JP6129756B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、図1〜図9を参照して、第1の実施形態について説明する。
図1及び図2に、不揮発性半導体記憶装置の一例として、積層型不揮発性半導体記憶装置の一例を示す。積層型不揮発性半導体記憶装置としては、積層された導電膜を半導体基板に対して垂直方向に貫通するとともに、下部にて相互接続する一対のピラー電極を有し、ピラー電極と導電膜の間に電子捕獲膜を形成して記憶素子としたNAND型不揮発性半導体記憶装置を例示している。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ストッパ膜の突き抜けを生ずることなく、著しく深さが異なる複数のコンタクトを同時に形成することが可能となる。すなわち、著しく深さが異なるコンタクト電極群CA1(深いコンタクト群)とコンタクト電極群CA2(浅いコンタクト群)間において、同時にコンタクトホール90を形成する際に、調整膜700によって、深さの異なるコンタクトホール90間のエッチング量を調整することが可能となる。すなわち、調整膜700を貫通するコンタクト電極群CA(コンタクト電極群CA2)と、調整膜700を貫通しないコンタクト電極群CA(コンタクト電極群CA1)を設けることでエッチング量を調整し、コンタクトホールの著しい深さの差を緩和することができる。これにより、コンタクトホール90はがストッパ層を貫通することを回避することが可能となる。
次に、第2の実施形態について、図を参照しながら説明する。図10は、第2の実施形態の構成を説明するための図であり、図2(b)に示した配線接続部MU2において、導電膜60によって形成された階段形状の構成を模式的に示した縦断面図の一例である。なお、図10〜図16においては、説明の便宜上、導電膜60を12層として構成しているが、導電膜60の数は任意に設定できる。
次に、第3の実施形態について、図を参照しながら説明する。図17は、第3の実施形態の構成を説明するための図であり、図2(b)に示した配線接続部MU2において、導電膜60によって形成された階段形状の構成を模式的に示した縦断面図の一例である。なお、図17においては、説明の便宜上、導電膜60を12層として構成しているが、第1、第2の実施例と同じく、導電膜60の数は任意に設定できる。
次に、第4の実施形態について、図を参照しながら説明する。図18は、第4の実施形態の構成を説明するための図であり、図2(b)に示した配線接続部MU2において、導電膜60によって形成された階段形状の構成を模式的に示した縦断面図の一例である。なお、図18においては、説明の便宜上、導電膜60を12層として構成しているが、第1〜第3の実施形態と同様に、導電膜60の数は任意に設定できる。
また、本実施例は、第2の実施形態と同様の効果を有している。
積層型不揮発性半導体記憶装置としては、例えばU字型及びI字型等が知られている。上述した実施形態において、U字型の積層型不揮発性半導体記憶装置を例示して説明したが、本実施形態は、U字型の積層型不揮発性半導体記憶装置にも、I字型の積層型不揮発性半導体記憶装置にも適用することができる。
Claims (5)
- 積層された複数の導電膜と、
前記導電膜上に形成された絶縁層と、
前記複数の導電膜の端部において、各々の前記導電膜によって形成された階段形状部と、
前記階段形状部上に設けられたストッパ膜と、
前記階段形状部において、前記絶縁層の上面から前記導電膜の各々の上面に接続し、深さが異なる複数のコンタクト電極と、
前記絶縁層中であって、前記絶縁層の上面と前記ストッパ膜との間に設けられた調整膜と、
開口の深さが異なる複数の前記コンタクト電極を有する第1のコンタクト群と、第2のコンタクト群とを有し、
前記第2のコンタクト群に属する複数のコンタクト電極は、前記調整膜を貫通しており、
前記第1のコンタクト群に属する最も浅いコンタクト電極の深さは、前記第2のコンタクト群に属する最も深いコンタクト電極より深く、
第1領域には、前記第2のコンタクト群に属するコンタクト電極よりも深さが深く、互いに深さが異なる複数のコンタクト電極を備える第1コンタクト群が設けられており、
第2領域には、前記第1のコンタクト群に属するコンタクト電極よりも深さが浅く、互いに深さが異なる複数のコンタクト電極を備える第2コンタクト群が設けられており、
前記第2領域に前記調整膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 前記第1領域と前記第2領域の間に第3領域を備え、前記第3領域には、前記1のコンタクト群に属するコンタクト電極よりも深さが深く、前記2のコンタクト群に属するコンタクト電極よりも深さが浅く、互いに深さが異なる複数のコンタクト電極を備える第3コンタクト群が設けられており、
前記調整膜は、第1の膜厚を有する領域と、第2の膜厚を有する領域を有しており、
前記第1のコンタクト群に属するコンタクト電極は、前記調整膜の前記第1の膜厚を有する領域を貫通し、
前記第3のコンタクト群に属するコンタクト電極は、前記調整膜の前記第2の膜厚を有する領域を貫通することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記調整膜は、一体的に形成され、階段形状を有していることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記調整膜は、深さ方向に分離されている複数の膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 半導体基板上に、複数の導電膜と電極間絶縁膜との積層膜を形成する工程と、
前記積層膜の端部において、前記導電膜と前記電極間絶縁膜によって階段形状部を形成する工程と、
前記階段形状部上にストッパ膜を形成する工程と、
前記階段形状部を含む前記積層膜上に、膜厚が異なる複数の領域を有する調整膜を含む絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上面から、前記導電膜の各々の上面に達する開口の深さが異なる複数のコンタクトホールを深さに応じて、複数のコンタクト群とグループ化し、前記コンタクト群のうち最も深いコンタクト群に属するコンタクトホールは、前記調整膜を貫通しておらず、他のコンタクト群に属するコンタクトホールは、前記調整膜を貫通させて形成する工程と、を有し、
前記調整膜は、前記絶縁層中であって、前記絶縁層の上面と前記ストッパ膜との間に設けられており、
前記コンタクト群のうち最も浅いコンタクト群に属するコンタクトホールが前記調整膜を貫通した時点で、それぞれの前記複数のコンタクト群において、各前記コンタクト群のコンタクトホールの底面から前記ストッパ膜上面までの距離が同じ関係となる半導体装置の製造方法。
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