JP6107582B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6107582B2
JP6107582B2 JP2013204039A JP2013204039A JP6107582B2 JP 6107582 B2 JP6107582 B2 JP 6107582B2 JP 2013204039 A JP2013204039 A JP 2013204039A JP 2013204039 A JP2013204039 A JP 2013204039A JP 6107582 B2 JP6107582 B2 JP 6107582B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
signal line
voltage
terminal
sensor element
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2013204039A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015068745A (ja
Inventor
啓 綱田
啓 綱田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Denso Corp
Original Assignee
Denso Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Denso Corp filed Critical Denso Corp
Priority to JP2013204039A priority Critical patent/JP6107582B2/ja
Publication of JP2015068745A publication Critical patent/JP2015068745A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6107582B2 publication Critical patent/JP6107582B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Description

本発明は、センサ素子の電圧を検出する半導体装置に関する。
例えばインバータ回路を構成するMOSトランジスタは、負荷電流が増加し或いはスイッチング周波数が高くなると、通電損失および/またはスイッチング損失が増えて素子温度が上昇する。そこで、MOSトランジスタの近傍にセンサ素子としてダイオードを設け、検出用の端子を介してアノードとカソードの各電圧を外部に取り出せるように構成されたトランジスタモジュールが用いられている。
MOSトランジスタの駆動ICは、MOSトランジスタに対しゲート電圧を出力する駆動回路と、ダイオードの順方向電圧(センサ電圧)に基づいてMOSトランジスタの過熱状態を判定する過熱判定回路を備えている。一般的な過熱判定回路は、ダイオードのカソードをグランドに接続し、電源線とアノードとの間に定電流回路を備え、コンパレータを用いてアノードの電圧としきい値温度に対応する基準電圧とを比較するように構成されている(特許文献1参照)。
特開2010−175522号公報
上記駆動ICを用いて実際に過熱判定を行ったところ、素子温度が上記しきい値温度よりも低いにもかかわらず、コンパレータが過熱状態と判定する事象が観察された。この事象は、トランジスタモジュールの端子に加わるノイズひいてはセンサ素子であるダイオードのアノードおよびカソードに加わるノイズが大きくなる条件の下で顕著に観察されることが判明した。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、センサ素子にノイズが加わった場合でも物理量に応じた正確なセンサ電圧を検出できる半導体装置を提供することにある。
請求項1に記載した半導体装置は、第1、第2端子間にセンサ素子が接続された状態で第1、第2端子間に入力されるセンサ素子の電圧を検出する。半導体装置は、センサ素子をバイアスするため、第1端子に接続された第1信号線および/または第2端子に接続された第2信号線に接続されたバイアス回路を備えている。
半導体装置は、第1信号線および第2信号線のそれぞれに対し直列の形態で設けられた第1スイッチおよび第2スイッチと、第1信号線および第2信号線における第1スイッチと第2スイッチとの接続ノード間に設けられた第1キャパシタと、第2スイッチを介した後の第1信号線と第2信号線との間に設けられた第2キャパシタを備えている。これら第1、第2スイッチと第1、第2キャパシタは、スイッチトキャパシタ回路を構成している。制御回路は、第1スイッチと第2スイッチを相補信号により繰り返しオンオフ動作させることにより、第2キャパシタの端子間にセンサ素子の電圧に応じた電圧を生成させる。
この半導体装置は、第1端子から第1信号線を見たときのインピーダンスと、第2端子から第2信号線を見たときのインピーダンスが、互いに等しくなるように構成されている。すなわち、第1端子と第2端子から見た半導体装置の内部回路のインピーダンスがバランスした回路となっている。このため、センサ素子の両端子つまり第1端子と第2端子にノイズが加わっても、両端子に生じるノイズ電圧がほぼ等しくなり、センサ素子を通してノイズ電流が流れない、或いは流れにくくなる。
多くのセンサ素子は、その電流電圧特性に非線形性を有している。この非線形性により、センサ素子に流れる電流がノイズ等によって変化すると、センサ素子の端子間に生じる電圧の平均値は、センサ素子に流れる電流の平均値に対応する電圧値からずれる。このずれ幅は、センサ素子に流れる電流の振幅が大きくなるほど拡大する。本半導体装置によれば、センサ素子にノイズが加わってもセンサ素子にノイズ電流が流れない或いは流れにくいので、第2キャパシタの端子間に物理量に応じた正確なセンサ電圧を生成できる。
請求項2記載の手段によれば、センサ素子はダイオードからなる。ダイオードは、非線形な電流電圧特性を有しており、順方向電圧は負の温度係数を有している。従って、ノイズが加わっても温度に応じた正確なセンサ電圧を検出できる。
請求項3記載の手段によれば、バイアス回路は、第1電源線と第1信号線との間に接続されたソース型の第1電流源および第2信号線と第2電源線との間に接続されたシンク型の第2電流源とから構成されている。第1信号線から見た第1電流源と第2信号線から見た第2電流源は、互いに等しいインピーダンスを有している。従って、第1端子から第1信号線を見たときのインピーダンスと第2端子から第2信号線を見たときのインピーダンスが互いに等しい条件を維持しながら、センサ信号をバイアスすることができる。
請求項4記載の手段によれば、第2キャパシタの端子間に生成されるセンサ素子の電圧と基準電圧とを比較する比較回路を備えている。これにより、検出された物理量がしきい値を超えたことを判定できる。
本発明の一実施形態を示す駆動ICの構成図 (a)は期間φ1のスイッチ状態、(b)は期間φ2のスイッチ状態を示す図 (a)はスイッチトキャパシタ回路の入力インピーダンスの変化、(b)はスイッチトキャパシタ回路の出力電圧の変化を示す図 ダイオードの順方向電流と順方向電圧との関係を示す図
本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。例えば車両のパワーウィンドウを開閉動作させる直流モータは、Hブリッジからなる単相インバータ回路により駆動されている。このインバータ回路は、周知のように4つのスイッチング素子、例えば上アーム側にPチャネル型のMOSトランジスタ、下アーム側にNチャネル型のMOSトランジスタを備えて構成されている。MOSトランジスタは、それぞれモジュール化されている。
MOSトランジスタには通電損失とスイッチング損失が発生するため、モータ電流が増加し或いはスイッチング周波数が高くなると素子温度が上昇する。そこで、図1に示すように、例えば上アーム側のトランジスタモジュール11には、MOSトランジスタ12の近傍にダイオード13が配設されている。ダイオード13は、MOSトランジスタ12の温度を検出するセンサ素子である。トランジスタモジュール11は、MOSトランジスタ12のドレイン(D)、ソース(S)、ゲート(G)に繋がる端子と、ダイオード13のアノード(A)、カソード(K)に繋がる端子を備えている。
インバータ回路を構成する4つのMOSトランジスタ12は、共通に設けられた1つの駆動IC14(半導体装置)によって駆動される。駆動IC14は、MOSトランジスタ12を駆動する4つの駆動回路15と、ダイオード13の順方向電圧Vfに基づいて過熱判定を行う2つの過熱判定回路16とを備えている。図面の煩雑を避けるため、図1には1つの駆動回路15と1つの過熱判定回路16のみを示している。
駆動回路15は、図示しないマイコンから端子T1を通してPWM駆動信号Sdを入力し、トランジスタモジュール11のゲートに対し端子T2を通してゲート電圧Vgを出力する。ゲート電圧Vgは、MOSトランジスタ12のゲート・ソース間に印加される。
過熱判定回路16の入力端子である第1端子T3と第2端子T4は、それぞれトランジスタモジュール11のアノード端子、カソード端子と接続されている。過熱判定回路16は、端子T3、T4間に入力されるダイオード13のアノード・カソード間電圧(順方向電圧Vf)を検出する。駆動IC14内において、端子T3、端子T4にはそれぞれ第1信号線17、第2信号線18が接続されている。
ダイオード13に一定の直流バイアス電流を流すバイアス回路19は、第1電源線20と信号線17との間に接続されたPNP形トランジスタ22と、信号線18と第2電源線21(グランド線)との間に接続されたNPN形トランジスタ23とから構成されている。トランジスタ22、23のベースには、直流バイアス電流に応じたバイアス電圧が与えられている。トランジスタ22はソース型の第1電流源として動作し、トランジスタ23はシンク型の第2電流源として動作する。
信号線17、18には、順方向電圧Vfを検出するスイッチトキャパシタ回路24が設けられている。このスイッチトキャパシタ回路24は、第1スイッチSW1a、SW1b、第2スイッチSW2a、SW2b、第1キャパシタC1および第2キャパシタC2から構成されている。スイッチSW1a、SW1b、SW2a、SW2bは、アナログスイッチで構成されている。
スイッチSW1a、SW2aは、信号線17にノードN1aを挟んで直列の形態に設けられており、スイッチSW1b、SW2bは、信号線18にノードN1bを挟んで直列の形態に設けられている。キャパシタC1は、ノードN1a、N1b間に設けられている。キャパシタC2は、スイッチSW2a、SW2bを介した後の信号線17、18のノードN2a、N2b間に設けられている。ノードN2bは電源線21に接続されている。制御回路25は、一定周期を持つ相補的な2値(H/L)の制御信号M1、M2により、スイッチSW1a、SW1b、スイッチSW2a、SW2bをオンオフ駆動する。
これらバイアス回路19とスイッチトキャパシタ回路24の構成によれば、ダイオードのアノード、カソードからそれぞれ駆動IC14の内部を見たときの回路トポロジーが対称となる。これにより、端子T3から信号線17を見たときのインピーダンスZin1と端子T4から信号線18を見たときのインピーダンスZin2が互いに等しくなる。すなわち、駆動IC14における端子T3の入力インピーダンスZin1と端子T4の入力インピーダンスZin2がバランスした回路となっている。なお、インピーダンスZin1は、端子T3と電源線21(または電源線20)との間に印加される交流電圧および信号線17に流れる交流電流により定義され、インピーダンスZin2は、端子T4と電源線21(または電源線20)との間に印加される交流電圧および信号線18に流れる交流電流により定義されるものである。
コンパレータ26は、スイッチトキャパシタ回路24の出力ノードN2aの電圧Vsと、定電圧Vrefを抵抗27、28で分圧して得られる基準電圧Vrとを入力とする比較回路である。コンパレータ26から出力される過熱判定信号Stは、端子T5を通してマイコンに出力される。また、駆動回路15は、過熱判定信号StがLレベル(過熱状態)になると、ゲート電圧VgをMOSトランジスタ12のしきい値電圧よりも低くしてスイッチング動作を停止する。
次に、本実施形態の作用について図2から図4を参照しながら説明する。バイアス回路19により、ダイオード13のPN接合に一定の直流バイアス電流が流れる。これにより、ダイオード13の順方向電圧Vfは、温度が高くなるほど低下する温度特性を示す。
スイッチトキャパシタ回路24は、図2(a)に示すように、(M1、M2)=(H、L)の期間φ1においてスイッチSW1a、SW1bがオン、スイッチSW2a、SW2bがオフとなる。また、図2(b)に示すように、(M1、M2)=(L、H)の期間φ2においてスイッチSW1a、SW1bがオフ、スイッチSW2a、SW2bがオンとなる。順方向電圧Vfの検出動作は以下のようになる。
(1)期間φ1
キャパシタC1には、ダイオード13の両端の電位差(順方向電圧Vf)で決まる下記の電荷Q1が充電される。
Q1=C1・Vf …(1)
キャパシタC2の初期電荷がゼロの場合、コンパレータ26の非反転入力端子に入力される電圧Vsは0Vである。
(2)期間φ2
期間φ1でキャパシタC1に充電された電荷Q1は保存され、キャパシタC1、C2の電圧が等しくなるようにキャパシタC1、C2に電荷が分配される。このときの電荷保存の式は(2)式となり、電圧Vs、キャパシタC2の電荷Q2は(3)式、(4)式となる。ただし、簡単化のためキャパシタC1、C2の容量値をCとする。
Q1=C1・Vf=(C1+C2)Vs …(2)
Vs=Vf/2 …(3)
Q2=C2・Vs=C・Vf/2 …(4)
上記期間φ1、φ2をn回繰り返した後の電圧Vsは、(5)式で示すようになる。
Vs=(2n−1)/2n・Vf=(1−1/2n)Vf …(5)
図3(b)は、期間φ1から期間φ2に移行するごとに電圧Vsが増えていく様子を示している。十分な時間が経過すると(n:大)、電圧Vsは順方向電圧Vfの平均値に接近し、やがて等しくなる。
コンパレータ26は、電圧Vsが基準電圧Vr以上になるとHレベルの過熱判定信号St(非過熱状態)を出力し、電圧Vsが基準電圧Vrよりも低くなるとLレベルの過熱判定信号St(過熱状態)を出力する。基準電圧Vrは、過熱判定のしきい値温度に対応する電圧に設定されている。
上記スイッチトキャパシタ回路24の動作から明らかになるように、期間φ1、φ2の何れにおいても、スイッチトキャパシタ回路24の入力インピーダンスZ1、Z2は互いに等しくなる。図3(a)に示すように、期間φ2におけるインピーダンスZ1、Z2は、期間φ1におけるインピーダンスZ1、Z2よりも大きくなる。
一方、信号線17からトランジスタ22(第1電流源)を見たときのインピーダンスと、信号線18からトランジスタ23(第2電流源)を見たときのインピーダンスも互いに等しくなる。従って、駆動IC14では、その端子T3、T4から内部回路を見たときの入力インピーダンスZin1、Zin2は、スイッチSW1a、SW1b、SW2a、SW2bのオンオフ状態にかかわらずバランスする。
ところで、MOSトランジスタ12がスイッチング動作すると、ドレインとソースにスイッチングに伴い交番変化するノイズが加わる。トランジスタモジュール11において、MOSトランジスタ12とダイオード13は近接して配置されているので、ドレインおよびソースと、アノードおよびカソードとは互いに静電結合している。このため、ドレインおよびソースに加わるノイズは、アノードおよびカソードに伝搬する。
しかし、上述したように端子T3、T4から見た駆動IC14の内部インピーダンスZin1、Zin2(端子T3、T4の入力インピーダンスZin1、Zin2)は、スイッチトキャパシタ回路24の切り替え状態にかかわらず互いに等しいので、端子T3(アノード)に生じるノイズ電圧と端子T4(カソード)に生じるノイズ電圧も互いに等しくなる。その結果、ダイオード13のアノードとカソードにノイズが加わってもノイズ電圧が打ち消し合い、ダイオード13にはノイズ電流が流れない。
図4は、ダイオード13にノイズ電流を模擬した交流電流が流れたときのダイオード13の順方向電圧Vfを示している。ダイオード13の電流電圧特性は、図示したように非線形性を有している。このため、ダイオード13に流れる順方向電流If(直流バイアス電流)に交流電流が重畳すると、順方向電圧Vfの波形に歪みが生じる。その結果、順方向電圧Vfの平均値Vf(mean)は、直流バイアス電流Ifmに対応する順方向電圧Vfmよりも低下する。この低下幅は、ダイオード13に流れる交流電流の振幅が大きくなるほど拡大する。
スイッチトキャパシタ回路24は順方向電圧Vfの平均値Vf(mean)を検出するので、ダイオード13にノイズ電流が流れると、温度に従って定まるべき順方向電圧Vfが低下する。その結果、しきい値温度よりも低い温度にもかかわらず過熱判定信号StがLレベル(過熱状態)となり、判定温度に誤差が生じる。
本実施形態の駆動IC14を用いて温度を検出すると、ダイオード13にノイズが加わってもダイオード13を通してノイズ電流が流れないので、温度により定まる順方向電圧Vfを高精度に検出でき、以て正確な過熱判定を行うことができる。特に、トランジスタモジュール11に用いられる感温用のダイオード13は、MOSトランジスタ12の近傍に設けられるためMOSトランジスタ12との結合が避けられず、ダイオード13の両端子にはスイッチングに伴うノイズが伝搬し易いという事情がある。本実施形態の駆動IC14を用いることで、温度検出精度および過熱判定精度を格段に改善できる。
バイアス回路19は、電源線20と信号線17との間および信号線18と電源線21との間に電流源を対称的に備えている。従って、端子T3から信号線17を見たときのインピーダンスと端子T4から信号線18を見たときのインピーダンスが互いに等しい条件を維持しながら、ダイオード13に直流バイアス電流を流すことができる。
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形、拡張を行うことができる。
端子T3から信号線17を見たときのインピーダンスと端子T4から信号線18を見たときのインピーダンスが互いに等しいとの条件は、両インピーダンスが完全に等しい場合のみならず、多少の差異がある場合も含む。両インピーダンスの差異が小さくなるほどダイオード13に流れるノイズ電流が小さくなり、温度の検出精度が高まる効果が得られるからである。
センサ素子は、温度以外の物理量を検出するものであってもよい。また、温度を検出するセンサ素子はダイオードに限られない。本発明は種々のセンサ素子に適用できるが、電流電圧特性に非線形性を有しているセンサ素子に対し特に有効である。
バイアス回路19は、端子T3、T4からそれぞれ信号線17、18を見たときのインピーダンスがバランスする限りにおいて、非対称な回路構成であってもよい。また、信号線17または信号線18の何れか一方にのみ接続されていてもよい。
キャパシタC1、C2の容量値は異なっていてもよい。
コンパレータ26と分圧抵抗27、28は、必要に応じて設ければよい。
図面中、13はダイオード(センサ素子)、14は駆動IC(半導体装置)、17、18は第1、第2信号線、19はバイアス回路、20、21は第1、第2電源線、22はトランジスタ(ソース型の第1電流源)、23はトランジスタ(シンク型の第2電流源)、25は制御回路、26はコンパレータ(比較回路)、C1、C2は第1、第2キャパシタ、SW1a、SW1bは第1スイッチ、SW2a、SW2bは第2スイッチ、T3、T4は第1、第2端子である。

Claims (5)

  1. 第1、第2端子(T3,T4)間にセンサ素子(13)が接続された状態で前記第1、第2端子間に入力される前記センサ素子の電圧を検出する半導体装置(14)であって、
    前記第1端子に接続された第1信号線(17)および/または前記第2端子に接続された第2信号線(18)に接続され、前記センサ素子をバイアスするバイアス回路(19)と、
    前記第1信号線および前記第2信号線のそれぞれに対し直列の形態で設けられた第1スイッチ(SW1a,SW1b)および第2スイッチ(SW2a,SW2b)と、
    前記第1信号線および前記第2信号線における前記第1スイッチと前記第2スイッチとの接続ノード(N1a,N1b)間に設けられた第1キャパシタ(C1)と、
    前記第2スイッチを介した後の前記第1信号線と前記第2信号線との間に設けられた第2キャパシタ(C2)と、
    前記第1スイッチと前記第2スイッチを相補信号により繰り返しオンオフ動作させることにより、前記第2キャパシタの端子間に前記センサ素子の電圧に応じた電圧を生成させる制御回路(25)とを備え、
    前記第1端子から前記第1信号線を見たときのインピーダンスと前記第2端子から前記第2信号線を見たときのインピーダンスが互いに等しいことを特徴とする半導体装置。
  2. 前記センサ素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 前記バイアス回路は、第1電源線(20)と前記第1信号線との間に接続されたソース型の第1電流源(22)および前記第2信号線と第2電源線(21)との間に接続されたシンク型の第2電流源(23)とから構成されていることを特徴とする請求項1または2記載の半導体装置。
  4. 前記第1電流源は、PNP形トランジスタ(22)であり、
    前記第2電流源は、NPN形トランジスタ(23)である請求項3記載の半導体装置。
  5. 前記第2キャパシタの端子間に生成される前記センサ素子の電圧と基準電圧とを比較する比較回路(26)を備えていることを特徴とする請求項1からの何れか一項に記載の半導体装置。
JP2013204039A 2013-09-30 2013-09-30 半導体装置 Expired - Fee Related JP6107582B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013204039A JP6107582B2 (ja) 2013-09-30 2013-09-30 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013204039A JP6107582B2 (ja) 2013-09-30 2013-09-30 半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015068745A JP2015068745A (ja) 2015-04-13
JP6107582B2 true JP6107582B2 (ja) 2017-04-05

Family

ID=52835546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013204039A Expired - Fee Related JP6107582B2 (ja) 2013-09-30 2013-09-30 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6107582B2 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7435115B2 (ja) 2020-03-23 2024-02-21 三菱ケミカル株式会社 ビスフェノールの製造方法およびポリカーボネート樹脂の製造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024018816A1 (ja) * 2022-07-22 2024-01-25 ローム株式会社 温度センサ及び車両

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005147895A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Canon Inc 記録装置及び記録ヘッドの温度検出回路
JP2007132861A (ja) * 2005-11-11 2007-05-31 Sanyo Electric Co Ltd 検出回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7435115B2 (ja) 2020-03-23 2024-02-21 三菱ケミカル株式会社 ビスフェノールの製造方法およびポリカーボネート樹脂の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015068745A (ja) 2015-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20200014298A1 (en) Charge pump circuit for providing voltages to multiple switch circuits
JP4720722B2 (ja) ヒステリシスコンパレータ回路および電源切り替え回路
US9602089B2 (en) Amplifying device and offset voltage correction method
JP6262411B2 (ja) 電力変換装置、および、半導体装置
US9722587B2 (en) Power supply circuit
JP6020223B2 (ja) 過電流検出回路
JP6198936B2 (ja) ハーフブリッジ回路の制御装置
JP7106916B2 (ja) 演算増幅回路及びこれを使用した電流検出装置
WO2021111772A1 (ja) 比較回路、半導体装置
US20180024584A1 (en) Voltage source
JP2012147552A (ja) Dc−dcコンバータ
CN108736849B (zh) 低偏移电流感测放大器
JP6107582B2 (ja) 半導体装置
JP5077030B2 (ja) モータ駆動回路およびモータの異常判定方法
JP6458659B2 (ja) スイッチング素子の駆動装置
US10031539B2 (en) Output circuit and voltage generating device
JP6476049B2 (ja) 温度センサ回路
JP6850199B2 (ja) 電源回路
JP6865348B2 (ja) 絶縁ゲート型半導体素子駆動装置及び絶縁ゲート型半導体素子駆動システム
JP2010246287A (ja) 電流制御回路
JP2013121174A (ja) 発振回路、およびdc−dcコンバータ
JP6505624B2 (ja) 降圧回路
JP6648745B2 (ja) チャージポンプ回路
JP2021096089A (ja) 電圧変化率検出回路、半導体装置及び電力変換器
JPWO2016002329A1 (ja) パワー半導体素子の電流検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20151218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20161007

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20161018

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161216

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20170207

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20170220

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6107582

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees