JP6094898B2 - 汚染評価方法 - Google Patents
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- 238000011109 contamination Methods 0.000 title claims description 147
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 307
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 191
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 189
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims description 52
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 41
- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims description 25
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 claims description 24
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 23
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 22
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 22
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 14
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 13
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 9
- 238000000550 scanning electron microscopy energy dispersive X-ray spectroscopy Methods 0.000 claims 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 97
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 27
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 10
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 5
- 229910005881 NiSi 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 230000009545 invasion Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008855 peristalsis Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 238000011158 quantitative evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
その検出工程で検出された個々の欠陥の金属汚染状態を取得する取得工程と、
前記検出工程で検出された前記欠陥の個数と、前記取得工程で得られた前記金属汚染状態とに基づいて、前記ウェーハの金属汚染濃度を算出する算出工程と、
を備えることを特徴とする。
検出した前記欠陥の成分分析を行う分析工程と、
その分析工程の分析結果に基づいて、前記欠陥を欠陥種ごとに分類する分類工程とを備える。その分析工程では、前記欠陥に対してSEM−EDX分析を行う。
前記分析工程では、前記条件決定工程で決定した加速電圧の条件でSEM−EDX分析を行う。
Naturwissenschefeten 37, 1950, 112-113」、「K.Schbert and H.Pfisterer, Z.Metallkunde 41, 1950, 348」より引用したものである。
表面汚染濃度(atoms/cm2)=欠陥体積×金属原子密度×欠陥個数/ウェーハ表面の面積 ・・・式1
表面汚染濃度(atoms/cm2)=(欠陥体積x1+欠陥体積x2・・・欠陥体積xn)×金属原子密度/ウェーハ表面の面積 ・・・式2
バルク汚染濃度(atoms/cm3)=欠陥体積×金属原子密度×バルク中の欠陥個数/ウェーハ体積 ・・・式3
バルク汚染濃度(atoms/cm3)=(欠陥体積x1+欠陥体積x2・・・欠陥体積xn)×d×金属原子密度/ウェーハ体積 ・・・式4
欠陥体積×Ni原子密度×欠陥個数/ウェーハ体積=Ni汚染濃度(atoms/cm3) ・・・式5
Claims (17)
- ウェーハの表面に存在する金属汚染に由来した欠陥を検出する検出工程と、
その検出工程で検出された個々の欠陥の金属汚染状態を取得する取得工程と、
前記検出工程で検出された前記欠陥の個数と、前記取得工程で得られた前記金属汚染状態とに基づいて、前記ウェーハの金属汚染濃度を算出する算出工程と、
を備え、
前記取得工程は、前記欠陥のサイズを前記金属汚染状態として取得するサイズ取得工程を備え、
前記サイズ取得工程は、
前記欠陥の表面積を取得する表面積取得工程と、
前記欠陥の深さ又は高さを取得する深さ/高さ取得工程と、
前記表面積と前記深さ又は高さとに基づいて、前記欠陥の体積を前記サイズとして算出する体積算出工程とを備えることを特徴とする汚染評価方法。 - ウェーハの表面に存在する金属汚染に由来した欠陥を検出する検出工程と、
その検出工程で検出された個々の欠陥の金属汚染状態を取得する取得工程と、
前記検出工程で検出された前記欠陥の個数と、前記取得工程で得られた前記金属汚染状態とに基づいて、前記ウェーハの金属汚染濃度を算出する算出工程と、
を備え、
前記取得工程は、前記欠陥における金属不純物の密度を前記金属汚染状態として取得する密度取得工程を備えることを特徴とする汚染評価方法。 - ウェーハの表面に存在する金属汚染に由来した欠陥を検出する検出工程と、
その検出工程で検出された個々の欠陥の金属汚染状態を取得する取得工程と、
前記検出工程で検出された前記欠陥の個数と、前記取得工程で得られた前記金属汚染状態とに基づいて、前記ウェーハの金属汚染濃度を算出する算出工程と、
を備え、
前記検出工程は、
検出した前記欠陥の成分分析を行う分析工程と、
その分析工程の分析結果に基づいて、前記欠陥を欠陥種ごとに分類する分類工程とを備え、
前記取得工程は、前記欠陥のサイズを前記金属汚染状態として取得するサイズ取得工程を備えることを特徴とする汚染評価方法。 - 前記検出工程は、
前記ウェーハの表面に金属不純物が溶解する薬液を供給する薬液供給工程と、
その薬液供給工程を実施した後の前記ウェーハの表面を検査して前記欠陥を検出する検査工程とを備えることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の汚染評価方法。 - 前記検出工程は、
検出した前記欠陥の成分分析を行う分析工程と、
その分析工程の分析結果に基づいて、前記欠陥を欠陥種ごとに分類する分類工程とを備えることを特徴とする請求項1又は2に記載の汚染評価方法。 - 前記算出工程では、前記分類工程で所定の欠陥種に分類された前記欠陥の個数と、該欠陥の前記金属汚染状態とに基づいて、前記ウェーハの金属汚染濃度を算出することを特徴とする請求項3又は5に記載の汚染評価方法。
- 前記分析工程では、前記欠陥に対してSEM−EDX分析を行うことを特徴とする請求項3、5、6のいずれか1項に記載の汚染評価方法。
- 前記取得工程は、前記欠陥のサイズを前記金属汚染状態として取得するサイズ取得工程を備えることを特徴とする請求項2に記載の汚染評価方法。
- 前記サイズ取得工程は、
前記欠陥の表面積を取得する表面積取得工程と、
前記欠陥の深さ又は高さを取得する深さ/高さ取得工程と、
前記表面積と前記深さ又は高さとに基づいて、前記欠陥の体積を前記サイズとして算出する体積算出工程とを備えることを特徴とする請求項3又は8に記載の汚染評価方法。 - 前記深さ/高さ取得工程では、前記欠陥の断面をTEMにより観察して、その観察像に基づき前記深さ又は高さを取得することを特徴とする請求項1又は9に記載の汚染評価方法。
- 前記深さ/高さ取得工程では、全ての前記欠陥の断面をTEMにより観察して、各観察像に基づき各欠陥の前記深さ又は高さを取得することを特徴とする請求項10に記載の汚染評価方法。
- 前記深さ/高さ取得工程では、1又は複数の前記欠陥を選択して、その選択した前記欠陥の前記深さ又は高さを代表値としてTEMによる観察像に基づき取得し、他の前記欠陥の前記深さ又は高さを前記代表値で代用することを特徴する請求項10に記載の汚染評価方法。
- 前記深さ/高さ取得工程では、前記欠陥を有した前記ウェーハに対するレーザーの侵入長に基づいて、前記深さ又は高さを取得することを特徴とする請求項1又は9に記載の汚染評価方法。
- 前記取得工程は、前記欠陥における金属不純物の密度を前記金属汚染状態として取得する密度取得工程を備えることを特徴とする請求項1又は3に記載の汚染評価方法。
- 前記検出工程は、評価対象の金属不純物を検出するのに適した、SEMにおける電子線の加速電圧の条件をシミュレーションにより決定する条件決定工程を備え、
前記分析工程では、前記条件決定工程で決定した加速電圧の条件でSEM−EDX分析を行うことを特徴とする請求項7に記載の汚染評価方法。 - 前記算出工程は、前記欠陥の個数と前記金属汚染状態とに基づいて前記ウェーハの表面における金属汚染濃度を算出する表面汚染算出工程を備えることを特徴とする請求項1〜15のいずれか1項に記載の汚染評価方法。
- 前記算出工程は、
前記欠陥の個数と前記金属汚染状態とに基づいて、前記ウェーハのバルク中に存在する金属汚染に由来した欠陥であるバルク欠陥の個数及びそのバルク欠陥の金属汚染状態を推定する推定工程と、
その推定工程で得られた個数と金属汚染状態とに基づいて、前記ウェーハのバルク中の金属汚染濃度を算出するバルク汚染算出工程とを備えることを特徴とする請求項1〜16のいずれか1項に記載の汚染評価方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014101705A JP6094898B2 (ja) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 汚染評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014101705A JP6094898B2 (ja) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 汚染評価方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015220296A JP2015220296A (ja) | 2015-12-07 |
JP6094898B2 true JP6094898B2 (ja) | 2017-03-15 |
Family
ID=54779459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014101705A Active JP6094898B2 (ja) | 2014-05-15 | 2014-05-15 | 汚染評価方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6094898B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10727025B2 (en) | 2018-07-10 | 2020-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method of analyzing a crystal defect |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107301960A (zh) * | 2016-04-15 | 2017-10-27 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 晶圆金属污染的评估方法 |
WO2018119675A1 (en) * | 2016-12-27 | 2018-07-05 | China Triumph International Engineering Co., Ltd. | Method for visualizing defects in a semi-finished cdte thin film solar cell |
JP6947137B2 (ja) * | 2018-08-17 | 2021-10-13 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの金属汚染の評価方法およびウェーハの製造工程の管理方法 |
JP7239717B2 (ja) * | 2019-09-04 | 2023-03-14 | 株式会社日立ハイテク | 試料画像表示システムおよび荷電粒子線装置 |
CN114460432A (zh) * | 2022-04-12 | 2022-05-10 | 胜科纳米(苏州)股份有限公司 | 一种半导体晶圆制造晶体管栅极硅氧化层失效的综合分析方法 |
CN116130377B (zh) * | 2023-04-17 | 2023-09-29 | 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 | 外延晶圆的缺陷检测方法、装置、系统及其制造方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5472173B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-04-16 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハ中のCu濃度評価方法 |
JP5614390B2 (ja) * | 2011-09-13 | 2014-10-29 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハのニッケル濃度測定方法 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10727025B2 (en) | 2018-07-10 | 2020-07-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | System and method of analyzing a crystal defect |
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---|---|
JP2015220296A (ja) | 2015-12-07 |
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