JP6032072B2 - 欠陥検出方法 - Google Patents
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Description
また、ウェーハを壁開せずに入射光の反射光や散乱光や透過光の強度の変化を用いて欠陥分布を調べる方法もある。この方法はウェーハ面内の欠陥分布を調べることが可能であるが、深さ方向の欠陥分布を調べることが不可能である。
このように、従来の方法では、ウェーハ内部の欠陥の面内分布および深さ方向の分布の両方を詳細に求めることは困難である。
このようにすれば、レーザー光の侵入深さをおよそ1μm〜5μmとすることができるので、一般的なシリコンエピタキシャルウェーハの所望の侵入深さ領域における欠陥密度を確実に検出できる。
このようにすれば、新たな欠陥を形成したり、既存の欠陥の状態を変化させたりすることなく、エピタキシャル層の厚さを変更でき、より精度よく欠陥を検出できる。
このようにすれば、深さ方向の欠陥分布を容易に正確に検出することができる。
前述のように、半導体ウェーハの内部欠陥の面内分布を深さ方向に詳細に調べる方法がなく、検出方法の開発が待たれていた。
そこで、本発明者は、光学的にウェーハ内部の面内欠陥を検出する方法において、深さ方向の欠陥分布も詳細に調べることの出来る方法について検討した。特にエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層と基板の界面とその近傍の基板の欠陥分布について調べることの出来る方法について鋭意検討を重ねた。
また、物質の表面から深さdの位置の光の強度Iは次式で表される。
I=Io・exp(−αd)
ここで、Ioは表面での光の強度であり、αは吸収係数で、物質と光の波長によって決まる係数である。
まず、図1の(a)に示すように、半導体ウェーハ1のエピタキシャル層2が形成された側の表面にレーザー光4を照射する。照射されたレーザー光4は、半導体ウェーハ1の基板3内部のその波長に依存した深さまで侵入し、結晶欠陥で反射又は拡散する。
このとき、照射するレーザー光の波長は特に限定されないが、シリコンエピタキシャルウェーハの欠陥を検出する場合には、一般的なシリコンエピタキシャルウェーハのエピタキシャル層の厚さは5μm以下であることから、レーザー光の波長を488nm以上、633nm以下とすることが好ましい。このようにすれば、レーザー光の侵入深さをおよそ1μm〜5μmとすることができるので、所望の侵入深さ領域における欠陥密度を確実に検出できる。
上記の本発明の方法において、レーザー光の波長(侵入深さ)と、エピタキシャル層の厚さの変更量を調整することで、所望の侵入深さ領域における欠陥密度を検出できる。
本発明の欠陥検出方法に従って、シリコンエピタキシャルウェーハの深さ方向の欠陥分布を検出した。使用したシリコンエピタキシャルウェーハは、面内にCOP(Crystal originated particle)の分布を有する抵抗率が10Ω・cm、直径300mmのP型シリコン基板の表面に一般的な条件にて、P型エピタキシャル層を1.0μmの厚さで形成したものとした。
まず、そのエピタキシャル層を形成した面に対してレーザーテック社製のMAGICSを用いてレーザー光を照射して面内の欠陥を検出し、欠陥分布を取得した。この際のレーザー光は波長を488nmとし、侵入深さをおよそ1.0μmとした。すなわち、このときエピタキシャル層と基板の界面における面内の欠陥分布を検出したことになる。
CMPにより厚さを変更した後のエピタキシャル層を形成した面に対して、上記と同様にレーザーテック社製のMAGICSを用いてレーザー光を照射して面内の欠陥を検出し、欠陥分布を取得した。
図2にエピタキシャル層の厚みが0.2μmのときの面内の欠陥分布を示す。図のX軸、Y軸は直径300mmウェーハの面上の位置を表す。図2は、ウェーハのノッチ位置が−Y方向であり、ウェーハ中心部より+X方向に50mm、+Y方向に25mmの範囲を測定した結果である。上記のように、レーザー光の侵入深さはおよそ1.0μmであるため、この得られた面内欠陥分布は、エピタキシャル層と基板の界面から深さ0.8μmの侵入深さ領域に含まれる欠陥を表している。
図5にエピタキシャル層の厚さが0.6μmのときに得られた面内欠陥分布を示す。ここで、得られた面内欠陥分布は、エピタキシャル層と基板の界面から深さ0.4μmの侵入深さ領域に含まれる欠陥を表している。
図6にエピタキシャル層の厚さがそれぞれ0.2μm、0.4μm、0.6μmのときに得られた欠陥分布を重ねたものを示す。図6に示すように、厚さが0.4μmのときに検出された欠陥は0.2μmのときに検出された欠陥の部分集合となっている。同様に0.6μmのときに検出された欠陥は0.4μmのときに検出された欠陥の部分集合となっている。
実施例と同様のP型エピタキシャル層を0.2μmの厚さで形成したシリコンエピタキシャルウェーハの面内の欠陥をレーザーテック社製のMAGICSを用いて検出した。
この際のレーザー光は波長を488nmとし、侵入深さをおよそ1.0μmとした。すなわち、エピタキシャル層と基板の界面から深さ0.8μmの侵入深さ領域における面内の欠陥分布を検出した。その結果、実施例で得られた図2の欠陥分布と同様の結果が得られた。
4…レーザー光、 5、6…侵入深さ領域、 7…差分領域。
Claims (4)
- エピタキシャル層を有する半導体ウェーハにレーザー光を照射して該半導体ウェーハの内部に侵入させ、その反射光又は散乱光の強度に基づいて前記半導体ウェーハ内部の欠陥を検出する方法であって、
前記エピタキシャル層の厚さを変更する厚さ変更工程と、
該厚さ変更工程の前後で前記半導体ウェーハのエピタキシャル層を形成した面に対してレーザー光を照射して前記レーザー光の侵入深さ領域における面内の欠陥分布を検出する面内欠陥分布検出工程と、
該厚さ変更工程の前後で検出した面内の欠陥分布の差分を求めることで、それらの侵入深さ領域の差分領域における欠陥密度を検出する工程を有することを特徴とする欠陥検出方法。 - 前記レーザー光の波長を、488nm以上、633nm以下とすることを特徴とする請求項1に記載の欠陥検出方法。
- 前記厚さ変更工程において、化学的機械研磨により前記エピタキシャル層の厚さを減少させることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の欠陥検出方法。
- 前記厚さ変更工程と面内欠陥分布検出工程を繰り返すことによって、前記レーザー光の侵入深さ方向の欠陥分布を検出することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の欠陥検出方法。
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