JP5730331B2 - BiCMOSプロセス技術における高電圧SCRMOS - Google Patents
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Description
Claims (21)
- 基板上に形成されるSCRMOSトランジスタを含む集積回路であって、
前記基板内に形成され、第1の導電型を有するディープウェルと、
前記ディープウェル内に形成される第1のドレイン構造であって、前記第1のドレイン構造の中央に位置し、前記第1のドレイン構造の長さの半分未満まで延在する、前記第1の導電型の中央配置のドレイン拡散領域と、前記第1の導電型とは逆の第2の導電型の、前記第1のドレイン構造の各端部まで延在する第1の分散型SCR端子とを含む、前記第1のドレイン構造と、
前記第2の導電型を有し、前記第1のドレイン構造近傍の前記ディープウェル内に形成される本体領域と、
前記本体領域内に形成されるソース構造であって、前記第1の導電型のソース拡散領域と、前記第2の導電型の本体コンタクト拡散領域とを有する、前記ソース構造と、
前記第1のドレイン構造とは反対側で前記本体領域近傍の前記ディープウェル内に形成される第2のドレイン構造であって、前記ディープウェル内に形成される、前記第1の導電型の分散型ドレイン拡散領域と、前記ディープウェル内に形成される、前記第2の導電型の第2の分散型SCR端子とを含み、前記分散型ドレイン拡散領域と前記第2の分散型SCR端子との組み合わせが、前記第2のドレイン構造の各端部まで延在するようになっている、前記第2のドレイン構造と、
前記基板の上に、前記第1のドレイン構造と前記ソース構造との間の前記本体領域に重なるように形成され、前記ソース拡散領域に電気的に結合されるようになっている、第1のMOSゲートと、
前記基板の上に、前記第2のドレイン構造と前記ソース構造との間の前記本体領域に重なるように形成される、第2のMOSゲートと、
を含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記ディープウェル内に形成される前記第1の導電型のRESURF領域を更に含み、
前記RESURF領域が前記中央配置のドレイン拡散領域の周りに形成され、
前記RESURF領域が前記中央配置のドレイン拡散領域の下に延び、
前記RESURF領域が前記本体領域から横方向に離され、更に、
前記RESURF領域のドーピング濃度が、前記RESURF領域と前記本体領域との間の前記ディープウェルのドーピング濃度より少なくとも2倍高い、集積回路。 - 請求項2に記載の集積回路であって、
前記RESURF領域が前記第1のドレイン構造を横方向に囲む、集積回路。 - 請求項3に記載の集積回路であって、
前記第2のドレイン構造を横方向に囲む第2のRESURF領域を更に含む、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の導電型がN型の導電性であり、前記第2の導電型がP型の導電性である、集積回路。 - 請求項1に記載の集積回路であって、
前記第1の導電型がP型の導電性であり、前記第2の導電型がN型の導電性である、集積回路。 - SCRMOSトランジスタを含む集積回路であって、
第1の導電型を有するディープウェルと、
前記ディープウェル内に形成される第1のドレイン構造であって、前記第1のドレイン構造の中央に位置し、前記第1のドレイン構造の長さの半分未満まで延在し、前記ディープウェルと同じ導電型を有する、中央配置のドレイン拡散領域と、前記ディープウェルと反対の導電型を有し、前記第1のドレイン構造の各端部まで延在する、第1の分散型SCR端子とを有する、前記第1のドレイン構造と、
前記第1のドレイン構造近傍の前記ディープウェル内に形成され、前記ディープウェルと反対の導電型を有する、本体領域と、
前記本体領域内に形成されるソース構造であって、前記ディープウェルと同じ導電型を有するソース拡散領域と、前記ディープウェルと反対の導電型を有する本体コンタクト拡散領域とを有する、前記ソース構造と、
前記第1のドレイン構造とは反対側で前記本体領域近傍の前記ディープウェル内に形成される第2のドレイン構造であって、前記ディープウェル内に形成され、前記ディープウェルと同じ導電型を有する、分散型ドレイン拡散領域と、前記ディープウェル内に形成され、前記ディープウェルと反対の導電型を有する、第2の分散型SCR端子とを有し、前記分散型ドレイン拡散領域と前記第2の分散型SCR端子との組み合わせが、前記第2のドレイン構造の各端部まで延在するようになっている、前記第2のドレイン構造と、
前記ディープウェルの上に、前記第1のドレイン構造と前記ソース構造との間の前記本体領域に重なるように形成され、前記ソース拡散領域に電気的に結合されるようになっている、第1のMOSゲートと、
前記ディープウェルの上に、前記第2のドレイン構造と前記ソース構造との間の前記本体領域に重なるように形成される、第2のMOSゲートと、
を含む、集積回路。 - 請求項7に記載の集積回路であって、
前記ディープウェル内に形成されるRESURF領域を更に含み、
前記RESURF領域が前記ディープウェルと同じ導電型を有し、
前記RESURF領域が前記中央配置のドレイン拡散領域の周りに形成され、
前記RESURF領域が前記中央配置のドレイン拡散領域の下に延び、
前記RESURF領域が前記本体領域から横方向に離され、
前記RESURF領域のドーピング濃度が、前記RESURF領域と前記本体領域との間の前記ディープウェルのドーピング濃度より少なくとも2倍高い、集積回路。 - 請求項8に記載の集積回路であって、
前記RESURF領域が前記第1のドレイン構造を横方向に囲む、集積回路。 - 請求項9に記載の集積回路であって、
前記第2のドレイン構造を横方向に囲む第2のRESURF領域を更に含む、集積回路。 - 請求項7に記載の集積回路であって、
前記ディープウェルがN型導電性であり、前記中央配置のドレイン拡散領域がN型導電性であり、前記第1の分散型SCR端子がP型導電性であり、前記本体領域がP型導電性であり、前記ソース拡散領域がN型導電性であり、前記分散型ドレイン拡散領域がN型導電性であり、前記第2の分散型SCR端子がP型導電性である、集積回路。 - 請求項7に記載の集積回路であって、
前記ディープウェルがP型導電性であり、前記中央配置のドレイン拡散領域がP型導電性であり、前記第1の分散型SCR端子がN型導電性であり、前記本体領域がN型導電性であり、前記ソース拡散領域がP型導電性であり、前記分散型ドレイン拡散領域がP型導電性であり、前記第2の分散型SCR端子がN型導電性である、集積回路。 - SCRMOSトランジスタを含む集積回路を形成するプロセスであって、前記プロセスが、
所与の導電型のディープウェルを半導体基板内に形成することと、
逆の導電型の本体領域を前記ディープウェル内に形成することと、
前記基板の上に、前記本体領域の第1の側に重なるように第1のMOSゲートを形成することと、
前記基板の上に、前記第1のMOSゲートとは反対側で前記本体領域の第2の側に重なるように第2のMOSゲートを形成することと、
前記本体領域とは反対側で前記第1のMOSゲート近傍の前記ディープウェル内に第1のドレイン構造を形成することであって、前記第1のドレイン構造を形成することが、前記基板内に中央配置のドレイン拡散領域を形成することであって、前記中央配置のドレイン拡散領域が前記ディープウェルと同じ導電型を有するように、かつ、前記中央配置のドレイン拡散領域が前記第1のドレイン構造内の中央に位置し、前記第1のドレイン構造の長さの半分未満まで延在するようにする、前記中央配置のドレイン拡散領域を形成することと、前記基板内に第1の分散型SCR端子を形成することであって、前記第1の分散型SCR端子が前記ディープウェルとは逆の導電型を有するように、かつ、前記第1の分散型SCR端子が前記第1のドレイン構造の各端部まで延在するようにする、前記第1の分散型SCR端子を形成することとを含む、前記第1のドレイン構造を形成することと、
前記第1のMOSゲートと前記第2のMOSゲートとの間の前記本体領域内にソース構造を形成することであって、前記所与の導電型のソース拡散領域を形成することと、前記逆の導電型の本体コンタクト拡散領域を形成することとを含む、前記ソース構造を形成することと、
前記本体領域とは反対側で前記第2のMOSゲート近傍の前記ディープウェル内に第2のドレイン構造を形成することであって、前記所与の導電型の分散型ドレイン拡散領域を前記ディープウェル内に形成することと、前記逆の導電型の第2の分散型SCR端子を前記ディープウェル内に形成することとを含み、前記分散型ドレイン拡散領域と前記第2の分散型SCR端子との組み合わせが前記第2のドレイン構造の各端部まで延在するようにする、前記第2のドレイン構造を形成することと、
前記第1のMOSゲートが前記ソース拡散領域に電気的に結合されるように電気的結合要素を形成することと、
を含む、プロセス。 - 請求項13に記載のプロセスであって、
前記所与の導電型のRESURF領域を前記ディープウェル内に形成することを更に含み、
前記RESURF領域が前記中央配置のドレイン拡散領域の周りに形成され、
前記RESURF領域が前記中央配置のドレイン拡散領域の下に延び、
前記RESURF領域が前記本体領域から横方向に離され、更に、
前記RESURF領域のドーピング濃度が、前記RESURF領域と前記本体領域との間の前記ディープウェルのドーピング濃度より少なくとも2倍高い、プロセス。 - 請求項14に記載のプロセスであって、
前記RESURF領域を形成する前記プロセスが、前記RESURF領域が前記第1のドレイン構造を横方向に囲むように行われる、プロセス。 - 請求項15に記載のプロセスであって、
前記第2のドレイン構造を横方向に囲むように第2のRESURF領域を形成することを更に含む、プロセス。 - 請求項16に記載のプロセスであって、
前記所与の導電型がN型の導電性であり、前記逆の導電型がP型の導電性である、プロセス。 - 請求項16に記載のプロセスであって、
前記所与の導電型がP型の導電性であり、前記逆の導電型がN型の導電性である、プロセス。 - 請求項13に記載のプロセスであって、
前記ディープウェルを形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われ、
前記本体領域を形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われ、
前記中央配置のドレイン拡散領域を形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われ、
前記第1の分散型SCR端子を形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われ、
前記ソース拡散領域を形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われ、
前記本体コンタクト拡散領域を形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われ、
前記分散型ドレイン拡散領域を形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われ、
前記第2の分散型SCR端子を形成するステップが前記基板内に不純物をイオン注入することにより行われる、プロセス。 - 請求項16に記載のプロセスであって、
前記中央配置のドレイン拡散領域を形成するステップと、前記ソース拡散領域を形成するステップと、前記分散型ドレイン拡散領域を形成するステップとが、同時に行われる、プロセス。 - 請求項20に記載のプロセスであって、
前記第1の分散型SCR端子を形成するステップと、前記本体コンタクト拡散領域を形成するステップと、前記第2の分散型SCR端子を形成するステップとが、同時に行われる、プロセス。
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