は、こうして得られたニッケル粉を洗浄する工程であり、以下、硫酸洗浄ともいう。
工程(D)では、まず、得られたニッケル粉を硫酸水溶液と混合し、ニッケルスラリーを作製する。この時、硫酸濃度はニッケル粉に対して0.5〜2.0質量%であることが好ましい。硫酸濃度は、後述する静置沈降後の上澄み液中のニッケル濃度や塩素濃度の好ましい範囲になるようにすればよいが、ニッケル粉に対して0.5質量%未満であると、塩素含有量の低減効果が不十分であり、短時間での洗浄処理が行えない。また、硫酸濃度がニッケル粉に対して2.0質量%より多いと、ニッケル粉の溶出速度が増加し、短時間にて比表面積と酸素含有量が増加する。
ニッケル濃度が0.6g/l未満であると、ニッケル粉中の塩素含有量の低減効果が不十分であり、3.0g/lよりも大きいと、洗浄後のニッケル粉の酸素含有量や比表面積が増大したり、洗浄中のニッケルロスが多くなってしまう。また、上澄み液の塩素濃度が150mg/l未満であるとニッケル粉中の塩素含有量の低減効果が不十分であり、400mg/lより大きいとニッケルの溶出を促進させてしまい、上澄み液のニッケル濃度が範囲外となる可能性がある。ニッケル粉の酸素含有量が増大すると、電子部品向けに使用する場合において、還元性雰囲気中での焼成時にガス発生が激しくなり、電極のクラック、剥離などが生じることがある。また比表面積が増大すると、ニッケル粉末をペースト化した場合にペースト混錬時の混合不良やペーストの経時劣化を招くことがある。
洗浄にて得られたニッケルスラリーをろ過、乾燥することでニッケル粉が得られる。この時、ろ過は吸引ろ過、フィルタープレス等の通常のろ過方法を用いればよく、乾燥は大気乾燥機、真空乾燥機等の通常の乾燥機を用いることができる。
以上の工程(A)から工程(D)の製造方法による得られるニッケル粉は、粒子径の範囲によって特に限定されないが、平均粒子径が0.5μm以下であり、0.2μm〜0.4μmであることが好ましい。
<工程(A)〜(C)>
100gの塩化ニッケル6水和物( 試薬1級、和光純薬製)を純水250mlに溶解して塩化ニッケル水溶液を調製した。次いで、水酸化ナトリウム(試薬1級、和光純薬製)35.5gを純水250mlに溶解した溶液を前記塩化ニッケル水溶液に添加し、生成した水酸化物をろ過した。さらに、これを1Lの純水で水洗し、再びろ過した(以下、本操作を「ろ過水洗」と呼ぶ)。同様にろ過水洗を4回繰り返した後に、箱型大気乾燥機(DX601、ヤマト科学製)で150℃、48時間の乾燥を行い、水酸化ニッケル粉を得た。
得られた水酸化ニッケル粉を解砕した後、バッチ式雰囲気炉(管状炉、入江製作所製)を用いて乾燥水酸化ニッケル粉1gあたり窒素ガス流量を0.003L/分とし、450℃で1時間保持して酸化焙焼して酸化ニッケル粉を得た。
さらに、前記バッチ式雰囲気炉を用いて、酸化ニッケル粉を、酸化ニッケル粉1gあたり0.003L/分の水素ガスと同量の窒素ガスを混合して流した雰囲気炉中に450℃で2時間保持して、還元ニッケル粉を得た。また、得られたニッケル粉のSEM(走査型電子顕微鏡)観察により測定した平均粒径は0.3μmであり、塩素含有量は1100質量ppmであった。
<工程(D)>
ニッケル粉250gをニッケルに対して2.0質量%の硫酸水溶液1l中に添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後、上澄み液750mlをデカンテーションにて除去した。次いで、750mlの純水を添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後に上澄み液750mlをデカンテーションにて除去後、更にもう一度純水を750ml添加し、30分攪拌した後にデカンテーションにて上澄み液750mlを除去後、吸引ろ過、乾燥することによりニッケル粉を得た。ニッケル粉の塩素含有量は70質量ppm、酸素含有量は1.9質量%、洗浄後の比表面積の増加率は洗浄前に対して21.6%であった。また、硫酸洗浄後の上澄み液のニッケル濃度が2.6g/l、塩素濃度が250mg/lであった。
実施例1の工程(D)で硫酸濃度を変えて、ニッケル粉250gをニッケルに対して1.0質量%の硫酸水溶液1l中に添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後、上澄み液750mlをデカンテーションにて除去した。
次いで、750mlの純水を添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後に上澄み液750mlをデカンテーションにて除去後、更にもう一度純水を750ml添加し、30分攪拌した後にデカンテーションにて上澄み液750mlを除去後、吸引ろ過、乾燥することによりニッケル粉を得た。ニッケル粉の塩素含有量は100質量ppm、酸素含有量は1.6質量%、洗浄後の比表面積の増加率は洗浄前に対して21.6%であった。また、硫酸洗浄後の上澄み液のニッケル濃度が1.3g/l、塩素濃度が240mg/lであった。
実施例1の工程(D)で硫酸濃度を変えて、ニッケル粉250gをニッケルに対して0.5質量%の硫酸水溶液1l中に添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後、上澄み液750mlをデカンテーションにて除去した。
次いで、750mlの純水を添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後に上澄み液750mlをデカンテーションにて除去後、更にもう一度純水を750ml添加し、30分攪拌した後にデカンテーションにて上澄み液750mlを除去後、吸引ろ過、乾燥することによりニッケル粉を得た。ニッケル粉の塩素含有量は190質量ppm、酸素含有量は1.4質量%、洗浄後の比表面積の増加率は洗浄前に対して5.4%であった。また、硫酸洗浄後の上澄み液のニッケル濃度が0.62g/l、塩素濃度が210mg/lであった。
実施例1の硫酸洗浄を行うことなく、ニッケル粉35gを1lの純水中に添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後、上澄み液750mlをデカンテーションにて除去した。
次いで、750mlの純水を添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後に上澄み液750mlをデカンテーションにて除去後、更にもう一度純水を750ml添加し、30分攪拌した後にデカンテーションにて上澄み液750mlを除去後、吸引ろ過、乾燥することによりニッケル粉を得た。ニッケル粉の塩素含有量は280質量ppm、酸素含有量は1.4質量%、洗浄後の比表面積の増加率は洗浄前に対して2.7%であった。また水洗1回目の上澄み液のニッケル濃度は0.004g/l、塩素濃度は20mg/lであった。
実施例1の硫酸洗浄を行うことなく、ニッケル粉250gを1lの純水中に添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後、上澄み液750mlをデカンテーションにて除去した。
次いで、750mlの純水を添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後に上澄み液750mlをデカンテーションにて除去後、更にもう一度純水を750ml添加し、30分攪拌した後にデカンテーションにて上澄み液750mlを除去後、吸引ろ過、乾燥することによりニッケル粉を得た。ニッケル粉の塩素含有量は350質量ppm、酸素含有量は1.4質量%、洗浄後の比表面積の増加率は洗浄前に対して2.7%であった。また水洗1回目の上澄み液のニッケル濃度は0.007g/l、塩素濃度は100mg/lであった。
実施例1の工程(D)で硫酸濃度を変えて、ニッケル粉250gをニッケルに対して2.5質量%の硫酸水溶液1l中に添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後、上澄み液750mlをデカンテーションにて除去した。
次いで、750mlの純水を添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後に上澄み液750mlをデカンテーションにて除去後、更にもう一度純水を750ml添加し、30分攪拌した後にデカンテーションにて上澄み液750mlを除去後、吸引ろ過、乾燥することによりニッケル粉を得た。ニッケル粉の塩素含有量は50質量ppm、酸素含有量は2.1質量%、洗浄後の比表面積の増加率は洗浄前に対して27.0%であった。また、硫酸洗浄後の上澄み液のニッケル濃度が3.2g/l、塩素濃度が260mg/lであった。
実施例1の工程(D)で硫酸濃度を変えて、ニッケル粉250gをニッケルに対して0.4質量%の硫酸水溶液1l中に添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後、上澄み液750mlをデカンテーションにて除去した。
次いで、750mlの純水を添加し、25℃で30分間攪拌した。30分静置沈降後に上澄み液750mlをデカンテーションにて除去後、更にもう一度純水を750ml添加し、30分攪拌した後にデカンテーションにて上澄み液750mlを除去後、吸引ろ過、乾燥することによりニッケル粉を得た。ニッケル粉の塩素含有量は210質量ppm、酸素含有量は1.4質量%、洗浄後の比表面積の増加率は洗浄前に対して5.4%であった。また、硫酸洗浄後の上澄み液のニッケル濃度が0.5g/l、塩素濃度が200mg/lであった。
表1に示した結果からわかるように、実施例1〜3では、本発明により、工程(D)の硫酸洗浄において、分離される上澄み液中の成分元素を分析し、硫酸濃度と洗浄温度を制御したので、塩素含有量(Cl)を200質量ppm以下まで低減することができ、また酸素含有量(O)は2.0質量%以下である。
Claims (7)
- ニッケル塩水溶液をアルカリ水溶液で中和して水酸化ニッケルの沈殿を生成させる工程(A)と、該水酸化ニッケルを空気中で熱処理して酸化ニッケルを生成させる工程(B)と、該酸化ニッケルを還元ガス雰囲気中で還元してニッケル粉とする工程(C)と、還元後のニッケル粉を硫酸水溶液により洗浄した後、スラリーを静置沈降させ、デカンテーションにより上澄み液を分離する工程(D)を備えたニッケル粉の製造方法であって、
前記工程(D)において、分離される上澄み液中のニッケル濃度が0.6〜3.0g/l、塩素濃度が150〜400mg/lとなるように硫酸濃度と洗浄温度を制御することを特徴とするニッケル粉の製造方法。 - 前記硫酸水溶液の硫酸濃度が、ニッケルに対して0.5〜2.0質量%の範囲であることを特徴とする請求項1に記載のニッケル粉の製造方法。
- 前記硫酸水溶液による洗浄が、10〜50℃の温度で行われることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のニッケル粉の製造方法。
- 前記デカンテーション後に、沈降物に純水を加えて洗浄しデカンテーションする操作を少なくとも1回以上行うことを特徴とする請求項1に記載のニッケル粉の製造方法。
- 平均粒径が0.2〜0.4μmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のニッケル粉の製造方法。
- 塩素含有量が200質量ppm以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載のニッケル粉の製造方法。
- 酸素含有量が2.0質量%以下であることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のニッケル粉の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013172807A JP6131775B2 (ja) | 2013-08-23 | 2013-08-23 | ニッケル粉の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013172807A JP6131775B2 (ja) | 2013-08-23 | 2013-08-23 | ニッケル粉の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015040339A JP2015040339A (ja) | 2015-03-02 |
JP6131775B2 true JP6131775B2 (ja) | 2017-05-24 |
Family
ID=52694669
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013172807A Active JP6131775B2 (ja) | 2013-08-23 | 2013-08-23 | ニッケル粉の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6131775B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017025400A (ja) * | 2015-07-28 | 2017-02-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 積層セラミックコンデンサ用ニッケル粉末および導電ペースト |
JP6888270B2 (ja) * | 2016-10-17 | 2021-06-16 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化ニッケル粉末の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001073008A (ja) * | 1999-08-31 | 2001-03-21 | Toho Titanium Co Ltd | ニッケル粉の製造方法 |
DE60214243D1 (de) * | 2001-06-14 | 2006-10-05 | Toho Titanium Co Ltd | Verfahren zur herstellung von metallpulver |
JP3766350B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2006-04-12 | 東邦チタニウム株式会社 | ニッケル粉末分散体の調製方法ならびに導電ペーストの調製方法 |
JP5168592B2 (ja) * | 2009-04-07 | 2013-03-21 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉の製造方法 |
JP5141983B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2013-02-13 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル微粉およびその製造方法 |
JP5182206B2 (ja) * | 2009-04-24 | 2013-04-17 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉およびその製造方法 |
JP5310462B2 (ja) * | 2009-10-13 | 2013-10-09 | 住友金属鉱山株式会社 | ニッケル粉およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-08-23 JP JP2013172807A patent/JP6131775B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015040339A (ja) | 2015-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5369864B2 (ja) | ニッケル粉およびその製造方法 | |
JP5182206B2 (ja) | ニッケル粉およびその製造方法 | |
EP2446986A1 (en) | Method for preparing tantalum powder for capacitor | |
JP6135935B2 (ja) | 湿式ニッケル粉末の製造方法 | |
JP5194876B2 (ja) | 酸化ニッケル粉末及びその製造方法 | |
JP5141983B2 (ja) | ニッケル微粉およびその製造方法 | |
JP3947118B2 (ja) | 表面処理金属超微粉、その製造方法、導電性金属ペースト及び積層セラミックコンデンサ | |
JP6131775B2 (ja) | ニッケル粉の製造方法 | |
JP5067312B2 (ja) | ニッケル粉末とその製造方法 | |
JP2024518762A (ja) | タンタル粉末を製造する方法およびその方法によって得られるタンタル粉末 | |
JP3868421B2 (ja) | 金属粉の製造方法および金属粉並びにこれを用いた導電ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
JP5835077B2 (ja) | ニッケル粉及びその製造方法 | |
KR102031753B1 (ko) | 산화 안정성이 향상된 고순도의 구리 나노 분말의 제조방법 | |
JP5958749B2 (ja) | 金属粉末の製造方法 | |
JP6131773B2 (ja) | ニッケル粉とその製造方法、及びそれを用いたニッケルペースト | |
JP5168592B2 (ja) | ニッケル粉の製造方法 | |
JP6213301B2 (ja) | ニッケル粉末の製造方法 | |
JP2024515196A (ja) | アルカリ土類金属で酸化タンタルを還元することによってコンデンサ用タンタル粉末を製造する方法 | |
JP5125411B2 (ja) | ニッケル粉およびその製造方法 | |
JP2017071851A (ja) | ニッケル粉末 | |
JP6065699B2 (ja) | ニッケル粉末の製造方法 | |
KR102372794B1 (ko) | 후처리 공정이 필요하지 않는 ZnO를 활용한 다공성 활성탄 제조 방법 및 이를 포함하는 슈퍼커패시터 전극 | |
EP3896198A1 (en) | Electrolytic copper foil and method for producing same | |
JP6270035B2 (ja) | ニッケル粉末の製造方法 | |
JP2020084275A (ja) | ニッケル粉末 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20150508 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150608 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160810 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161116 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170321 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170403 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6131775 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |