JP6124793B2 - Ｐｔｃデバイス - Google Patents

Description

本発明は、ＰＴＣデバイス、詳しくは表面実装型のＰＴＣデバイスに関する。

例えば、ＰＴＣデバイスは、回路保護素子として種々の電気装置において用いられ、電気装置の保護回路を構成している。そのようなＰＴＣデバイスは、保護回路を有する保護回路基板に配置される。その場合、配置の便宜を考慮して、表面実装型のＰＴＣデバイスがしばしば使用される。

表面実装型のＰＴＣデバイスは、その電極が保護回路基板上に設けたタブまたはパッド上に位置するように載置され、ハンダ付けによって電気的に接続することによって、保護回路基板上に形成した保護回路に配置される。

そのようなＰＴＣデバイスを図１に斜視図にて模式的に示す。図示したＰＴＣデバイス１０は、それを構成するＰＴＣ素子１１を有して成る。ＰＴＣ素子１１は、ＰＴＣ要素およびその両側の表面上にそれぞれ配置された層状電極、ならびに各層状電極の外側に位置する絶縁層を有して成る。図１では、これらの構成要素を図示せず、ＰＴＣ素子１１として一体に示している。

ＰＴＣ素子１１は、両側の端部にて側方端面に半円筒状凹部分１２および１４を有し、半円筒状凹部分の表面に側方金属層部分（例えば導電性金属メッキ層）１６および１８を有する。他方、ＰＴＣ素子１１は、その上面および下面のそれぞれの両端部にも端部金属層部分（例えば導電性金属メッキ層）２０、２２および２４、２６を有する。側方金属層部分１６および１８は、その上端および下端にて端部金属層部分２０、２２および２４、２６と一体につながり、これらがいわゆるキャスタレーション（castellation）電極（２０＋１６＋２２および２４＋１８＋２６）を構成している。

尚、図示した態様では、キャスタレーション電極は、ＰＴＣ素子１１の上面および下面の双方に金属層部分を有するが、一般的にキャスタレーション電極は、ＰＴＣ素子の上面および下面の一方の両端部に端部金属層部分を有してもよい（即ち、他方の面の端部に端部金属層部分を有さなくてもよい）。従って、キャスタレーション電極は、ＰＴＣデバイスの上面および下面の少なくとも一方の面の両端部に端部金属層部分を有する。

図示していないが、このようなＰＴＣデバイスにおいて、一方のキャスタレーション電極は、ＰＴＣデバイス内に位置するＰＴＣ素子の一方の電極に電気的に接続され、他方のキャスタレーション電極は、ＰＴＣ素子の他方の電極に電気的に接続されている。このようなＰＴＣデバイスは、例えば下記特許文献１に開示されている。

このようなＰＴＣデバイスの基板への実装は、基板上に設けたパッド上にクリームハンダを印刷により塗布し、塗布されたクリームハンダ部分を介してパッド上に、ＰＴＣデバイスの下面に位置するキャスタレーション電極の端部金属層部分（例えば２２）が位置するように、ＰＴＣデバイスを配置し、そのようにＰＴＣデバイスが配置された基板をリフロー炉に入れてハンダを溶融・固化させることによって実施する。このようにハンダ付けによってＰＴＣデバイスを基板上に実装した様子を、断面図にて模式的に図２に示す。

図２には、基板２８上に実装された図１のＰＴＣデバイス１０を、その線Ｘ−Ｘを含む垂直面で切断した端面図にて示す。尚、図２では、図１のＰＴＣデバイスの右側の端部のみを図示し、キャスタレーション電極は、容易に理解できるように、その厚さを誇張して図示している。基板上のパッド３０とキャスタレーション電極の端部金属層部分２２との間には、ハンダ付けによってハンダ接続部３２が形成され、これらを一体に結合すると共に電気的に接続している。リフロー炉において溶融したハンダは、半円筒状凹部分上にも濡れ上がり、そのまま固化してキャスタレーション電極の側方金属層部分１６上にもハンダ部分３４がフィレット部として存在し、これがハンダ接続部３２と一体になっている。

米国特許第６３７７４６７号明細書

上述のようにＰＴＣデバイスをハンダ付けした基板を使用していると、ＰＴＣデバイスと基板との間の電気的接続が不良になるという問題点に気づいた。より具体的には、端部金属層部分２２とパッド３０との間でハンダ接続部３２の一部分が剥離することがあり、その結果、これらの間の電気的接続が不十分になることに気付いた。そこで、本発明が解決しようとする課題は、そのような電気的接続が不良になる可能性を可及的に減らすことに存する。

上述の電気的接続が不良になる基板について詳細に検討したところ、ハンダ接続部３２においてクラックが発生したり、あるいはハンダ接続部が端部金属層部分２２および／または側方金属層部分１６からのハンダ接続部３２の一部分の剥離の発生が見られることが分かった。

このような現象を更に検討すると、ＰＴＣデバイスが作動する場合に、その温度が上昇してＰＴＣ要素が膨張し、その後、ＰＴＣ要素の温度が低下して収縮して元の形状に戻るという、膨張・収縮という過程を経る。また、基板を有する電気装置の環境（例えば自動車の室内）が温度上昇・温度降下を繰り返す場合にも、ＰＴＣ要素が膨張・収縮という過程を繰り返す。

ＰＴＣ要素が膨張・収縮を繰り返すと、その体積変化によって応力が発生し、そのような応力によって、クラック・剥離等の発生をもたらす可能性が大きいことに帰着した。特に、上述のようにＰＴＣデバイスの側方に半円筒状凹部を有する場合、膨張・収縮によって生じる応力がその部分に応力が集中する傾向にあり、その結果、クラック・剥離等の現象が起こり易いとの判断に到った。従って、そのように応力が集中するのを抑制することによって、より詳細には、応力が集中する可能性がある箇所を増やすことによって、そのような箇所の各々に集中する応力の総量を減らすことによって、クラック・剥離等の発生を抑制でき、電気的接続の不良の発生の可能性を減らすことができるとの考えに到った。

上述の考えに基づいて、発明者が、応力の集中の抑制について、鋭意検討した結果、応力が集中する可能性がある箇所を、ＰＴＣデバイスの両側の側方の２箇所に設けるのではなく、ＰＴＣデバイスの角部分とすることによって、即ち、４箇所に設けることによって、電気的接続の不良の可能性が減るとの考えに到った。

従って、第１の要旨において、本発明はＰＴＣデバイスを提供し、
このＰＴＣデバイスは、
層状ＰＴＣ要素およびその両側の表面上にそれぞれ配置された第１層状電極および第２層状電極を有して成るＰＴＣユニット、ならびに各層状電極の外側に（即ち、ＰＴＣユニットの外側に）位置する絶縁層を有する（層状の）ＰＴＣ素子を有して成り、
ＰＴＣ素子は、第１端部および第２端部を有し、第１端部にて、その各角部分に第１四半分円筒状凹部を有し、また、第２端部にて、その角部分に第２四半分円筒状凹部を有し、
各第１四半分円筒状凹部は、第１層状電極に電気的に接続された第１キャスタレーション電極を有し、また、各第２四半分円筒状凹部は、第２層状電極に接続された第２キャスタレーション電極を有する
ことを特徴とする。

１つの態様では、このＰＴＣデバイスは、第１四半分円筒状凹部および第２四半分円筒状凹部に加えて、先に説明した半円筒状凹部を第１端部および第２端部に更に有してよい。

上述の第１の要旨のＰＴＣデバイスは、１つの好ましい態様において、ＰＴＣ要素およびその両側の表面上に配置された層状電極を有して成るＰＴＣユニットが複数、絶縁層を介して積層されていてもよい。

即ち、第２の要旨において、本発明は、別のＰＴＣデバイスを提供し、
このＰＴＣデバイスは、
複数の層状ＰＴＣ要素および各ＰＴＣ要素の両側の表面上にそれぞれ配置された第１層状電極および第２層状電極を有して成る複数のＰＴＣユニット、ならびにこれらのＰＴＣユニットを間に挟んで離隔するようにＰＴＣユニットの間に配置された絶縁層が積層された積層体としてのＰＴＣ素子を有して成り、
ＰＴＣ素子は、第１端部および第２端部を有し、
ＰＴＣ素子は、第１端部にて、その各角部分に第１四半分円筒状凹部を有し、また、第２端部にて、その角部分に第２四半分円筒状凹部を有し、
各第１四半分円筒状凹部は、各ＰＴＣ要素の第１層状電極に電気的に接続された第１キャスタレーション電極を有し、また、各第２四半分円筒状凹部は、第２層状電極に接続された第２キャスタレーション電極を有する
ことを特徴とする。

１つの態様では、このＰＴＣデバイスは、第１四半分円筒状凹部および第２四半分円筒状凹部に加えて、ＰＴＣ素子積層体の第１端部および第２端部に先に説明した半円筒状凹部を更に有してよい。

本発明のＰＴＣデバイスでは、ＰＴＣ素子またはＰＴＣ素子積層体の角部分に四半分円筒状凹部を有し、その部分にキャスタレーション電極が配置されているので、ＰＴＣ要素の膨張・収縮によって生じる応力が集中し易い箇所が少なくとも４箇所存在することになり、その結果、キャスタレーション電極１つ当たりに作用する応力の総量を少なくすることができるので、ＰＴＣデバイスとの電気的接続に機能するハンダ接続部の電気的接続が不良になる可能性を可及的に減らすことができる。

図１は、従来のＰＴＣデバイスの斜視図を模式的に示す。 図２は、従来のＰＴＣデバイスを基板に実装した状態を模式的に示す。 図３は、本発明のＰＴＣデバイスの平面図を模式的に示す。 図４は、本発明のＰＴＣデバイスの別の態様の平面図を模式的に示す。 図５は、単一のＰＴＣユニットを有する本発明のＰＴＣデバイスの（図４の線Ｙ−Ｙに沿った）断面を模式的に示す。 図６は、複数のＰＴＣユニットを有する本発明のＰＴＣデバイスの（図４の線Ｙ−Ｙに沿った）断面を模式的に示す。 図７は、図３に示す本発明のＰＴＣデバイスの斜視図を模式的に示す。 図８は、本発明のＰＴＣデバイスの製造法を説明するために圧着体の平面図を模式的に示す。

本発明のＰＴＣデバイスを基板に実装する時に、基板に対向する面が上向きとなるようにＰＴＣデバイスを載置した場合（図１において矢印Ａの方向で見た場合に相当）の平面図を図３に、また、斜視図を図７に模式的に示す。従って、図１および図２のＰＴＣデバイスの下面３８は、図３および図７では、上面３８となる。図示した態様では、ＰＴＣデバイス１０は、ＰＴＣ素子１１を有して成り、ＰＴＣ素子は、第１端部４２および第２端部４４を有して成る。

ＰＴＣ素子は、第１四半分円筒状凹部（図３参照）３６または第１四半分円筒状凹部（図７参照）３６を、および第２四半分円筒状凹部（図３参照）３７または第２四半分円筒状凹部（図７参照）３７切り欠いた、全体として（即ち、切り欠き部分が無いとした場合に）、図３の平面図では矩形形状を、また、図７の斜視図では直方体形状を有する。この四半分円形部分（または四半分円筒状凹部）３６および３７は、ＰＴＣデバイスを構成するＰＴＣ素子１０が四半分円筒状凹部を４つの角部分に切り欠き部として有することに由来する。

より詳細には、ＰＴＣ素子１１は、第１端部４２において、２つの第１四半分円筒状部３６を有し、第２端部４４において、２つの第１四半分円筒状部３７を有する。別の態様では、２つの第１または第２四半分円筒状部３６および／または３７の間に、図１に示すような半円筒状凹部１２を有してよい。

尚、四半分円筒状凹部３６は、円筒の４分の１の形状（従って、図３では、四半分円の形状）を有するのが特に好ましい。しかしながら、ＰＴＣ素子１１は、その４つの角部分が切り欠かれている限り、四半分円の形状に代えて、他の切り欠き形状を有してもよい。平面図において、切り欠き形状が直角三角形形状であっても、４分の１の楕円の形状であってもよい。

図示したＰＴＣデバイス１０は、ＰＴＣ素子１１の各第１四半分円筒状凹部３６を規定する側面４０上に側方金属層部分１６を有し、その側面の一方の端部（図７に示す態様では上端４６）にて端部金属メッキ層部分２２を有し、これらの金属層部分は一体に接続され、第１キャスタレーション電極５０を構成する。また、ＰＴＣデバイス１０は、ＰＴＣ素子１１の各第２四半分円筒状凹部３７を規定する側面４１上に側方金属層部分１７を有し、その側面の一方の端部（図７に示す態様では上端４７）にて端部金属層部分２３を有し、これらの金属層部分は一体に接続され、第２キャスタレーション電極５２を構成する。

キャスタレーション電極の側方金属層は、凹部を規定する側面の全面にわたって延在し、端部金属層部分２２および／または２３は、図３に示すように円環状であってもよく、別の態様では、図４に示すように、矩形状（但し、四半分円形に対応する切り欠き部を有する）であってもよい。

尚、側面４０および／または側面４１は、他方の端部（図７に示す態様では下端４８）にても端部金属層部分２０（図７にて、例として手前側のものを破線にて示す）を有してよく、これらの３つの金属層部分（即ち、一方の端部４６上の端部金属層部分２２または２３、側面上の側方金属層部分１６または１７、および他方の端部４８上の端部金属層部分２０）が第１および／または第２キャスタレーション電極を構成してよい。図示していないが、第１キャスタレーション電極５０は、ＰＴＣ素子を構成する１または複数のＰＴＣ要素の主表面上に配置された第１層状電極に電気的に接続され、また、第２キャスタレーション電極５２は、ＰＴＣ素子を構成する１または複数のＰＴＣ要素の主表面上に配置された第２層状電極に電気的に接続されている。

尚、キャスタレーション電極は、その全体を導電性金属によるメッキ処理によって形成してもよい。その場合、キャスタレーション電極を形成する部分以外の部分をマスキングした後に導電性金属（例えば銅、ニッケル、錫等）のメッキ処理し、その後、マスキングを除去することによってキャスタレーション電極を形成できる。この場合、側方金属層部分および端部金属層部分はいずれもメッキ層によって構成される。

別の態様では、端部金属層部分は、金属箔およびその上に形成したメッキ層であってもよい。この場合、後述するようにＰＴＣ素子の最外層としての絶縁層を形成する絶縁性樹脂シート上に金属箔を重ねた圧着体を形成し、エッチングにより所定箇所の金属箔を残した後に、メッキ処理することによって、そのような端部金属層部分を形成できる。この態様でも、側方金属層部分はメッキ層によって構成される。

更に、別の態様では、上述のように形成した、メッキ層により構成されるキャスタレーション電極、または金属箔およびその上のメッキ層により構成されるキャスタレーション電極の最外層上に耐食性に優れた金属層をメッキ処理によって更に形成してよい。例えば最外層が銅で構成されている場合に、ニッケル、次いで錫のメッキ層を、またはニッケル、次いで金のメッキ層をその上に重ねるのが好ましい。

図５に、本発明のＰＴＣデバイスを図４の線Ｙ−Ｙに沿って切断した場合に現れる断面を模式的に示す。図示したＰＴＣ素子１０は、層状ＰＴＣ要素５４およびその両側の表面上にそれぞれ配置された第１層状電極５６および第２層状電極５８を有して成るＰＴＣユニット６０、ならびに各層状電極の外側に（即ち、ＰＴＣユニットの外側に）位置する第１絶縁層６２および第２絶縁層６４を有する、全体として層状のＰＴＣ素子６６を有して成る。ＰＴＣ素子６６は、第１端部４２および第２端部を有し、第１端部にて、その各角部分に第１四半分円筒状凹部３６を有し、また、第２端部にて、その角部分に第２四半分円筒状凹部３７を有する。

尚、層状ＰＴＣ要素、その両側に位置する層状電極（通常、金属箔）および絶縁層を有して成るＰＴＣユニットは周知の部材であり、例えば上記特許文献にも開示されているので詳細な説明は省略する。

図示するように、第１四半分円筒状凹部を規定する側面４０上に、第１層状電極５６にその端部６８にて電気的に接続された第１キャスタレーション電極５０が形成され、また、各第２四半分円筒状凹部３７を規定する側面４１上に、第２層状電極５８にその端部７０にて電気的に接続された第２キャスタレーション電極５２が形成されている。

容易に理解できるように、図示した態様では、各キャスタレーション電極は、側方金属層部分７２（図１の１６または１８に対応）、ならびにＰＴＣ素子６６の上面および下面のそれぞれの両端部に位置する端部金属層部分７４（図１の２０または２４に対応）および７６（図１の２２または２６に対応）により構成されている。このような金属層部分は、後述するように効率的な製造の観点から、金属メッキ層であるのが好ましい。

図６に、本発明の別の態様のＰＴＣデバイスを、図３と同様に切断した場合に現れる断面を模式的に示す。図示した態様では、複数の例として２つの層状ＰＴＣ要素７８および８０、ならびに各ＰＴＣ要素の両側の表面上にそれぞれ配置された第１層状電極８２および８４ならびに第２層状電極８６および８８を有して成る２つのＰＴＣユニット９０および９２を有して成る。これらのＰＴＣユニットは、その両側に絶縁層が位置するように、絶縁層９４、９６および９８によって挟まれ、これらの間に配置されている。これらの絶縁層およびその間に配置されたＰＴＣユニットが積層されて積層体としてのＰＴＣ素子が形成されている。

図５の態様と同様に、ＰＴＣ素子は、第１端部４２および第２端部４４を有し、これらの端部には、第１四半分円筒状部３６および第２四半分円筒状部３７を有、これらを規定する側面上に第１キャスタレーション電極５０および第２キャスタレーション電極５２が形成されている。図示した態様では、第１層状電極８２および８４はその端部にて第１キャスタレーション電極５０に電気的に接続され、また、第２層状電極８６および８８は、第２キャスタレーション電極５２に電気的に接続されている。

図６に示した態様では、ＰＴＣユニットが２つ積層されているが、ＰＴＣユニットが絶縁層によって挟まれるように、より多くのＰＴＣユニットを積層してもよい。この場合、各ＰＴＣユニットの一方の層状電極が第１キャスタレーション電極に接続され、他方の層状電極が第２キャスタレーション電極に接続されるように構成することによって、ＰＴＣユニットが並列に接続されたデバイスを構成することができる。

例えば、本発明のＰＴＣデバイスは、次のようにして製造することができる。最初に、ポリマーＰＴＣ組成物を押出成形することによって得られるポリマーＰＴＣシートの両側の主表面に、層状電極を構成することになる金属層（例えば金属箔）に圧着して、あるいはポリマーＰＴＣ組成物と金属層とを同時押出することによって、ＰＴＣシートが金属層に挟まれた状態の積層体を得る。次に、得られた積層体をエッチング処理に付して、金属層の一部分（図５または図６の部分１００に対応する箇所）を除去し、その後、両側に絶縁層を構成することになる絶縁性樹脂シート（例えばプリプレグシート）を重ね、更に、必要に応じて外側に導電性金属箔（例えば銅箔）を重ね、これらを一体に圧着して圧着体を得る。

その後、図８に示すように、圧着体の所定の箇所に円筒状の孔が形成されるように穿孔する。そして、穿孔した圧着体全体に対し一括に銅メッキ処理を施し、その後、上面および下面の端部金属層部分に対応する部分および穿孔することによって形成される円筒状凹部のみマスキングし、それ以外の金属部分をエッチング処理する。その後、マスキングを除去して、上面および下面の端部金属層部分に対応する部分２２または２３（それぞれ、９０°の扇形状部分１０４を切り欠いた矩形）が４つ集合して規定される１つのより大きい矩形のメッキ層１０６、および穿孔することによって形成される円筒状凹部の側面上のメッキ層を形成する。このように形成した圧着体１０２を模式的平面図にて図８に示す。尚、このように形成される、上面および下面の端部金属層部分２２または２３に対応する部分は、銅箔およびその上に形成された銅メッキ層により構成されるが、例えば図５、図６および図７においては、これらを一体物として示している。その後、必要に応じて、圧着体１０２を金属メッキ処理（例えばニッケル、錫のメッキ処理）してよい。

尚、穿孔することによって、ＰＴＣ要素上に配置された層状金属の厚さ部分が円筒状凹部の側面部に露出することになり、そのような側面部がメッキ処理されて側面にキャスタレーション電極の側方金属メッキ層が形成されるので、層状金属の端部が側方金属メッキ層に電気的に接続されることになる。

このようにメッキ処理が済んだ圧着体１０２を縦方向の分割線１１０および横方向の分割線１１２に沿って切断することによって、個々の本発明のＰＴＣデバイス１０を得ることができる。このようにＰＴＣデバイスが縦・横で相互に隣接した状態の圧着体を形成し、その後、分割することによって、ＰＴＣデバイスを効率よく製造できる。

四半分円筒状凹部をＰＴＣ素子の所定の箇所に形成することを除いて、上述のような圧着体の形成、穿孔およびメッキ処理等によって、図５および図６に示すように、ＰＴＣ素子の層状電極がキャスタレーション電極に電気的に接続された構造を有するＰＴＣデバイスを製造する方法は基本的には既知であり、例えば上記特許文献１等と参照できる。

尚、本発明のＰＴＣデバイスは、ＰＴＣ要素が硬質である場合に特に効果的である。即ち、ＰＴＣ要素を構成する導電性ポリマー組成物が比較的硬質のポリマーを含んで成る場合、例えばポリフッ化ビニリデン樹脂（ＰＶＤＦ）を含む場合、より軟質な樹脂（例えばポリエチレン）と比較して、ＰＴＣ要素の膨張・収縮によって発生する応力を緩和し難いので、ＰＴＣデバイスにおいて四半分円筒状凹部を設け、そこにキャスタレーション電極を形成するのが有効である。

１０…ＰＴＣデバイス、１１…ＰＴＣ素子、１２，１４…半円筒状凹部分、
１６，１８…側方金属層部分、２０，２２，２４，２６…端部金属層部分、２８…基板、
３０…パッド、３２…ハンダ接続部、３４…ハンダ部分、３６…第１四半分円筒状凹部、
３７…第２四半分円筒状凹部、４０，４１…側面、４２…第１端部、４４…第２端部、
４６…一方の端部、４８…他方の端部、５０…第１キャスタレーション電極、
５２…第２キャスタレーション電極、５４…層状ＰＴＣ要素、５６…第１層状電極、
５８…第２層状電極、６０…ＰＴＣユニット、６２…第１絶縁層、６４…第２絶縁層、
６６…ＰＴＣ素子、６８…第１層状電極の端部、７０…第２層状電極の端部、
７２…側方金属層部分、７４，７６…端部金属層部分、７８，８０…層状ＰＴＣ要素、
８２，８４…第１層状電極、８６，８８…第２層状電極、９０，９２…ＰＴＣユニット、
９４，９６，９８…絶縁層、１００…金属層の一部分、１０２…圧着体、
１０４…扇形状部分、１０６…より大きい矩形のメッキ層。

Claims (8)

1. 層状ＰＴＣ要素およびその両側の表面上にそれぞれ配置された第１層状電極および第２層状電極を有して成るＰＴＣユニット、ならびに各層状電極の外側に位置する絶縁層を有するＰＴＣ素子を有して成るＰＴＣデバイスであって、
   ＰＴＣ素子は、第１端部および第２端部を有し、第１端部にて、その各角部分に第１四半分円筒状凹部を有し、第２端部にて、その角部分に第２四半分円筒状凹部を有し、また、第１半円筒状凹部および第２半円筒状凹部を有し、
   第１四半分円筒状凹部および第１半円筒状凹部は、それぞれ第１層状電極に電気的に接続された第１キャスタレーション電極を有し、また、第２四半分円筒状凹部および第２半円筒状凹部は、それぞれ第２層状電極に接続された第２キャスタレーション電極を有する
   ことを特徴とするＰＴＣデバイス。
2. 複数の層状ＰＴＣ要素および各ＰＴＣ要素の両側の表面上にそれぞれ配置された第１層状電極および第２層状電極を有して成る複数のＰＴＣユニット、ならびにこれらのＰＴＣユニットを間に挟んで離隔するようにＰＴＣユニットの間に配置された絶縁層が積層された積層体としてのＰＴＣ素子を有して成り、
   ＰＴＣ素子は、第１端部および第２端部を有し、
   ＰＴＣ素子は、第１端部にて、その各角部分に第１四半分円筒状凹部を有し、第２端部にて、その角部分に第２四半分円筒状凹部を有し、また、第１半円筒状凹部および第２半円筒状凹部を有し、
   第１四半分円筒状凹部および第１半円筒状凹部は、それぞれ各ＰＴＣ要素の第１層状電極に電気的に接続された第１キャスタレーション電極を有し、また、第２四半分円筒状凹部および第２半円筒状凹部は、それぞれ第２層状電極に接続された第２キャスタレーション電極を有する
   ことを特徴とするＰＴＣデバイス。
3. 各キャスタレーション電極は、四半分円筒状凹部を規定する側面および半円筒状凹部に形成した側方金属層部分およびＰＴＣ素子の一方の主表面の端部上に延在する端部金属層部分を有して成ることを特徴とする請求項１または２に記載のＰＴＣデバイス。
4. 端部金属層部分は、金属箔部分およびその上に形成された金属メッキ層部分を有して成ることを特徴とする請求項３に記載のＰＴＣデバイス。
5. 側方金属層部分は、金属メッキ層により形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載のＰＴＣデバイス。
6. 層状ＰＴＣ要素は、ポリフッ化ビニリデンを含んで成る導電性ポリマー組成物から形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のＰＴＣデバイス。
7. 第１半円筒状凹部は、第１端部の２つの第１四半分円筒状凹部の間に配置される、請求項１〜６のいずれかに記載のＰＴＣデバイス。
8. 第２半円筒状凹部は、第２端部の２つの第２四半分円筒状凹部の間に配置される、請求項１〜７のいずれかに記載のＰＴＣデバイス。

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