JP6097687B2 - 薄められたドレインを用いる高電圧トランジスタ - Google Patents
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Description
Claims (20)
- 集積回路であって、
第1の導電型を有する半導体基板と、
第1の拡張ドレイン金属酸化物半導体(MOS)トランジスタと、
を含み、
前記第1の拡張ドレインMOSトランジスタが、
第1のソース/チャネルアクティブエリアと、
前記第1のソース/チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される、第1のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第1のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第1のボディ領域であって、前記第1の導電型を有する、前記第1のボディ領域と、
前記ボディ領域内の第1のチャネル領域であって、前記第1のソース/チャネルアクティブエリア内の前記基板の上面に配置される、前記第1のチャネル領域と、
前記第1のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第1のゲート誘電体層と、
前記第1のゲート誘電体層上に配置される第1のゲートと、
前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第1のゲート近傍の前記第1のソース/チャネルアクティブエリア内に配置される第1のソース領域であって、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型を有する、前記第1のソース領域と、
前記基板内に配置される第1のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第1のドレインドリフト領域が前記第2の導電型を有し、
前記第1のドレインドリフト領域が、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第1のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第1のドレインドリフト領域が前記第1のチャネル領域に接し、更に、
前記第1のドレインドリフト領域が、前記第1のソース/チャネルアクティブエリア内に第1の複数の横方向ドーピング条線体(ストリエーション:striation)を含み、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、前記距離の一部が前記第1のゲートの下から前記第1のゲートのドレインエッジを超えるまで延び、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が前記基板の前記上面に平行であり、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が前記第2の導電型を有し、そのため、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも25パーセント低くなる、ようになっている、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1のドレインドリフト領域が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体間で連続的に存在し、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体間の前記第1のドレインドリフト領域の領域より少なくとも15パーセント高いドーピング濃度を有する、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1の導電型を有する前記基板の領域によって横方向に分離される、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアと、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアにより近い端部とにおいて等しい幅を有する、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアにより近い端部において、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアより幅が広くなるように、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体がテーパ状になっている、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体の第1のインスタンスの第1の幅が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体の第2のインスタンスの第2の幅より少なくとも25パーセント大きい、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
第2の拡張ドレインMOSトランジスタを更に含み、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタが、
第2のソース/チャネルアクティブエリアと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される、第2のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第2のボディ領域であって、前記第1の導電型を有する、前記第2のボディ領域と、
前記第2のボディ領域内の第2のチャネル領域であって、前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内の前記基板の前記上面に配置される、前記第2のチャネル領域と、
前記第2のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第2のゲート誘電体層と、
前記第2のゲート誘電体層上に配置される第2のゲートと、
前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第2のゲート近傍の前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内に配置される第2のソース領域であって、前記第2の導電型を有する、前記第2のソース領域と、
前記基板内に配置される第2のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第2のドレインドリフト領域が前記第2の導電型を有し、
前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第2のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第2のドレインドリフト領域が前記第2のチャネル領域に接し、
前記第2のドレインドリフト領域には、横方向ドーピング条線体がない、ようになっている、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
第2の拡張ドレインMOSトランジスタを更に含み、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタが、
第2のソース/チャネルアクティブエリアと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される第2のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第2のボディ領域であって、前記第1の導電型を有する、前記第2のボディ領域と、
前記第2のボディ領域内の第2のチャネル領域であって、前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内の前記基板の前記上面に配置される、前記第2のチャネル領域と、
前記第2のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第2のゲート誘電体層と、
前記第2のゲート誘電体層上に配置される第2のゲートと、
前記フィールド酸化物とは反対側で前記第2のゲート近傍の前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内に配置される第2のソース領域であって、前記第2の導電型を有する、前記第2のソース領域と、
前記基板内に配置される第2のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第2のドレインドリフト領域が前記第2の導電型を有し、
前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第2のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第2のドレインドリフト領域が前記第2のチャネル領域に接し、
前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内に第2の複数の横方向ドーピング条線体を含み、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が前記基板の前記上面に平行であり、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が前記第2の導電型を有し、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が前記第1の複数の横方向ドーピング条線体より狭く、そのため、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比が、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比より少なくとも25パーセント小さくなる、ようになっている、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
第2の拡張ドレインMOSトランジスタを更に含み、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタが、
第2のソース/チャネルアクティブエリアと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアとは反対側に配置される第2のドレインコンタクトアクティブエリアと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板内の第2のボディ領域であって、前記第1の導電型を有する、前記第2のボディ領域と、
前記第2のボディ領域内の第2のチャネル領域であって、前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内の前記基板の前記上面に配置される、前記第2のチャネル領域と、
前記第2のチャネル領域の上の前記基板上に配置される第2のゲート誘電体層と、
前記第2のゲート誘電体層上に配置される第2のゲートと、
前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第2のゲート近傍の前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内に配置される第2のソース領域であって、前記第2の導電型を有する、前記第2のソース領域と、
前記基板内に配置される第2のドレインドリフト領域と、
を含み、
前記第2のドレインドリフト領域が前記第2の導電型を有し、
前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第2のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、
前記第2のドレインドリフト領域が前記第2のチャネル領域に接し、
前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内に第2の複数の横方向ドーピング条線体を含み、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が前記基板の前記上面に平行であり、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が前記第2の導電型を有し、そのため、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも25パーセント低くなるようになっており、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体より長い距離延び、そのため、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタのためのBVDSS値対BVDII値の比が、前記第1の拡張ドレインMOSトランジスタのためのBVDSS値対BVDII値の比より少なくとも25パーセント大きくなる、ようになっている、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の導電型がp型であり、前記第2の導電型がn型である、集積回路。 - 集積回路を形成するプロセスであって、
第1の導電型を有する半導体基板を提供するステップと、
第1の拡張ドレイン金属酸化物半導体(MOS)トランジスタを形成するステップと、
を含み、
前記第1の拡張ドレインMOSトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される前記第2の導電型の第1のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
ドリフト領域注入マスクが、前記第1の拡張ドレインMOSトランジスタのドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入されるエリア内の前記基板を露出させるように、前記基板の上に前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記露出されたエリアが、前記第1の拡張ドレインMOSトランジスタの第1のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第1の拡張ドレインMOSトランジスタの第1のソース/チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアが前記基板の上面にチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクが第1の複数のマスクフィンガーを含み、前記第1の複数のマスクフィンガーが、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板の上に配置され、前記第1の複数のマスクフィンガーが前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアまで延びないよう、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延びる、前記基板上にドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内にドリフト注入層を形成するように、前記ドリフト領域注入マスクの前記露出されたエリアを介して、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型のドーパントをイオン注入する、イオン注入動作を実行するステップであって、そのため、前記第1の複数のマスクフィンガーによって前記第1の複数のマスクフィンガーの直下の前記基板から前記ドーパントがブロックされるようにする、前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第2の導電型の前記第1のドレインドリフト領域を形成するように、前記ドリフト注入層内の前記注入されたドーパントを拡散させ、電気的に活性化させるアニールプロセスを前記集積回路に実行するステップであって、前記第1のドレインドリフト領域が、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアから、前記チャネル領域に接する前記第1のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、前記第1のドレインドリフト領域が第1の複数の横方向ドーピング条線体を含み、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1の複数のマスクフィンガーの長さによって決められる長さだけ前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、そのため、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも25パーセント低くなるようにする、前記アニールプロセスを前記集積回路に実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第1のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第1のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板内に、前記第1の導電型を有するボディ領域を形成するステップと、
前記チャネル領域の上の前記基板上にゲート誘電体層を形成するステップと、
前記ゲート誘電体層上にゲートを形成するステップであって、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1のゲートの下から前記第1のゲートのドレインエッジを超えるまで延びる、前記ゲートを形成するステップと、
前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記ゲート近傍の前記第1のソース/チャネルアクティブエリア内に配置されるソース領域を形成するステップであって、前記ソース領域が前記第2の導電型を有する、前記ソース領域を形成するステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
前記第1のドレインドリフト領域が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体間で連続的に存在し、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体間の前記第1のドレインドリフト領域の領域より少なくとも15パーセント高いドーピング濃度を有する、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1の導電型を有する前記基板の領域によって横方向に分離される、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアと、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアにより近い端部とにおいて、実質的に等しい幅を有する、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
前記第1の複数のマスクフィンガーがテーパ状であり、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアに近い端部において、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアより幅が広くなるように、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体がテーパ状である、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
前記第1の複数の横方向ドーピング条線体の第1のインスタンスの第1の幅が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体の第2のインスタンスの第2の幅より少なくとも25パーセント広い、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
第2の拡張ドレインMOSトランジスタを形成するステップを更に含み、
前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される第2のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
前記ドリフト領域注入マスクが、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入される第2のエリア内の前記基板を露出させるように、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記第2の露出されたエリアが、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のソース/チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアが前記基板の上面に第2のチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクには、イオン注入される前記第2のエリア内にマスクフィンガーがない、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内に第2のドリフト注入層を形成するように、前記第2の導電型の前記ドーパントが、前記ドリフト領域注入マスクの前記第2の露出されたエリアを介してイオン注入されるように前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第2の導電型の前記第2のドレインドリフト領域を形成するように、前記第2のドリフト注入層内の前記注入されたドーパントが、拡散し、電気的に活性化されるように前記アニールプロセスを実行するステップであって、前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第2のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、前記第2のチャネル領域に接し、前記第2のドレインドリフト領域には横方向ドーピング条線体がない、前記アニールプロセスを実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第2のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板内に、前記第1の導電型を有する第2のボディ領域を形成するステップと、
前記第2のチャネル領域の上の前記基板上に第2のゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第2のゲート誘電体層上に第2のゲートを形成するステップと、
前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第2のゲート近傍の前記第2のソース/チャネルアクティブエリア内に配置される第2のソース領域を形成するステップであって、前記第2のソース領域が前記第2の導電型を有する、前記ステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
第2の拡張ドレインMOSトランジスタを形成するステップを更に含み、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される第2のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
前記ドリフト領域注入マスクが、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入される第2のエリア内の前記基板を露出させるように、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記第2の露出されたエリアが、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のソース/チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアが、前記基板の上面に第2のチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクが第2の複数のマスクフィンガーを含み、前記第2の複数のマスクフィンガーが、前記第2のチャネル領域と前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとの間の前記基板の上に配置され、前記第2の複数のマスクフィンガーが前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまで延びないように、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、前記第2の複数のマスクフィンガーの前記マスクフィンガーが、前記第1の複数のマスクフィンガーの前記マスクフィンガーより幅が広くなるようになっている、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内に第2のドリフト注入層を形成するように、前記ドリフト領域注入マスクの前記第2の露出されたエリアを介して前記第2の導電型の前記ドーパントがイオン注入されるように、前記イオン注入動作を実行するステップであって、そのため、前記ドーパントが、前記第2の複数のマスクフィンガーによって前記第2の複数のマスクフィンガー直下の前記基板からブロックされるようにする、前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第2の導電型の前記第2のドレインドリフト領域を形成するため、前記第2のドリフト注入層内の前記注入されたドーパントが拡散し、電気的に活性化されるように、前記アニールプロセスを実行するステップであって、前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第2のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、前記第2のチャネル領域に接し、前記第2のドレインドリフト領域が第2の複数の横方向ドーピング条線体を含み、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第2の複数のマスクフィンガーの長さによって決定される長さだけ前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、そのため、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも25パーセント低くなるようになっており、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体の前記横方向ドーピング条線体が、前記第1の複数の横方向ドーピング条線体の前記横方向ドーピング条線体より幅が狭く、そのため、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比が、前記第1のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度と前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第1のドレインドリフト領域のドーパントの平均濃度との比より少なくとも25パーセント小さくなるようになっている、前記アニールプロセスを実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第2のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板に、前記第1の導電型を有する第2のボディ領域を形成するステップと、
前記第2のチャネル領域の上の前記基板上に第2のゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第2のゲート誘電体層上に第2のゲートを形成するステップと、
前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第2のゲート近傍の前記第2のソース/チャネルアクティブエリアに配置される、前記第2の導電型を有する第2のソース領域を形成するステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
第2の拡張ドレインMOSトランジスタを形成するステップを更に含み、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタを形成するステップが、
前記基板内に配置される第2のドレインドリフト領域を形成するステップであって、
前記ドリフト領域注入マスクが、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のドレインドリフト領域をドーピングするためにイオン注入される第2のエリアの前記基板を露出させるように、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップであって、前記第2の露出されたエリアが、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のドレインコンタクトアクティブエリアのために画定されたエリアから、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側に配置される前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタの第2のソース/チャネルアクティブエリアのために画定されたエリアへ延び、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアが前記基板の上面に第2のチャネル領域を含み、前記ドリフト領域注入マスクが第2の複数のマスクフィンガーを含み、前記第2の複数のマスクフィンガーが、前記第2のチャネル領域と前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとの間の前記基板の上に配置され、前記第2の複数のマスクフィンガーが前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまで延びないよう、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、前記第2の複数のマスクフィンガーの前記マスクフィンガーが、前記第1の複数のマスクフィンガーが前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアへ向けて延びるより長い距離、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアに向かって延びる、前記ドリフト領域注入マスクを形成するステップと、
前記基板内に第2のドリフト注入層を形成するように、前記第2の導電型の前記ドーパントが、前記ドリフト領域注入マスクの前記第2の露出されたエリアを介してイオン注入されるように、前記イオン注入動作を実行するステップであって、そのため、前記第2の複数のマスクフィンガーによって、前記第2の複数のマスクフィンガーの直下の前記基板から前記ドーパントがブロックされるようにする、前記イオン注入動作を実行するステップと、
前記第2の導電型の前記第2のドレインドリフト領域を形成するため、前記第2のドリフト注入層内の前記注入されたドーパントが拡散し、電気的に活性化されるように、前記アニールプロセスを実行するステップであって、前記第2のドレインドリフト領域が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアから前記第2のソース/チャネルアクティブエリアへ延び、前記第2のドレインドリフト領域が第2の複数の横方向ドーピング条線体を含み、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体が、前記第2の複数のマスクフィンガーの長さによって決定される長さだけ前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアまでの距離の一部まで延び、そのため、前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度が、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアにおける前記第2のドレインドリフト領域の平均ドーピング濃度より少なくとも25パーセント低くなるようにし、前記第2の複数の横方向ドーピング条線体の前記横方向ドーピング条線体が、前記第1のドレインドリフト領域の前記第1の複数の横方向ドーピング条線体が前記第1のドレインコンタクトアクティブエリアへ向かって延びるより長い距離、前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアへ向かって延び、そのため、前記第2の拡張ドレインMOSトランジスタのためのBVDSS値対BVDII値の比が、前記第1の拡張ドレインMOSトランジスタのためのBVDSS値対BVDII値の比より少なくとも25パーセント大きくなるようにする、前記アニールプロセスを実行するステップと、
を含むプロセスによる、前記第2のドレインドリフト領域を形成するステップと、
前記第2のソース/チャネルアクティブエリアにおける前記基板内に、前記第1の導電型を有する第2のボディ領域を形成するステップと、
前記第2のチャネル領域の上の前記基板上に第2のゲート誘電体層を形成するステップと、
前記第2のゲート誘電体層上に第2のゲートを形成するステップと、
前記第2のドレインコンタクトアクティブエリアとは反対側で前記第2のゲート近傍の前記第2のソース/チャネルアクティブエリアに配置され、前記第2の導電型を有する第2のソース領域を形成するステップと、
を含むプロセスによるものである、プロセス。 - 請求項11に記載のプロセスであって、
前記第1の導電型がp型であり、前記第2の導電型がn型である、プロセス。
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