JP7140022B2 - シリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法及びシリコンウェーハの製造工程管理方法 - Google Patents
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基準となるシリコンウェーハにおける欠陥を異物検査装置にて検出し、走査型電子顕微鏡にて観察した後、欠陥種類別に欠陥数を集計する第1工程と、
前記基準となるシリコンウェーハの酸化膜耐圧測定を行う第2工程と、
前記基準となるシリコンウェーハの前記異物検査装置による欠陥の検出結果と前記酸化膜耐圧測定の結果の位置座標を重ね合わせ、前記欠陥種類別の(酸化膜耐圧不良を引き起こした欠陥数)/(全欠陥数)から、前記欠陥種類別に酸化膜耐圧不良率を求める第3工程と、
酸化膜耐圧特性が未知である被評価シリコンウェーハにおける欠陥を異物検査装置にて検出し、走査型電子顕微鏡にて観察した後、欠陥種類別に欠陥数を集計する第4工程と、
前記第4工程で集計した被評価シリコンウェーハの欠陥種類別の欠陥数と、前記第3工程で算出した前記欠陥種類別の前記酸化膜耐圧不良率に基づき、(欠陥数)×(前記酸化膜耐圧不良率)から、前記被評価シリコンウェーハにおいて、欠陥種類別に酸化膜耐圧不良を引き起こす欠陥数を算出した後、これらを合算した値から、前記被評価シリコンウェーハにおける酸化膜耐圧不良率を推定する第5工程と
を備える。本発明は、これらの第1工程~第5工程により、前記被評価シリコンウェーハにおける酸化膜耐圧特性を評価する方法である。
酸化膜耐圧特性が未知のシリコンウェーハの酸化膜耐圧特性評価の実施例について説明する。
Claims (3)
- シリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法であって、
基準となるシリコンウェーハにおける欠陥を異物検査装置にて検出し、走査型電子顕微鏡にて観察した後、欠陥種類別に欠陥数を集計する第1工程と、
前記基準となるシリコンウェーハの酸化膜耐圧測定を行う第2工程と、
前記基準となるシリコンウェーハの前記異物検査装置による欠陥の検出結果と前記酸化膜耐圧測定の結果の位置座標を重ね合わせ、前記欠陥種類別の(酸化膜耐圧不良を引き起こした欠陥数)/(全欠陥数)から、前記欠陥種類別に酸化膜耐圧不良率を求める第3工程と、
酸化膜耐圧特性が未知である被評価シリコンウェーハにおける欠陥を異物検査装置にて検出し、走査型電子顕微鏡にて観察した後、欠陥種類別に欠陥数を集計する第4工程と、
前記第4工程で集計した被評価シリコンウェーハの欠陥種類別の欠陥数と、前記第3工程で算出した前記欠陥種類別の前記酸化膜耐圧不良率に基づき、(欠陥数)×(前記酸化膜耐圧不良率)から、前記被評価シリコンウェーハにおいて、欠陥種類別に酸化膜耐圧不良を引き起こす欠陥数を算出した後、これらを合算した値から、前記被評価シリコンウェーハにおける酸化膜耐圧不良率を推定する第5工程と
を備える、前記被評価シリコンウェーハにおける酸化膜耐圧特性を評価することを特徴とするシリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法。 - 前記欠陥種類を結晶起因欠陥、加工起因欠陥、及びパーティクルのいずれか1種以上とすることを特徴とする請求項1のシリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法。
- シリコンウェーハの製造工程管理方法であって、
請求項1又は請求項2に記載のシリコンウェーハの酸化膜耐圧特性の評価方法により、前記第5工程で推定した酸化膜耐圧不良率が、予め設定した所定の酸化膜耐圧不良率を超えた場合に、前記被評価シリコンウェーハに酸化膜耐圧不良が発生すると評価し、該被評価シリコンウェーハの製造履歴調査を行い、及び/又は、該被評価シリコンウェーハの製造工程を管理することを特徴とするシリコンウェーハの製造工程管理方法。
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JP2006040961A (ja) | 2004-07-22 | 2006-02-09 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 半導体ウェーハの検査方法、製造方法、及び管理方法 |
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JPH10335402A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体ウェーハの評価方法及び半導体装置の製造方法及びその方法により製造された半導体装置 |
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