CN115863200B - 一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法。将碳化硅衬底置于反应室内，反应室抽至真空，通入氢气，保持氢气流量对反应室升温至1300～1400℃时，打开厚度检测系统，电脑端显示反射率值；继续升温至外延生长温度，进行刻蚀，通入源气生长缓冲层以及外延层，在整个过程中电脑端再根据反射率数值实时测绘反射率曲线；外延生长结束后，关闭源气，氢气氛围下开始降温至1300～1400℃时关闭检测系统；再通过反射率曲线计算缓冲层和外延层厚度，厚度＝正弦周期个数*光源波长λ/(2*折射率n)。该方法准确度高，可实时检测碳化硅外延层厚度。
Description
技术领域
本发明涉及检测领域，尤其涉及一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法。
背景技术
目前对于4H-SiC外延厚度的检测方法有：二次离子质谱仪SIMS检测，能够检测外延厚度和缓冲层厚度，但是对样品具有破坏性；扫描电镜(SEM)检测，能够检测外延厚度和缓冲层厚度，但是对样品具有破坏性；扩展电阻测试(SRP)技术检测，能够检测外延厚度和缓冲层厚度，但是对样品具有破坏性；电容电压法(CV)检测法，算法复杂，准确性较低；红外反射测量法(FTIR)，目前4H-SiC外延厚度主流无损检测方法。但是难以区分缓冲层和外延层，无法准确测出缓冲层厚度。
红外反射测量法(FTIR)具体原理为：4H碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率，因此试样的反射光谱会出现反应外延层厚度信息的连续干涉条纹，根据反射谱中干涉条纹的极值峰位，试样的光学常数以及入射角可以计算出相应的外延层厚度。使用这一原理进行检测的仪器还可以细分为用双光束红外分光光度计或傅里叶变换红外光谱仪，但在实际的检测中，利用这一原理的两种仪器都难以检测厚度小于5微米的外延层的实际厚度，其根源在于外延层的实际厚度小于5微米时，产生的干涉条纹弱，极值峰难以辨识清楚。
综上所述，目前背景技术即使能够检测缓冲层厚度的测试方法，但是对测试样品具有破坏性；无损检测方法如FTIR，无法精确测出缓冲层厚度且难以检测厚度小于5微米的外延层。所以目前要么无法无损监控或检测缓冲层厚度，要么只能通过进行二次离子质谱仪SIMS定期检测缓冲层厚度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种准确度高的实时检测碳化硅外延层厚度的方法。
为实现上述目的，本发明提供一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法，其特征在于，包括如下步骤，
S1：将碳化硅衬底进行清洗后置于反应室内的小盘上；
S2：将反应室抽至真空，随后通入氢气，保持氢气流量对反应室进行升温，升温至1300～1400℃时，打开厚度检测系统，此时光源发出固定光强的光入射至衬底表面，再反射到信号接收器，随后信号接收器记录接收到的反射光光强，最后从电脑端输出反射率数值，反射率＝反射光光强/入射光光强；优选的，采集的频率范围选择50次/秒～0.1次/秒；光源波长范围：200nm～3000nm；波长越短精度越高，但是波长越短对应的采集频率需要越高才能够得到完整的正弦曲线；
S3：反应室继续升温至外延生长温度，随后进行刻蚀，刻蚀结束后通入源气生长缓冲层以及外延层，在整个过程中光源不断地发出固定光强的光，接收器不断地接受并记录反射光光强，并在电脑端输出反射率数值；电脑端再根据反射率数值实时测绘反射率曲线；
S4：外延生长结束后，关闭源气，保持氢气氛围开始降温，当温度降至1300～1400℃时，关闭检测系统；
S5：外延生长结束后通过反射率曲线计算缓冲层和外延层厚度，厚度＝正弦周期个数*光源波长λ/(2*折射率n)；折射率n的测定方式：通过生长样片检测二次离子质谱仪SIMS或者FTIR，根据SIMS或FTIR的检测出缓冲层厚度或者外延层厚度，结合反射率曲线计算出折射率n＝缓冲层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*缓冲层厚度)；或者折射率n＝外延层层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*外延层层厚度)。
根据反射率曲线计算缓冲层和外延层厚度，由于衬底表面状态、缓冲层的表面状态和外延层的表面状态各不相同，因此在不同阶段的反射率数值相差较大，便可较清晰地区分出衬底、缓冲层和外延层。根据各层的对应反射率曲线中波峰波谷的数量计算出各层厚度。
目前90％的碳化硅外延生长工艺缓冲层的生长速度都是＜12um/h，而外延生长速度都是＞15um/h。生长速度相差3um/h便可较清晰地区分。
生长速度影响反射率的原理：是因为生长速度有差异，导致在生长过程中碳化硅表面状态有差异，不同的表面状态反射回来的光的光强会存在差异。
本发明的检测原理为：
1.入射光入射到wafer可以简化为垂直入射。其中一部分直接在wafer表面直接反射，如图1中的虚线箭头，命名为α光；另一部分折射进外延层，在外延层与衬底界面反射，如图1中实线箭头，命名为β光，最后由信号接收器接收，得到反射率曲线。
2.当α与β光程差δ1等于(k+1/2)λ时，α与β相消；当光程差δ1等于kλ时，α与β相长。因此随着外延生长，外延厚度增加，信号接收器接收到反射光信号会形成正弦曲线。光程差等于k*λ时为波峰，光程差δ1等于(k+1/2)*λ时为波谷。λ为入射光波长，k为自然数。
3.如图1的左边图，α的光程＝S1+S1＝2*S1，β的光程＝S1+d*n+d*n+S1＝2*S1+2*d*n，则α与β的光程差δ1＝2*d*n。同理，图1的右边，α与β新的光程差δ2＝2*D*n，d和D为外延层的厚度，n为4H-SiC外延层的折射率。
4.假设图1为两个相邻的波峰对应的外延厚度，则：
①δ1＝2*d*n＝k*λ→d＝k*λ/(2*n)
②δ2＝2*D*n＝k*λ→D＝(k+1)*λ/(2*n)
③两个相邻的波峰对应的厚度差ΔD＝D-d＝λ/(2*n)，即一个正弦周期对应的厚度差。
5.反射率曲线两个相邻的波峰对应的厚度差ΔD＝D-d＝λ/(2*n)，即一个正弦周期对应的厚度差为λ/(2*n)。用该方法的测试外延厚度，影响其精度的关键因素是：外延层每增加ΔD能够采集的数据点数。这又与光源波长、外延生长速度和采集频率息息相关，而波长又影响着测试的分度值。
①当光源波长固定，采集频率固定，外延生长速度越快，能够采集的点数就越少，精度就越差；
②当光源波长固定，外延生长速度固定，采集频率越高，能够采集的点数就越多，精度就越高；
③当外延生长速度固定，采集频率固定，光源波长越长，ΔD越大，能够采集的点数就越多，精度就越高。但是波长过大，会导致分度值变大。
6.可根据不同的外延炉的型号和生长速度配置光源波长200nm～3000nm。
7.折射率n跟温度和光源波长等因素相关。因此确认好外延生长温度后的首次使用该方法检测厚度，需要进行一次折射率测定。即对首次生长样品进行二次离子质谱仪SIMS检测或者FTIR检测，根据SIMS或FTIR的厚度检测结果结合反射率曲线计算折射率n＝缓冲层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*缓冲层厚度)；或者折射率n＝外延层层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*外延层层厚度)。
本发明可以实时无损检测缓冲层厚度；提高测试频率甚至可检测小于5um的外延厚度。
附图说明
图1是本发明方法的检测原理图。
图2是根据外延生长过程中实时检测晶片中心点测出反射率数值画出的曲线图。
图3是根据二次离子质谱仪SIMS检测结果画出的曲线图。
图4是根据外延生长过程中实时检测晶片中心点测出反射率数值画出的曲线图。
图5是根据二次离子质谱仪SIMS检测结果画出的曲线图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。实施例中未注明具体技术或条件者，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法，其特征在于，包括如下步骤，
S1：将碳化硅衬底进行清洗后置于反应室内的小盘上；
S2：将反应室抽至真空，随后通入氢气，保持氢气流量对反应室进行升温，升温至1300～1400℃时，打开厚度检测系统，此时光源发出固定光强的光入射至衬底表面，再反射到信号接收器，随后信号接收器记录接收到的反射光光强，最后从电脑端输出反射率数值，反射率＝反射光光强/入射光光强；优选的，采集的频率范围选择50次/秒～0.1次/秒；光源波长范围：200nm～3000nm；波长越短精度越高，但是波长越短对应的采集频率需要越高才能够得到完整的正弦曲线；
S3：反应室继续升温至外延生长温度，随后进行刻蚀，刻蚀结束后通入源气生长缓冲层以及外延层，在整个过程中光源不断地发出固定光强的光，接收器不断地接受并记录反射光光强，并在电脑端输出反射率数值；电脑端再根据反射率数值实时测绘反射率曲线；
S4：外延生长结束后，关闭源气，保持氢气氛围开始降温，当温度降至1300～1400℃时，关闭检测系统；
S5：外延生长结束后通过反射率曲线计算缓冲层和外延层厚度，厚度＝正弦周期个数*光源波长λ/(2*折射率n)；折射率n的测定方式：通过生长样片检测二次离子质谱仪SIMS或者FTIR，根据SIMS或FTIR的检测出缓冲层厚度或者外延层厚度，结合反射率曲线计算出折射率n＝缓冲层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*缓冲层厚度)；或者折射率n＝外延层层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*外延层层厚度)。
根据反射率曲线计算缓冲层和外延层厚度，由于衬底表面状态、缓冲层的表面状态和外延层的表面状态各不相同，因此在不同阶段的反射率数值相差较大，便可较清晰地区分出衬底、缓冲层和外延层。根据各层的对应反射率曲线中波峰波谷的数量计算出各层厚度。
实施例1：测算折射率n实验：
检测产品及条件概况：
生长n型4H-SiC，结构为4层缓冲层和1层外延层。其中生长温度在1525～1600℃之间。缓冲层的掺杂浓度在1E+17～2E+18之间，外延层掺杂浓度在1E+16～1E+17。使用的检测光源波长为950nm。
检测方法：
S1：将碳化硅衬底进行清洗后置于反应室内的小盘上；
S2：将反应室抽至真空，随后通入氢气，保持氢气流量对反应室进行升温，升温至1300～1400℃时，打开厚度检测系统，此时光源发出固定光强的光入射至衬底表面，再反射到信号接收器，随后信号接收器记录接收到的反射光光强，最后从电脑端输出反射率数值，反射率＝反射光光强/入射光光强；优选的，采集的频率范围选择50次/秒～0.1次/秒；光源波长范围：200nm～3000nm，波长越短精度越高，但是波长越短对应的采集频率需要越高才能够得到完整的正弦曲线；
S3：反应室继续升温至1600℃，随后进行刻蚀。刻蚀结束后通入源气生长缓冲层以及外延层，在整个过程中光源不断地发出固定光强的光，接收器不断地接受并记录反射光光强(数据采集频率0.5次/秒)，并在电脑端输出反射率数值；电脑端再根据反射率数值实时测绘反射率曲线；
S4：外延生长结束后，关闭源气，保持氢气氛围开始降温，当温度降至1300～1400℃时，关闭检测系统；
S5：外延生长结束后通过反射率曲线计算缓冲层和外延层厚度，厚度＝正弦周期个数*光源波长λ/(2*折射率n)。折射率n需要测定一次，测定方式：通过生长样片检测二次离子质谱仪SIMS或者FTIR，根据SIMS或FTIR的检测出缓冲层厚度或者外延层厚度，结合反射率曲线计算出折射率n＝缓冲层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*缓冲层厚度)；或者折射率n＝外延层层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*外延层层厚度)。
实验结果：见图2和图3。其中图2是根据外延生长过程中实时检测晶片中心点测出反射率数值画出的曲线图；图3是根据二次离子质谱仪SIMS检测结果画出的曲线图。
根据图2和图3的结果得：在缓冲层阶段，相邻波峰的距离近似相等，说明掺杂浓度在1E+17～1E+18范围内对折射率n的影响可忽略不计；而外延层和缓冲层的反射率值差距较明显，可清楚的分辨出缓冲层和外延层。如图2中，缓冲层阶段反射率曲线一共出现了9个正弦周期；外延层阶段反射率曲线一共出现了10个正弦周期；图3中，SIMS检测结果：晶片中心点缓冲层的总厚度为：1.582um；外延层的厚度为：1.795um；λ＝950nm＝0.95um；折射率n＝缓冲层阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*缓冲层厚度)＝9*0.95/(2*1.582)，计算得折射率n≈2.70。
通过反射率曲线计算外延层厚度＝外延阶段正弦周期个数*光源波长λ/(2*折射率n)。＝10*0.95/(2*2.70)≈1.759um；与SIMS检测值相差0.036um，由于外延层生长速度高于缓存层，采集频率相同情况下，生长速度越快，一个正弦周期内所能采集的点数越少，因此外延层的精度低于缓冲层。合理提高采集频率以降低光源波长，可以提高检测精度。
实施例2：验证反射率n实验
检测产品及条件概括：
生长n型4H-SiC，结构为1层缓冲层和1层外延层。其中生长温度在1525～1600℃之间，缓冲层的浓度在1E+17～2E+18之间，外延层浓度在1E+16～1E+17。使用的检测光源波长为950nm。
检测方法：同上。
实验结果：见图4和图5。其中图4是根据外延生长过程中实时检测晶片中心点测出反射率数值画出的曲线图；图5是根据二次离子质谱仪SIMS检测结果画出的曲线图。
图4中，缓冲层阶段反射率曲线一共出现了4.5个正弦周期；外延层阶段反射率曲线一共出现了31个正弦周期；由图4算得缓冲层总厚度为：4.5*λ/(2*n)＝4.5*0.95/(2*2.70)≈0.792um；外延层厚度为：31*λ/(2*n)＝31*0.95/(2*2.70)≈5.454um；
图5中SIMI检测结果：晶片中心点缓冲层的总厚度为：0.800um；晶片中心点外延层的总厚度为：5.495um。两种方法检测的结果一致。
综上，使用本发明的检测方法能够较精确的计算出缓冲层厚度和外延层厚度。
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。
Claims (2)
1.一种实时检测碳化硅外延层厚度的方法，其特征在于，包括如下步骤，
S1：将碳化硅衬底进行清洗后置于反应室内的小盘上；
S2：将反应室抽至真空，随后通入氢气，保持氢气流量对反应室进行升温，升温至1300～1400℃时，打开厚度检测系统，此时光源发出固定光强的光入射至衬底表面，再反射到信号接收器，随后信号接收器记录接收到的反射光光强，最后从电脑端输出反射率数值，反射率＝反射光光强/入射光光强；
S3：反应室继续升温至外延生长温度，随后进行刻蚀；刻蚀结束后通入源气生长缓冲层以及外延层，在整个过程中光源不断地发出固定光强的光，接收器不断地接受并记录反射光光强，并在电脑端输出反射率数值；电脑端再根据反射率数值实时测绘反射率曲线；
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2.如权利要求1所述实时检测碳化硅外延层厚度的方法，其特征在于，所述S2步骤中，采集的频率范围选择50次/秒～0.1次/秒；光源波长范围：200nm～3000nm。
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Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4555767A (en) * | 1982-05-27 | 1985-11-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring thickness of epitaxial layer by infrared reflectance |
| JPH0786358A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの厚さ測定方法、半導体基板、その基板の評価方法、化合物半導体検査方法及び化合物半導体検査装置 |
| US5724145A (en) * | 1995-07-17 | 1998-03-03 | Seiko Epson Corporation | Optical film thickness measurement method, film formation method, and semiconductor laser fabrication method |
| JPH11288884A (ja) * | 1998-04-01 | 1999-10-19 | Advantest Corp | Ｍｂｅ装置およびエピタキシャル成長膜の膜厚測定方法 |
| US6410347B1 (en) * | 1998-11-19 | 2002-06-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Real time epitaxial growth of vertical cavity surface-emitting laser using a reflectometry |
| JP2014179395A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 欠陥検出方法 |
| KR102141228B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2020-08-04 | 주식회사 마인즈아이 | 테라헤르츠파 분광기술기반 박막 물리량 측정 방법 및 장치 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0516477D0 (en) * | 2005-08-11 | 2005-09-14 | Optical Reference Systems Ltd | Apparatus for measuring semiconductor physical characteristics |
| US10760896B2 (en) * | 2018-08-29 | 2020-09-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Ellipsometer and method for estimating thickness of film |
| US11022428B2 (en) * | 2019-03-14 | 2021-06-01 | Nuflare Technology, Inc. | Growth rate detection apparatus, vapor deposition apparatus, and vapor deposition rate detection method |
-
2022
- 2022-12-30 CN CN202211725302.6A patent/CN115863200B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4555767A (en) * | 1982-05-27 | 1985-11-26 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for measuring thickness of epitaxial layer by infrared reflectance |
| JPH0786358A (ja) * | 1993-06-15 | 1995-03-31 | Toshiba Corp | 半導体ウェーハの厚さ測定方法、半導体基板、その基板の評価方法、化合物半導体検査方法及び化合物半導体検査装置 |
| US5724145A (en) * | 1995-07-17 | 1998-03-03 | Seiko Epson Corporation | Optical film thickness measurement method, film formation method, and semiconductor laser fabrication method |
| JPH11288884A (ja) * | 1998-04-01 | 1999-10-19 | Advantest Corp | Ｍｂｅ装置およびエピタキシャル成長膜の膜厚測定方法 |
| US6410347B1 (en) * | 1998-11-19 | 2002-06-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Real time epitaxial growth of vertical cavity surface-emitting laser using a reflectometry |
| JP2014179395A (ja) * | 2013-03-14 | 2014-09-25 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 欠陥検出方法 |
| KR102141228B1 (ko) * | 2019-10-31 | 2020-08-04 | 주식회사 마인즈아이 | 테라헤르츠파 분광기술기반 박막 물리량 측정 방법 및 장치 |
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